JP3143027B2 - 光受容部材の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光（ここでは広義の光で
あって、紫外線、可視光線、赤外線、ｘ線、γ線などを
意味する。）のような電磁波に対して感受性のある光受
容部材を製造する方法に関する。

【０００２】

【従来技術の説明】像形成分野において、光受容部材に
おける光受容層を形成する光導電材料としては、高感度
で、ＳＮ比［光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高
く、照射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収ス
ペクトルを有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗
値を有すること、使用時において人体に対して無害であ
ること、等の特性が要求される。特に、事務機としてオ
フィスで使用される電子写真装置内に組み込まれる電子
写真用光受容部材の場合には、上記の使用時における無
公害性は重要な点である。この様な点において優れた性
質を示す光導電材料として、水素アモルファスシリコン
（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記する）があり、例え
ば、特公昭６０−３５０５９号公報には電子写真用光受
容部材としての応用が記載されている。そして、その電
子写真用光受容部材は、一般的には基体を５０℃〜４０
０℃に加熱し、該基体上に真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、プラズマＣＶＤ法等の成膜法によりａ−Ｓｉからな
る光導電層を形成する。なかでもプラズマＣＶＤ法、す
なわち、原料ガスを直流または高周波あるいはマイクロ
波グロー放電によって分解し、基体上にａ−Ｓｉ堆積膜
を形成する方法が好適なものとして実用に付されてい
る。また、特開昭５４−８３７４６号公報においては、
基体と、ハロゲン原子を構成要素として含むａ−Ｓｉ
（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）光導電層からな
る電子写真用光受容部材が提案されており、該公報に
は、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至４０原子％含有さ
せた、耐熱性が高く、電気的光学的特性の優れた電子写
真用光受容部材に関する技術が開示されている。

【０００３】しかしながら、このような従来のａ−Ｓｉ
系材料で構成された光導電層を有する電子写真用光受容
部材では、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光
学的、光導電特性、及び使用環境特性、さらには経時安
定性および耐久性等において、個々の特性向上は一応図
られてはいるものの、近年における総合的な特性向上の
要請には対応できなくなってきているのが実情である。
特に、電子写真装置の高画質化、高速化、高耐久化は急
速に伸展しており、電子写真用光受容部材においても、
電気的特性や光導電特性の更なる向上とともに、帯電
能、感度を維持しつつあらゆる環境下で大幅に性能を延
ばすことが求められてきているばかりでなく、その層構
成、各層の化学的組成など総合的な観点からの改良を図
るとともに、ａ−Ｓｉ材料そのものの一段の特性改良を
図ることが必要とされてきている。このような点を考慮
したものとして例えば、特開昭５４−８６３４１号公報
には、ａ−Ｓｉを光導電層に用いた、耐湿性、耐久性、
電気特性に優れた電子写真用光受容部材に関する技術が
記載されている。また、特開昭６２−１６８１６１号公
報には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と４１
〜７０ａｔｏｍｉｃ％の水素原子を構成要素として含む
非晶質材料で構成された材料を用いる技術が記載されて
いる。そして、このようなアモルファス電子写真光受容
部材の形成方法として、グロー放電によるプラズマＣＶ
Ｄ法（以下、単にプラズマＣＶＤ法と表記する）が挙げ
られる。例えば、特開昭６０−１８６８４９号公報に
は、原料ガスの分解源として、周波数２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を用いたマイクロ波プラズマＣＶＤ法による
堆積膜の形成方法が開示されている。該公報によれば、
デポジションチャンバ内に複数の円筒部材を配置するこ
とによって、内部チャンバを形成し、その内部に原料ガ
スを導入することで、ガスの利用効率を高めると同時
に、生産性を向上させる堆積膜の形成方法が開示されて
いる。また、特開平３−２１９０８１号公報には、プラ
ズマ空間に直流電界を掛け、プラズマ電位を制御するこ
とにより、さらに高品質の堆積膜形成方法が開示されて
いる。このような技術により、良好な電気特性を有する
電子写真用光受容部材を供給することが一応可能となっ
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、今日で
は、複写機本体の高性能化が更に進み、デジタル機や、
カラー機の普及にともない、電子写真用光受容部材は、
これまで以上の高画質化、高品質化が求められるように
なってきた。特に、これらの複写機は従来の主として文
字だけのコピー画像ではなく、ハーフトーン調の画像が
主となる為、より鮮明なハーフトーン調の画像形成が不
可欠となってきた。また、高帯電能、高耐久といった観
点からは、光導電層に炭素原子を含有させたａ−ＳｉＣ
系材料が用いられる。ａ−ＳｉＣ系材料ではシリコン原
子に対する炭素原子の含有量が増加するに従い、光導電
層中を電荷が走りにくくなる。そこで、ボロン等の荷電
子制御剤を多く入れることにより、残電が出ないように
している。しかしながら、炭素原子を膜厚方向で分布を
もたらしたような層設計においては、含有されるボロン
量を各領域において試行錯誤により決定せざるをえず、
過大なる実験回数を必要としていた。こうした試行錯誤
の必要なく、また、特性向上のためにも、簡単な方法で
層設計が行えることが必要とされてきている。

【０００５】そこで本発明は、上述のごときａ−Ｓｉで
構成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容部
材に於ける諸問題を解決した光受容部材の製造方法の提
供を目的とするものである。即ち、本発明の主たる目的
は近年の複写機本体の高性能化デジタル機や、カラー機
の普及にともなう電子写真用光受容部材の、これまで以
上の高画質化、特により鮮明なハーフトーン調の画像形
成が可能な光受容部材及びその製造方法を提供すること
にある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、シリコン原子を含む原料ガスと周期律表第
ＩＩＩ族又は第Ｖ族に属する元素を含む原料ガスを反応
空間に導入して基体上にシリコン原子と周期律表第ＩＩ
Ｉ族又は第Ｖ族に属する元素を含有する非晶質材料で構
成された光導電層を形成する工程を有する光受容部材の
製造方法において、前記周期律表第ＩＩＩ族又は第Ｖ族
に属する元素を含む原料ガスをスプライン関数を用いて
連続的に変化させながら導入させるようにしたものであ
る。

【０００７】本発明は、前記工程において、更に炭素原
子、酸素原子及び窒素原子からなる群から選択された元
素を含む原料ガスが導入するようにするのが好ましい。

【０００８】つぎに図面により本発明を詳細に説明す
る。図１（ａ）は、本発明の電子写真用光受容部材の層
構成を説明するための模式的構成図である。図１（ａ）
に示す電子写真用光受容部材１００は、光受容部材用と
しての基体１０１の上に、光受容層１０２が設けられて
いる。該光受容層１０２はａ−Ｓｉ：Ｈまたはａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈからなり光導電性を有する光導電層１０３と、電
荷の注入を阻止する働きを行う電荷注入阻止層１０４と
アモルファスシリコン系表面層１０５とから構成されて
いる。図１（ｂ）は、本発明の電子写真用光受容部材の
他の層構成を説明するための模式的構成図である。図１
（ｂ）に示す電子写真用光受容部材１００は、光受容部
材用としての基体１０１の上に、光受容層１０２が設け
られている。該光受容層１０２は光導電層１０３を、ア
モルファスシリコン系表面層１０５とから構成されてい
る。光導電層１０３はａ−ＳｉＣ：Ｈからなる電荷輸送
を働きとする第１の領域１０６とａ−Ｓｉ：Ｈまたはａ
−ＳｉＣ：Ｈからなる電荷発生を働きとする第２領域１
０７から構成されている。

【０００９】このような光導電層１０３は真空堆積膜形
成方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パ
ラメーターの数値条件が設定されて作成される。具体的
には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波Ｃ
ＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ
法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング
法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成す
ることができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設
備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される電子写
真用光受容部材に所望される特性等の要因によって適宜
選択されて採用されるが、所望の特性を有する電子写真
用光受容部材を製造するにあたっての条件の制御が比較
的容易であることから、本発明においてはグロー放電
法、特に、周波数２．４５ＧＨｚを用いたマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法、周波数１３．５６ＭＨｚを用いたＲＦ
プラズマＣＶＤ法が有効である。グロー放電法による光
導電層１０３の形成は、基本的にはシリコン原子（Ｓ
ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素原子
（Ｃ）を供給し得るＣ供給の原料ガス、周期律表の第Ｉ
ＩＩ族又は第Ｖ族に属する元素を含有する原料ガス、水
素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入し
て、該反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ
所定の位置に設置されてある所定の基体１０１上にａ−
Ｓｉ：Ｈ、ａ−ＳｉＣ：Ｈからなる層を形成することに
よって行われるのであるが、本発明は、上記周期律表の
第ＩＩＩ族又は第Ｖ族に属する元素を含有する原料ガス
をスプライン関数を用いて連続的に変化させながら導入
させるところに特徴を有するものである。

【００１０】すなわち、光導電層を形成する工程におい
て、周期律表の第III族または第Ｖ族に属する元素を含
有する原料ガスをドーピングとして連続的にガス流量を
変化させながら導入するに当たり、従来の場合には５、
７、９、１１図に示すように時間軸に対して、何点かの
点を直線的に結び、流量を変化させていたが、このよう
な導入方法では適切なドーピング量が得られず、特に、
電子写真用光受容部材の光導電層の様な厚膜半導体膜に
おいては、キャリアの走行性及び高品質の堆積膜を得る
ことにつき、先に述べた近時の要請に応える上で十分で
はなかった。本発明では、それを、４、６、８、１０図
で示すように各点をスプライン関数を用い、連続的に変
化させて適切なドーピング量が得られるようにすること
によって、そのキャリアの走行性を向上させると共に、
高品質の堆積膜を得ることを可能としたもである。特
に、電子写真用光受容部材の光導電層のような厚膜半導
体においては、前述したようなより鮮明なハーフトーン
調の画像形成を行うためには、低電界においてのキャリ
アの走行性をより向上させることと、さらには光導電層
中での電界をより均一に形成することが、とりわけ重要
であるが、本発明によれば導電層形成時における周期律
表第III族または、第Ｖ族に属する元素をよりなめらか
にドーピングすることにより、光導電層中により均一な
電界を形成することが可能となる。

【００１１】つぎに、その作業手順を図２、図３によっ
て説明する。図２は、２．４５ＧＨｚの周波数を用いた
マイクロ波プラズマＣＶＤ法（以後「ＭＷ−ＰＣＶＤ」
と略記する）による電子写真用光受容部材の製造装置の
一例を示す概略説明図であり、図２（Ａ）はその横断面
図、図２（Ｂ）はその縦断面図である。まず、反応容器
２０１内にあらかじめ脱脂洗浄された円筒状の基体２０
２を設置し、駆動装置２０３によって基体２０２を回転
し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応
容器２０１内を排気管２０４を介して排気し、反応容器
２０１内の圧力を１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下に調整する。
続いて、基体加熱用ヒーター２０５により基体２０２の
温度を２０℃〜５００℃の所定の温度に過熱保持する。
光受容部材形成用の原料ガスを反応容器２０１に流入さ
せるには、ガスボンベのバルブ及び、各種バルブの操作
を行い、マスフローコントローラー（不図示）を介して
原料ガス導入管２０６より放電空間２０７内に導入す
る。以上のようにして成膜の準備が完了した後、円筒状
の基体２０２上に光導電層、表面層の各層の形成を行
う。円筒状の基体２０２が所定の温度になったところで
各流出バルブのうち必要なものを徐々に開き、原料ガス
を導入管２０６を介して反応容器２０１内の放電空間２
０７に導入する。次にマスフローコントローラー（不図
示）によって各原料ガスが所定の流量になるように調整
する。その際、放電空間２０７内の圧力が１Ｔｏｒｒ以
下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を見なが
らメインバルブ（不図示）の開口を調整する。圧力が安
定した後、バイアス電極（本図では原料ガス導入管と兼
用）２０６にバイアス電源２０８より所定の電圧を印加
すると同時並行的に、マイクロ波電源（不図示）より
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ所望の電力に設
定し、導波管２０９、マイクロ波導入窓２１０を介して
放電空間２０７にマイクロ波エネルギーを導入して、グ
ロー放電を生起させる。こうして原料ガスは、マイクロ
波のエネルギーにより励起されて解離し、基体２０２上
に所定の光受容部材が形成される。この時、層形成の均
一化を図るため駆動手段２０３によって、所望の回転速
度で回転させる。所望の膜厚の形成が行われた後、バイ
アス電圧及びマイクロ波電力の供給を止め、流出バルブ
を閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成
を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、
所望の多層構造の光受容層が形成される。光導電層の形
成手順は上記のとおりであるが、本発明においては上記
各原料ガスを導入管２０６を介して反応容器２０１内の
放電空間２０７に導入するに際して、上記各原料ガスの
内、周期律表の第ＩＩＩ族又は第Ｖ族に属する元素を含
有する原料ガスを、スプライン関数を用いて連続的に変
化させながら導入させるものである。

【００１２】また、図３はＲＦ帯の周波数を用いた高周
波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記す
る）による電子写真用光受容部材の製造装置の一例を示
す概略説明図である。この装置は大別すると、堆積装置
（３１００）、原料ガスの供給装置（３２００）、反応
容器（３１１１）内を減圧にするための排気装置（図示
せず）から構成されている。堆積装置（３１００）中の
反応容器（３１１１）内には円筒状基体（３１１２）、
基体加熱用ヒーター（３１１３）、原料ガス導入管（３
１１４）が設置され、更に高周波マッチングボックス
（３１１５）が接続されている。原料ガス供給装置（３
２００）は、ＳｉＨ４、ＧｅＨ４、Ｈ２、ＣＨ４、Ｂ２
Ｈ６、ＰＨ３等の原料ガスのボンベ（３２２１〜３２２
６）とバルブ（３２３１〜３２３６，３２４１〜３２４
６，３２５１〜３２５６）およびマスフローコントロー
ラー（３２２１〜３２１６）から構成され、各原料ガス
のボンベはバルブ（３２６０）を介して反応容器（３１
１１）内のガス導入管（３１１４）に接続されている。
この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば以下のように
行うことができる。まず、反応容器（３１１１）内に基
体（３１１２）を設置し、不図示の排気装置（例えば真
空ポンプ）により反応容器（３１１１）内を排気する。
続いて、基体加熱用ヒーター（３１１３）により基体
（３１１２）の温度を２００℃乃至３５０℃の所定の温
度に制御する。堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（３
１１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（３２
３１〜３２３７）、反応容器のリークバルブ（３１１
７）が閉じられていることを確認し、又、流入バルブ
（３２４１〜３２４６）、流出バルブ（３２５１〜３２
５６）、補助バルブ（３２６０）が開かれていることを
確認して、まずメインバルブ（３１１８）を開いて反応
容器（３１１１）及びガス配管内（３１１６）を排気す
る。次に真空計（３１１９）の読みが約５×１０^-6Ｔｏ
ｒｒになった時点で補助バルブ（３２６０）流出バルブ
（３２５１〜３２５６）を閉じる。その後、ガスボンベ
（３２２１〜３２２６）より各ガスをバルブ（３２３１
〜３２３６）を開いて導入し、圧力調整器（３２６１〜
３２６６）により各ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ²に調整す
る。次に、流入バルブ（３２４１〜３２４６）を徐々に
開けて、各ガスをマスフローコントローラー（３２１１
〜３２１６）内に導入する。以上のようにして成膜の準
備が完了した後、以下の手順で各層の形成を行う。基体
（３１１２）が所定の温度になったところで流出バルブ
（３２５１〜３２５６）のうち必要なもの及び補助バル
ブ（３２６０）を徐々に開き、ガスボンベ（３２２１〜
３２２６）から所定のガスをガス導入管（３１１４）を
介して反応容器（３１１１）内に導入する。次にマスフ
ローコントローラー（３２１１〜３２１６）によって各
原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、
反応容器（３１１１）内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定
の圧力になるように真空計（３１１９）を見ながらメイ
ンバルブ（３１１８）の開口を調整する。内圧が安定し
たところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図
示）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボック
ス（３１１５）を通じて反応容器（３１１１）内にＲＦ
電力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エネ
ルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解
され、基体（３１１２）上に所定のシリコンを主成分と
する堆積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形
成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを
閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を
終える。そして、本発明においては各原料ガスを導入管
を介して反応容器内の放電空間に導入するに際して、上
記各原料ガスの内、周期律表の第ＩＩＩ族又は第Ｖ族に
属する元素を含有する原料ガスを、スプライン関数を用
いて連続的に変化させながら導入させるものであること
については前記ＭＶ−ＰＣＶＤの場合と同様であること
は言うまでもないことである。同様の操作を複数回繰り
返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成さ
れる。それぞれの層を形成する際には必要なガス以外の
流出バルブはすべて閉じられていることは言うまでもな
く、また、それぞれのガスが反応容器（３１１１）内、
流出バルブ（３２５１〜３２５６）から反応容器（３１
１１）に至る配管内に残留することを避けるために、流
出バルブ（３２５１〜３２５６）を閉じ、補助バルブ
（３２６０）を開き、さらにメインバルブ（３１１８）
を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に
応じて行う。また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行っている間は、基体（３１１２）を駆動装置（不
図示）によって所定の速度で回転させることも有効であ
る。さらに、上述のガス種及びバルブ操作は各々の層作
成条件にしたがって変更が加えられることは言うまでも
ない。

【００１３】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ
３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の、またはガス化し
得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、更に層作成時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいもの
として挙げられる。本発明において、スプライン関数を
用いて、光導電層１０３に導入する伝導性を制御する原
子は、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げるこ
とができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第III.ｂ族に
属する原子（以後「『第III.ｂ族原子」と略記する）ま
たはｎ型伝導特性を与える周期律表第V.ｂ族に属する原
子（以後「第V.ｂ族原子」と略記する）を用いることが
できる。第III.ｂ族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第V.ｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。伝導性を制御する原子、例えば、第III.ｂ族原
子あるいは第V.ｂ族原子を構造的に導入するには、層形
成の際に、第ＩＩＩ．ｂ族原子導入用の原子物質あるい
は第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器
中に、光導電層１０３を形成するための他のガスととも
に導入してやればよい。第ＩＩＩ．ｂ族原子導入用の原
料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得
るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくと
も層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用される
のが望ましい。そのような第ＩＩＩ．ｂ族原子導入用の
原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、
Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ１０、Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１、Ｂ６Ｈ
１０、Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ
３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げら
れる。この他、ＡｌＣｌ３、ＧａＣｌ３、Ｇａ（ＣＨ
３）３、ＩｎＣｌ３、ＴｌＣｌ３等も挙げることができ
る。第Ｖ．ｂ族原子導入用の原料物質として有効に使用
されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４
等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ、ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣｌ３、
ＰＣｌ５、ＰＢｒ３、ＰＢｒ５、ＰＩ３等のハロゲン化
燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、ＡｓＣ
ｌ３、ＡｓＢｒ３、ＡｓＦ５、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、Ｓ
ｂＦ５、ＳｂＣｌ３、ＳｂＣｌ５、ＢｉＨ３、ＢｉＣｌ
３、ＢｉＢｒ３等も第Ｖ．ｂ族原子導入用の出発物質の
有効なものとして挙げることができる。また、これらの
伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じて
Ｈ２および／またはＨｅにより希釈して使用してもよ
い。さらに本発明においては、光導電層１０３は、炭素
原子、酸素原子、窒素原子のうち少なくともいずれかを
光導電層中に万遍なく均一に含有させても良いし、光導
電層の層厚方向に含有量が変化するような不均一な分布
をもたせて含有させても良い。

【００１４】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ８、Ｃ４Ｈ１０等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、更に層形成時の取り扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点でＣＨ４、Ｃ２Ｈ６が好ましいも
のとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の原料ガ
スを必要に応じてＨ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスによ
り希釈して使用してもよい。また、酸素原子（Ｏ）導入
用の原料ガスになり得るものとして有効に使用される出
発物質は、例えば酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、二酸
化炭素（ＣＯ２）などが挙げられる。同様に窒素原子
（Ｎ）導入用の原料ガスになり得るものとして有効に使
用される出発物質は、Ｎを構成原子とするか、或はＮと
Ｈを構成原子とする、例えば窒素ガス（Ｎ２）、アンモ
ニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化
水素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等
のガス状またはガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物
等の窒素化合物を挙げることができる。また、酸素原子
（Ｏ）と窒素原子（Ｎ）を同時に導入できる原料ガスと
なり得るものとして、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素
（ＮＯ２）、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）、三酸化二窒素
（Ｎ２Ｏ３）、四酸化二窒素（Ｎ２Ｏ４）、五酸化二窒
素（Ｎ２Ｏ５）、三酸化窒素（ＮＯ３）等が挙げられ
る。また、これらの原子導入用の原料物質を必要に応じ
てＨ２および／またはＨｅにより希釈して使用してもよ
い。

【００１５】本発明において、光導電層１０３の層厚は
所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の
点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは１５
〜５０μｍ、より好ましくは２０〜４５μｍ、最適には
２５〜４０μｍとされるのが望ましい。本発明の目的を
達成し、所望の膜特性を有する光導電層１０３を形成す
るには、Ｓｉ供給用ガスと希釈ガスとの混合比、反応容
器内のガス圧、放電電力ならびに基体温度を適宜設定す
ることが必要である。希釈ガスとして使用するＨ２の流
量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ２を、通常の場合１〜２０
倍、好ましくは２〜１５倍、最適には３〜１０倍の範囲
で変化させる制御をすることが望ましい。反応容器内の
ガス圧も同様に層設計や、堆積方法に依存して適宜最適
範囲が選択されるが、通常の場合１×１０-4〜１０Ｔｏ
ｒｒ、好ましくは５×１０-4〜５Ｔｏｒｒ、最適には１
×１０-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好ましい。放電電力も
また同様に層設計や、堆積方法に依存して適宜最適範囲
が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対する放電
電力を、通常の場合２〜７倍、好ましくは２．５〜６
倍、最適には３〜５倍の範囲に設定することが望まし
い。さらに、基体１０１の温度は、層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは
２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、
最適には２５０〜３１０℃とするのが望ましい。本発明
においては、光導電層を形成するための基体温度、ガス
圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられる
が、条件は通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的
且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。

【００１６】本発明において使用される基体としては、
導電性でも電気絶縁性であってもよい。基体としては、
Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、及びこれらの合金、例
えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエステル、
ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、
ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラ
ス、セラミック等の電気絶縁性基体の少なくとも光受容
層を形成する側の表面を導電処理した基体も用いること
が出来る。本発明において使用される基体１０１の形状
は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または板状無端ベ
ルト状であることができ、その厚さは、所望通りの電子
写真用光受容部材１００を形成し得るように適宜決定す
るが、電子写真用光受容部材１００としての可撓性が要
求される場合には、基体１０１としての機能が充分発揮
できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しか
しながら、基体１０１は製造上及び取扱上、機械的強度
等の点から通常は１０μｍ以上とされる。特にレーザー
光などの可干渉性光を用いて像記録を行う場合には、可
視画像において現れる、いわゆる干渉縞模様による画像
不良をより効果的に解消するために、基体１０１の表面
に凹凸を設けてもよい。基体１０１の表面に設けられる
凹凸は、特開昭６０−１６８１５６号公報、同６０−１
７８４５７号公報、同６０−２２５８５４号公報等に記
載された公知の方法により作成される。

【００１７】また、レーザー光などの可干渉光を用いた
場合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消す
る別の方法として、基体１０１の表面に複数の球状痕跡
窪みによる凹凸形状を設けてもよい。即ち、基体１０１
の表面が電子写真用光受容部材１００に要求される解像
力よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球
状痕跡窪みによるものである。基体１０１の表面に設け
られる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６１−
２３１５６１号公報に記載された公知の方法により作成
される。

【００１８】本発明の電子写真用光受容部材において
は、基体と光導電層との間に、基体光受容部材側からの
電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層を設け
るのがいっそう効果的である。すなわち、電荷注入阻止
層は光受容層が一定極性の帯電処理をその自由表面に受
けた際、基体側より光導電層側に電荷が注入されるのを
阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受けた際に
はそのような機能は発揮されない、いわゆる極性依存性
を有している。そのような機能を付与するために、電荷
注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電層に比べ
比較的多く含有させる。該層に含有される伝導性を制御
する原子は、該層中に万偏なく均一に分布されても良い
し、あるいは層厚方向には万偏なく含有されてはいる
が、不均一に分布する状態で含有している部分があって
もよい。分布濃度が不均一な場合には、基体側に多く分
布するように含有させるのが好適である。しかしなが
ら、いずれの場合にも基体の表面と平行面内方向におい
ては、均一な分布で万偏なく含有されることが面内方向
における特性の均一化をはかる点からも必要である。

【００１９】また、電荷注入阻止層においても本発明の
スプライン関数を用いて伝導性の制御原子を含有する原
料ガスを変化させて導入させることはなんら問題はな
い。電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御する原子
としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げ
ることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIｂ
族に属する原子 （以後「第IIIｂ族原子」と略記する）
またはｎ型伝導特性を与える周期律表Ｖｂ族に属 する
原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いること
ができる。第IIIｂ族原子としては、具体的には、Ｂ
（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガ リウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、
Ａｓが好適である。本発明において電荷注入阻止層中に
含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、本
発明の目的が効果的に達成できるように所望にしたがっ
て適宜決定されるが、好ましくは１０〜１×１０⁴原子
ｐｐｍ、より好適には５０〜５×１０³原子ｐｐｍ、最
適には１×１０²〜１×１０³ｐｐｍとされるのが望まし
い。さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子の他に、窒
素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させること
によって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられる
他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図ることが
できる。該層に含有される炭素原子または窒素原子また
は酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布されても良い
し、あるいは層厚方向には万偏なく含有されてはいる
が、不均一に分布する状態で含有している部分があって
もよい。しかしながら、いずれの場合にも基体の表面と
平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含有さ
れることが面内方向における特性の均一化をはかる点か
らも必要である。また、本発明における電荷注入阻止層
に含有される水素原子は層内に存在する末結合手を補償
し膜質の向上に効果を奏する。本発明において、電荷注
入阻止層の層厚は所望の電子写真特性が得られること、
及び経済的効果の点から好ましくは０．１〜５μｍ、よ
り好ましくは０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍ
とされるのが望ましい。

【００２０】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。本発明の目的を達成し得る特性を有す
る電荷注入阻止層１０４を形成するには、光導電層１０
３と同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、
反応容器内のガス圧、放電電力ならびに基体１０１の温
度を適宜設定することが必要である。希釈ガスであるＨ
２および／またはＨｅの流量は、層設計にしたがって適
宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ２
および／またはＨｅを、通常の場合１〜２０倍、好まし
くは３〜１５倍、最適には５〜１０倍の範囲に制御する
ことが望ましい。反応容器内のガス圧も同様に層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１
×１０-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０-4〜５Ｔ
ｏｒｒ、最適には１×１０-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好
ましい。放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜
最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対
する放電電力を、通常の場合１〜７倍、好ましくは２〜
６倍、最適には３〜５倍の範囲設定することが望まし
い。さらに、基体１０１の温度は、層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは
２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、
最適には２５０〜３１０℃とするのが望ましい。本発明
においては、電荷注入阻止層を作成するための希釈ガス
の混合比、ガス圧、放電電力、基体温度の望ましい数値
範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの層形
成ファクターは通常は独立的に別々に決められるもので
はなく、所望の特性を有する表面層を形成すべく相互的
且つ有機的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適
値を決めるのが望ましい。また、本発明の電子写真用光
受容部材に於ては、基体１０１と光導電層１０３あるい
は電荷注入阻止層１０５との間の密着性の一層の向上を
図る目的で、例えば、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、あ
るいはシリコン原子を母体とし、水素原子及び／または
ハロゲン原子と 、炭素原子及び／または酸素原子及び
／または窒素原子とを含む非晶質材料等で構成される密
着層を設けても良い。更に、基体からの反射光による干
渉模様の発生を防止するための光吸収層を設けてもよ
い。

【００２１】本発明においては、上述のようにして基対
１０１上に形成された光導電層１０３の上に、更にアモ
ルファスシリコン系の表面層１０５を形成することが好
ましい。表面層１０５は、アモルファスシリコン系の材
料であればいずれの材質でも可能であるが、例えば、水
素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有
し、更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン（以
下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ、Ｘ」と表記する）、水素原子
（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に
酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−
ＳｉＯ：Ｈ、Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／
またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子を含
有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ：Ｈ、
Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原子、窒素
原子の少なくとも一つを含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ、Ｘ」と表記する）等の材
料が好適に用いられる。

【００２２】本発明に於て、その目的を効果的に達成す
るために、表面層１０５は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設置されて作成される。その具体的形成方法
は、前記した光導電層と同様の数々の薄膜堆積法によっ
て形成することができる。これらの薄膜堆積法は、製造
条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成され
る電子写真用受容部材に所望される特性等の要因によっ
て適宜選択されて採用されるが、光受容部材の生産性か
ら光導電層と同等の堆積法によることが好ましい。本発
明に於て用いる表面層の材質としてはシリコンを含有す
るアモルファス材料ならば何れでも良いが、炭素、窒
素、酸素より選ばれた元素を少なくとも１つ含むシリコ
ン原子との化合物が好ましく、特にａ−ＳｉＣを主成分
としたものが好ましい。本発明の表面層の形成において
使用されるシリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質
としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４
Ｈ１０等のガス状態の、またはガス 化し得る水素化珪
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、更に層作成時の取扱易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の
点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げら
れる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応
じてＨ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使
用してもよい。炭素供給用ガスとなり得る物質として
は、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ８、Ｃ４Ｈ１０等のガス
状態の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用され
るものとして挙げられ、更に層形成時の取扱易さ、Ｓｉ
供給率の良さの点でＣＨ４、Ｃ２Ｈ６が好ましいものと
して挙げられる。また、これらのＣ供給用の原料ガスを
必要に応じてＨ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希
釈して使用してもよい。本発明における表面層１０４の
層厚としては、通常０．０１〜３μｍ、好適には０．０
５〜２μｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが望ま
しいものである。層厚が０．０１μｍよりも薄いと光受
容部材を使用中に摩耗等の理由により表面層が失われて
しまい、３μｍを越えると残留電位の増加等の電子写真
特性の低下がみられる。

【００２３】

【実施例】以下、実施例に基づき本発明の具体例を詳細
に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定され
るものではない。 ［実施例１］外径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５
ｍｍのアルミニウムシリンダーを鏡面加工を施し、脱脂
洗浄したものを基体として使用し、図２に示す装置を用
いて、表１に示す条件にて、先に示した手順に従い、阻
止型の電子写真用光受容部材を作成した。なお、Ｂ２Ｈ
６ガスは、スプライン関数を用い図４に示すような流量
変化で導入した。

【００２４】

【表１】 このドラムを電子写真装置（キヤノン社製ＮＰ６０６
０）を本テスト用に改造したもの）にセットして、以下
の電子写真特性及び画像成の評価を以下の方法で行っ
た。 感度…電子写真用光受容部材を、一定の暗部表面電位に
帯電させる。そして直ちに光像を照射する。光像はハロ
ゲンランプ光源を用い、フィルターを用いて５５０ｎｍ
以下の波長域の光りを除いた光を照射する。この時表面
電位計により電子写真光受容部材の明部表面電位を測定
する。明部表面電位が所定の電位になるよう露光量を調
整し、この時の露光量をもつて感度とし、評価した。 感度について ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題あり」 を表している。 残留電位…ドラムを一定の暗部表面電位に帯電させる。
そして直ちに一定光量の比較的強い光りを照射す。光像
はハロゲンランプ光源を用い、フィルターを用いて５５
０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を照射した。この時
表面電位計により電子写真用光受容部材の明部表面電位
を測定する。 残留電位について ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題あり」 を表している。 ＥＶ直線性…ドラムを一定の暗部表面電位に帯電させ
る。そして光量を変化させながら照射する。光像はハロ
ゲンランプ光源を用い、フィルターを用いて５５０ｎｍ
以下の波長域の光を除いた光を照射した。この時表面電
位計により電子写真用光受容部材の明部表面電位を測定
し、明部表面電位と光量の関係を測定する。 ＥＶ直線性について ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題有り」 を表している。 ハーフトーンがさつき…キヤノン社製中間チャート（部
品番号：ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置きコピーした
ときに得られた画像のがさつきを目視により評価した。 がさつきについて ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題有り」 を表している。 （比較例１）実施例１と同様に、表１に示した条件によ
り、阻止型の電子写真用光受容部材を作成し、実施例１
と同様の評価を行った。なお、Ｂ２Ｈ６ガスは、図５に
示すような直線で各点を結んだ流量変化で導入した。以
下、実施例１及び比較例１の結果を合わせて表３に示
す。表２に示されるように、本発明はすべての項目にお
いて良好な結果が得られた。

【００２５】

【表２】 ［実施例２］実施例１と同様のアルミシリンダーを使用
し、図２に示す装置を用いて、表３に示す条件にて、先
に示した手順に従い、機能分離型の電子写真用光受容部
材を作成した。なお、第１の領域のＢ２Ｈ６ガスは、ス
プライン関数を用い図６に示すような流量変化で導入し
た。

【００２６】

【表３】 （比較例２）実施例２と同様に、表３に示した条件によ
り、機能分離型の電子写真用光受容部材を作成し、実施
例１と同様の評価を行った。なお、Ｂ２Ｈ６ガスは、図
７に示すような直線で各点を結んだ流量変化で導入し
た。以下、実施例２及び比較例２の結果を合わせて表４
に示す。表４に示されるように、本発明はすべての項目
において良好な結果が得られた。

【００２７】

【表４】 （実施例３）外径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５
ｍｍのアルミニウムシリンダーを鏡面加工を施し、脱脂
洗浄したものを基体として使用し、図３に示す装置を用
いて、表５に示す条件にて、先に示した手順に従い、阻
止型の電子写真用光受容部材を作成した。なお、Ｂ２Ｈ
６ガスは、スプライン関数を用い図８に示すような流量
変化で導入した。

【００２８】

【表５】 （比較例３）実施例３と同様に、図３に示す装置を用い
て、表５に示した条件により、阻止型の電子写真用光受
容部材を作成し、実施例１と同様の評価を行った。な
お、Ｂ２Ｈ６ガスは、図９に示すような直線で各点を結
んだ流量変化で導入した。以下、実施例３及び比較例３
の結果を合わせて表６に示す。表４に示されるように、
本発明は全ての項目において良好な結果が得られた。

【００２９】

【表６】 ［実施例４］実施例１と同様のアルミシリンダーを使用
し、図３に示す装置を用いて、表７に示す条件にて、先
に示した手順に従い、機能分離型の電子写真用光受容部
材を作成した。なお、第１の領域のＢ２Ｈ６ガスは、ス
プライン関数を用い図１０に示すような流量変化で導入
した。

【００３０】

【表７】 （比較例４）実施例４と同様に、表７に示した条件によ
り、機能分離型の電子写真用光受容部材を作成し、実施
例１と同様の評価を行った。なお、Ｂ２Ｈ６ガスは、図
１１に示すような直線で各点を結んだ流量変化で導入し
た。以下、実施例４及び比較例４の結果を合わせて表８
に示す。表８に示されるように、本発明は全ての項目に
おいて良好な結果が得られた。

【００３１】

【表８】 ［実施例５］実施例１と同様のアルミシリンダーを使用
し、図２に示す装置を用いて、表９に示す条件にて、先
に示した手順に従い、阻止型の電子写真用光受容部材を
作成した。なお、光導電層のＢ２Ｈ６ガスは、スプライ
ン関数を用い図６に示すような流量変化で導入した。

【００３２】

【表９】 ［実施例６］実施例１と同様のアルミシリンダーを使用
し、図２に示す装置を用いて、表１０に示す条件にて、
先に示した手順に従い、阻止型の電子写真用光受容部材
を作成した。なお、光導電層のＢ２Ｈ６ガスは、スプラ
イン関数を用い図６に示すような流量変化で導入した。

【００３３】

【表１０】 実施例５及び６で作成した電子写真光受容部材を実施例
１と同様の評価を行った。加えて、画像欠陥及び耐久性
の評価も行った。 画像欠陥…キヤノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ
９−９０４２）を原稿台に置き、コピーしたときに得ら
れたコピー画像の同一面積内にある直径０．５ｍｍ以下
の白点について、その数を数えた。 画像欠陥について ◎は「０〜２個で、まつたく気にならない」 ○は「３〜５個で、気にならない」 △は「６〜１０個で、多少気になる」 ×は「１１個以上で、気になる」 を表している。 耐久性…種々の電子写真特性を測定の後、１０万枚相当
の加速耐久試験を行いその後の各電子写真特性の変化を
測定した。 耐久性について ◎は「初期特性とほとんど変化無い」 ○は「変化は有るがまったく問題ない」 △は「多少変化有る」 ×は「著しく変化が有る」 を表している。以下、実施例５及び実施例６の結果を合
わせて表１１に示す。また、本実施例との比較の意味で
実施例１で作成した電子写真光受容部材を合わせて評価
を行い合わせて表１１に示す。表１１に示されるよう
に、本発明は全ての項目において良好な結果が得られ
た。

【００３４】

【表１１】

【００３５】

【本発明の効果】本発明によれば、導電層形成時におけ
る周期律表第III族または、第Ｖ族に属する元素をより
なめらかにドーピングすることにより、光導電層中によ
り均一な電界の形成が可能となり、またキャリア走行性
の向上した光受容部材が得られるから、これにより鮮明
なハーフトーン調の画像を形成することが可能となる。
とりわけ、これを電子写真用光受容部材に用いた場合に
は最近における複写機本体の高性能化デジタル機や、カ
ラー機の普及に伴う電子写真用光受容部材の、これまで
以上の高画質化、特により鮮明なハーフトーン調画像の
提供により有効に寄与することができるものである。ま
た、本発明により得られた光受容部材は、電子写真特
性、特に感度、残留電位、ＥＶ直線性等に優れ、その光
導電層に炭素原子、酸素原子、窒素原子を含有させるこ
とにより、画像欠陥を低減させると共に、その耐久性を
一層向上させることができるものである。

【００３６】

【図面の簡単な説明】

図１は、本発明の光受容部材の好適な実施形態例の層構
成を説明するための模式的層構成図である。 図２は、本発明の光受容部材の光受容層を形成する為の
装置の一例で、マイクロ波を用いたグロー放電法による
光受容部材の製造装置の概略説明図である。 図３は、本発明の光受容部材の光受容層を形成するため
の装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用いたグロー放電法
による光受容部材の製造装置の概略説明図であり、図２
（Ａ）はその横断面図、図２（Ｂ）はその縦断面図であ
る。 図４、及び図６、図８、図１０は、本発明の光受容層を
形成するためのスプライン関数を用いた周期律表の第Ｉ
ＩＩ族または第Ｖ族に属する元素を含有する原料ガスの
流量変化の一例を示したグラフである。 図５及び図７、図９、図１１は、従来の光受容層を形成
する周期律表の第ＩＩＩ族または第Ｖ族に属する元素を
含有する原料ガスの流量変化の一例を示したグラフであ
る。 １００ 光受容部材 １０１ 基体 １０２ 光受容層 １０３ 光導電層 １０４ 電荷注入阻止層 １０５ 表面層 １０６ 光導電層第１の領域 １０７ 光導電層第２の領域 ２０１ 反応容器 ２０２ 基体 ２０３ 回転機構 ２０４ 排気孔 ２０５ 加熱用ヒーター ２０６ 原料ガス供給管兼電極 ２０７ 内部チャンバ ２０８ 電源 ２０９ 導波管 ２１０ 誘電体窓 ３１００ 堆積装置 ３１１１ 反応容器 ３１１２ 基体 ３１１３ 基体加熱用ヒーター ３１１４ 原料ガス導入管 ３１１５ マッチングボックス ３１１６ 原料ガス配管 ３１１７ 反応容器リークバルブ ３１１８ メイン排気バルブ ３１１９ 真空計 ３２００ 原料ガス供給装置 ３２１１〜３２１６ マスフローコントローラー ３２２１〜３２２６ 原料ガスボンベ ３２３１〜３２３６ 原料ガスボンベバルブ ３２４１〜３２４６ ガス流入バルブ ３２５１〜３２５６ ガス流出バルブ ３２６１〜３２６６ 圧力調整器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/50 C23C 16/52 G03G 5/08 360 H01L 31/0248

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】シリコン原子を含む原料ガスと周期律表第
   ＩＩＩ族又は第Ｖ族に属する元素を含む原料ガスを反応
   空間に導入して基体上にシリコン原子と周期律表第ＩＩ
   Ｉ族又は第Ｖ族に属する元素を含有する非晶質材料で構
   成された光導電層を形成する工程を有する光受容部材の
   製造方法において、前記周期律表第ＩＩＩ族又は第Ｖ族
   に属する元素を含む原料ガスをスプライン関数を用いて
   連続的に変化させながら導入することを特徴とする光受
   容部材の製造方法。
2. 【請求項２】前記工程において、更に炭素原子、酸素原
   子及び窒素原子からなる群から選択された元素を含む原
   料ガスが導入されることを特徴とする請求項１に記載の
   光受容部材の製造方法。