JP2995209B2 - レーザダイオードモジュール - Google Patents

レーザダイオードモジュール

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JP2995209B2 JP1012072A JP1207289A JP2995209B2 JP 2995209 B2 JP2995209 B2 JP 2995209B2 JP 1012072 A JP1012072 A JP 1012072A JP 1207289 A JP1207289 A JP 1207289A JP 2995209 B2 JP2995209 B2 JP 2995209B2
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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は底部、２つの長側壁、２つの短側壁、一方の
短側壁に設けられたガラスファイバ用の管状パッセー
ジ、及び標準DIL基準で前記底部に挿通された８個以上
の案内ピンを有し、１個以上の案内ピンを導電材料によ
り前記底部に挿通し、残りの案内ピンを貫通型絶縁体を
介して前記底部に挿通する箱状長方形金属外匣と;2つの
熱接点パッドを有し、一方の接点パッドを前記金属外匣
の底部に伝熱結合するサーモエレクトリッククーラと；
前記サーモエレクトリッククーラの他方の熱接点パッド
に熱伝的に接続され、レーザダイオードが固着された第
１副支持体、フォトダイオードが固着された第２副支持
体、端部が前記レーザダイオードの前端に対向するよう
に前記ガラスファイバを配列する支持体、及び熱結合さ
れたサーミスタを夫々設けたプレート状金属支持基体
と；前記レーザダイオード、フォトダイオード、サーミ
スタ、サーモエレクトリッククーラ及び金属支持基体を
前記案内ピンに夫々電気的に接続する接続導線とを具え
るレーザダイオードモジュールに関するものである。
（従来の技術） 光通信システムにおいては、レーザダイオードモジュ
ールは伝送すべき電気的なデータ信号の電気−光学変換
に用いるが、この場合、データビット速度が140、280及
び565Mビット／秒のシステムを既に広範囲に用いてい
る。565Mビット／秒のシステムでは、前述した構成のレ
ーザダイオードモジュールは実際に標準型のものであ
る。この標準型のモジュールはレーザダイオード及びこ
れに結合されたガラスファイバの端部のほかに、サーモ
エレクトリッククーラ、サーミスタ及び前記レーザダイ
オードの背面に対向するフォトダイオードを設け、これ
によりレーザダイオードの温度及び発生光出力をモニタ
及び安定化し得るようにする。
（発明が解決しようとする課題） 光通信の分野ではビット速度を短期間で著しく増大す
る傾向にあり、この傾向に従ってビット速度が2.4Gビッ
ト／秒のシステムが既に開発されている。ビット速度が
かように増大すると、レーザダイオード自体がほぼ1Gビ
ット／秒から大きくずれて、全体としてレーザダイオー
ドモジュールが抑圧ファクタを形成し、レーザダイオー
ドモジュールの熱的及び機械的特性を十分考慮すると共
にその高い周波数に対する電気的な特性をも考慮する必
要がある。特に技術的に得られるサーモエレクトリック
クーラの比較的大きな寸法及び案内ピンへの複数の接続
導線の比較的大きな長さがこれに重要な役割を演ずるよ
うになる。可能な解決策は1Gビット／秒以上のビット速
度に対し全体としてレーザダイオードモジュールを再設
計すると共にこの新たな設計において外匣の寸法及び案
内ピンが外匣を挿通する基準を変更して高い周波数に対
する電気的な特性を標準モジュールの場合よりも一層好
適とすることにある。この解決策は高価であるだけでな
く、レーザダイオードモジュールに接続すべく電気回路
素子を収納するプリント回路板を再設計する必要がある
欠点を有する。その理由はこの場合モジュールの案内ピ
ンの接続点がもはや標準に従って、選択し得ないからで
ある。
本発明の目的は前述した構成、特に案内ピンの標準DI
L基準を有し、外匣簡単に変形して1Gビット／秒より十
分高いビーム速度で作動するシステムに使用するに好適
なレーザダイオードモジュールを提供せんとするにあ
る。
（課題を解決するための手段） 本発明は底部、２つの長側壁、２つの短側壁、一方の
短側壁に設けられたガラスファイバ用の管状パッセー
ジ、及び標準DIL基準で前記底部に挿通された８個以上
の案内ピンを有し、１個以上の案内ピンを導電材料によ
り前記底部に挿通し、残りの案内ピンを貫通型絶縁体を
介して前記底部に挿通する箱状長方形金属外匣と;2つの
熱接点パッドを有し、一方の接点パッドを前記金属外匣
の底部に伝熱結合するサーモエレクトリッククーラと；
前記サーモエレクトリッククーラの他方の熱接点パッド
に熱伝的に接続され、レーザダイオードが固着された第
１副支持体、フォトダイオードが固着された第２副支持
体、端部が前記レーザダイオードの前端に対向するよう
に前記ガラスファイバを配列する支持体、及び熱結合さ
れたサーミスタを夫々設けたプレート状金属支持基体
と；前記レーザダイオード、フォトダイオード、サーミ
スタ、サーモエレクトリッククーラ及び金属支持基体を
前記案内ピンに夫々電気的に接続する接続導線とを具え
るレーザダイオードモジュールにおいて、前記底部に導
電的に接続された１個以上の案内ピンには前記金属外匣
内に位置する部分を設け、この部分をその全長に亘って
前記金属外匣の関連する長側壁に導電的に接続されたロ
ッドの形状とし、このロッドの頭面及び支持基体間に導
電結合を行うようにしたことを特徴とする。
本発明は、外匣内に位置する案内ピン部分の長さ及び
複数の接続導線の長さにより比較的高いインダクタンス
を形成し、かつ、これらインダクタンス及びサーモエレ
クトリッククーラの寄生リアクタンス間の結合が不所望
な共振を起し、サーモエレクトリッククーラの影響を前
述したように外匣及びレーザダイオードモジュールの支
持基体間の接続部のインダクタンスのみを充分に減少す
ることによって著しく減少し得ると言う認識を基として
なしたものである。
更に、ロッドの長さは、これを適宜選定して外匣の底
部及び支持基体の頂部間の距離にほぼ等しくなるように
するのが有利である。その理由はこの場合ロッド頭面及
び支持基体間の電気接続が比較的短くて足りるからであ
る。このロッド頭面及び支持基体間の電気接続の影響
は、関連する側壁に対し垂直な方向におけるロッドの最
長寸法をこの側壁及び支持基体の対向側間の距離よりも
幾分短くなるように選定すると共にかくして得た間隙を
比較的広い接続細条により橋絡することによっても更に
減少することができる。
ロッドはその断面をほぼ長方形としてこれを関連する
側壁に容易に接続し得るようにするのが好適である。こ
の側壁に接続されたロッドの平坦な側面の幅は、DIL基
準のラインで２つの連続する他の案内ピン間の最短距離
にほぼ等しくしてロッド及び隣接案内ピン間の不所望な
結合を防止し得るようにする。
（実施例） 図面につき本発明を説明する。
ビット速度が565Mビット／秒の電気的なデータ信号の
光通信システムでは第１及び２図に幾分簡略化した形態
で示すレーザダイオードモジュールを用いる。この際、
第１図はこのレーザダイオードモジュールの平面を示
し、第２図は第１図のII−II線上の断面を示す。第１及
び２図に示すレーザダイオードモジュールはこれが実際
上標準であると見なし得るように拡大して示す。
このモジュールは底部Ｂ、２つの長側壁SW1,SW2、２
つの短側壁SW3,SW4を有する箱状長方形金属外匣を具
え、この外匣を金属製の蓋Ｔによって閉成し得るように
する。短側壁SW3にはガラスファイバＦ用の管状パッセ
ージFTを設け、その内管及び外管を第２図に概略的に示
す。底部Ｂには標準DIL基準（デュアル−イン−ライ
ン）で14個の案内ピン１−14を挿通し、１ライン（１−
７）、（８−14）におけるピンの中心のスペースを0.1
インチとし、ライン（１−７），（８−14）のスペース
をピンの中心間で測定して0.3インチとする。案内ピン
１−14の内の１個以上の案内ピンを導電材料により前記
底部Ｂに挿通し、実際上これをピン５及び10に対して行
う。残りの案内ピン１−４、６−９及び11−14は一般に
ガラス製の貫通型絶縁体を介して前記底部Ｂに挿通す
る。これら絶縁体は第１図にピンを囲む円１−４、６−
９及び11−14で示す。
更に、このモジュールにはサーモエレクトリッククー
ラTECを設け、本例では伝熱性及び電気的絶縁性の良好
なセラミック材料製基板P1及び頂板P2を有するペルチェ
クーラによってこれを形成する。これら板P1,P2間には
ｐ−ｎ接合として作動し、かつ、基板P1の頂側及び頂部
基板P2の底部の案内トラックにより直列に接続された半
導体材料のロッド状素子を介挿する。この直列接続のｐ
−ｎ接合を（モジュールの残りの接続導線と同様に）第
１図に太い実線で示す接続導線によってピン１及び14間
に電気的に接続する。基板P1の底部によってサーモエレ
クトリッククーラTECの熱接点面を構成し、このサーモ
エレクトリッククーラをＬ字状冷却板CPを介して外匣の
底部Ｂに伝熱的に接続し、このＬ字状冷却板CPは、第１
及び２図には示さない大きな冷却素子にモジュールを機
械的及び熱的に結合するフレアFLを固着するための外匣
の底部Ｂ及び短側壁SW4に伝熱的に接続する。同様に頂
板P2の頂部によってもプレート状金属支持基体BCに伝熱
的に接続された熱接点面を構成する。
金属支持基体BCにはレーザダイオードLDの第１副支持
体SC1を設ける。第１及び２図は第１図の垂直ラインに
沿ってＵ−字状断面を有するこの副支持体SC1の現在の
設計を示す。このＵ−字状のプロフィールは支持基体に
導電接続されたＬ−字状金属構体部分と、頂部に電気接
点パッドを収容する電気−絶縁材料（例えばAl2O3）の
スペーサとで構成する。レーザダイオードLDは副支持体
SC1のＬ−字状金属部分上に配列し、その陽極をこの金
属構体部分に導電的に接続する。レーザダイオードLDの
陰極は接続導線を経て前記絶縁スペーサの電気接点パッ
ドに接続し、この接点パッドを接続導線を経て案内ピン
９に接続する。
又、金属支持基体BCにはフォトダイオードPDの第２副
支持体SC2を設ける。この副支持体SC2はフォトダイオー
ドPDを導線により案内ピン７及び８に電気的に接続する
ための２つの案内トラックを収容する絶縁材料（例えば
AL2O3）で構成する。フォトダイオードPDは、これが副
支持体SC1のレーザダイオードLDの背面に対向し、この
背面から出る光ビームを受けるように副支持体SC2の側
面に配列する。
更に、金属支持基体BCには、端部がレーザダイオード
LDの前面にに対向するようにガラスファイバＦを配列す
るための支持体Ｓを設ける。ガラスファイバＦを支持体
Ｓ上に配列する手段及びガラスファイバＦの端部をレー
ザダイオードLDの前面に結合する手段は本発明の要部で
はないのでその説明は省略する。
又、金属支持基体BC上にはこの支持基体に熱的に結合
されたサーミスタTHを配列する。このサーミスタTHの一
端を接続導線によって案内ピン12に電気的に接続し、他
端を金属支持基体BCに導電的に接続する。
金属支持基体BC自体は接続導線によって案内ピン５に
電気的に接続する。案内ピン５を金属外匣の底部Ｂに導
電的に接続すると共に案内ピン10をも同様に接続するた
め、案内ピン11は導線による案内ピン10及び11の相互接
続によりサーミスタTHの第２端部への電気接続を行うた
めに用いる。
上述した所は、レーザダイオードLD及びサーミスタTH
の双方が、ペルチェクーラTECの頂板P2に適宜に熱結合
されてレーザダイオードLDの温度を既知のようにモニタ
し、かつ、安定化し得る場合を示す。レーザダイオード
LDからガラスファイバＦに放出される平均光出力もレー
ザダイオードLDの背面から出る光ビームを引込むフォト
ダイオードPDによって既知のようにモニタし、かつ、安
定化させることができる。これら２つのモニタ及び安定
化処理に用いる電気回路は本発明の要部ではなく、しか
も広く知られているため、その説明は省略する。しか
し、第１及び２図に示すようにレーザダイオードモジュ
ールの案内ピン１−14に上記電気回路素子を接続する手
段も重要である。実際上、このモジュールはプリント回
路板の片側に配列し、プリント回路板から突出する案内
ピン１−14はこのプリント回路板の他側でモジュールに
接続すべき電気回路素子に接続されている案内細条に接
続する。これがため、プリント回路板上の案内ピン１−
14の接続点は案内ピン１−14と同様の標準DIL基準を有
する。
上述したレーザダイオードモジュールをビット速度が
565Mビット／秒の光通信システムに用いる場合にはほぼ
1Gビット／秒のビット速度から明らかなようなレーザダ
イオードLDよりもむしろ全体としてのレーザダイオード
モジュールのほうが性能に対する抑制ファクタを形成す
る。これはモジュールの熱的及び機械的特性だけでな
く、高い周波数に対する電気的特性に注意を払う必要が
あることを意味する。第１及び２図に示す所から明らか
なように、ペルチェクーラTECの相対的に大きな寸法従
って外匣内に位置する案内ピン１−14の相対的に長い距
離（第２図に便宜上案内ピン３のみのこの部分を示す）
並びにこれら案内ピン１−14への複数の接続導線の長さ
が高い周波数に対するモジュールの電気的特性に重要な
役割を果たしている。
高いビット速度における性能の減衰効果の原因の広範
囲な試験の結果レーザダイオードモジュール自体の電気
的高周波特性はいわゆる自由環境においてこのレーザダ
イオードモジュールを配列することにより決めることが
できると信う結論に達した。これは第１図に従ってレー
ザダイオードモジュールをプリント回路板の片側に設置
し、その他側にレーザダイオードLD自体の電気接続用の
案内トラックを配列する。第３図はモジュールの底部Ｂ
に接続された案内ピン５及び10を接続する案内トラック
GT1及びGT2と、レーザダイオードLDの陰極に接続された
案内ピン９を接続する案内トラックMTとを有するこの特
定のプリント回路板の上面を示す。第３図はモジュール
をこの特定のプリント回路板の底部に固着する手段を鎖
線で示すが、モジュールのフレアFLを相対的に大きな冷
却体に熱的及び機械的に結合する手段は示さない。又、
第３図には案内トラックGT1及びGT2がモジュールの底部
Ｂの近くを除きこのプリント回路板の底部側を覆う導電
層（図示せず）へのフィードスルーに対する接続点を具
える手段をも示す。更に、第３図には前記底部における
案内トラックMT及び導電層によって50Ωの特性インピー
ダンスを有するマイクロストリップラインを構成する。
このレーザダイオードモジュール及びこのマイクロスト
リップライン間を充分に結合するために、第３図のプリ
ント回路板は表面装着用のいわゆるチップ抵抗CSを具
え、これにより案内トラックMTをモジュールの案内ピン
９の接続点に接続する。
前述のプリント回路板によって小信号応答を第１及び
２図に従ってレーザダイオードモジュールの目安とす
る。この手段に用いるレーザダイオードLDを1.3μmDCPB
H（ダブルチャネルプレーナ埋込みヘテロ構体）ファブ
リ−ペローレーザとする。このレーザダイオードLDには
一定の設定電流を供給し、この電流の比較的小振幅の交
流電流を重畳する。この交流電流の周波数は10MHz〜4GH
zの広範囲に亘って変化する。このレーザダイオードに
よりガラスファイバＦに供給される光出力はモジュール
の外側に設けられたガラスファイバＦの端部に結合され
た好適なフォトダイオードによって検出する。（モジュ
ールのフォトダイオードPDのみはレーザダイオードLDの
光出力の徐々に変化する平均値に追従させる必要があ
り、従って、この型の測定中に生じるような光出力の高
周波変化に追従するには緩慢になり過ぎるようにな
る。） 第４図の周波数特性図では、上述した型のレーザダイ
オードの設定電流を35mAとし、抵抗CSが42Ωの際マイク
ロストリップラインが50Ωの特性インピーダンスとなる
場合に測定した小さな信号応答Ｒ（dB）を周波数ｆ（GH
z）に対しプロットする。第４図から明らかなように、
この小さな信号応答Ｒは周波数ｆ＝1.15GHz及びｆ＝1.9
5GHzで２カ所減衰する。
これら２カ所の減衰降下の原因はこの小さな信号応答
Ｒの測定中に用いるいわゆる自由環境でレーザダイオー
ドモジュールの電気的等価回路によって説明することが
できる。この電気的等価回路を第５図に示すと共にこの
等価回路の構成をいかに説明する。
案内ピン５及び９から第１副支持体SC1までの接続導
線はいずれも直列接続のインダクタンスを形成する３つ
の部分：即ち、外匣の外側に位置し、夫々インダクタン
スLe5及びLe9を有する案内ピン５及び９の部分と、外匣
の内側に位置し、夫々インダクタンスLi5及びLi9を有す
る案内ピン59の部分と、インダクタンスLb5を有する案
内ピン５及び支持基体BC間の接続導線並びにインダクタ
ンスLb9を有する案内ピン９及び副支持体SC1の絶縁スペ
ーサの頂側の電気接点面間の接続導線との３部分で構成
する。案内ピン５は相対的に高い周波数でもインピーダ
ンスを無視し得る導体ともなし得、従って第５図にイン
ダクタンスLe5及びLi5の接続点に接続された太い実線で
示される外匣の底部Ｂに導電的に接続する。又、案内ピ
ン９はインダクタンスLe9及びLi9の接続点及び底部Ｂ間
にキャパシタンスCt9を構成するフィードスルー絶縁体
によって底部Ｂを貫通する。
又、支持基体BCは相対的に高い周波数でもインピーダ
ンスを無視し得、従って第５図に直列接続のインダクタ
ンスLe5,Li5及びLb5に接続された太い実線で示す導体と
見なすことができる。第１副支持体SC1に配列されたレ
ーザダイオードLDは並列接続のキャパシタCLおび抵抗RL
と見なされ、第５図のこの並列接続部の一端はラインBC
の接続する。その理由は副支持体SCの金属部を介してレ
ーザダイオードLDの陽極及び支持基体BC間に接続された
導電接続部のインピーダンスは相対的に高い周波数でも
無視し得るからである。レーザダイオードLDの陰極及び
副支持体SC1の絶縁体スペーサの頂側部の電気接点間の
導線は、インダクタンスLbLを構成し、この接点及び副
支持体SC1の金属部間のこの絶縁体スペーサはインダク
タンスLbL及びLb9の接続点および支持基体BC間のキャパ
シタンスCSを構成する。
支持基体BCおよび外匣の底部Ｂ間に位置するペルチェ
クーラTECの寄生リアクタンスは直列接続のキャパシタ
ンスCp1、抵抗Rp及びキャパシタCp2とみなすことができ
る。ペルチェクーラTECから案内ピン１及び14への接続
導線は双方共直列接続の２つのインダクタンス形成部
分：即ち、プルチェクーラTECの直列接続のpn接合の抵
抗を表わす抵抗Rpの両端に接続された各インダクタンス
Lb1及びLb14を有するペルチェクーラTECの接続点並びに
案内ピン１及び14間の一方の接続ラインと、各インダク
タンスLi1及びLi14を有する案内ピン１及び14の外匣内
に位置する部分との２つのインダクタンス形成部分で構
成する。この際、外匣の外側に位置する部分は何等の役
割も呈さない。その理由は上述した自由環境内のこれら
案内ピン１及び14がプリント回路板の案内トラックに接
続されていないからである。又、案内ピン１及び14に対
し底部Ｂのフィードスルー絶縁体は上述した役割を呈す
る。その理由は、これらフィードスルー絶縁体が底部Ｂ
と、各直列接続のインダクタンスLi1,Lb1及びLi14,Lb14
の端部接続点との間でキャパシタンスCt1及びCt14を夫
々形成するからである。
第５図に示す回路素子の値を次表に示す。これらの値
は上述した自由環境におけるモジュールの計算及び／又
はインピーダンス測定によって得たものである。
Le5,Le9 1nH Li5,Li9,Li1,Li14 3nH Lb5,Lb9 2nH Lb1,Lb14 10nH LbL 0.8nH Ct9,Ct14 0.6pF CS 0.2pF CL 5pF RL 6ohms Cp1,Cp2 7.6pF Rp 0.3ohms 第５図に用いるレーザダイオードLDの設計ではレーザ
ダイオードLDの光信号は抵抗RLを流れる電流に比例す
る。周波数ｆの関数としての抵抗RLを流れるこの電流の
計算された（小信号）応答Ｒも第４図に破線で示す。第
４図から明らかなように、実際上、自由環境におけるレ
ーザダイオードモジュールの高周波電気特性は、この回
路構体からの導出に用いられる比較的簡単な設計にもか
かわらず、第５図の等価回路で好適に示すことができ
る。
第４図の応答Ｒの周波数ｆ＝1.15GHz及びｆ＝1.95GHz
における２つの減衰部は第５図の等価回路の共振現象に
関連し得るものである。特に周波数ｆ＝1.15GHzにおけ
る応答の減衰はインダクタンスLi5,Lb6及びキャパシタ
ンスCp1,Cp2間の並列共振に関連し、周波数ｆ＝1.95GHz
における応答の減衰は、夫々インダクタンスLb1,Li1及
びキャパシタンスCt1並びにインダクタンスLb14,Li14及
びキャパシタンスCt14間の直列共振現象の組合せに関連
し得るものである。この際、これを各直列配置（Lb14,L
i14,Ct14）及び（Lb1,Li1,Ct1）に並列に配列する場合
にはキャパシタンスCp1を考慮する必要がをある。
案内ピン5,9及び10のほかに、残りの案内ピン１−4,6
−８及び11−14をプリント回路板の案内トラックに接続
する実際の環境におけるレーザダイオードモジュールの
場合にも、第３図の自由環境におけるレーザダイオード
モジュールの際に第５図の等価回路を導出した場合と同
様に等価回路を導出することができる。又、特定の場合
には小信号応答Ｒの減衰部を第４図の２つよりも著しく
多数とし、且つ、これら減衰部を等価回路の共振現象に
関連させることもでき、この際、サーモエレクトリック
クーラTECの寄生リアクタンスは同様の役割を呈するよ
うになる。
しかし、本発明によれば、レーザダイオードモジュー
ルの現存の外匣の僅かに変更するだけでサーモエレクト
リッククーラTECの影響を著しく減少させることがで
き、その結果この僅かに変更したモジュールは、現存の
モジュールで可能な場合よりも著しく高いビット速度の
システムに用いるに好適とすることができる。
本発明によるレーザダイオードモジュールの好適な例
を第６及び７図に示し、第６図は簡単な平面図、第７図
は第６図のVII−VII線上の断面図である。第６及び７図
において、第１及び２図に示すものと同一部分には同一
符号を付して示す。
第６及び７図に示すレーザダイオードモジュールは、
案内ピン５及び10を外匣の底部Ｂに導電的に接続する点
が第１及び２図に示すレーザダイオードモジュールとは
相違する。即ち、本発明によれば、これら案内ピン５及
び10を外匣内に位置する一部分とすると共にこの部分を
断面が一定で、少なくとも１つの平坦な側面を有するロ
ッドの形状とし、この平坦側面を金属外匣の夫々関連す
る長側壁SW1及びSW2に全面に亘って導電的に接続する
が、導電接続は案内ピン5,10の２つのロッド状部分の頂
面と金属支持基体BCとの間で行う。かように構成するこ
とにより外匣内に位置する案内ピン５及び10の部分のイ
ンダクタンスが著しく減少し、従ってモジュールの外匣
及び支持基体BC間の接続部のインダクタンスも減少す
る。
かように変形したレーザダイオードモジュールの小信
号応答に対する等価回路も第３図の自由環境におけるモ
ジュールの場合の第５図による等価回路と対応するが、
この際、インダクタンスLi5が前述した手段により著し
く減少して、サーモエレクトリッククーラTECのインダ
クタンスLi5,Lb5及び寄生リアクタンスCp1,Cp2間の並列
共振が周波数ｆ＝1.15GHzよりも著しく高い周波数で発
生するようになる。
第６及び７図の例では、案内ピン５及び10のロッド状
部分の長さを、外匣の底部Ｂ及び第７図に示す支持基体
BCの頂部間の距離に充分等しくなるように選定し、従っ
て案内ピン５及び10のロッド状部分の各々の頭面と金属
支持基体BCとの間の電気的接続は比較的短くすることが
でき、その結果、第５図のインダクタンスLi5及びイン
ダクタンスLb5を減少し、従ってこれらインダクタンス
及びサーモエレクトリッククーラTECの寄生リアクタン
スCp1,Cp2間の並列共振を高い周波数のほうに向かって
移動させることができる。又、第６及び７図の例におい
て関連する側壁SW1,SW2に対し垂直な方向の案内ピン5,1
0のロッド状部分の寸法をこの側壁SW1,SW2及び支持基体
BCの対向側部間の距離よりも僅かだけ短くなるように選
定すると共に支持基体BC及び案内ピン5,10のロッド状部
分間に形成される間隙を接続導線によってではなく、第
６図に示すように比較的幅広の接続細条によって橋絡す
ることにより、かかるインダクタンスLb5を更に減少さ
せることができる。しかし、この場合にはこの接続細条
の厚さを厚くなり過ぎないように選定して金属外匣の金
属支持基体BC及び金属外匣の側壁SW1,SW2間にかかる接
続細条により不所望な熱結合が生じるのを防止し得るよ
うにする。
案内ピン５及び10のロッド状部分はその断面を第６図
に示すように長方形としてこの部分を簡単に製造し、関
連する側壁SW1,SW2に固着し得るようにする。この場合
には標準DIL基準のライン（１−17）、（８−14）に並
列な方向における案内ピン５及び10のロッド状部分の寸
法を、これらラインの２つの連結する他の案内ピン間の
最小距離にほぼ等しくなるようにして案内ピン５及び10
のロッド状部分とこれに夫々隣接する各案内ピン4,5及
び9,11間が不所望に接合されるのを防止し得るようにす
る。
第８図の周波数特性図は、第４図につき説明した所と
同様に、第１図及び第２図による元のレーザダイオード
モジュールに適用する場合と同様の自由環境条件におけ
る第６及び７図による変形レーザダイオードモジュール
の小信号応答Ｒを示し、従って変形外匣の効果は明らか
である。この場合、前述したように、サーモエレクトリ
ッククーラTECのインダクタンスLi5,Lb5及び寄生リアク
ンタスCp1,Cp2間の並列共振に関連し得る小信号応答Ｒ
の急峻な減衰部は第８図に示すように周波数ｆ＝2.9GHz
の個所に発生する。この周波数は第４図に示す元の外匣
に対する周波数ｆ＝1.15GHzの値よりも著しく高いもの
である。底部Ｂにおけるフィードスルー絶縁体の関連す
るキャパシタンスCt1及びCt2並びにサーモエレクトリッ
ククーラTECへの接続導線のインダクタンスLb1,Li1及び
Lb14,Li14間の直列共振現象に関連し得る第４図の小信
号応答Ｒの第２の急峻な減衰部は変形した外匣に対する
第８図の測定小信号応答Ｒには殆ど発生しない。しかし
この第２減衰部は第８図の計算した小信号応答Ｒには第
４図の場合よりも極めて僅かではあるが存在する。第８
図の測定した小信号応答及び計算した小信号応答間のこ
の差は、サーモエレクトリッククーラTECのインダクタ
ンスLi5,Lb5及び寄生リアクタンスCp1,Cp2間の結合が弱
いからであり（その理由はこれらインダクタンスが著し
く小さいうえに、案内ピン５及び10が支持基体BCに導電
的に接続され、従って第８図の小信号応答Ｒの計算、即
ち第５図のこれらインダクタンスLi5＋Lb5の和が第４図
の場合に5nHであるのに対し0.8nHの値となるからであ
り、）更に、このクーラTECへの接続ラインが比較的長
く、外匣の側壁SW1,SW2及び底部Ｂにほぼ並列となり、
従って第５図における２つのインダクタンスの直列配置
よりもこれらのラインに対する分布LC回路網が良好とな
るからである。
第８図の測定した小信号応答Ｒから明らかなように、
特定の環境における第６及び７図のレーザダイオードモ
ジュールに対しても、本発明による簡単な手段の結果、
サーモエレクトリッククーラの寄生リアクタンス及びモ
ジュール外匣内の数個の接続ライン間の結合によって生
じる不所望な共振が著しく高い周波数に向かって変位す
るか又はこれらが実際に最早や識別し得ない程度に弱ま
るようになる。
第８図に示すように小信号応答Ｒは、ほぼ2.5GHzの−
3dBの帯域幅、即ち、元のモジュールの第４図に示すも
ののほぼ３倍の値を有することは明らかである。又、こ
れから明らかなように簡単に導入し得る元の外匣を変形
することによって、レーザダイオードモジュールを、ビ
ット速度が4Gビット／秒の光通信システムに用いるに好
適となるようにする。これはレーザダイオードモジュー
ルの（大信号）パルス応答を測定することにより確認で
き、この測定は、周期長さが（223−１）ビットの周期
的な擬似ランダムビット列によって形成し得るNRZデー
タ信号（非ゼロ復帰）により実施することができる。こ
の測定から明らかなように4Gビット／秒のビット速度に
おいてもレーザダイオードモジュールの出力側のデータ
信号はそのアイパターンが光学ガラスファイバを通るこ
のデータ信号を信頼性をもって確実に転送するに充分な
アイ開口を有するようにする。
説明の便宜上、第８図にはレーザダイオードモジュー
ルの測定した応答Ｒ及び等価回路の計算した応答Ｒがほ
ぼ3GHzから前進する周波数に対し夫々不一致となること
をも示す。高い周波数に対するこの不一致は、これら周
波数でレーザダイオードが第５図の等価回路に用いる際
に並列接続のキャパシタ及び抵抗の極めて簡単な構体に
よって最早や充分正確に示し得ないと言う事実に基づく
ものである。しかし、前述した所から明らかなように、
第５図の等価回路の構体は、レーザダイオードモジュー
ルの全体としての高周波電気特性を正確に示すには極め
て好適である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のレーザダイオードモジュールの構成を示
す平面図、 第２図は第１図のII−II線上の断面図、 第３図は第１図のレーザダイオードモジュールの高周波
電気特性を測定するために用いられる特定のプリント回
路板を示す平面図、 第４図は第１図のレーザダイオードモジュールの小信号
応答を示す周波数特性図、 第５図は第１図のレーザダイオードモジュールの等価回
路図、 第６図は本発明レーザダイオードモジュールの一例を示
す平面図、 第７図は第６図のVII−VII線上の断面図、 第８図は第６図のレーザダイオードモジュールの小信号
応答を示す周波数特性図である。 １〜14……案内ピン、Ｂ……底部 SW1〜SW4……側壁、Ｔ……蓋 P1……基板、P2……頂板 Ｆ……ガラスファイバ、FT……管状パッセージ CP……Ｌ字状冷却板 TEC……サーモエレクトリッククーラ FL……フレア、BC……金属支持基体 SC1,SC2……副支持体、LD……レーザダイオード PD……フォトダイオード、Ｓ……支持体 TH……サーミスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−276892（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−53877（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−51482（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−196370（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−157173（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18 G02B 6/42

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】底部、２つの長側壁、２つの短側壁、一方
    の短側壁に設けられたガラスファイバ用の管状パッセー
    ジ、及び標準DIL基準で前記底部に挿通された８個以上
    の案内ピンを有し、１個以上の案内ピンを導電材料によ
    り前記底部に挿通し、残りの案内ピンを貫通型絶縁体を
    介して前記底部に挿通する箱状長方形金属外匣と;2つの
    熱接点パッドを有し、一方の接点パッドを前記金属外匣
    の底部に伝熱結合するサーモエレクトリッククーラと；
    前記サーモエレクトリッククーラの他方の熱接点パッド
    に熱伝的に接続され、レーザダイオードが固着された第
    １副支持体、フォトダイオードが固着された第２副支持
    体、端部が前記レーザダイオードの前端に対向するよう
    に前記ガラスファイバを配列する支持体、及び熱結合さ
    れたサーミスタを夫々設けたプレート状金属支持基体
    と；前記レーザダイオード、フォトダイオード、サーミ
    スタ、サーモエレクトリッククーラ及び金属支持基体を
    前記案内ピンに夫々電気的に接続する接続導線とを具え
    るレーザダイオードモジュールにおいて、前記底部に導
    電的に接続された１個以上の案内ピンには前記金属外匣
    内に位置する部分を設け、この部分をその全長に亘って
    前記金属外匣の関連する長側壁に導電的に接続されたロ
    ッドの形状とし、このロッドの頭面及び支持基体間に導
    電結合を行うようにしたことを特徴とするレーザダイオ
    ードモジュール。
  2. 【請求項２】前記ロッドはその断面を一定とすると共に
    １つ以上の平坦な側面をその全面に亘って前記金属外匣
    の関連する長側壁に導電的に接続するようにしたことを
    特徴とする請求項１に記載のレーザダイオードモジュー
    ル。
  3. 【請求項３】前記ロッドの長さを前記金属外匣の底部及
    び前記支持基体の頂部間の距離にほぼ等しくするように
    したことを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザダ
    イオードモジュール。
  4. 【請求項４】前記金属外匣の関連する長側壁に垂直をな
    す方向の最長ロッド寸法をこの側壁及び支持基体の対向
    側間の距離にほぼ等しいか又はこれよりも小さくするよ
    うにしたことを特徴とする請求項３に記載のレーザダイ
    オードモジュール。
  5. 【請求項５】前記ロッドの頭面及び支持基体間の導電結
    合を比較的幅広の接続細条の形状としたことを特徴とす
    る請求項３又は４に記載のレーザダイオードモジュー
    ル。
  6. 【請求項６】前記ロッドの断面をほぼ長方形としたこと
    を特徴とする請求項１〜５の何れかの項に記載のレーザ
    ダイオードモジュール。
  7. 【請求項７】前記側壁に接続された平坦なロッド側面の
    幅を、前記DIL基準のラインで２つの連続する他の案内
    ピン間の最小距離にほぼ等しくするようにしたことを特
    徴とする請求項６に記載のレーザダイオードモジュー
    ル。
  8. 【請求項８】底部、２つの長側壁、２つの短側壁、一方
    の短側壁に設けられたガラスファイバ用の管状パッセー
    ジ、及び標準DIL基準で前記底部に挿通された８個以上
    の案内ピンを有し、１個以上の案内ピンを導電材料によ
    り前記底部に挿通し、残りの案内ピンを貫通型絶縁体を
    介して前記底部に挿通するようにした請求項１〜３の何
    れかの項に記載のレーザダイオードモジュールに使用す
    るに好適な箱状長方形金属外匣において、前記底部に導
    電的に接続された１個以上の案内ピンには前記金属外匣
    内に位置する部分を設け、この部分をその全長に亘って
    前記金属外匣の関連する長側壁に導電的に接続されたロ
    ッドの形状とするようにしたことを特徴とする箱状長方
    形金属外匣。
  9. 【請求項９】前記ロッドはその断面を一定とすると共に
    １つ以上の平坦な側面をその全面に亘って前記金属外匣
    の関連する長側壁に導電的に接続するようにしたことを
    特徴とする請求項８に記載の箱状長方形金属外匣。
  10. 【請求項１０】前記ロッドの長さを前記金属外匣の底部
    及び前記金属外匣内に配列されサーモエレクトリックク
    ーラを有するレーザダイオードモジュールの支持基体の
    頂部間の距離にほぼ等しくするようにしたことを特徴と
    する請求項８又は９に記載の箱状長方形金属外匣。
  11. 【請求項１１】前記金属外匣の関連する長側壁に垂直を
    なす方向の最長ロッド寸法をこの側壁及び前記金属外匣
    内に配列すべき支持基体の対向側間の距離にほぼ等しい
    か又はこれようりも小さくするようにしたことを特徴と
    する請求項10に記載の箱状長方形金属外匣。
  12. 【請求項１２】前記ロッドの断面をほぼ長方形としたこ
    とを特徴とする請求項８〜11の何れかの項に記載の箱状
    長方形金属外匣。
  13. 【請求項１３】前記側壁に接続された平坦なロッド側面
    の幅を前記DIL基準のラインで２つの連続する他の案内
    ピン間の最小距離にほぼ等しくするようにしたことを特
    徴とする請求項12に記載の箱状長方形金属外匣。
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3035852B2 (ja) * 1990-07-18 2000-04-24 富士通株式会社 半導体レーザモジュール
JP2959678B2 (ja) * 1990-09-25 1999-10-06 富士通株式会社 半導体レーザモジュール及び該モジュールの製造方法
US5195102A (en) * 1991-09-13 1993-03-16 Litton Systems Inc. Temperature controlled laser diode package
US5197076A (en) * 1991-11-15 1993-03-23 Davis James G Temperature stabilizable laser apparatus
JP2763980B2 (ja) * 1992-01-14 1998-06-11 富士通株式会社 光半導体モジュール
JP3596029B2 (ja) * 1994-06-06 2004-12-02 住友電気工業株式会社 半導体レーザモジュール
JP3476612B2 (ja) * 1995-12-21 2003-12-10 三菱電機株式会社 半導体装置
JP3076246B2 (ja) * 1996-08-13 2000-08-14 日本電気株式会社 ペルチェクーラ内蔵半導体レーザモジュール
US6181718B1 (en) * 1997-01-08 2001-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronically cooled semiconductor laser module with modified ground line inductance
FI114046B (fi) * 1997-06-06 2004-07-30 Mtg Meltron Ltd Oy Menetelmä ja valonkehityslaitteisto valokuitukäytössä
JPH11103120A (ja) * 1997-09-25 1999-04-13 Rohm Co Ltd 半導体レーザ装置
CA2335529A1 (en) 1999-04-20 2000-10-26 Yuichiro Irie Laser diode module
US6901221B1 (en) 1999-05-27 2005-05-31 Jds Uniphase Corporation Method and apparatus for improved optical elements for vertical PCB fiber optic modules
US6213651B1 (en) 1999-05-26 2001-04-10 E20 Communications, Inc. Method and apparatus for vertical board construction of fiber optic transmitters, receivers and transceivers
GR990100238A (el) * 1999-07-09 2001-03-30 Συστημα ευθυγραμμισης οχηματων στοιβαξης και μεταφορας εμπορευματοκιβωτιων με την γερανογεφυρα
RU2187093C2 (ru) * 2000-06-14 2002-08-10 Общество с ограниченной ответственностью "ЭМИ" Недисперсионный многоканальный инфракрасный газовый анализатор
WO2003017372A1 (de) * 2001-08-14 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Photodiodenanordnung mit zwei photodioden
US7070340B2 (en) * 2001-08-29 2006-07-04 Silicon Bandwidth Inc. High performance optoelectronic packaging assembly
US6663294B2 (en) * 2001-08-29 2003-12-16 Silicon Bandwidth, Inc. Optoelectronic packaging assembly
SE522857C2 (sv) * 2001-11-23 2004-03-09 Optillion Ab Värmestyrd optoelektrisk enhet
AU2002366190A1 (en) * 2001-11-23 2003-06-10 Optillion Ab Optoelectrical transceiver
GB2429334B (en) * 2003-09-13 2007-09-19 Avago Technologies Fiber Ip Thermo-electric cooler
US8259765B2 (en) * 2006-12-06 2012-09-04 Google Inc. Passive phase control in an external cavity laser
US8811439B2 (en) 2009-11-23 2014-08-19 Seminex Corporation Semiconductor laser assembly and packaging system
RU2500003C2 (ru) * 2010-11-03 2013-11-27 Закрытое акционерное общество "НОВАЯ ЛАЗЕРНАЯ ТЕХНИКА" (ЗАО "НОЛАТЕX") Оптический модуль
JP6488539B2 (ja) * 2013-11-27 2019-03-27 住友大阪セメント株式会社 光学素子モジュール
KR20160025149A (ko) 2014-08-26 2016-03-08 (주)코셋 레이저 다이오드 모듈
DE102016102327B4 (de) * 2016-02-10 2018-02-08 Schott Ag Gehäuse für ein elektronisches Bauelement sowie Lasermodul
JP6461436B1 (ja) * 2018-02-06 2019-01-30 三菱電機株式会社 熱電クーラー内蔵型ステム
CN108390255A (zh) * 2018-02-22 2018-08-10 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 光学次模块及光模块
WO2020056662A1 (zh) * 2018-09-20 2020-03-26 华为技术有限公司 一种光电子组件及其制造方法
DE102019127593B4 (de) 2019-10-14 2021-08-26 Schott Ag Sockel für ein Gehäuse mit einer elektronischen Komponente zur Hochfrequenz-Signalübertragung
JP6725090B1 (ja) * 2019-10-25 2020-07-15 三菱電機株式会社 光半導体装置
JP7590889B2 (ja) * 2021-02-24 2024-11-27 浜松ホトニクス株式会社 外部共振型レーザモジュール、及び外部共振型レーザモジュールの製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5853877A (ja) * 1981-09-26 1983-03-30 Hitachi Koki Co Ltd 半導体レ−ザ−の結露抑止装置
JPS6184965A (ja) * 1984-10-02 1986-04-30 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 画像拡大方法
US4802178A (en) * 1986-04-10 1989-01-31 Ortel Corporation High speed fiberoptic laser module
JPS62276892A (ja) * 1986-05-26 1987-12-01 Hitachi Ltd 電子部品
JPS6370589A (ja) * 1986-09-12 1988-03-30 Nec Corp 半導体レ−ザモジユ−ル

Also Published As

Publication number Publication date
EP0326207A1 (en) 1989-08-02
JPH01227486A (ja) 1989-09-11
DE68905832T2 (de) 1993-09-23
EP0326207B1 (en) 1993-04-07
NL8800140A (nl) 1989-08-16
DE68905832D1 (de) 1993-05-13
US5005178A (en) 1991-04-02
CA1296086C (en) 1992-02-18

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