JP2948593B2 - 透明導電性フイルム - Google Patents
透明導電性フイルムInfo
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- JP2948593B2 JP2948593B2 JP63209020A JP20902088A JP2948593B2 JP 2948593 B2 JP2948593 B2 JP 2948593B2 JP 63209020 A JP63209020 A JP 63209020A JP 20902088 A JP20902088 A JP 20902088A JP 2948593 B2 JP2948593 B2 JP 2948593B2
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- Japan
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- film
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は導電性薄膜表面での光の反射が低減された
透明導電性フイルムに関するものである。
透明導電性フイルムに関するものである。
透明なプラスチツクフイルム基材の表面に酸化インジ
ウム（In2O3）またはこれと少量の酸化スズ（SnO2）と
の複合酸化物からなる透明な導電性薄膜を形成した透明
導電性フイルムは、透明電極や静電気フイルターとして
各種電子部品に使用されている。たとえばVDTフイルタ
ーやCRTデイスプレーに透明導電性フイルムを貼り付け
て、導電性薄膜を接地することにより、静電シールドや
電磁波シールドとして利用されている。
ウム（In2O3）またはこれと少量の酸化スズ（SnO2）と
の複合酸化物からなる透明な導電性薄膜を形成した透明
導電性フイルムは、透明電極や静電気フイルターとして
各種電子部品に使用されている。たとえばVDTフイルタ
ーやCRTデイスプレーに透明導電性フイルムを貼り付け
て、導電性薄膜を接地することにより、静電シールドや
電磁波シールドとして利用されている。
しかるに、上記公知の透明導電性フイルムは、導電性
薄膜の前記材質に基づき透明性および導電性に非常にす
ぐれるという特徴を有しているものの、導電性薄膜の屈
折率が通常約２程度であるために、この薄膜表面での光
の反射が大きくなつて、外光などの影響でデイスプレー
の表示が見づらくなる、つまり視認性が悪くなるという
問題があつた。
薄膜の前記材質に基づき透明性および導電性に非常にす
ぐれるという特徴を有しているものの、導電性薄膜の屈
折率が通常約２程度であるために、この薄膜表面での光
の反射が大きくなつて、外光などの影響でデイスプレー
の表示が見づらくなる、つまり視認性が悪くなるという
問題があつた。
この問題を解決する方法として、透明導電性フイルム
の導電性薄膜上に反射防止用の誘電体薄膜を形成する方
法が考えられるが、この方法で有効な反射防止を達成す
るためには、フイルム基材と接触する高屈折率の導電性
薄膜とその上の誘電体薄膜との光学的膜厚を最適値に設
計する、たとえは設計波長に対し前者がλ/2、後者がλ
/4の関係を満たすようにすることが望まれる。
の導電性薄膜上に反射防止用の誘電体薄膜を形成する方
法が考えられるが、この方法で有効な反射防止を達成す
るためには、フイルム基材と接触する高屈折率の導電性
薄膜とその上の誘電体薄膜との光学的膜厚を最適値に設
計する、たとえは設計波長に対し前者がλ/2、後者がλ
/4の関係を満たすようにすることが望まれる。
しかるに、この場合導電性薄膜の膜厚を一定の値に規
制する必要があるため、その膜厚を変化させることで用
途目的に応じた種々のフイルム抵抗を得ようとする場合
に大きな支障をきたす結果となる。
制する必要があるため、その膜厚を変化させることで用
途目的に応じた種々のフイルム抵抗を得ようとする場合
に大きな支障をきたす結果となる。
したがつて、この発明は、導電性薄膜の膜厚を任意に
変化させることによつて用途目的に応じた広範囲のフイ
ルム抵抗を得ることができるうえに、この薄膜表面での
光の反射が低減された透明導電性フイルムを提供するこ
とを目的としている。
変化させることによつて用途目的に応じた広範囲のフイ
ルム抵抗を得ることができるうえに、この薄膜表面での
光の反射が低減された透明導電性フイルムを提供するこ
とを目的としている。
この発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意検
討した結果、酸化インジウムまたはこれと少量の酸化ス
ズとの複合酸化物からなる導電性薄膜の表面にこの薄膜
とほぼ同じ屈折率を有する誘電体薄膜を形成し、この上
にさらに低屈折率の他の誘電体薄膜を形成すれば、上記
導電性薄膜およびこれに接する下側の誘電体薄膜の合計
の膜厚と上側の低屈折率の誘電体薄膜の膜厚とを、前記
したような光の反射防止に適した光学的膜厚に設計する
ことで、薄膜表面での光の反射を大きく低減でき、この
場合導電性薄膜の膜厚自体は特に規制されずこの膜厚の
変化に応じてこれと接する下側の誘電体薄膜の膜厚を適
宜変えればよいため、導電性薄膜の膜厚の変化によつて
用途目的に応じた広範囲のフイルム抵抗を任意に得るこ
とができるものであることを知り、この発明を完成する
に至つた。
討した結果、酸化インジウムまたはこれと少量の酸化ス
ズとの複合酸化物からなる導電性薄膜の表面にこの薄膜
とほぼ同じ屈折率を有する誘電体薄膜を形成し、この上
にさらに低屈折率の他の誘電体薄膜を形成すれば、上記
導電性薄膜およびこれに接する下側の誘電体薄膜の合計
の膜厚と上側の低屈折率の誘電体薄膜の膜厚とを、前記
したような光の反射防止に適した光学的膜厚に設計する
ことで、薄膜表面での光の反射を大きく低減でき、この
場合導電性薄膜の膜厚自体は特に規制されずこの膜厚の
変化に応じてこれと接する下側の誘電体薄膜の膜厚を適
宜変えればよいため、導電性薄膜の膜厚の変化によつて
用途目的に応じた広範囲のフイルム抵抗を任意に得るこ
とができるものであることを知り、この発明を完成する
に至つた。
すなわち、この発明は、透明なプラスチツクフイルム
基材の表面に酸化インジウムまたはこれと酸化スズとの
複合酸化物からなる透明な導電性薄膜が形成され、さら
にこの上に1.9〜2.2の屈折率を有する無機酸化物薄膜
（以下、これを下側の誘電体薄膜という）と1.5以下の
屈折率を有する無機酸化物薄膜または弗化物薄膜（以
下、これを上側の誘電体薄膜という）とがこの順に形成
されてなり、上記の導電性薄膜の屈折率，膜厚をn0,
d0、上記の下側の誘電体薄膜の屈折率，膜厚をn1,d1、
上記の上側の誘電体薄膜の屈折率，膜厚をn2,d2とした
とき、設計波長λに対して、n1d1＝λ/2−n0d0、n2d2＝
λ/4の関係を満たすことを特徴とする透明導電性フイル
ムに係るものである。
基材の表面に酸化インジウムまたはこれと酸化スズとの
複合酸化物からなる透明な導電性薄膜が形成され、さら
にこの上に1.9〜2.2の屈折率を有する無機酸化物薄膜
（以下、これを下側の誘電体薄膜という）と1.5以下の
屈折率を有する無機酸化物薄膜または弗化物薄膜（以
下、これを上側の誘電体薄膜という）とがこの順に形成
されてなり、上記の導電性薄膜の屈折率，膜厚をn0,
d0、上記の下側の誘電体薄膜の屈折率，膜厚をn1,d1、
上記の上側の誘電体薄膜の屈折率，膜厚をn2,d2とした
とき、設計波長λに対して、n1d1＝λ/2−n0d0、n2d2＝
λ/4の関係を満たすことを特徴とする透明導電性フイル
ムに係るものである。
この発明におけるプラスチツクフイルム基材の材料と
しては、透明性を有するものであればよく、具体的には
ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド
樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などが挙げられ
る。これらの中でも特にポリエチレンテレフタレート
（PET）が耐熱性や透明性の点で好ましい。これらの材
料からなるプラスチツクフイルム基材の厚みとしては、
特に限定されないが、一般的に25〜200μｍ程度である
のがよい。
しては、透明性を有するものであればよく、具体的には
ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド
樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などが挙げられ
る。これらの中でも特にポリエチレンテレフタレート
（PET）が耐熱性や透明性の点で好ましい。これらの材
料からなるプラスチツクフイルム基材の厚みとしては、
特に限定されないが、一般的に25〜200μｍ程度である
のがよい。
このプラスチツクフイルム基材の表面に設けられる透
明な導電性薄膜は、酸化インジウム単独かこれに酸化ス
ズを少量加えた複合酸化物からなるものであつて、その
膜厚は所望のフイルム抵抗に応じて任意に設定すること
ができる。一般的には50〜2,000Åの範囲の膜厚に設定
にてフイルム抵抗が通常20〜1,000Ω／□程度となよう
にするのが好ましい。
明な導電性薄膜は、酸化インジウム単独かこれに酸化ス
ズを少量加えた複合酸化物からなるものであつて、その
膜厚は所望のフイルム抵抗に応じて任意に設定すること
ができる。一般的には50〜2,000Åの範囲の膜厚に設定
にてフイルム抵抗が通常20〜1,000Ω／□程度となよう
にするのが好ましい。
この導電性薄膜の上に接して設けられる下側の誘電体
薄膜は、上記の導電性薄膜の屈折率が約２程度であるた
めこれとほぼ同じ屈折率として、1.9〜2.2の屈折率を有
する無機酸化薄膜が用いられる。このような屈折率を有
するものとしては、たとえばY2O3、ZrO2、Ta2O5、Ce
O2、TiO2などが挙げられる。
薄膜は、上記の導電性薄膜の屈折率が約２程度であるた
めこれとほぼ同じ屈折率として、1.9〜2.2の屈折率を有
する無機酸化薄膜が用いられる。このような屈折率を有
するものとしては、たとえばY2O3、ZrO2、Ta2O5、Ce
O2、TiO2などが挙げられる。
この下側の誘電体薄膜の膜厚は、既述のとおり、導電
性薄増の膜厚に応じて決定されるものであり、導電性薄
膜の屈折率，膜厚をn0,d0、下側の誘電体薄膜の屈折
率，膜厚をn1,d1とすると、一般にn1d1＝λ/2−n0d0の
関係を満たすようにすればよい。一般的な膜厚範囲とし
ては、通常上限が2,000Å程度となる範囲である。
性薄増の膜厚に応じて決定されるものであり、導電性薄
膜の屈折率，膜厚をn0,d0、下側の誘電体薄膜の屈折
率，膜厚をn1,d1とすると、一般にn1d1＝λ/2−n0d0の
関係を満たすようにすればよい。一般的な膜厚範囲とし
ては、通常上限が2,000Å程度となる範囲である。
このような下側の誘電体薄膜上に設けられる上側の誘
電体膜薄は、その屈折率が1.5％以下、通常1.35〜1.48
程度となる低屈折率の無機酸化物薄膜または弗化物薄膜
からなるものであり、このような材料としては、たとえ
ばNa3AlF6、MgF2、CaF2、SiO2などが挙げられる。これ
らの中でも酸化安定剤や耐擦傷性などの耐久性にすぐれ
るSiO2またはMgF2が最も好ましい。
電体膜薄は、その屈折率が1.5％以下、通常1.35〜1.48
程度となる低屈折率の無機酸化物薄膜または弗化物薄膜
からなるものであり、このような材料としては、たとえ
ばNa3AlF6、MgF2、CaF2、SiO2などが挙げられる。これ
らの中でも酸化安定剤や耐擦傷性などの耐久性にすぐれ
るSiO2またはMgF2が最も好ましい。
この上側の誘電体薄膜の膜厚は、その光学的膜厚がλ
/4、つまりこの薄膜の屈折率，膜厚をn2,d2とするとn2d
2＝λ/4となるように設定すればよい。一般的な膜厚範
囲としては、800〜1,200Å程度である。
/4、つまりこの薄膜の屈折率，膜厚をn2,d2とするとn2d
2＝λ/4となるように設定すればよい。一般的な膜厚範
囲としては、800〜1,200Å程度である。
この発明において、上記の各薄膜つまり導電性薄膜と
下側および上側の誘電体薄膜の形成は、いずれも真空蒸
着法、イオンプレーテイング法、スパツタリング法など
の公知の各種薄膜形成法を採用して行うことができる。
下側および上側の誘電体薄膜の形成は、いずれも真空蒸
着法、イオンプレーテイング法、スパツタリング法など
の公知の各種薄膜形成法を採用して行うことができる。
この発明の透明導電性フイルムは、これをたとえばデ
イスプレーの帯電防止または電磁波シールド用として使
用する場合、ガラス板やプラスチツク板の両面または片
面に接着して用いればよく、片面に接着する場合は他方
の面に公知の方法で適宜反射防止処理を施すかあるいは
反射防止フイルムを接着してもよい。また、デイスプレ
ーに直接接着して用いてもよく、デイスプレー表面が曲
面の場合、その曲面に合せて予め加工したうえで接着す
ればよい。これら使用法において、その接着後導電性薄
膜を接地することにより、帯電防止または電磁波シール
ド効果をより良く発現させることができる。
イスプレーの帯電防止または電磁波シールド用として使
用する場合、ガラス板やプラスチツク板の両面または片
面に接着して用いればよく、片面に接着する場合は他方
の面に公知の方法で適宜反射防止処理を施すかあるいは
反射防止フイルムを接着してもよい。また、デイスプレ
ーに直接接着して用いてもよく、デイスプレー表面が曲
面の場合、その曲面に合せて予め加工したうえで接着す
ればよい。これら使用法において、その接着後導電性薄
膜を接地することにより、帯電防止または電磁波シール
ド効果をより良く発現させることができる。
以上のように、この発明によれば、透明なプラスチツ
クフイルム基材の表面に設けられた酸化インジウムまた
はこれと酸化スズとの複合酸化物からなる透明な導電性
薄膜上に屈折率の限定された特定の誘電体薄膜を２層積
層する構成としたことにより、薄膜表面での光の反射を
著しく低減できるうえに、導電性薄膜の膜厚の変化によ
つて用途目的に応じた広範囲のフイルム抵抗を得ること
が可能な透明導電性フイルム提供できるものである。
クフイルム基材の表面に設けられた酸化インジウムまた
はこれと酸化スズとの複合酸化物からなる透明な導電性
薄膜上に屈折率の限定された特定の誘電体薄膜を２層積
層する構成としたことにより、薄膜表面での光の反射を
著しく低減できるうえに、導電性薄膜の膜厚の変化によ
つて用途目的に応じた広範囲のフイルム抵抗を得ること
が可能な透明導電性フイルム提供できるものである。
以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説
明する。
明する。
実施例１ 透明なプラスチツクフイルム基材として厚さ100μｍ
のPETフイルムを用い、このPETフイルムの表面に酸化イ
ンジウムと少量の酸化スズとからなる屈折率が1.95の複
合酸化物薄膜（以下、ITO薄膜という）をスパツタリン
グ法によりフイルム抵抗が100Ω／□となるように600Å
の膜厚に形成した。
のPETフイルムを用い、このPETフイルムの表面に酸化イ
ンジウムと少量の酸化スズとからなる屈折率が1.95の複
合酸化物薄膜（以下、ITO薄膜という）をスパツタリン
グ法によりフイルム抵抗が100Ω／□となるように600Å
の膜厚に形成した。
つぎに、このITO薄膜上に屈折率が2.05であるZrO2薄
膜をn1d1＝λ/2−n0d0の関係を満たすようにマグネトロ
ンスパツタリング法で720Åの膜厚に形成し、さらにこ
のZrO2薄膜上に屈折率が1.46であるSiO2薄膜をマグネト
ロンスパツタリング法で900Åの膜厚に形成して、図面
に示す構造のこの発明の透明導電性フイルムとした。
膜をn1d1＝λ/2−n0d0の関係を満たすようにマグネトロ
ンスパツタリング法で720Åの膜厚に形成し、さらにこ
のZrO2薄膜上に屈折率が1.46であるSiO2薄膜をマグネト
ロンスパツタリング法で900Åの膜厚に形成して、図面
に示す構造のこの発明の透明導電性フイルムとした。
なお、図面中、１はPEKフイルムからなるプラスチツ
クフイルム基材、２はITO薄膜からなる導電性薄膜、３
はZrO2薄膜からなる下側の誘電体薄膜、４はSiO2薄膜か
らなる上側の誘電体薄膜である。
クフイルム基材、２はITO薄膜からなる導電性薄膜、３
はZrO2薄膜からなる下側の誘電体薄膜、４はSiO2薄膜か
らなる上側の誘電体薄膜である。
この透明導電性フイルムは、透明性にすぐれていると
ともに、波長400〜700nmの可視光の平均反射率が約0.7
％と小さく、しかも荷重100g/cm2のガーゼ擦傷試験にお
いて100回往復させても、フイルム抵抗および反射率の
変化がみられない耐久性に非常にすぐれたものであつ
た。
ともに、波長400〜700nmの可視光の平均反射率が約0.7
％と小さく、しかも荷重100g/cm2のガーゼ擦傷試験にお
いて100回往復させても、フイルム抵抗および反射率の
変化がみられない耐久性に非常にすぐれたものであつ
た。
なお、ITO薄膜上にZrO2薄膜およびSiO2薄膜を形成し
なかつたときの上記平均反射率は14％と高いものであつ
た。
なかつたときの上記平均反射率は14％と高いものであつ
た。
実施例２ 厚さ100μｍのPETフイルムの表面に実施例１と同様に
してフイルム抵抗が300Ω／□となるように膜厚が200Å
のITO薄膜を形成し、この上に真空蒸着法でZrO2薄膜を
1,100Åの膜厚に形成し、さらにこの上にイオンプレー
テイング法で屈折率が1.38であるMgF2薄膜を940Åの膜
厚に形成して、図面に示すものと同じ構造のこの発明の
透明導電性フイルムとした。このフイルムの可視光の平
均反射率は約0.4％であつた。
してフイルム抵抗が300Ω／□となるように膜厚が200Å
のITO薄膜を形成し、この上に真空蒸着法でZrO2薄膜を
1,100Åの膜厚に形成し、さらにこの上にイオンプレー
テイング法で屈折率が1.38であるMgF2薄膜を940Åの膜
厚に形成して、図面に示すものと同じ構造のこの発明の
透明導電性フイルムとした。このフイルムの可視光の平
均反射率は約0.4％であつた。
なお、ITO薄膜上にZrO2薄膜およびMgF2薄膜を形成し
なかつたときの平均反射率は９％と高かつた。
なかつたときの平均反射率は９％と高かつた。
図面はこの発明の透明導電性フイルムの一例を示す断面
図である。 １……プラスチツクフイルム基材、２……導電性薄膜、
３……屈折率1.9〜2.2の無機酸化物薄膜（下側の誘電体
薄膜）、４……屈折率1.5以下の無機酸化物薄膜または
弗化物薄膜（上側の誘電体薄膜）
図である。 １……プラスチツクフイルム基材、２……導電性薄膜、
３……屈折率1.9〜2.2の無機酸化物薄膜（下側の誘電体
薄膜）、４……屈折率1.5以下の無機酸化物薄膜または
弗化物薄膜（上側の誘電体薄膜）
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−17421（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−246508（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−81047（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−191101（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−143827（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01B 5/14 G02B 1/10 H05K 9/00
Claims (3)
- 【請求項１】透明なプラスチツクフイルム基材の表面に
酸化インジウムまたはこれと酸化スズとの複合酸化物か
らなる透明な導電性薄膜が形成され、さらにこの上に1.
9〜2.2の屈折率を有する無機酸化物薄膜と1.5以下の屈
折率を有する無機酸化物薄膜または弗化物薄膜とがこの
順に形成されてなり、上記の導電性薄膜の屈折率，膜厚
をn0,d0、上記の1.9〜2.2の屈折率を有する無機酸化物
薄膜の屈折率，膜厚をn1,d1、上記の1.5以下の屈折率を
有する無機酸化物薄膜または弗化物薄膜の屈折率，膜厚
をn2,d2としたとき、設計波長λに対して、n1d1＝λ/2
−n0d0、n2d2＝λ/4の関係を満たすことを特徴とする透
明導電性フイルム。 - 【請求項２】1.9〜2.2の屈折率を有する無機酸化物薄膜
がY2O3、ZrO2、Ta2O5、CeO2またはTiO2からなる請求項
（１）に記載の透明導電性フイルム。 - 【請求項３】1.5以下の屈折率を有する無機酸化物薄膜
または弗化物薄膜がSiO2またはMgF2からなる請求項
（１）または（２）に記載の透明導電性フイルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209020A JP2948593B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 透明導電性フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209020A JP2948593B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 透明導電性フイルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256811A JPH0256811A (ja) | 1990-02-26 |
| JP2948593B2 true JP2948593B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=16565938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63209020A Expired - Lifetime JP2948593B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 透明導電性フイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2948593B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09265003A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ファラデー回転子用反射防止膜および光アイソレーター |
| US5811923A (en) * | 1996-12-23 | 1998-09-22 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Plasma display panel with infrared absorbing coating |
| JP5425351B1 (ja) * | 2012-03-23 | 2014-02-26 | 積水ナノコートテクノロジー株式会社 | 光透過性導電性フィルム、その製造方法及びその用途 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6017421A (ja) * | 1983-07-09 | 1985-01-29 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 透明導電性フイルム |
| JPS6081047A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-09 | Toyota Motor Corp | 電磁遮蔽ウインドガラス |
| JPS60246508A (ja) * | 1985-04-05 | 1985-12-06 | トヨタ自動車株式会社 | 保護膜付き低反射透明導電性薄膜 |
| JPH01191101A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-08-01 | Canon Inc | 反射防止膜 |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP63209020A patent/JP2948593B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0256811A (ja) | 1990-02-26 |
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