JP3000593B2 - エッチング方法 - Google Patents

エッチング方法

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JP3000593B2
JP3000593B2 JP1197552A JP19755289A JP3000593B2 JP 3000593 B2 JP3000593 B2 JP 3000593B2 JP 1197552 A JP1197552 A JP 1197552A JP 19755289 A JP19755289 A JP 19755289A JP 3000593 B2 JP3000593 B2 JP 3000593B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に反応性イ
オンエッチングの方法に関する。
〔従来の技術〕 従来、多結晶シリコンおよびタングステンシリサイド
の反応性イオンエッチングでは、エッチングに使用する
ガスとして六弗化硫黄（SF6）とフロン113（C2Cl3F3）
又は、六弗化硫黄（SF6）とフロン115（C2ClF5）の混合
ガスを使用していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のエッチング方法は、オゾン層を破壊す
るフロン113又はフロン115を使用しているため、フロン
規制により、今後使用できなくなるという欠点がある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来のエッチング方法に対し、本発明は塩素
（Cl2），三塩化硼素（BCl3），フロン14（CF4）および
酸素（O2）を使用するという相違点を有する。
〔課題を解決するための手段〕
酸化膜上に設けられた多結晶シリコンまたはタングス
テンシリサイドを高周波電力を用いた反応性イオンエッ
チングによりエッチングする方法において、塩素（C
l2）、三塩化硼素（BCl3）、フロン14（CF4）および酸
素（O2）の混合ガスを用いることを特徴としている。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例のエッチング前の半導
体チップ（ウェハー）の縦断面図である。シリコン基板
４の表面に酸化膜３を形成し、さらに被エッチング膜で
ある多結晶シリコン膜２を形成した後にフォトレジスト
１によってパターンを形成する。この半導体基板を塩素
（Cl2），三塩化硼素（BCl3），フロン14（CF4），酸素
（O2）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによ
りエッチングを行なう。
第２図は、本発明の第１の実施例のエッチング後の半
導体チップの縦断面図である。多結晶シリコン膜２は、
フォトレジスト１に対して、垂直にエッチングされる。
第３図は本発明の第１の実施例のエッチング特性図で
ある。混合ガス中のBCl3流量を120SCCM,CF4流量を10
SCCM,O2流量を10SCCMとし、高周波電力を1300Wとした場
合、圧力25mTorrから40mTorrの範囲で塩素流量20SCCM21
ではエッチング速度は375Å/mimから430Å/mimとなり、
塩素流量30SCCM22ではエッチング速度は475Å/mimから5
30Å/mimとなる。
第４図は本発明の第２の実施例のエッチング前の半導
体チップの縦断面図である。シリコン基板４の上に酸化
膜３を形成し、この上に電極材料となるタングステンシ
リサイド膜５を形成した後にフォトレジスト１によって
パターンを形成し、塩素，三塩化硼素，フロン14,酸素
の混合ガスによってエッチングを行なう。この実施例で
は、電極材料にタングステンシリサイドを使用している
ため、抵抗値をポリシリコンに比べ低くできる利点があ
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、塩素，三塩化硼素，
フロント14,酸素の混合ガスにより多結晶シリコン膜あ
るいはタングステンシリサイド膜をエッチングすること
によりオゾン層を破壊するフロン113,フロン115を使用
する必要がなくなるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例のエッチング前の半導体
チップの縦断面図、第２図は本発明の第１の実施例のエ
ッチング後の半導体チップの縦断面図、第３図は本発明
の第１の実施例のエッチング特性図、第４図は本発明の
第２の実施例のエッチング前の半導体チップの縦断面図
である。 １……フォトレジスト、２……多結晶シリコン膜、３…
…酸化膜、４……シリコン基板、５……タングステンシ
リサイド膜、21……塩素流量20SCCMでのエッチング特
性、22……塩素流量30SCCMでのエッチング特性。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】酸化膜上に設けられた多結晶シリコンまた
    はタングステンシリサイドを高周波電力を用いた反応性
    イオンエッチングによりエッチングする方法において、
    塩素（Cl2）、三塩化硼素（BCl3）、フロン14（CF4）お
    よび酸素（O2）の混合ガスを用いることを特徴とするエ
    ッチング方法。
  2. 【請求項２】前記エッチングは基板に対して垂直に行わ
    れることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の
    エッチング方法。
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