JP4741707B2 - 光学クリスタル、または、レーザクリスタル、それぞれ、のための冷却装置 - Google Patents
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Description
さらに、これらの公知の装置においては、乾燥材によるモジュールの真空排気、または、乾燥には言及していない。
本発明は、上述の冷却装置を備えたレーザ装置にも関わる。
以下において、本発明による冷却装置が図1に基本的部品で概略図示されるように例を用いて光学増幅器と共により詳細に説明される。冷却装置は効率的な冷却効果により光学増幅器において特に利点を有するが、他のレーザ装置、例えば、発振器付きのものにも使用できる。さらには、光学クリスタル、または、レーザクリスタル、それぞれ、のために以下で示される材料は、それぞれ(チタン−サファイアクリスタル)、ポンプレーザ(周波数が2重にされた、Nd−YLFレーザ、ニオディム−イットリウム−リチウム−フッ素レーザ)の構造のために示されたものと共に、単なる例に過ぎない。
冷却受け台13は、例えば、銅、または、アルミニウムでつくられるが、蓋12は、例えば、プラスチックから成り、管状ケーシング9は、例えば、アルミニウムから成る。
2 レーザパルス(ビーム)
4 増幅器装置
5 レーザクリスタル
6 ミラー
7 冷却装置
8 (密封)容器
9 ケーシング
10 フランジ
11 フランジ
12 蓋
13 冷却受け台
13a フランジ
17 連結部材
18 ペルチエ要素
19 ボディ
20 (V字形の)凹部
21 戴置面
22 停止具
23 停止具
24 冷却ジョー
25 冷却ジョー
26 ノーズ突起
28 凹部
29 凹部
30 パイプソケット
31 パイプソケット
32 (ブリュースター)窓
33 (ブリュースター)窓
Claims (14)
- 光学用のレーザ装置であって、
レーザクリスタル(5)と;
前記レーザクリスタル(5)に供給されるレーザパルス(2)を出力するためのポンプレーザ(1)であって、前記レーザクリスタル(5)は、前記レーザクリスタルのためのペルチエ要素(18)を含む関連する冷却装置(7)を有しており、前記レーザクリスタルは、稼動において、10ワット以上の光学的動力の熱的に高い負荷がかけられており、前記レーザクリスタルからレーザパルス(2)が生得される、ポンプレーザ(1)と;
前記レーザパルス(2)のためのミラー手段(M1,M2,R1,R2,6)と;
を具備するレーザ装置において、
前記レーザクリスタル(5)は、前記レーザクリスタルを冷却するために備えられる前記ペルチエ要素(18)と共に密封容器(8)に収容されており、前記ミラー手段(M1,M2,R1,R2,6)及び前記ポンプレーザ(1)は、前記密封容器(8)の外側に配置されており、
前記密封容器(8)は、その内部が真空排気される状態及び乾燥剤により乾燥状態で保持される状態の内の少なくともいずれか一方の状態であり、更に
前記密封容器(8)が、ブリュースター角に対応する光学軸に対して角度を成して配設された前記レーザパルス(2)の通過のための少なくとも1つのブリュースター窓(32、33)を有していることを特徴とするレーザ装置。 - 前記ペルチエ要素(18)が積み重ねて設けられていることを特徴とする請求項1に記載のレーザ装置。
- 前記レーザクリスタル(5)は、前記ペルチエ要素(18)が設置されていて且つ熱伝導性の良い材料から成る冷却ジョー(24、25)の間に支持されることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ装置。
- 前記冷却ジョー(24、25)が前記レーザクリスタル(5)を実際的に4つの側部から抱き込み、支持することを特徴とする請求項3に記載のレーザ装置。
- 前記レーザクリスタル(5)に対向する側で係合している2つの冷却ジョー(24、25)の内の1つ(25)が、他の冷却ジョー(24)の上にある前記レーザクリスタル(5)を超えて延伸するノーズ突起(26)を有し、両冷却ジョーが、前記レーザパルス(2)が通過できるように、前記レーザパルスの方向に、前記レーザクリスタル(5)の前、または、後ろに、それぞれ凹部(28、29)を備えていることを特徴とする請求項3または4に記載のレーザ装置。
- 前記冷却ジョー(24、25)から離れる向きの熱側にある前記ペルチエ要素(18)が冷却受け台(13)に係合していることを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載のレーザ装置。
- 前記冷却受け台(13)が液体冷却されていることを特徴とする請求項6に記載のレーザ装置。
- 前記冷却受け台(13)が、前記ペルチエ要素(18)並びに前記冷却ジョー(24、25)を前記レーザクリスタル(5)に適合させる、V字形の凹部(20)を、端部側に具備する略円筒状ボディ(19)を備えることを特徴とする請求項6または7に記載のレーザ装置。
- 前記V字形の凹部(20)が90°の頂角を有することを特徴とする請求項8に記載のレーザ装置。
- 前記V字形の凹部(20)が、前記ペルチエ要素(18)のための傾斜した載置面(21)を画成し、前記載置面(21)の端部に隣接して前記ペルチエ要素(18)のための停止具(22、23)を内側に備え、前記停止具の受面が載置面から上方に突出していることを特徴とする請求項8または9に記載のレーザ装置。
- 前記密封容器(8)が蓋(12)で閉じられる管状のケーシング(9)を備えることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載のレーザ装置。
- 前記冷却受け台(13)は、前記ペルチエ要素(18)から離れる向きの端側部に、前記管状のケーシング(9)を強く接続させるフランジ(13a)を備えることを特徴とする請求項11に記載のレーザ装置。
- 前記冷却受け台(13)が冷却液を前記フランジ(13a)の領域を通すための穴(15)を備えることを特徴とする請求項12に記載のレーザ装置。
- 前記密封容器(8)が、対向位置に、突出した、強く取り付けられたパイプソケット(30、31)を備え、前記パイプソケット(30,31)は、前記レーザパルス(2)の通過のための窓(32、33)により、外側端部において閉塞されていることを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載のレーザ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ATA1992/97 | 1997-11-24 | ||
| AT0199297A AT405776B (de) | 1997-11-24 | 1997-11-24 | Kühlvorrichtung für einen laserkristall |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000522654A Division JP4643003B2 (ja) | 1997-11-24 | 1998-10-22 | 光学クリスタル、または、レーザクリスタル、それぞれ、のための冷却装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010171459A JP2010171459A (ja) | 2010-08-05 |
| JP4741707B2 true JP4741707B2 (ja) | 2011-08-10 |
Family
ID=3525504
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000522654A Expired - Fee Related JP4643003B2 (ja) | 1997-11-24 | 1998-10-22 | 光学クリスタル、または、レーザクリスタル、それぞれ、のための冷却装置 |
| JP2010099210A Expired - Fee Related JP4741707B2 (ja) | 1997-11-24 | 2010-04-22 | 光学クリスタル、または、レーザクリスタル、それぞれ、のための冷却装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000522654A Expired - Fee Related JP4643003B2 (ja) | 1997-11-24 | 1998-10-22 | 光学クリスタル、または、レーザクリスタル、それぞれ、のための冷却装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6625184B1 (ja) |
| EP (1) | EP1034584B1 (ja) |
| JP (2) | JP4643003B2 (ja) |
| AT (1) | AT405776B (ja) |
| AU (1) | AU737909B2 (ja) |
| DE (1) | DE59801270D1 (ja) |
| WO (1) | WO1999027621A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60002336T2 (de) * | 1999-07-02 | 2004-03-04 | Asah Medico A/S | Laserkristallvorrichtung |
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| EP1519039A1 (de) * | 2003-09-23 | 2005-03-30 | AVL List GmbH | Gütegeschaltener, gepumpter Festkörperlaser |
| JP4627445B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-02-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ増幅装置 |
| US20060239304A1 (en) * | 2005-04-23 | 2006-10-26 | Photonics Industries Int'l | High powered TEM00 mode pulsed laser |
| JP2008042061A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | レーザー再生増幅器 |
| AT506455B1 (de) | 2008-02-18 | 2011-10-15 | Femtolasers Produktions Gmbh | Laserkristalleinrichtung |
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-
1997
- 1997-11-24 AT AT0199297A patent/AT405776B/de active
-
1998
- 1998-10-22 AU AU96155/98A patent/AU737909B2/en not_active Ceased
- 1998-10-22 US US09/555,087 patent/US6625184B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-22 WO PCT/AT1998/000256 patent/WO1999027621A1/de not_active Ceased
- 1998-10-22 EP EP98949819A patent/EP1034584B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-22 JP JP2000522654A patent/JP4643003B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-10-22 DE DE59801270T patent/DE59801270D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-08-08 US US10/637,785 patent/US7039081B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-04-22 JP JP2010099210A patent/JP4741707B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001524761A (ja) | 2001-12-04 |
| JP4643003B2 (ja) | 2011-03-02 |
| DE59801270D1 (de) | 2001-09-27 |
| WO1999027621A1 (de) | 1999-06-03 |
| US20050175049A1 (en) | 2005-08-11 |
| JP2010171459A (ja) | 2010-08-05 |
| US7039081B2 (en) | 2006-05-02 |
| ATA199297A (de) | 1999-03-15 |
| AU9615598A (en) | 1999-06-15 |
| AT405776B (de) | 1999-11-25 |
| US6625184B1 (en) | 2003-09-23 |
| EP1034584B1 (de) | 2001-08-22 |
| AU737909B2 (en) | 2001-09-06 |
| EP1034584A1 (de) | 2000-09-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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