JPH0362518A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JPH0362518A JPH0362518A JP19755289A JP19755289A JPH0362518A JP H0362518 A JPH0362518 A JP H0362518A JP 19755289 A JP19755289 A JP 19755289A JP 19755289 A JP19755289 A JP 19755289A JP H0362518 A JPH0362518 A JP H0362518A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、応性イオンエツ
チングの方法に関する。
チングの方法に関する。
特に反
〔従来の技術〕
従来、多結晶シリコンおよびタングステンシリサイドの
反応性イオンエツチングでは、エツチングに使用するガ
スとして六弗化硫黄（ｓ Ｆ６）とフロン１１３ （Ｏ
２Ｃ４３Ｆ３）又は、六弗化硫黄（ＳＦ’６）とフロン
１１５ （Ｃ２ＣｕＦｓ）の混合ガスを使用していた。
反応性イオンエツチングでは、エツチングに使用するガ
スとして六弗化硫黄（ｓ Ｆ６）とフロン１１３ （Ｏ
２Ｃ４３Ｆ３）又は、六弗化硫黄（ＳＦ’６）とフロン
１１５ （Ｃ２ＣｕＦｓ）の混合ガスを使用していた。
上述した従来のエツチング方法は、オゾン層を破壊する
フロン１１３又はフロン１１５を使用しているため、フ
ロン規制により、今後使用できなくなるという欠点があ
る。
フロン１１３又はフロン１１５を使用しているため、フ
ロン規制により、今後使用できなくなるという欠点があ
る。
上述した従来のエツチング方法に対し、本発明は塩素（
Ｃｎｚ）、三塩化硼素（ＢＣｊ７３）、フロン１４（Ｃ
Ｆ４）および酸素（Ｏ２）を使用するという相違点を有
する。
Ｃｎｚ）、三塩化硼素（ＢＣｊ７３）、フロン１４（Ｃ
Ｆ４）および酸素（Ｏ２）を使用するという相違点を有
する。
本発明のエツチング方法は、フォトレジストをマスクと
して、酸化膜上の多結晶シリコンおよびタングステンシ
リサイドの反応性イＴンエッチングを行なう方法におい
て、塩素（Ｃ４’２）、三塩化硼素（Ｂ Ｃｕ ３）
、フロン１４（ＣＦ４）、および酸素（Ｏ２）の混合ガ
スを用いるという特徴を有している。
して、酸化膜上の多結晶シリコンおよびタングステンシ
リサイドの反応性イＴンエッチングを行なう方法におい
て、塩素（Ｃ４’２）、三塩化硼素（Ｂ Ｃｕ ３）
、フロン１４（ＣＦ４）、および酸素（Ｏ２）の混合ガ
スを用いるという特徴を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例のエツチング前の半導体
チップ（ウェハー）の縦断面図である。
チップ（ウェハー）の縦断面図である。
シリコン基板４０表面に酸化膜３を形成し、さらに被エ
ツチング膜である多結晶シリコン膜２を形成した後にフ
ォトレジスト１によってパターンを形成する。この半導
体基板な塩素（Ｃｊ７２）、三塩化硼素（Ｂ ＣＩ２３
） 、フロン１４ （ＣＦ４）、酸素（Ｏ２）の混合ガ
スを用いた反応性イオンエツチングによりエツチングを
行なう。
ツチング膜である多結晶シリコン膜２を形成した後にフ
ォトレジスト１によってパターンを形成する。この半導
体基板な塩素（Ｃｊ７２）、三塩化硼素（Ｂ ＣＩ２３
） 、フロン１４ （ＣＦ４）、酸素（Ｏ２）の混合ガ
スを用いた反応性イオンエツチングによりエツチングを
行なう。
第２図は、本発明の第１の実施例のエツチング後の半導
体チップの縦断面図である。多結晶シリコン膜２は、フ
ォトレジスト１に対して、垂直にエツチングされる。
体チップの縦断面図である。多結晶シリコン膜２は、フ
ォトレジスト１に対して、垂直にエツチングされる。
第３図は本発明の第１の実施例のエツチング特性図であ
る。混合ガス中のＢ Ｃ１２３流量を１２０３ＣＣＭ。
る。混合ガス中のＢ Ｃ１２３流量を１２０３ＣＣＭ。
ＣＦ、流量を１０ｓｃｃｙｚ ０２流量を１０３００Ｍ
とし、高周波電力を１３００Ｗとした場合、圧力２５ｍ
Ｔｏｒｒから４０ｍＴｏｒｒの範囲で塩素流量２０５ｃ
ｃｈ＜２１ではエツチング速度は３７５人／ｍｉｎから
４３０人／山となり、塩素流ｔ ３０ ｓ。０Ｍ２２で
はエツチング速度は４７５人／而か面５３０Ａ／ｍｉｎ
となる。
とし、高周波電力を１３００Ｗとした場合、圧力２５ｍ
Ｔｏｒｒから４０ｍＴｏｒｒの範囲で塩素流量２０５ｃ
ｃｈ＜２１ではエツチング速度は３７５人／ｍｉｎから
４３０人／山となり、塩素流ｔ ３０ ｓ。０Ｍ２２で
はエツチング速度は４７５人／而か面５３０Ａ／ｍｉｎ
となる。
第４図は本発明の第２の実施例のエツチング前の半導体
チップの縦断面図である。シリコン基板４の上に酸化膜
３を形成し、この上に電極材料となるタングステンシリ
サイド膜５を形成した後にフォトレジスト１によってパ
ターンを形成し、塩素、三塩化硼素、フロン１４．酸素
の混合ガスによってエツチングを行なう。この実施例で
は、電極材料にタングステンシリサイドを使用している
ため、抵抗値をポリシリコンに比べ低くできる利点があ
る。
チップの縦断面図である。シリコン基板４の上に酸化膜
３を形成し、この上に電極材料となるタングステンシリ
サイド膜５を形成した後にフォトレジスト１によってパ
ターンを形成し、塩素、三塩化硼素、フロン１４．酸素
の混合ガスによってエツチングを行なう。この実施例で
は、電極材料にタングステンシリサイドを使用している
ため、抵抗値をポリシリコンに比べ低くできる利点があ
る。
以上説明したように、本発明は、塩素、三塩化硼素、フ
ロン１４．酸素の混合ガスにより多結晶シリコン膜ある
いはタングステンシリサイド膜をエツチングすることに
よりオゾン層を破壊するフロン１１３．フロン１１３を
使用する必要がなくなるという効果がある。
ロン１４．酸素の混合ガスにより多結晶シリコン膜ある
いはタングステンシリサイド膜をエツチングすることに
よりオゾン層を破壊するフロン１１３．フロン１１３を
使用する必要がなくなるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例のエツチング前の半導体
チップの縦断面図、第２図は本発明の第１の実施例のエ
ツチング後の半導体チップの縦断面図、第３図は本発明
の第１の実施例のエツチング特性図、第４図は本発明の
第２の実施例のエツチング前の半導体チップの縦断面図
である。 １・・・・・・フォトレジスト、２・・・・・・多結晶
シリコン膜、３・・・・・・酸化膜、４・・・・・・シ
リコン基板、５・・・・・・タングステンシリサイド膜
、２１・旧・・塩素流量２０ ｓｃｃＭでのエツチング
特性、２２・・・・・・塩素流量３０、。。８でのエツ
チング特性。
チップの縦断面図、第２図は本発明の第１の実施例のエ
ツチング後の半導体チップの縦断面図、第３図は本発明
の第１の実施例のエツチング特性図、第４図は本発明の
第２の実施例のエツチング前の半導体チップの縦断面図
である。 １・・・・・・フォトレジスト、２・・・・・・多結晶
シリコン膜、３・・・・・・酸化膜、４・・・・・・シ
リコン基板、５・・・・・・タングステンシリサイド膜
、２１・旧・・塩素流量２０ ｓｃｃＭでのエツチング
特性、２２・・・・・・塩素流量３０、。。８でのエツ
チング特性。
Claims (2)
- （１）フォトレジストをマスクとして、酸化膜上の多結
晶シリコンおよびタングステンシリサイドの反応性イオ
ンエッチングを行なう方法において、塩素（Ｃｌ＿２）
、三塩化硼素（ＢＣｌ＿３）、フロン１４（ＣＦ＿４）
、および酸素（Ｏ＿２）の混合ガスを用いることを特徴
とするエッチング方法。 - （２）エッチングは基板に対して垂直に行なわれること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のエッチン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1197552A JP3000593B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1197552A JP3000593B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362518A true JPH0362518A (ja) | 1991-03-18 |
| JP3000593B2 JP3000593B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=16376388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1197552A Expired - Fee Related JP3000593B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3000593B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001029882A3 (en) * | 1999-10-21 | 2001-11-08 | Applied Materials Inc | Method for in situ removal of a dielectric antireflective coating during a gate etch process |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101447434B1 (ko) | 2008-09-09 | 2014-10-13 | 주성엔지니어링(주) | 태양전지와 그의 제조 방법 및 제조 장치 |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP1197552A patent/JP3000593B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001029882A3 (en) * | 1999-10-21 | 2001-11-08 | Applied Materials Inc | Method for in situ removal of a dielectric antireflective coating during a gate etch process |
| US6613682B1 (en) | 1999-10-21 | 2003-09-02 | Applied Materials Inc. | Method for in situ removal of a dielectric antireflective coating during a gate etch process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3000593B2 (ja) | 2000-01-17 |
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