JPH02302068A - トランスファーモールド型混成集積回路 - Google Patents
トランスファーモールド型混成集積回路Info
- Publication number
- JPH02302068A JPH02302068A JP1123720A JP12372089A JPH02302068A JP H02302068 A JPH02302068 A JP H02302068A JP 1123720 A JP1123720 A JP 1123720A JP 12372089 A JP12372089 A JP 12372089A JP H02302068 A JPH02302068 A JP H02302068A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- section
- cross
- tip
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトランスファーモールド型混成集積回路に関し
、特にアウターリード部先端のリード断面構造に関する
。
、特にアウターリード部先端のリード断面構造に関する
。
［従来の技術〕
従来、この種の混成集積回路は第５図に示すように、ア
ウターリード部先端２の断面４はすべてがリード切断加
工時に生じる切断面でリードフレーム素材が露出したま
まの状態となっていた。
ウターリード部先端２の断面４はすべてがリード切断加
工時に生じる切断面でリードフレーム素材が露出したま
まの状態となっていた。
なお、第５図（ａ）、（ｂ）において、１はアウターリ
ード、３はＩＣパッケージである。
ード、３はＩＣパッケージである。
上述した従来の混成集積回路のアウターリード先端の断
面はすべてのリード切断加工時に生じる切断面即ち、リ
ードフレーム素材の露出したままの状態となっている。
面はすべてのリード切断加工時に生じる切断面即ち、リ
ードフレーム素材の露出したままの状態となっている。
従って切断面が粗面で又、酸化しやすく、アウターリー
ドを半田接続する場合、リード先端の断面に半田が這い
上がらないという欠点がある。
ドを半田接続する場合、リード先端の断面に半田が這い
上がらないという欠点がある。
本発明の目的は、リード先端の断面部の半田這い上りが
良好となり半田接続の信頼性品質が向上するとともに、
半田手直し工数を大幅に減少することができるトランス
ファモールド型混成集積回路を提供することにある。
良好となり半田接続の信頼性品質が向上するとともに、
半田手直し工数を大幅に減少することができるトランス
ファモールド型混成集積回路を提供することにある。
本発明のトランスファーモールド型混成！４積回路は、
金属性のアイランドに回路基板を接着し、半導体部品等
を搭載したリードフレームを樹脂封止してなるトランス
ファーモールド型混成集積回路において、前記リードフ
レームのアウターリード部先端の断面には、リードフレ
ーム素材が露出しなままの面に加え、金属メッキ仕上り
面を設けたことを特徴として構成される。
金属性のアイランドに回路基板を接着し、半導体部品等
を搭載したリードフレームを樹脂封止してなるトランス
ファーモールド型混成集積回路において、前記リードフ
レームのアウターリード部先端の断面には、リードフレ
ーム素材が露出しなままの面に加え、金属メッキ仕上り
面を設けたことを特徴として構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の樹脂封止後リード
切断加工した平面図およびそのＡ−Ａ断面図である。ま
た、第２図（ａ）。
（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の樹脂封止後リード
切断加工した平面図およびそのＡ−Ａ断面図である。ま
た、第２図（ａ）。
（ｂ）は第１図のアウターリード部を拡大した斜視図お
よび第２図（ａ）のＡ−Ａ断面図でリード先端の断面図
である。第３図はリードフレーム単品状態の平面図であ
る。第１図（ａ）、（ｂ）、第２図（ａ）、（ｂ）およ
び第３図において、１はアウターリードで２はアウター
リードの切断加工された先端、４はリード切断加工時の
断面、５はリード切断加工の影響を受けないメッキ仕上
り面である。リードフレーム単品の状態でアウターリー
ド部のリード切断加工箇所にあらかじめリード幅の２／
３程度の内面がアウターリード部表面と同等のメッキ仕
上げ面の孔７をもつたリードフレーム６を使い樹脂封止
後リード切断箇所８にて切断、加工してトランスファー
モールド型混成集積回路が完成する。
よび第２図（ａ）のＡ−Ａ断面図でリード先端の断面図
である。第３図はリードフレーム単品状態の平面図であ
る。第１図（ａ）、（ｂ）、第２図（ａ）、（ｂ）およ
び第３図において、１はアウターリードで２はアウター
リードの切断加工された先端、４はリード切断加工時の
断面、５はリード切断加工の影響を受けないメッキ仕上
り面である。リードフレーム単品の状態でアウターリー
ド部のリード切断加工箇所にあらかじめリード幅の２／
３程度の内面がアウターリード部表面と同等のメッキ仕
上げ面の孔７をもつたリードフレーム６を使い樹脂封止
後リード切断箇所８にて切断、加工してトランスファー
モールド型混成集積回路が完成する。
第４図は本発明の他の実施例を示すアウターリード先端
の拡大斜視図である。この実施例ではアウターリード部
のリード切断加工箇所の孔形状を角型にしたものを使用
したものであり寸法等の制限から利点がある。
の拡大斜視図である。この実施例ではアウターリード部
のリード切断加工箇所の孔形状を角型にしたものを使用
したものであり寸法等の制限から利点がある。
以上説明したように本発明はアウターリード先端の断面
をすべてのリードフレーム素材のままの露出面状態であ
ったものを約２／３以上の面積についてはアウターリー
ド表面のメッキ仕上り面ど同等の面にした事により、リ
ード先端の断面部の半田這い上りが良好となり半田接続
の信頼性品質が向上するとともに、半田手直し工数が大
幅に減少する効果がある。
をすべてのリードフレーム素材のままの露出面状態であ
ったものを約２／３以上の面積についてはアウターリー
ド表面のメッキ仕上り面ど同等の面にした事により、リ
ード先端の断面部の半田這い上りが良好となり半田接続
の信頼性品質が向上するとともに、半田手直し工数が大
幅に減少する効果がある。
図面の簡単な説明
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の平面図およ
びそのＡ−Ａ線断面図、第２７（ａ）。
びそのＡ−Ａ線断面図、第２７（ａ）。
（ｂ）は第１図のアウターリード部拡大斜視図およびそ
のＡ−Ａ線断面図、第３図は本発明のリード単品状聾の
平面図、第４図は本発明の他の実施例のアウターリード
部拡大斜視図、第５図（ａ）、（ｂ）は従来のトランス
ファーモールド型混成集積回路の一例の平面図およびそ
のアウターリード部拡大斜視図である。
のＡ−Ａ線断面図、第３図は本発明のリード単品状聾の
平面図、第４図は本発明の他の実施例のアウターリード
部拡大斜視図、第５図（ａ）、（ｂ）は従来のトランス
ファーモールド型混成集積回路の一例の平面図およびそ
のアウターリード部拡大斜視図である。
１・・・アウターリード、２・・・アウターリード先端
、３・・・ＩＣパッケージ、４・・・リード切断加工時
の断面、５・・・金属メッキ仕上り面、６・・・リード
フレーム、７・・・内面にメッキ仕上り面を有した孔、
８・・・リード切断箇所。
、３・・・ＩＣパッケージ、４・・・リード切断加工時
の断面、５・・・金属メッキ仕上り面、６・・・リード
フレーム、７・・・内面にメッキ仕上り面を有した孔、
８・・・リード切断箇所。
Claims (1)
- 金属性のアイランドに回路基板を接着し、半導体部品等
を搭載したリードフレームを樹脂封止してなるトランス
ファーモールド型混成集積回路において、前記リードフ
レームのアウターリード部先端の断面には、リードフレ
ーム素材が露出したままの面に加え、金属メッキ仕上り
面を設けたことを特徴とするトランスファーモールド型
混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123720A JPH02302068A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | トランスファーモールド型混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123720A JPH02302068A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | トランスファーモールド型混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302068A true JPH02302068A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14867693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1123720A Pending JPH02302068A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | トランスファーモールド型混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02302068A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003030259A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and method of manufacturing the device |
| US7195953B2 (en) | 2003-04-02 | 2007-03-27 | Yamaha Corporation | Method of manufacturing a semiconductor package using a lead frame having through holes or hollows therein |
| JP2008034830A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置およびリードフレームとその製造方法 |
| US7397112B2 (en) | 2004-12-24 | 2008-07-08 | Yamaha Corporation | Semiconductor package and lead frame therefor |
-
1989
- 1989-05-16 JP JP1123720A patent/JPH02302068A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003030259A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and method of manufacturing the device |
| US7098081B2 (en) | 2001-09-27 | 2006-08-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device and method of manufacturing the device |
| CN100356560C (zh) * | 2001-09-27 | 2007-12-19 | 浜松光子学株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| KR100798543B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2008-01-28 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| US7195953B2 (en) | 2003-04-02 | 2007-03-27 | Yamaha Corporation | Method of manufacturing a semiconductor package using a lead frame having through holes or hollows therein |
| US7397112B2 (en) | 2004-12-24 | 2008-07-08 | Yamaha Corporation | Semiconductor package and lead frame therefor |
| JP2008034830A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置およびリードフレームとその製造方法 |
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