JP2680126B2 - 被封止金属部材のエッチング方法 - Google Patents
被封止金属部材のエッチング方法Info
- Publication number
- JP2680126B2 JP2680126B2 JP1131178A JP13117889A JP2680126B2 JP 2680126 B2 JP2680126 B2 JP 2680126B2 JP 1131178 A JP1131178 A JP 1131178A JP 13117889 A JP13117889 A JP 13117889A JP 2680126 B2 JP2680126 B2 JP 2680126B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- lead frame
- metal member
- sealed
- frame material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はリードフレームなどの被封止金属部材のエッ
チング方法に関する。
チング方法に関する。
（従来の技術） リードフレームの製造方法には、リードフレーム材の
エッチングを施す面にレジストパターンを設け、リード
フレーム材をエッチングして、所定のリードを有するリ
ードフレームを形成するものがある。
エッチングを施す面にレジストパターンを設け、リード
フレーム材をエッチングして、所定のリードを有するリ
ードフレームを形成するものがある。
第３図（ａ）は、従来のエッチング方法によってリー
ドを形成する方法を示す説明図である。図で２はリード
フレーム材、３はリードフレーム材２の上下面に所定パ
ターンで形成したレジストパターンである。リードはリ
ードフレーム材２を上下面からエッチングすることによ
り形成される。
ドを形成する方法を示す説明図である。図で２はリード
フレーム材、３はリードフレーム材２の上下面に所定パ
ターンで形成したレジストパターンである。リードはリ
ードフレーム材２を上下面からエッチングすることによ
り形成される。
ところで、エッチングの際にはリードフレーム材の内
部に向かって侵食が徐々に進行するから、レジストパタ
ーン３とリードフレーム材２との境界部の近傍ではエッ
チング速度がやや遅くなって、リード側壁がレジストパ
ターン３側にすそをひく形状となる。また、リード側壁
の中央部には、侵食面が湾曲して形成されることによっ
て図のような突起ができる。
部に向かって侵食が徐々に進行するから、レジストパタ
ーン３とリードフレーム材２との境界部の近傍ではエッ
チング速度がやや遅くなって、リード側壁がレジストパ
ターン３側にすそをひく形状となる。また、リード側壁
の中央部には、侵食面が湾曲して形成されることによっ
て図のような突起ができる。
（発明が解決しようとする課題） 第３図（ｂ）のエッチング後のリード側壁下面のエッ
ジ部４を拡大して示すが、上記のようにエッチングによ
ってリードフレームを製造する場合は、リードの上下面
のエッジ部４がすそをひき、図のようにその突端部が先
に鋭く尖った形状（鋭角状）に形成される。
ジ部４を拡大して示すが、上記のようにエッチングによ
ってリードフレームを製造する場合は、リードの上下面
のエッジ部４がすそをひき、図のようにその突端部が先
に鋭く尖った形状（鋭角状）に形成される。
このリード側壁の上下面のエッジ部が鋭く尖って形成
されることにより、樹脂封止した際にこの部分と接する
封止樹脂に応力が集中しやすく、封止樹脂にクラックを
発生させる原因となる。近年は半導体チップが大型化
し、それにともなって封止樹脂は薄厚になっていること
から、封止樹脂にクラックが発生しやすいという背景が
あり、リードフレームに起因するクラック発生要因をと
り除くことが要求されている。
されることにより、樹脂封止した際にこの部分と接する
封止樹脂に応力が集中しやすく、封止樹脂にクラックを
発生させる原因となる。近年は半導体チップが大型化
し、それにともなって封止樹脂は薄厚になっていること
から、封止樹脂にクラックが発生しやすいという背景が
あり、リードフレームに起因するクラック発生要因をと
り除くことが要求されている。
そこで、本発明は上記問題点を解決すべくなされたも
のであり、その目的とするところは、リード側壁のエッ
ジ部の突端部に上記のような先が鋭く尖った形状を形成
することがなく、封止樹脂にクラックを発生させること
がないリードフレームを得ることのできるリードフレー
ムなどの被封止金属部材のエッチング方法を提供しよう
とするものである。
のであり、その目的とするところは、リード側壁のエッ
ジ部の突端部に上記のような先が鋭く尖った形状を形成
することがなく、封止樹脂にクラックを発生させること
がないリードフレームを得ることのできるリードフレー
ムなどの被封止金属部材のエッチング方法を提供しよう
とするものである。
（課題を解決するための手段） 本発明は上記目的を達成するため次の構成をそなえ
る。
る。
すなわち、被封止金属部材のエッチングを施す面に、
被封止金属部材よりもエッチング速度が速い材質からな
るエッチング皮膜を設け、該エッチング皮膜上にレジス
トパターンを形成し、エッチング皮膜と被封止金属部材
とをエッチングして被封止金属部材側壁のエッジ部突端
部を丸味をもつ形状に形成することを特徴とする。
被封止金属部材よりもエッチング速度が速い材質からな
るエッチング皮膜を設け、該エッチング皮膜上にレジス
トパターンを形成し、エッチング皮膜と被封止金属部材
とをエッチングして被封止金属部材側壁のエッジ部突端
部を丸味をもつ形状に形成することを特徴とする。
（実施例） 以下、本発明に係る好適な実施例を添付図面にもとづ
いて説明する。
いて説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明に係る被封止金属部材
のエッチング方法をリードフレームのエッチングに適用
した例を示す説明図である。
のエッチング方法をリードフレームのエッチングに適用
した例を示す説明図である。
図で10はリードフレーム材であり、12はリードフレー
ム材10の上面および下面に設けたエッチング皮膜であ
る。このエッチング皮膜12はリードフレーム材10にくら
べてエッチング速度が速い材質のものを選ぶ。
ム材10の上面および下面に設けたエッチング皮膜であ
る。このエッチング皮膜12はリードフレーム材10にくら
べてエッチング速度が速い材質のものを選ぶ。
実施例ではリードフレーム材10には、鉄−ニッケル合
金を用い、このリードフレーム材10に銅めっきを施すこ
とによって銅めっき皮膜からなるエッチング皮膜12を形
成した。エッチング液としては、塩化第二鉄を成分とす
るものを用いたが、銅は鉄−ニッケル合金とくらべてエ
ッチング速度が速いので、リードフレーム材10のエッチ
ングを施す面に設けるエッチング皮膜として好適に作用
する。銅めっき皮膜のめっき厚は、１μｍ〜10μｍ程度
である。
金を用い、このリードフレーム材10に銅めっきを施すこ
とによって銅めっき皮膜からなるエッチング皮膜12を形
成した。エッチング液としては、塩化第二鉄を成分とす
るものを用いたが、銅は鉄−ニッケル合金とくらべてエ
ッチング速度が速いので、リードフレーム材10のエッチ
ングを施す面に設けるエッチング皮膜として好適に作用
する。銅めっき皮膜のめっき厚は、１μｍ〜10μｍ程度
である。
リードフレーム材10にエッチング皮膜12を設けた後、
エッチング皮膜12上にフォトレジストを塗布し、所定の
リードパターンにしたがって露光し、レジストパターン
14を形成した後、上下面からエッチングする。
エッチング皮膜12上にフォトレジストを塗布し、所定の
リードパターンにしたがって露光し、レジストパターン
14を形成した後、上下面からエッチングする。
第１図（ｂ）はこのようにしてエッチングを施して、
リードを形成した状態を示す。
リードを形成した状態を示す。
エッチング皮膜12およびリードフレーム材10はエッチ
ング液によって徐々に侵食されるが、エッチング皮膜12
はリードフレーム材10にくらべてエッチング速度が速い
から、エッチング皮膜12の侵食端面とリードフレーム材
10の侵食端面とをくらべると、エッチング皮膜12の侵食
端面はリードフレーム材10の侵食端面よりも外側に後退
する。その結果、リードフレーム材10の上下面のエッジ
部が露光し、エッジ部がエッチングされやすくなる。
ング液によって徐々に侵食されるが、エッチング皮膜12
はリードフレーム材10にくらべてエッチング速度が速い
から、エッチング皮膜12の侵食端面とリードフレーム材
10の侵食端面とをくらべると、エッチング皮膜12の侵食
端面はリードフレーム材10の侵食端面よりも外側に後退
する。その結果、リードフレーム材10の上下面のエッジ
部が露光し、エッジ部がエッチングされやすくなる。
第２図はリードフレーム材10の下面とエッチング皮膜
12との境界近傍（第１図円Ａ内）を拡大して示す説明図
であるが、エッチング皮膜12が外側に後退することによ
って相対的に突出したリードフレーム材10のエッジ部16
がエッチング液により良好にエッチングされることによ
って、突端部がまるまった丸味をもつ形状（鈍角状）に
形成される。
12との境界近傍（第１図円Ａ内）を拡大して示す説明図
であるが、エッチング皮膜12が外側に後退することによ
って相対的に突出したリードフレーム材10のエッジ部16
がエッチング液により良好にエッチングされることによ
って、突端部がまるまった丸味をもつ形状（鈍角状）に
形成される。
エッチング後、レジストパターン14およびエッチング
皮膜12を除去することによって、所定のリードパターン
を有するリードフレームが得られる。得られたリードフ
レームは、従来のエッチング方法によって得られたリー
ドフレームとは異なり、リード側壁のエッジ部の突端部
が尖らずまるまった丸味をもつ形状に形成されているか
ら、このリードフレームを用いて樹脂封止した際、リー
ド側壁のエッジ部に応力が集中することを緩和し、封止
樹脂にクラックを発生させることを防止することができ
る。
皮膜12を除去することによって、所定のリードパターン
を有するリードフレームが得られる。得られたリードフ
レームは、従来のエッチング方法によって得られたリー
ドフレームとは異なり、リード側壁のエッジ部の突端部
が尖らずまるまった丸味をもつ形状に形成されているか
ら、このリードフレームを用いて樹脂封止した際、リー
ド側壁のエッジ部に応力が集中することを緩和し、封止
樹脂にクラックを発生させることを防止することができ
る。
なお、上述したリードフレームのエッチング方法で
は、同一のエッチング液に対してリードフレーム材のエ
ッチング速度よりも速いエッチング速度を有するエッチ
ング皮膜を用いることが特徴であり、リードフレーム材
の材質にあわせて適宜エッチング皮膜の材質を選定する
ことによって、任意のリードフレーム材に対して適用す
ることができる。
は、同一のエッチング液に対してリードフレーム材のエ
ッチング速度よりも速いエッチング速度を有するエッチ
ング皮膜を用いることが特徴であり、リードフレーム材
の材質にあわせて適宜エッチング皮膜の材質を選定する
ことによって、任意のリードフレーム材に対して適用す
ることができる。
たとえば、リードフレーム材の材質としては、上記鉄
−ニッケル合金の他、鉄−ニッケル−コバルト合金、ニ
ッケル、ニッケル合金、鉄、ステンレス、銅などが使用
でき、エッチング皮膜を形成する材質としては銅のほか
アルミニウム等のエッチング速度の速い金属や、場合に
よっては、エッチング液を選択することにより高分子化
合物等を利用することも可能である。
−ニッケル合金の他、鉄−ニッケル−コバルト合金、ニ
ッケル、ニッケル合金、鉄、ステンレス、銅などが使用
でき、エッチング皮膜を形成する材質としては銅のほか
アルミニウム等のエッチング速度の速い金属や、場合に
よっては、エッチング液を選択することにより高分子化
合物等を利用することも可能である。
また、上記のようにリードフレーム材の上下両面から
同時にエッチングする他、片面側からエッチングする場
合も同様に適用でき、この場合にはエッチングを施すリ
ードフレーム材の上下面に上記のエッチング皮膜を設け
ておけばよい。
同時にエッチングする他、片面側からエッチングする場
合も同様に適用でき、この場合にはエッチングを施すリ
ードフレーム材の上下面に上記のエッチング皮膜を設け
ておけばよい。
また、上記方法はリードフレーム材に形成するリード
パターンはとくに限定されるものではない。
パターンはとくに限定されるものではない。
なお、リードフレームのリード側壁のエッジ部突端部
が丸味をもつ形状に形成されるため、上述の封止樹脂に
限らず、低融点ガラスやセラミックなどの絶縁体を封止
部材に用いた半導体装置などのリードフレームを適用し
ても封止部材にクラックが発生することを防止すること
ができる。
が丸味をもつ形状に形成されるため、上述の封止樹脂に
限らず、低融点ガラスやセラミックなどの絶縁体を封止
部材に用いた半導体装置などのリードフレームを適用し
ても封止部材にクラックが発生することを防止すること
ができる。
以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明
したが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
く、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し
得るのはもちろんのことである。
したが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
く、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し
得るのはもちろんのことである。
（発明の効果） 本発明に係る被封止金属部材のエッチング方法によれ
ば、きわめて簡易な方法によって、従来のエッチング方
法で生じていたたとえばリードのエッジ部の鋭く尖った
形状をまるまった丸味をもつ形状に形成でき、この結
果、封止部材で気密封止した際、リードのエッジ部から
封止部材にクラックを発生させることを防止することが
でき、リードフレームを用いた半導体装置等の信頼性を
向上させることができる等の著効を奏する。
ば、きわめて簡易な方法によって、従来のエッチング方
法で生じていたたとえばリードのエッジ部の鋭く尖った
形状をまるまった丸味をもつ形状に形成でき、この結
果、封止部材で気密封止した際、リードのエッジ部から
封止部材にクラックを発生させることを防止することが
でき、リードフレームを用いた半導体装置等の信頼性を
向上させることができる等の著効を奏する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明に係る被封止金属部材の
エッチング方法を示す説明図、第２図はリードのエッジ
部を拡大して示す説明図、第３図（ａ）、（ｂ）は従来
のエッチング方法およびその方法によって得られるリー
ドフレームの断面図である。 ２、10……リードフレーム材、 ３、14……レジストパターン、 12……エッチング皮膜、 16……エッジ部。
エッチング方法を示す説明図、第２図はリードのエッジ
部を拡大して示す説明図、第３図（ａ）、（ｂ）は従来
のエッチング方法およびその方法によって得られるリー
ドフレームの断面図である。 ２、10……リードフレーム材、 ３、14……レジストパターン、 12……エッチング皮膜、 16……エッジ部。
Claims (1)
- 【請求項１】被封止金属部材のエッチングを施す面に、
被封止金属部材よりもエッチング速度が速い材質からな
るエッチング皮膜を設け、 該エッチング皮膜上にレジストパターンを形成し、 エッチング皮膜と被封止金属部材とをエッチングして被
封止金属部材側壁のエッジ部突端部位を丸味をもつ形状
に形成することを特徴とする被封止金属部材のエッチン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1131178A JP2680126B2 (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 被封止金属部材のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1131178A JP2680126B2 (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 被封止金属部材のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02309658A JPH02309658A (ja) | 1990-12-25 |
| JP2680126B2 true JP2680126B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=15051832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1131178A Expired - Fee Related JP2680126B2 (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 被封止金属部材のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2680126B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6372755B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2018-08-15 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクを作製するために用いられる金属板および蒸着マスク |
| CN111668141A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-09-15 | 山东新恒汇电子科技有限公司 | 一种引线框架的蚀刻工艺 |
-
1989
- 1989-05-24 JP JP1131178A patent/JP2680126B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02309658A (ja) | 1990-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5939774A (en) | Semiconductor lead frame | |
| US4942455A (en) | Lead frame for a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device using the lead frame | |
| JP2680126B2 (ja) | 被封止金属部材のエッチング方法 | |
| US4754912A (en) | Controlled collapse thermocompression gang bonding | |
| US5731547A (en) | Circuitized substrate with material containment means and method of making same | |
| US6008068A (en) | Process for etching a semiconductor lead frame | |
| JP2005093652A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS637029B2 (ja) | ||
| US3293092A (en) | Semiconductor device fabrication | |
| KR930002816B1 (ko) | 리드프레임의 가공방법 | |
| JPH01270325A (ja) | ポッティング封止用のマスク | |
| JPH02106059A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH02302068A (ja) | トランスファーモールド型混成集積回路 | |
| KR0147652B1 (ko) | 리이드 프레임의 제조방법 | |
| JPH03159163A (ja) | リードフレーム | |
| JPS6271231A (ja) | サセプタ | |
| JPS5848445A (ja) | 金属リ−ドと電極の接続方法 | |
| JPH0758267A (ja) | リードフレーム | |
| JPH02277251A (ja) | ワイヤボンディング方法および装置 | |
| TW202524590A (zh) | 具有側壁凹部之半導體裝置 | |
| JP2557906B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02158160A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH02170454A (ja) | リードフレーム | |
| JPH11233704A (ja) | リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置 | |
| JPH04364770A (ja) | 低融点ガラス封止型半導体パッケージの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |