JP3144040B2 - 半導体装置の製造方法及びその装置並びにリードフレーム - Google Patents
半導体装置の製造方法及びその装置並びにリードフレームInfo
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップを搭載
し、その半導体チップを封止したパッケージの周縁から
導出されている複数のアウターリードを所定の間隔を保
った状態で所望の形状に成形する半導体装置の製造方法
及びその装置並びにそのリード成形に適したリードフレ
ームに関するものである。
し、その半導体チップを封止したパッケージの周縁から
導出されている複数のアウターリードを所定の間隔を保
った状態で所望の形状に成形する半導体装置の製造方法
及びその装置並びにそのリード成形に適したリードフレ
ームに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来技術の半導体装置の製造方法及びそ
の装置並びにリードフレームを図9乃至図12を用いて
説明する。図9は従来技術のフォーミング金型のフォー
ミングダイ上に、半導体チップをパッケージしたリード
フレームを載置したところを示した一部上面斜視図であ
り、図10は図9に示した状態のリードフレームをフォ
ーミングパンチで成形する直前に状態を示した一部断面
図であり、図11は図10に示した状態からフォーミン
グパンチでリードフレームを成形した状態を示した一部
断面図であり、図12はフォーミングダイ上の成形され
たリードフレームの状態を示した上面斜視図であり、そ
して図14は従来技術のリードフレームを示した平面図
である。
の装置並びにリードフレームを図9乃至図12を用いて
説明する。図9は従来技術のフォーミング金型のフォー
ミングダイ上に、半導体チップをパッケージしたリード
フレームを載置したところを示した一部上面斜視図であ
り、図10は図9に示した状態のリードフレームをフォ
ーミングパンチで成形する直前に状態を示した一部断面
図であり、図11は図10に示した状態からフォーミン
グパンチでリードフレームを成形した状態を示した一部
断面図であり、図12はフォーミングダイ上の成形され
たリードフレームの状態を示した上面斜視図であり、そ
して図14は従来技術のリードフレームを示した平面図
である。
【0003】先ず、従来技術のリードフレームから説明
する。図14に示した従来技術のリードフレーム1は、
通常のQFP型半導体装置に用いられているものであっ
て、中央部に四角形のダイパッド2と、その各辺に沿っ
て形成された複数のインナーリード3と、タイバー5を
介して、それらのインナーリード3に対応して形成され
た複数のアウターリード4と、前記ダイパッド2の4コ
ーナー6A、6B、6C及び6Dに形成され、前記ダイ
パッド2をフレーム7に接続して支持する4本の吊り8
A、8B、8C及び8Dなどとから構成されている。符
号9A、9B、9C、9Dはステーであり、符号10B
及び10Dはそれら単位リードフレーム1の間に設けら
れたセクションバーであり、そして符号11A及び11
Cはステー9A及び9Cとフレーム7との間で、一連の
アウターリード4の幅にわたって形成された長孔であ
る。
する。図14に示した従来技術のリードフレーム1は、
通常のQFP型半導体装置に用いられているものであっ
て、中央部に四角形のダイパッド2と、その各辺に沿っ
て形成された複数のインナーリード3と、タイバー5を
介して、それらのインナーリード3に対応して形成され
た複数のアウターリード4と、前記ダイパッド2の4コ
ーナー6A、6B、6C及び6Dに形成され、前記ダイ
パッド2をフレーム7に接続して支持する4本の吊り8
A、8B、8C及び8Dなどとから構成されている。符
号9A、9B、9C、9Dはステーであり、符号10B
及び10Dはそれら単位リードフレーム1の間に設けら
れたセクションバーであり、そして符号11A及び11
Cはステー9A及び9Cとフレーム7との間で、一連の
アウターリード4の幅にわたって形成された長孔であ
る。
【0004】このようなリードフレーム1は、通常、鉄
−ニッケル系合金(ニッケル42重量パーセント)や銅
系合金など一枚の短冊状導電性金属板を化学エッチング
して製作される。図14では一単位のリードフレームだ
け示したが、通常、このような単位リードフレーム1が
一枚の導電性金属板に複数単位形成されるものである。
通常、導電性金属板の厚さは0.125mm程度、アウ
ターリード4の幅は0.12〜0.4mm程度、そして
アウターリード4のピッチは0.3〜1.27mm程度
である。
−ニッケル系合金(ニッケル42重量パーセント)や銅
系合金など一枚の短冊状導電性金属板を化学エッチング
して製作される。図14では一単位のリードフレームだ
け示したが、通常、このような単位リードフレーム1が
一枚の導電性金属板に複数単位形成されるものである。
通常、導電性金属板の厚さは0.125mm程度、アウ
ターリード4の幅は0.12〜0.4mm程度、そして
アウターリード4のピッチは0.3〜1.27mm程度
である。
【0005】このような構成のリードフレーム1の前記
ダイパッド2に半導体チップ(図示していない)を固定
し、この半導体チップなどを、図9に示したように、セ
ラミック製のパッケージPで封止するか、トランスファ
ーモールド法でエポキシ樹脂のような溶融した樹脂でモ
ールドして、樹脂製のパッケージPで封止された半導体
装置の半製品(以下、単に「半製品」記す)Sに仕上げ
られている。
ダイパッド2に半導体チップ(図示していない)を固定
し、この半導体チップなどを、図9に示したように、セ
ラミック製のパッケージPで封止するか、トランスファ
ーモールド法でエポキシ樹脂のような溶融した樹脂でモ
ールドして、樹脂製のパッケージPで封止された半導体
装置の半製品(以下、単に「半製品」記す)Sに仕上げ
られている。
【0006】この単一の半製品Sは、前記一枚の導電性
金属板から打ち抜かれたもので、この打ち抜きの時に、
図14に示したタイバー5の切断や封止樹脂のバリ落と
しやフレーム7の切断が行われる。従って、パッケージ
Pの側縁部には、その基部に存在するインナーリード3
の一部外端部とそれぞれに対応するアウターリード4が
連続した形で、それぞれ互いに分離した状態のアウター
リードに形成されており、しかし、それらの各アウター
リード4の先端部はステー9A、9B、9C、9Dで連
結された状態のままである。
金属板から打ち抜かれたもので、この打ち抜きの時に、
図14に示したタイバー5の切断や封止樹脂のバリ落と
しやフレーム7の切断が行われる。従って、パッケージ
Pの側縁部には、その基部に存在するインナーリード3
の一部外端部とそれぞれに対応するアウターリード4が
連続した形で、それぞれ互いに分離した状態のアウター
リードに形成されており、しかし、それらの各アウター
リード4の先端部はステー9A、9B、9C、9Dで連
結された状態のままである。
【0007】このような半製品Sを、図9及び図10に
示したように、フォーミング金型のフォーミングダイ2
0の所定の位置に載置する。このフォーミングダイ20
には、その上面の中央部にパッケージ受け22とこのパ
ッケージ受け22の4辺を取り囲むように枕状のリード
受け23とアウターリード成形面24とが形成されてい
る。従って、半製品SのパッケージPをこのパッケージ
受け22に嵌め込み、そして各アウターリード4をそれ
ぞれのリード受け23に載置する。
示したように、フォーミング金型のフォーミングダイ2
0の所定の位置に載置する。このフォーミングダイ20
には、その上面の中央部にパッケージ受け22とこのパ
ッケージ受け22の4辺を取り囲むように枕状のリード
受け23とアウターリード成形面24とが形成されてい
る。従って、半製品SのパッケージPをこのパッケージ
受け22に嵌め込み、そして各アウターリード4をそれ
ぞれのリード受け23に載置する。
【0008】この状態に維持しながら、次に図10に示
したように、フォーミングパンチ21とノックアウト2
5を半製品Sの上方に持ち来し、ノックアウト25で半
製品SのパッケージPとアウターリード4とをそれぞれ
パッケージ受け22とリード受け23とに押さえ込み、
固定する。
したように、フォーミングパンチ21とノックアウト2
5を半製品Sの上方に持ち来し、ノックアウト25で半
製品SのパッケージPとアウターリード4とをそれぞれ
パッケージ受け22とリード受け23とに押さえ込み、
固定する。
【0009】このような固定状態で、次に図11に示し
たように、フォーミングパンチ21を降下させると、ア
ウターリード4がアウターリード成形面24に沿って成
形される。図12には、その成形された状態を示す。こ
の後、4本のステー9A、9B、9C、9Dを切断する
と所望の半導体装置が得られる。
たように、フォーミングパンチ21を降下させると、ア
ウターリード4がアウターリード成形面24に沿って成
形される。図12には、その成形された状態を示す。こ
の後、4本のステー9A、9B、9C、9Dを切断する
と所望の半導体装置が得られる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】現在、半導体装置は高
密度集積化されており、そのため半導体チップを搭載す
るリードフレームの複数のインナーリードやアウターリ
ードも、それらの一本一本が細く、かつ0.3〜0.5
mmのピッチのようにファインピッチ化されるようにな
った。
密度集積化されており、そのため半導体チップを搭載す
るリードフレームの複数のインナーリードやアウターリ
ードも、それらの一本一本が細く、かつ0.3〜0.5
mmのピッチのようにファインピッチ化されるようにな
った。
【0011】このようなリードフレーム1は、通常、化
学エッチングで製作されるが、この時、図13に示した
ように、上面及び下面のエッチング用マスク30、31
がずれると、断面が正四辺形のアウターリード4が形成
されず、このマスクずれDが10μmも生ずると、図9
乃至12に示したように、アウターリード4の先端部を
連結している各ステー9A、9C、9B及び9Dが固定
されていないために、アウターリード4の成形時に、ア
ウターリード4が水平方向に移動する、いわゆるリード
流れを起こしてしまう。
学エッチングで製作されるが、この時、図13に示した
ように、上面及び下面のエッチング用マスク30、31
がずれると、断面が正四辺形のアウターリード4が形成
されず、このマスクずれDが10μmも生ずると、図9
乃至12に示したように、アウターリード4の先端部を
連結している各ステー9A、9C、9B及び9Dが固定
されていないために、アウターリード4の成形時に、ア
ウターリード4が水平方向に移動する、いわゆるリード
流れを起こしてしまう。
【0012】また、前記タイバー5の切断時に発生する
リードの左右のバリの発生量にばらつきが有っても、同
様にリード流れを起こしてしまう。
リードの左右のバリの発生量にばらつきが有っても、同
様にリード流れを起こしてしまう。
【0013】このように、リードを所定の間隔を保っ
て、所定の形状に折り曲げ、成形することは極めて高度
の技術を要する。リードを所定の間隔を保って、所定の
形状に成形することができなければ、そのリードの成形
が不良であるがために、半導体装置の製造の最終段階
で、その半導体装置を不良品として廃棄処分しなければ
ならない。この発明は、このようなリード流れなどが発
生せずに、アウターリードを所定の間隔を保って、所定
の形状に成形することを課題とするものである。
て、所定の形状に折り曲げ、成形することは極めて高度
の技術を要する。リードを所定の間隔を保って、所定の
形状に成形することができなければ、そのリードの成形
が不良であるがために、半導体装置の製造の最終段階
で、その半導体装置を不良品として廃棄処分しなければ
ならない。この発明は、このようなリード流れなどが発
生せずに、アウターリードを所定の間隔を保って、所定
の形状に成形することを課題とするものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】それ故、この発明では、
半導体チップを搭載し、その半導体チップを封止したパ
ッケージの周縁から導出されている複数のアウターリー
ドの先端部が整列した状態で連結されたリードフレーム
をフォーミング金型に載置、固定し、前記フォーミング
金型の一部分で、前記アウターリードの先端部に位置す
るステーの一部分を、前記アウターリードの曲げ方向に
は隙間があるが当該曲げ方向の直交方向には隙間が略生
じないように案内し、その案内によって前記リードフレ
ームの先端部の前記直交方向への移動を阻止するように
保持しながら、前記フォーミング金型で前記アウターリ
ードを所望の形状に成形する。
半導体チップを搭載し、その半導体チップを封止したパ
ッケージの周縁から導出されている複数のアウターリー
ドの先端部が整列した状態で連結されたリードフレーム
をフォーミング金型に載置、固定し、前記フォーミング
金型の一部分で、前記アウターリードの先端部に位置す
るステーの一部分を、前記アウターリードの曲げ方向に
は隙間があるが当該曲げ方向の直交方向には隙間が略生
じないように案内し、その案内によって前記リードフレ
ームの先端部の前記直交方向への移動を阻止するように
保持しながら、前記フォーミング金型で前記アウターリ
ードを所望の形状に成形する。
【0015】また、前記フォーミング金型がフォーミン
グパンチとフォーミングダイとからなり、これらフォー
ミングパンチまたはフォーミングダイの外側部の所定の
位置に案内手段が設けられており、その案内手段によっ
てアウターリードの先端部に位置するステーの一部分
を、前記アウターリードの曲げ方向には隙間があるが当
該曲げ方向の直交方向には隙間が略生じないように案内
するように構成された半導体装置の製造装置を用いてア
ウターリードを成形するようにした。
グパンチとフォーミングダイとからなり、これらフォー
ミングパンチまたはフォーミングダイの外側部の所定の
位置に案内手段が設けられており、その案内手段によっ
てアウターリードの先端部に位置するステーの一部分
を、前記アウターリードの曲げ方向には隙間があるが当
該曲げ方向の直交方向には隙間が略生じないように案内
するように構成された半導体装置の製造装置を用いてア
ウターリードを成形するようにした。
【0016】
【作用】従って、フォーミング金型に形成した案内手段
により、アウターリードの曲げ方向の直交方向には極め
て僅かな隙間しかなく、その直交方向に移動する余地は
殆どなくなるので、アウターリードの成型時、アウター
リードの各先端部を連結しているステーが保持されるこ
とになり、結果としてリードの流れを防止することがで
きる。
により、アウターリードの曲げ方向の直交方向には極め
て僅かな隙間しかなく、その直交方向に移動する余地は
殆どなくなるので、アウターリードの成型時、アウター
リードの各先端部を連結しているステーが保持されるこ
とになり、結果としてリードの流れを防止することがで
きる。
【0017】
【実施例】以下、この発明の半導体装置の製造方法及び
その装置並びにリードフレームを図1乃至図8を用いて
説明する。これらの説明には、半導体装置としてQFP
型の樹脂封止型半導体装置を例に挙げて説明するが、こ
の発明はQFP型のようなパッケージの四辺からアウタ
ーリードが導出されている半導体装置に限定されるもの
ではなく、パッケージの一辺だけからアウターリードが
導出されている半導体装置やパッケージの二辺からも導
出されている半導体装置にも適用できることは言うまで
もない。なお、図9乃至図14に示した従来技術の構成
部分と同一の構成部分には同一の符号を付し、それらの
説明を省略する。
その装置並びにリードフレームを図1乃至図8を用いて
説明する。これらの説明には、半導体装置としてQFP
型の樹脂封止型半導体装置を例に挙げて説明するが、こ
の発明はQFP型のようなパッケージの四辺からアウタ
ーリードが導出されている半導体装置に限定されるもの
ではなく、パッケージの一辺だけからアウターリードが
導出されている半導体装置やパッケージの二辺からも導
出されている半導体装置にも適用できることは言うまで
もない。なお、図9乃至図14に示した従来技術の構成
部分と同一の構成部分には同一の符号を付し、それらの
説明を省略する。
【0018】先ず、第1の実施例を図1乃至図5を用い
て説明する。図1はこの発明のフォーミング金型のフォ
ーミングダイ上に、半導体チップをパッケージしたリー
ドフレームを載置したところを示した一部上面斜視図で
あり、図2は図1に示した状態のリードフレームをフォ
ーミングパンチで成形する直前の状態を示した一部断面
図であり、図3は図2に示した状態からフォーミングパ
ンチでリードフレームを成形した状態を示した一部断面
図であり、図4はこの発明のフォーミングダイ上の成形
されたリードフレームの状態を示した上面斜視図であ
り、そして図5はこの発明のリードフレームを示した平
面図である。
て説明する。図1はこの発明のフォーミング金型のフォ
ーミングダイ上に、半導体チップをパッケージしたリー
ドフレームを載置したところを示した一部上面斜視図で
あり、図2は図1に示した状態のリードフレームをフォ
ーミングパンチで成形する直前の状態を示した一部断面
図であり、図3は図2に示した状態からフォーミングパ
ンチでリードフレームを成形した状態を示した一部断面
図であり、図4はこの発明のフォーミングダイ上の成形
されたリードフレームの状態を示した上面斜視図であ
り、そして図5はこの発明のリードフレームを示した平
面図である。
【0019】この第1の実施例に用いる、この発明の1
つでもあるリードフレーム1Aを図5に示した。このリ
ードフレーム1Aの大部分の構成は、図14に示したリ
ードフレーム1の構成と同一であって、異なる部分はス
テー9A、9C、9B及び9Dの中央部で、それぞれ長
孔11A及び11Cとセクションバー10B及び10D
側に開口した矩形の形状をした切欠きの案内孔12A、
12C、12B及び12Dを設けた点である。
つでもあるリードフレーム1Aを図5に示した。このリ
ードフレーム1Aの大部分の構成は、図14に示したリ
ードフレーム1の構成と同一であって、異なる部分はス
テー9A、9C、9B及び9Dの中央部で、それぞれ長
孔11A及び11Cとセクションバー10B及び10D
側に開口した矩形の形状をした切欠きの案内孔12A、
12C、12B及び12Dを設けた点である。
【0020】これらのガイド12A、12C、12B及
び12Dはダイパッド2、インナーリード3、アウター
リード4などをエッチングで形成される場合と同時にエ
ッチングにより形成してもよく、また後のタイバー5を
切断する時に同時に打ち抜いて形成してもよい。
び12Dはダイパッド2、インナーリード3、アウター
リード4などをエッチングで形成される場合と同時にエ
ッチングにより形成してもよく、また後のタイバー5を
切断する時に同時に打ち抜いて形成してもよい。
【0021】一方、フォーミング金型のフォーミングダ
イ20Aには、図1に示したように、それぞれのセクシ
ョンの表面26A、26B、26C及び26Dの外側部
の中央部に、前記案内孔12A、12C、12B及び1
2Dの開口幅より狭いが、殆ど同一の幅の案内突起27
A、27B、27C及び27Dが形成されている。また
案内突起27Aと27Cとの間隔、及び案内突起27B
と27Dとの間隔は、前記リードフレーム1Aの案内孔
12Aと12C、及び案内孔12B及び12Dの間隔よ
りやや長く寸法取りされている。なお、このフォーミン
グダイ20Aにその他のパッケージ受け22、リード受
け23、アウターリード成形面24などが形成されてい
ることは従来技術のフォーミングダイ20と同様であ
る。
イ20Aには、図1に示したように、それぞれのセクシ
ョンの表面26A、26B、26C及び26Dの外側部
の中央部に、前記案内孔12A、12C、12B及び1
2Dの開口幅より狭いが、殆ど同一の幅の案内突起27
A、27B、27C及び27Dが形成されている。また
案内突起27Aと27Cとの間隔、及び案内突起27B
と27Dとの間隔は、前記リードフレーム1Aの案内孔
12Aと12C、及び案内孔12B及び12Dの間隔よ
りやや長く寸法取りされている。なお、このフォーミン
グダイ20Aにその他のパッケージ受け22、リード受
け23、アウターリード成形面24などが形成されてい
ることは従来技術のフォーミングダイ20と同様であ
る。
【0022】次に、図1及び図2に示したように、前記
のリードフレーム1Aを用いた半製品SAを、そのパッ
ケージPがパッケージ受け22に、アウターリード4が
リード受け23に載せて位置決めし、そして各ステー9
A、9C、9B及び9Dの案内孔12A、12C、12
B及び12Dが案内突起27A、27B、27C及び2
7Dに嵌まるように、フォーミングダイ20Aに載せ
る。
のリードフレーム1Aを用いた半製品SAを、そのパッ
ケージPがパッケージ受け22に、アウターリード4が
リード受け23に載せて位置決めし、そして各ステー9
A、9C、9B及び9Dの案内孔12A、12C、12
B及び12Dが案内突起27A、27B、27C及び2
7Dに嵌まるように、フォーミングダイ20Aに載せ
る。
【0023】このように半製品SAを載置すると、前記
各案内孔12A、12B、12C及び12Dの底部と各
案内突起27A、27B、27C及び27Dとの間に、
前記のような寸法取りで構成してあるために、少しばか
りの隙間が開いている。しかし、各案内孔12A、12
C、12B及び12Dの開口と案内突起27A、27
B、27C及び27Dの幅との間には極めて僅かな隙間
しかなく、従って、それらの幅方向に移動する余地は殆
どない。
各案内孔12A、12B、12C及び12Dの底部と各
案内突起27A、27B、27C及び27Dとの間に、
前記のような寸法取りで構成してあるために、少しばか
りの隙間が開いている。しかし、各案内孔12A、12
C、12B及び12Dの開口と案内突起27A、27
B、27C及び27Dの幅との間には極めて僅かな隙間
しかなく、従って、それらの幅方向に移動する余地は殆
どない。
【0024】このような状態で、図3に示したように、
ノックアウト25でパッケージP及びアウターリード4
を押さえながら、フォーミングパンチ21を下降させて
アウターリード4をアウターリード成形面24に沿って
成形する。この成形中、ステー9A、9C、9B及び9
Dは、それぞれの案内孔12A、12C、12B及び1
2Dに案内突起27A、27B、27C及び27Dが嵌
まり込んでいるために、水平方向には移動せず、上下方
向のみに案内することができ、そして前記隙間の間隔以
内でアウターリード4を押さえることができる。従っ
て、従来技術で見られたリード流れは前記極僅かな間隙
の分だけしか起こすことなく、アウターリード4を所望
の形状に成形することができる。図4に、その成形され
た状態を示す。この後、4本のステー9A、9B、9
C、9Dを切断すると所望の半導体装置を得ることがで
きる。
ノックアウト25でパッケージP及びアウターリード4
を押さえながら、フォーミングパンチ21を下降させて
アウターリード4をアウターリード成形面24に沿って
成形する。この成形中、ステー9A、9C、9B及び9
Dは、それぞれの案内孔12A、12C、12B及び1
2Dに案内突起27A、27B、27C及び27Dが嵌
まり込んでいるために、水平方向には移動せず、上下方
向のみに案内することができ、そして前記隙間の間隔以
内でアウターリード4を押さえることができる。従っ
て、従来技術で見られたリード流れは前記極僅かな間隙
の分だけしか起こすことなく、アウターリード4を所望
の形状に成形することができる。図4に、その成形され
た状態を示す。この後、4本のステー9A、9B、9
C、9Dを切断すると所望の半導体装置を得ることがで
きる。
【0025】前記第1の実施例で用いたリードフレーム
1Aでは、案内孔12A、12B、12C及び12Dを
それぞれステー9A、9B、9C及び9Dに設けたが、
これらのステー9A、9B、9C及び9Dの幅が狭い場
合には、案内孔12A、12B、12C及び12Dを設
けることができない。特に、ステー9B及び9Dの幅
は、通常狭く、これらにそれぞれ案内孔12B及び12
Dを設けるには、相隣る単一リードフレーム間の間隔を
広く開けることが必要になる。このように間隔を広く開
けることは、それだけ多くのリードフレーム用材料を必
要とすることになり、ロスが生じ、コスト高にもなる。
1Aでは、案内孔12A、12B、12C及び12Dを
それぞれステー9A、9B、9C及び9Dに設けたが、
これらのステー9A、9B、9C及び9Dの幅が狭い場
合には、案内孔12A、12B、12C及び12Dを設
けることができない。特に、ステー9B及び9Dの幅
は、通常狭く、これらにそれぞれ案内孔12B及び12
Dを設けるには、相隣る単一リードフレーム間の間隔を
広く開けることが必要になる。このように間隔を広く開
けることは、それだけ多くのリードフレーム用材料を必
要とすることになり、ロスが生じ、コスト高にもなる。
【0026】従って、リードフレームには何ら加工せ
ず、フォーミング金型の方に工夫を凝らして、この発明
の目的を実現させようと発明されたのが以下に記す第2
の実施例である。この第2の実施例を図6を用いて説明
する。
ず、フォーミング金型の方に工夫を凝らして、この発明
の目的を実現させようと発明されたのが以下に記す第2
の実施例である。この第2の実施例を図6を用いて説明
する。
【0027】この実施例のフォーミングダイをフォーミ
ングダイ20Bとして示す。このフォーミングダイ20
Bの案内手段として、その四側面の外側部の表面26
A、26B、26C及び26Dの両端部に、それぞれ一
対の案内突起27A、27B、27C及び27Dを、そ
れぞれの表面26A、26B、26C及び26Dより高
く形成し、それら各一対の案内突起27A、27B、2
7C及び27Dの間隔をそれぞれリードフレーム1の各
ステー9A、9B、9C及び9Dの長さより極僅か開け
て構成した。なお、図2などで示したパッケージ受け2
2、リード受け23、アウターリード成形面24など
は、このフォーミングダイ20Bにも同様に形成されて
あることはいうまでもない。
ングダイ20Bとして示す。このフォーミングダイ20
Bの案内手段として、その四側面の外側部の表面26
A、26B、26C及び26Dの両端部に、それぞれ一
対の案内突起27A、27B、27C及び27Dを、そ
れぞれの表面26A、26B、26C及び26Dより高
く形成し、それら各一対の案内突起27A、27B、2
7C及び27Dの間隔をそれぞれリードフレーム1の各
ステー9A、9B、9C及び9Dの長さより極僅か開け
て構成した。なお、図2などで示したパッケージ受け2
2、リード受け23、アウターリード成形面24など
は、このフォーミングダイ20Bにも同様に形成されて
あることはいうまでもない。
【0028】フォーミングダイ20Bはこのように構成
されているので、図6Aに示したように、半製品Sの各
ステー9A、9C、9B及び9Dが前記各一対の案内突
起27A、27B、27C及び27Dの間に嵌め込むよ
うにして、半製品Sをフォーミングダイ20Bに載置
し、この実施例では図示していないが、図2に示したと
同様に、ノックアウト25でパッケージP及び各アウタ
ーリード4を押さえながら、フォーミングパンチ21を
押し下げると、図6Bに示したように、アウターリード
4を所望の形状に成形することができる。
されているので、図6Aに示したように、半製品Sの各
ステー9A、9C、9B及び9Dが前記各一対の案内突
起27A、27B、27C及び27Dの間に嵌め込むよ
うにして、半製品Sをフォーミングダイ20Bに載置
し、この実施例では図示していないが、図2に示したと
同様に、ノックアウト25でパッケージP及び各アウタ
ーリード4を押さえながら、フォーミングパンチ21を
押し下げると、図6Bに示したように、アウターリード
4を所望の形状に成形することができる。
【0029】この成形時に、半製品Sの各アウターリー
ド4を等間隔で連結している各ステー9A、9B、9C
及び9Dの両端部は前記各案内突起27A、27B、2
7C及び27Dで横方向にずれないように案内されるの
で、従来技術のリードフレーム1をそのままの構成で成
形できる上に、アウターリード4の成形時の欠点であっ
た前記リード流れも防止することができる。
ド4を等間隔で連結している各ステー9A、9B、9C
及び9Dの両端部は前記各案内突起27A、27B、2
7C及び27Dで横方向にずれないように案内されるの
で、従来技術のリードフレーム1をそのままの構成で成
形できる上に、アウターリード4の成形時の欠点であっ
た前記リード流れも防止することができる。
【0030】前記第2の実施例では、案内手段をフォー
ミングダイの側に設けたが、この案内手段をフォーミン
グパンチの方に設けることもできる。その実施例を第3
の実施例として図7に示した。
ミングダイの側に設けたが、この案内手段をフォーミン
グパンチの方に設けることもできる。その実施例を第3
の実施例として図7に示した。
【0031】図示したように、フォーミングパンチ21
Aの四側面の外側部下面の成形面40A、40B、40
C及び40D(成形面40C及び40Dは図示されてい
ない)の両端部に、それぞれ一対の案内突起41A、4
1B、41C及び41D(案内突起41C及び41D図
示されていない)を、それぞれの成形面40A、40
B、40C及び40Dより下方に突出させて形成し、そ
れら各一対の案内突起41A、41B、41C及び41
Dの間隔をそれぞれリードフレーム1の各ステー9A、
9B、9C及び9Dの長さより極僅か開けて構成した。
Aの四側面の外側部下面の成形面40A、40B、40
C及び40D(成形面40C及び40Dは図示されてい
ない)の両端部に、それぞれ一対の案内突起41A、4
1B、41C及び41D(案内突起41C及び41D図
示されていない)を、それぞれの成形面40A、40
B、40C及び40Dより下方に突出させて形成し、そ
れら各一対の案内突起41A、41B、41C及び41
Dの間隔をそれぞれリードフレーム1の各ステー9A、
9B、9C及び9Dの長さより極僅か開けて構成した。
【0032】フォーミング金型の一方のフォーミングダ
イは、図9及び図10に示した従来技術のフォーミング
ダイ20と同様の構成であって、パッケージ受け22、
リード受け23、アウターリード成形面24などが形成
されていて、そのフォーミングダイ20に半製品Sが同
様に載置される。
イは、図9及び図10に示した従来技術のフォーミング
ダイ20と同様の構成であって、パッケージ受け22、
リード受け23、アウターリード成形面24などが形成
されていて、そのフォーミングダイ20に半製品Sが同
様に載置される。
【0033】フォーミングパンチ21Aはこのように構
成されているので、図9を用いて説明したように半製品
Sをフォーミングダイ20に載置し、この実施例でも図
示していないが、図2に示したと同様に、ノックアウト
25でパッケージP及び各アウターリード4を押さえな
がら、フォーミングパンチ21Aを押し下げると、前記
各一対の案内突起41A、41B、41C及び41Dは
各ステー9A、9C、9B及び9Dの両端部を挟みなが
ら、各成形面40A、40B、40C及び40Dが各ア
ウターリード4を押し下げながら、各アウターリード4
を所望の形状に成形することができる。
成されているので、図9を用いて説明したように半製品
Sをフォーミングダイ20に載置し、この実施例でも図
示していないが、図2に示したと同様に、ノックアウト
25でパッケージP及び各アウターリード4を押さえな
がら、フォーミングパンチ21Aを押し下げると、前記
各一対の案内突起41A、41B、41C及び41Dは
各ステー9A、9C、9B及び9Dの両端部を挟みなが
ら、各成形面40A、40B、40C及び40Dが各ア
ウターリード4を押し下げながら、各アウターリード4
を所望の形状に成形することができる。
【0034】この成形時に、半製品Sの各アウターリー
ド4を等間隔で連結している各ステー9A、9B、9C
及び9Dの両端部は前記各案内突起41A、41B、4
1C及び41Dで横方向にずれないように案内されるの
で、従来技術のリードフレーム1をそのままの構成で成
形できる上に、アウターリード4の成形時の欠点であっ
た前記リード流れも防止することができる。
ド4を等間隔で連結している各ステー9A、9B、9C
及び9Dの両端部は前記各案内突起41A、41B、4
1C及び41Dで横方向にずれないように案内されるの
で、従来技術のリードフレーム1をそのままの構成で成
形できる上に、アウターリード4の成形時の欠点であっ
た前記リード流れも防止することができる。
【0035】更に、この発明の第4の実施例を図8に示
した。この実施例のフォーミングパンチ21Bは、図7
に示した第3の実施例のフォーミングパンチ21Aの構
成に加えて、前記成形面40A、40B、40C及び4
0D(この図にも成形面40C及び40Dは図示されて
いない)の中央部に、それぞれ1個の案内突起42A、
42B、42C及び42D(案内突起42C及び42D
図示されていない)を、それぞれの成形面40A、40
B、40C及び40Dより下方に突出させて形成した。
突出量は前記案内突起41A、41B、41C及び41
Dの突出量と等しくする。
した。この実施例のフォーミングパンチ21Bは、図7
に示した第3の実施例のフォーミングパンチ21Aの構
成に加えて、前記成形面40A、40B、40C及び4
0D(この図にも成形面40C及び40Dは図示されて
いない)の中央部に、それぞれ1個の案内突起42A、
42B、42C及び42D(案内突起42C及び42D
図示されていない)を、それぞれの成形面40A、40
B、40C及び40Dより下方に突出させて形成した。
突出量は前記案内突起41A、41B、41C及び41
Dの突出量と等しくする。
【0036】このフォーミング金型で成形されるリード
フレームは、図5に示した、案内孔12A、12C、1
2B及び12Dが形成されたリードフレーム1Aであっ
て、このリードフレーム1Aのアウターリード4の位置
決めは、前記フォーミングパンチ21Bの各一対の案内
突起41A、41B、41C及び41Dで各ステー9
A、9C、9B及び9Dの両端部を挟み、前記案内突起
42A、42B、42C及び42Dが前記各案内孔12
A、12C、12B及び12Dに嵌まり込んで行われる
ように構成したものである。
フレームは、図5に示した、案内孔12A、12C、1
2B及び12Dが形成されたリードフレーム1Aであっ
て、このリードフレーム1Aのアウターリード4の位置
決めは、前記フォーミングパンチ21Bの各一対の案内
突起41A、41B、41C及び41Dで各ステー9
A、9C、9B及び9Dの両端部を挟み、前記案内突起
42A、42B、42C及び42Dが前記各案内孔12
A、12C、12B及び12Dに嵌まり込んで行われる
ように構成したものである。
【0037】前記案内突起42A、42B、42C及び
42Dの突出量を案内突起41A、41B、41C及び
41Dの突出量よりやや長く突出させて構成すると、フ
ォーミングパンチ21Bを下降させた時に、各一対の案
内突起41A、41B、41C及び41Dが各ステー9
A、9C、9B及び9Dの両端部を挟む前に、前記案内
突起42A、42B、42C及び42Dがそれぞれ前記
案内孔12A、12C、12B及び12Dに嵌まり込む
ので、各ステー9A、9C、9B及び9Dの位置決めが
し易くなる。
42Dの突出量を案内突起41A、41B、41C及び
41Dの突出量よりやや長く突出させて構成すると、フ
ォーミングパンチ21Bを下降させた時に、各一対の案
内突起41A、41B、41C及び41Dが各ステー9
A、9C、9B及び9Dの両端部を挟む前に、前記案内
突起42A、42B、42C及び42Dがそれぞれ前記
案内孔12A、12C、12B及び12Dに嵌まり込む
ので、各ステー9A、9C、9B及び9Dの位置決めが
し易くなる。
【0038】フォーミングダイ20は図9及び図10に
示した従来技術のものと同様の構成であり、これらのフ
ォーミング金型でアウターリード4を成形表面26A、
26B、26C及び26Dに沿って所望の形状に成形で
きることも同様であるので、それらの説明は省略する。
示した従来技術のものと同様の構成であり、これらのフ
ォーミング金型でアウターリード4を成形表面26A、
26B、26C及び26Dに沿って所望の形状に成形で
きることも同様であるので、それらの説明は省略する。
【0039】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明によれ
ば、フォーミング金型に形成した案内手段により、アウ
ターリードの成形時、アウターリードの各先端部を連結
しているステーが保持されるので、リード流れを防止す
ることができ、従って、アウターリード成形時に発生し
がちなリード曲がりを防ぐことができる。しかも、前記
案内手段で各ステーの位置決めも行っているので、半製
品をフォーミングダイに載置した時、パッケージのセン
タリングができ、パッケージの寸法のばらつきによるア
ウターリード形状のばらつきも矯正することができるな
ど、数々の優れた効果が得られる。
ば、フォーミング金型に形成した案内手段により、アウ
ターリードの成形時、アウターリードの各先端部を連結
しているステーが保持されるので、リード流れを防止す
ることができ、従って、アウターリード成形時に発生し
がちなリード曲がりを防ぐことができる。しかも、前記
案内手段で各ステーの位置決めも行っているので、半製
品をフォーミングダイに載置した時、パッケージのセン
タリングができ、パッケージの寸法のばらつきによるア
ウターリード形状のばらつきも矯正することができるな
ど、数々の優れた効果が得られる。
【図1】この発明のフォーミング金型のフォーミングダ
イ上に、半導体チップをパッケージしたリードフレーム
を載置したところを示した一部上面斜視図である。
イ上に、半導体チップをパッケージしたリードフレーム
を載置したところを示した一部上面斜視図である。
【図2】図1に示した状態のリードフレームをフォーミ
ングパンチで成形する直前の状態を示した、図1のAー
A線上における一部断面図である。
ングパンチで成形する直前の状態を示した、図1のAー
A線上における一部断面図である。
【図3】図2に示した状態からフォーミングパンチでリ
ードフレームを成形した状態を示した、図4のAーA線
上における一部断面図である。
ードフレームを成形した状態を示した、図4のAーA線
上における一部断面図である。
【図4】この発明のフォーミングダイ上の成形されたリ
ードフレームの状態を示した上面斜視図である。
ードフレームの状態を示した上面斜視図である。
【図5】この発明のリードフレームを示した平面図であ
る。
る。
【図6】この発明の第2の実施例であって、同図Aはこ
の発明のフォーミング金型のフォーミングダイ上に、半
導体チップをパッケージしたリードフレームを載置した
ところを示した一部上面斜視図であり、同図Bはフォー
ミングダイ上の成形されたリードフレームの状態を示し
た上面斜視図である。
の発明のフォーミング金型のフォーミングダイ上に、半
導体チップをパッケージしたリードフレームを載置した
ところを示した一部上面斜視図であり、同図Bはフォー
ミングダイ上の成形されたリードフレームの状態を示し
た上面斜視図である。
【図7】この発明の第3の実施例であって、この発明の
フォーミング金型のフォーミングダイ上に、半導体チッ
プをパッケージしたリードフレームを載置し、フォーミ
ングパンチで成形する前の状態を示した一部上面斜視図
である。
フォーミング金型のフォーミングダイ上に、半導体チッ
プをパッケージしたリードフレームを載置し、フォーミ
ングパンチで成形する前の状態を示した一部上面斜視図
である。
【図8】この発明の第4の実施例であって、この発明の
フォーミング金型のフォーミングダイ上に、半導体チッ
プをパッケージしたリードフレームを載置し、フォーミ
ングパンチで成形する前の状態を示した一部上面斜視図
である。
フォーミング金型のフォーミングダイ上に、半導体チッ
プをパッケージしたリードフレームを載置し、フォーミ
ングパンチで成形する前の状態を示した一部上面斜視図
である。
【図9】従来技術のフォーミング金型のフォーミングダ
イ上に、半導体チップをパッケージしたリードフレーム
を載置したところを示した一部上面斜視図である。
イ上に、半導体チップをパッケージしたリードフレーム
を載置したところを示した一部上面斜視図である。
【図10】図9に示した状態のリードフレームをフォー
ミングパンチで成形する直前の状態を示した、図9のA
ーA線上における一部断面図である。
ミングパンチで成形する直前の状態を示した、図9のA
ーA線上における一部断面図である。
【図11】図10に示した状態からフォーミングパンチ
でリードフレームを成形した状態を示した、図12のA
ーA線上における一部断面図である。
でリードフレームを成形した状態を示した、図12のA
ーA線上における一部断面図である。
【図12】フォーミングダイ上の成形されたリードフレ
ームの状態を示した上面斜視図である。
ームの状態を示した上面斜視図である。
【図13】アウターリードの形状を説明するための一部
断面図である。
断面図である。
【図14】従来技術のリードフレームを示した平面図で
ある。
ある。
1 リードフレーム 1A リードフレーム 2 ダイパッド 3 インナーリード 4 アウターリード 5 タイバー 7 フレーム 9A ステー 9B ステー 9C ステー 9D ステー 12A 案内孔 12B 案内孔 12C 案内孔 12D 案内孔 20 フォーミングダイ 20A フォーミングダイ 20B フォーミングダイ 21 フォーミングパンチ 21A フォーミングパンチ 21B フォーミングパンチ 22 パッケージ受け 23 リード受け 24 アウターリード成形面 25 ノックアウト 26A 成形表面 26B 成形表面 26C 成形表面 26D 成形表面 27A 案内突起 27B 案内突起 27C 案内突起 27D 案内突起 40A 成形面 40B 成形面 40C 成形面 40D 成形面 41A 案内突起 41B 案内突起 41C 案内突起 41D 案内突起 42A 案内突起 42B 案内突起 42C 案内突起 42D 案内突起 S 半製品 SA 半製品 P パッケージ
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体チップを搭載し、その半導体チッ
プを封止したパッケージの周縁から導出されている複数
のアウターリードの先端部が整列した状態で連結された
リードフレームをフォーミング金型に載置、固定し、前記フォーミング金型の一部分で、前記アウターリード
の先端部に位置するステーの一部分を、前記アウターリ
ードの曲げ方向には隙間があるが当該曲げ方向の直交方
向には隙間が略生じないように案内し、 その案内によって前記 リードフレームの先端部の前記直
交方向への移動を阻止するように保持しながら、前記フ
ォーミング金型で前記アウターリードを所望の形状に成
形することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記フォーミング金型はフォーミングパ
ンチとフォーミングダイとからなり、 これらフォーミングパンチまたはフォーミングダイに
は、その外側部の所定の位置に案内手段が設けられてお
り、 前記案内手段によって前記アウターリードの先端部に位
置するステーの一部分を、前記アウターリードの曲げ方
向には隙間があるが当該曲げ方向の直交方向には隙間が
略生じないように案内するように構成された ことを特徴
とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法に用いる
ことができる半導体装置の製造装置。 - 【請求項3】 ダイパッド、このダイパッドの側縁部に
沿って所定の間隔で形成された複数のインナーリード、
これらのインナーリードに対応して形成された複数のア
ウターリード、これらアウターリードの先端部を整列し
て連結したステーからなるとともに、 前記ステーの所定の位置には案内手段が形成されてお
り、 前記案内手段が、前記アウターリードを所望の形状に成
形するフォーミング金型によって、前記アウターリード
の曲げ方向には隙間があるが当該曲げ方向の直交方向に
は隙間が略生じないように案内されるように構成された
ことを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04099132A JP3144040B2 (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 半導体装置の製造方法及びその装置並びにリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04099132A JP3144040B2 (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 半導体装置の製造方法及びその装置並びにリードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299550A JPH05299550A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3144040B2 true JP3144040B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=14239219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04099132A Expired - Fee Related JP3144040B2 (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 半導体装置の製造方法及びその装置並びにリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3144040B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101251671B1 (ko) | 2006-02-01 | 2013-04-05 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법과 하우징 지지 구조체 및 그제조 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112242373A (zh) * | 2019-07-19 | 2021-01-19 | 上海凯虹科技电子有限公司 | 引线框架及封装模具 |
-
1992
- 1992-04-20 JP JP04099132A patent/JP3144040B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101251671B1 (ko) | 2006-02-01 | 2013-04-05 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법과 하우징 지지 구조체 및 그제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05299550A (ja) | 1993-11-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |