JP2821302B2 - 半導体icのテスト方法 - Google Patents

半導体icのテスト方法

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JP2821302B2
JP2821302B2 JP4007191A JP719192A JP2821302B2 JP 2821302 B2 JP2821302 B2 JP 2821302B2 JP 4007191 A JP4007191 A JP 4007191A JP 719192 A JP719192 A JP 719192A JP 2821302 B2 JP2821302 B2 JP 2821302B2
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俊弘 藤下
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九州日本電気株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ICのテスト方法
に関し、特に直流特性のテスト方に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来のテストシステムはICのDCテス
ト(直流能力チェック)を行う計測ユニットを数台装備
しており、このDCユニットに対し測定するICの各々
のピンを割り当てテストする。その方図3(a)
〜(c)に示すようにA,B,Cの3方法がある。ここ
でICの1ピンから12ピン迄を測定するとし、計測ユ
ニットは4台装備しているとする。各ユニットのピン割
り当ては図1(a)による。
【0003】テストAは各ユニットに1ピンづつ
セットされユニット順,ピンNo順にテストは進む。従
って12回のテストが行われる。
【0004】テストBは各ユニットに1ピンづつ
セットされるが、A方式と違い4台のユニットが同時に
テストを実行する。その為3回のテストで完了する。
【0005】テストCは、各ユニットに割り当て
られるピンを全て短絡し、かつ各ユニット同時にテスト
を実行する為1回のテストで12ピン分の測定が完了す
る。
【0006】これらA〜Cのはテストの内容に合わ
せどの方を選択するか決められる。図4は、ICの
ピンとピンの間が完全に絶縁されるているかをチェック
するピン間リークテストの実例であり、ここでは2ピン
と3ピン間に抵抗Rを介し、短絡している為テスト結果
としては不良ICと判定される。
【0007】すなわち、1ピン毎に測定する時には、2
ピンに5Vを印加し3ピンを0Vにすることで2ピンと
3ピン間に電流が流れるか否かを測定する。このテスト
では図3(a)のテストAの方が使われる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体IC
のテスト方法は、前述の3方にて図4に示すICのピ
ン間リークを測定する場合に、Aでは確実に1ピ
ンづつ測定するので精度良く判定できるが、測定回数が
そのピン数分必要となりテストタイムが長くなる欠点が
ある。
【0009】Bでは、4ピンづつ同時に測定する
為、1〜4ピンに同電位がセットされ図4に示す2ピン
と3ピン間のリークは判定できない。
【0010】Cは全ピン同時測定の為ICを測定
するプログラム上にて奇数ピント偶数ピンに分け、見か
け上となりのピンに同電位が加わらない様な工夫が必要
となり、ICの種類が多い現在では対応に多大な工数が
費されるという欠点があった。そこで、現在では他に有
効な手段がなく、テストタイムを犠牲にしてA
て測定する結果となっている。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ICのテ
スト方法は、複数のピンを複数のDCテストユニットに
接続して電気的直流特性試験をする半導体ICのテスト
方法において、前記複数のピンを所定本数をおいて短絡
して前記DCテストユニットに接続されたピン−DCテ
ストスニットグルプを複数個設け、前記DCユニッ
トごとに順次づらしてテストしている。
【0012】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1(a)は、本発明の実施例を説明するために計
測するDCユニットの台数と各々のICのピンの割当
例をを示す図である。ここでICのピン数は128ピン
の場合とする。DCユニットの台数が4台の場合を考え
ると、DC1のユニットは(4n+1)ピンを、DC2
は(4n+2)ピン,DC3は(4n+3)ピン,DC
4は(4n+4)ピンを担当することとなる。
【0013】図1(b)は、本発明のテスト方法による
測定動作概念を説明するためのピン−DCテストユニッ
トグループの接続模式図である。DCユニット数は4
台、測定するピン数は1〜12ピン迄とする。ここでD
C1ユニットに1,5,9ピンがセットされ全て短絡さ
れる。同様にDC2ユニットに2,6,10ピンがセッ
トされ全て短絡される。DC3ユニットに3,7,11
ピンがセットされ全て短絡される。DC4ユニットに
4,8,12ピンがセットされ全て短絡される。
【0014】次に、各々のユニットの測定順序を図2に
示す。まずDC1のユニットから測定を開始し、DC
2,3,4と進む。各DCユニットが独立している為、
となり同士のピンを同時に測定することはない。図1
(a)に示した様にDCユニットが複数台有れば同様の
測定手順を行う。ここで図3に示した従来のテスト機能
は全て有している。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体IC
のテスト方法は、ピン間リーク等多数ピン測定しなけれ
ばならない時、1ピン毎測定するのに比べDCユニット
に割り当てられたピンを全て短絡し、かつユニット順に
一括測定するので、測定に要すテストタイムを短くで
き、総合的なスループットを上げることが可能となる。
又、隣接するピンは同時に測定はしないので精度良く判
定できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a),(b)はそれぞれ本発明の一実施例を
説明するために示すDCユニット数と各々のICのピン
の割当の例の図およびピン−DCテストユニットグルー
プの接続模式図である。
【図2】図1のテストを行う場合の測定フロー図であ
る。
【図3】(a)〜(c)はそれぞれ、従来の半導体IC
のテストシステムによるA〜C法を説明するため
模式図である。
【図4】半導体ICのリークテストの一例の回路図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01R 31/26 G01R 31/28

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のピンを複数のDCテストユニット
    に接続して電気的直流特性試験をする半導体ICのテス
    方法において、前記複数のピンを所定本数をおいて短
    絡して前記DCテストユニットに接続されたピン−DC
    テストスニットグルプを複数個設け、前記DCユニ
    ットごとに順次づらしてテストすることを特徴とする半
    導体ICのテスト方法
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