JPH02210844A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH02210844A
JPH02210844A JP1032158A JP3215889A JPH02210844A JP H02210844 A JPH02210844 A JP H02210844A JP 1032158 A JP1032158 A JP 1032158A JP 3215889 A JP3215889 A JP 3215889A JP H02210844 A JPH02210844 A JP H02210844A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
chips
chip
semiconductor wafer
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1032158A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2680104B2 (ja
Inventor
Yutaka Yamada
豊 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP3215889A priority Critical patent/JP2680104B2/ja
Publication of JPH02210844A publication Critical patent/JPH02210844A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2680104B2 publication Critical patent/JP2680104B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0442Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0446Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7402Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30Die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7412Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H10P72/7414Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7416Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/013Manufacture or treatment of die-attach connectors
    • H10W72/01331Manufacture or treatment of die-attach connectors using blanket deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331Connecting techniques
    • H10W72/07337Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体装置のチップの分割及びグイボンディング工程を
含む半導体装置の製造方法に関し、グイボンディングの
処理を簡素化することを目的とし、 半導体ウェハの回路非形成面に接着剤を塗布する工程と
、搬送皿の上面に形成した粘着剤に上記接着剤を対向さ
せて上記半導体ウェハを該搬送皿に載置する工程と、上
記搬送皿上の上記半導体ウェハを複数のチップに分割す
る工程と、上記搬送皿上の上記粘着剤を硬化させた後に
上記接着剤の付着した上記チップを上記搬送皿から剥離
し、上記接着剤をリードフレームに対向させて該リード
フレーム上に上記チップを載置する工程とを含み構成す
る。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは
、半導体装置のチップの分割及びグイボンディング工程
を含む半導体装置の組立方法に関する。
〔従来の技術〕
半導体ウェハに形成した半導体装置をチップ分割し、こ
のチップをリードフレームに装着する場合には、第3図
に例示するように、紫外線硬化性のある粘着剤50を塗
布した透明の搬送皿51の上に半導体ウェハ52を貼り
付け(第3図(a))、この半導体ウェハ52を複数の
チップ53に分割した後に(第3図(b))、搬送皿5
1の裏から紫外線を照射しく第3図(C))、紫外線硬
化性粘着剤50・を硬化してその粘着性を大幅に劣化さ
せた状態で各チップ53を剥離するようにしている。
そして、チップ53をリードフレーム54に装着する場
合には、第3図(d)に示すように、針材55によって
搬送皿51の裏からチップ53を押し上げながら真空チ
ャフ56を使用してチップ53を持ち上げ、リードフレ
ーム54のステージに滴下した樹脂接着剤や銀ペースト
等の貼着剤57の上にチップ53を置くようにしている
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、リードフレーム54上に貼着剤57を滴下する
場合には1.その供給量が不均一になり易く、滴下量が
少ない場合にはチップ53が剥がれ易くなり、多い場合
には貼着剤57により周辺が汚染されるといった不都合
がある。
このため、グイボンディングを行う毎に貼着剤57等を
供給したりその滴下量を管理する必要が生じ、グイボン
ディング処理の管理機構を複雑にするといった問題があ
る。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、グイボンディングの処理を簡素化できる半導体装置
の製造方法を堤供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記した課題は、半導体ウェハ1の回路非形成面に接着
剤4を塗布する工程と、搬送皿6の上面に形成した粘着
剤5に上記接着剤4を対向させて上記半導体ウェハ1を
該搬送皿6に載置する工程と、上記搬送皿6上の上記半
導体ウェハ1を複数のチップ8に分割する工程と、上記
搬送皿6上の上記粘着剤5を硬化させた後に上記接着剤
4が付着した上記チップ8を上記搬送皿6から剥離し、
上記接着剤4をリードフレーム11のステージ等の半導
体チップ載置基体に対向させて該半導体チップ載置基体
上に上記チップ8を載置する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法により解決する。
〔作 用〕
本発明によれば、回路非形成面に接着剤4を塗布した半
導体ウェハ1を、搬送皿6上面の貼着剤5に載置し、こ
の状態でチップ分割を行った後に、粘着剤5を硬化させ
て接着剤の付いたチップ8を搬送皿6から剥離し、この
後に、チップ8をそのリードフレーム11上に載置して
接着剤4が粘着するようにしたので、チップ8をリード
フレーム11に載置するだけで簡単にグイボンディング
することが可能になり、チップの組立時間の短縮が図れ
ることになる。
しかも、粘着剤5を硬化した状態においても、その裏面
の接着剤4によりチップが搬送皿6に貼り付いているた
めに、チップ8のズレを確実に防止することができ、チ
ップの組立作業を円滑に行えることになる。
〔実施例〕
第12図は、本発明の一実施例の工程を示す斜視図と断
面図であって、まず、半導体ウェハ1のうち半導体回路
を形成した表側の面を保護するために、半導体ウェハ1
をスピナー2の載置台3に吸着固定し、その表側の面に
フォトレジストのような保護剤を塗布する。そしてこの
後に、半導体ウェハ1を裏返しにしてスピナー2の載置
台3に再び固定する。
この状態において、第1図(8)に示すように、スピナ
ー2から露出した半導体ウェハlの裏面にエポキシ樹脂
等よりなる接着剤4を滴下しながらスピナー2を回転さ
せると、半導体ウェハlの惠面金域には遠心力により接
着剤4が一様に塗布されることになる。
次に、第1図(b)に示すように、紫外線の照射によっ
て硬化する粘着剤5を上面に塗布した搬送皿6を使用し
てこの上に半導体ウェハ1を載置し、第2図(a) 、
 (b)に示すようにして搬送皿6の粘着剤5形成面と
半導体ウェハ1の接着剤4形成面を合わせる。ここで用
いる搬送皿6は、ポリエチレンのような紫外線透過性の
材料により形成されており、その上面の半導体ウェハ1
を囲む領域に、紫外線硬化性粘着剤5を介してフレーム
7を取付けたものである。紫外線硬化性粘着剤5には、
例えばプレポリマーとしてエポキシアクリレート、七ツ
マ−として2エチルへキシルアルキレート、光開始剤と
してベンジル、増感剤としてジ−n−ブチルアミン等を
混合したものを用いる。
この後で、図示しないダイシングソーによって半導体ウ
ェハlに切り込みを入れ、第2図(c)に示すようなチ
ップ分割を行う、この状態では、搬送皿6上の粘着剤5
及び接着剤4は粘着性を保持しているために複数のチッ
プ8はその配列を維持している。
この段階でプロービングを行う、即ち、チップ8の選別
を行って不良チップ8にマークを付ける。
以上のような工程を終えた後に、チップ8のボンディン
グを行う場所に搬送皿6を搬送してこれを所定位置に固
定し、第2図(d)に示すようにその裏側から紫外光を
照射すると、搬送皿6上面に形成した紫外線硬化性の粘
着剤5は搬送皿6を透過した紫外、光によって硬イ(す
るためにその粘着性がなくなる上に、その表面の平坦性
が悪いため、チップ8裏面の接着剤4は粘着剤5から剥
がれ易い状態となる。
そこで、第2図(e)に示すように、下方から搬送皿6
に針10を貫通させてそのチップ8を持ち上げるととも
に、真空チャック9を用いて半導体チップ8を引き上げ
ると、そのチップ8は搬送皿6から離脱する。
そして、チップ8を吸着した状態で真空チャック9をリ
ードフレーム11中央のステージの上方まで移動させ、
第2図(f)に示すようにチップ8をそのステージに載
置した後に真空チャック9の吸引を解くと、チップ8の
裏側の面には接着剤4が全面に塗布されているため、リ
ードフレームll上にチップ8が貼り付いた状態となる
。そこで、エポキシ樹脂性の接着剤4を熱硬化させると
チップ8はリードフレーム11に強固に固定されること
になる。
なお、上記した実施例では接着剤4にエポキシ樹脂系の
材料を使用したが、その他の合成樹脂、合成ゴム等より
なる材料を使用することもできる。
また、搬送皿6の材料を、紫外光を透過するポリオキシ
メチレン、ポリ塩化ビニル等により構成することもでき
る。
〔発明の効果] 以上述べたように本発明によれば、裏側の面に接着剤を
塗布した半導体ウェハを、搬送皿上面の粘着剤に載置し
、この状態でチップ分割を行った後に、粘着剤を硬化さ
せて接着剤の付いたチップを剥離し、この後にリードフ
レームのような半導体チップ載置基体に接着剤が接合す
るようにチップをs!置するようにしたので、チップを
リードフレームに載置することにより簡単にグイボンデ
ィングすることが可能にダリ、チップの組立時間を短縮
することができる。
しかも、搬送皿上の粘着剤を硬化した状態においても、
チップ裏面の接着剤によりチップが搬送皿に貼り付いて
いるために、チップのズレを確実に防止することができ
、チップの組立作業を円滑に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例の工程を示す斜視図、 第2図は、本発明の一実施例の工程を示す断面図、 第3図は、従来方法の一例を示す断面図である。 (符号の説明) 1・・・半導体ウェハ、 2・・・スピナ− 3・・・載置台、 4・・・接着剤、 5・・・紫外線硬化性粘着剤、 6・・・搬送皿、 8・・・チップ、 9・・・真空チャック、 10・・・針、 11・・・リードフレーム。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体ウェハの回路非形成面に接着剤を塗布する工程と
    、 搬送皿の上面に形成した粘着剤に上記接着剤を対向させ
    て上記半導体ウェハを該搬送皿に載置する、工程と、 上記搬送皿上の上記半導体ウェハを複数のチップに分割
    する工程と、 上記搬送皿上の上記粘着剤を硬化させた後に上記接着剤
    が付着した上記チップを上記搬送皿から剥離し、上記接
    着剤を半導体チップ載置基体に対向させて該半導体チッ
    プ載置基体上に上記チップを載置する工程とを有するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP3215889A 1989-02-09 1989-02-09 半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JP2680104B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3215889A JP2680104B2 (ja) 1989-02-09 1989-02-09 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3215889A JP2680104B2 (ja) 1989-02-09 1989-02-09 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02210844A true JPH02210844A (ja) 1990-08-22
JP2680104B2 JP2680104B2 (ja) 1997-11-19

Family

ID=12351123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3215889A Expired - Lifetime JP2680104B2 (ja) 1989-02-09 1989-02-09 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2680104B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04247640A (ja) * 1991-02-04 1992-09-03 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法
JP2007311727A (ja) * 2006-05-22 2007-11-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体素子の製造方法および半導体パッケージの製造方法
EP1680803A4 (en) * 2003-11-05 2009-12-23 California Inst Of Techn PROCESS FOR INTEGRATING PREFABRICATED CHIP STRUCTURES INTO FUNCTIONAL ELECTRONIC SYSTEMS

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0244751A (ja) * 1988-08-05 1990-02-14 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0244751A (ja) * 1988-08-05 1990-02-14 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04247640A (ja) * 1991-02-04 1992-09-03 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法
EP1680803A4 (en) * 2003-11-05 2009-12-23 California Inst Of Techn PROCESS FOR INTEGRATING PREFABRICATED CHIP STRUCTURES INTO FUNCTIONAL ELECTRONIC SYSTEMS
JP2007311727A (ja) * 2006-05-22 2007-11-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体素子の製造方法および半導体パッケージの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2680104B2 (ja) 1997-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6943094B2 (en) Method for attaching semiconductor components to a substrate using component attach system having radiation exposure assembly
CN1327500C (zh) 切割带贴合单元和具有切割带贴合单元的序列式系统
US6759273B2 (en) Method and device for protecting micro electromechanical systems structures during dicing of a wafer
US5972154A (en) Methods of dicing flat workpieces
JP3761444B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6777310B2 (en) Method of fabricating semiconductor devices on a semiconductor wafer using a carrier plate during grinding and dicing steps
JP2001044144A (ja) 半導体チップの製造プロセス
JPWO2003049164A1 (ja) 半導体チップの製造方法
JP2002373870A (ja) 半導体ウエーハの加工方法
TWI549174B (zh) 製造半導體裝置之方法
JP4324788B2 (ja) ウェーハマウンタ
JP2003338474A (ja) 脆質部材の加工方法
JPH07263382A (ja) ウェーハ固定用テープ
KR100816641B1 (ko) 반도체 웨이퍼 가공방법 및 이것에 사용되는 지지기판
JP2006222119A (ja) 半導体装置の製造方法
WO2018043008A1 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02210844A (ja) 半導体装置の製造方法
CN114989333A (zh) 树脂组合物、表面的保护方法以及被加工物的加工方法
JPH05291397A (ja) コレットおよび半導体装置の製造方法
JP7132710B2 (ja) ウェーハの加工方法
US8580070B2 (en) Method of applying an adhesive layer on thincut semiconductor chips of a semiconductor wafer
JPS6269635A (ja) 半導体ウエ−ハの支持治具
JPH07235583A (ja) 粘着シート
JPH04247640A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04249343A (ja) 基板分断方法