JPH01100036A - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
- Publication number
- JPH01100036A JPH01100036A JP62258938A JP25893887A JPH01100036A JP H01100036 A JPH01100036 A JP H01100036A JP 62258938 A JP62258938 A JP 62258938A JP 25893887 A JP25893887 A JP 25893887A JP H01100036 A JPH01100036 A JP H01100036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- superconductor
- manufacturing
- powder
- superconducting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は超電導体の製造方法、特に超電導セラミックス
材の可撓性を改善し、さらに経時変化特性を改善する超
電導体の製造方法に関するものである。
材の可撓性を改善し、さらに経時変化特性を改善する超
電導体の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、超電導体の臨界温度の向上が著しい、特に、セラ
ミックス材料において進歩が著しい、しかし、これらは
セラミックスの欠点として、加工性および可撓性が悪い
、また、超電導特性を示す時間も数日からせいぜい一カ
月程度であり特性の経時変化が大きい。
ミックス材料において進歩が著しい、しかし、これらは
セラミックスの欠点として、加工性および可撓性が悪い
、また、超電導特性を示す時間も数日からせいぜい一カ
月程度であり特性の経時変化が大きい。
これら酸化物超電導材料にはイツトリウム、バリウム、
ｗ４の酸化物（（Ｙ＋−菖ＢａＩＩ）Ｃｕｂｓ ）やラ
ンタン、バリウム、銅の酸化物（（ｔ、ａ＋−ｘＢａｇ
）ＣｕＯａ−ｖ）等が知られている（阪大基礎エシンポ
ジウム「高温超電導材料の作成と応用」Ｓ６２・４・６
）。
ｗ４の酸化物（（Ｙ＋−菖ＢａＩＩ）Ｃｕｂｓ ）やラ
ンタン、バリウム、銅の酸化物（（ｔ、ａ＋−ｘＢａｇ
）ＣｕＯａ−ｖ）等が知られている（阪大基礎エシンポ
ジウム「高温超電導材料の作成と応用」Ｓ６２・４・６
）。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のセラミックス超電導体は、セラミッ
クスの性質として硬くもろく、さらに特性の経時変化が
大きいという問題点を有していた。
クスの性質として硬くもろく、さらに特性の経時変化が
大きいという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、可撓性がよく経時変化の小
さい超電導体の製造方法を提供するものである。
さい超電導体の製造方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の超電導体の製造方
法は酸化物超電導セラミックスを粉体とし、前記酸化物
超電導セラミックス粉体をガラス材料に混合し、前記ガ
ラスの製造に従い成形し、さらにその表面をガラス材料
でコーティングすることを特徴とするものである。
法は酸化物超電導セラミックスを粉体とし、前記酸化物
超電導セラミックス粉体をガラス材料に混合し、前記ガ
ラスの製造に従い成形し、さらにその表面をガラス材料
でコーティングすることを特徴とするものである。
作用
本発明は上記の製造方法により、ガラスと同じ可撓性を
有し経時変化の少ない超電導体を製造することができる
。
有し経時変化の少ない超電導体を製造することができる
。
実施例
以下本発明の一実施例につき図面を用いて説明するｅ
（Ｌａｄ−ｘ Ｂａｔ ）ＣｕＯａ−ｖの組成におい
て、Ｘ−０，６（Ｙ＝Ｏ）のモル比で秤量し乳鉢で混合
した。これを、プレス成形し１４００℃、２時間焼成し
た。さらに、これをボールミルで湿式粉砕を２４時間行
った０粒度分布を測定したところ約３μｍであった０次
に、酸化ケイ素（Ｓｔｏｗ）６５重量％、酸化ナトリウ
ム（Ｎ ａ ｘ Ｏ） １０重量％、酸化鉛（ＰｂＯ
）２５重量％のガラス粉体を用い、これに対し前記（Ｌ
ａｄ−ＩＢａｘ）ＣｕＯａ−ｖを３０重置％の割合で加
え、７００℃で溶融しガラス繊維状に引き伸ばした。今
回の試作は、いわゆるロンド式といわれる製法で行った
。
（Ｌａｄ−ｘ Ｂａｔ ）ＣｕＯａ−ｖの組成におい
て、Ｘ−０，６（Ｙ＝Ｏ）のモル比で秤量し乳鉢で混合
した。これを、プレス成形し１４００℃、２時間焼成し
た。さらに、これをボールミルで湿式粉砕を２４時間行
った０粒度分布を測定したところ約３μｍであった０次
に、酸化ケイ素（Ｓｔｏｗ）６５重量％、酸化ナトリウ
ム（Ｎ ａ ｘ Ｏ） １０重量％、酸化鉛（ＰｂＯ
）２５重量％のガラス粉体を用い、これに対し前記（Ｌ
ａｄ−ＩＢａｘ）ＣｕＯａ−ｖを３０重置％の割合で加
え、７００℃で溶融しガラス繊維状に引き伸ばした。今
回の試作は、いわゆるロンド式といわれる製法で行った
。
太さは約８０ｐｍであった。この超電導体を前記ガラス
と同一の組成のガラスを９００℃で溶かした中に浸漬処
理した。太さは約１００μｍであった。これらの超電導
体の特性を第１図に記載する。
と同一の組成のガラスを９００℃で溶かした中に浸漬処
理した。太さは約１００μｍであった。これらの超電導
体の特性を第１図に記載する。
第１図において、横軸は絶対温度、縦軸は比抵抗（ｍΩ
ｃＩＩ）である、この超電導体を７０℃、湿度９０％の
条件で寿命試験を行った。この結果を第２図に記載する
。第２図において横軸は時間（単位−月）、縦軸は転移
温度の変化率である（単位：％）、第２図においてそれ
ぞれ曲線２１は超電導セラミックス自体の、曲線２２は
超電導セラミックス粉体をガラスに分散させた場合の超
電導体の、曲線２３は本発明のガラス材料でコーティン
グした超電導体の経時変化特性を示す。曲線２１．２２
の場合数日〜−カ月で超電導特性がなくなるが、曲線２
３の場合、非常に安定であることが分かる。
ｃＩＩ）である、この超電導体を７０℃、湿度９０％の
条件で寿命試験を行った。この結果を第２図に記載する
。第２図において横軸は時間（単位−月）、縦軸は転移
温度の変化率である（単位：％）、第２図においてそれ
ぞれ曲線２１は超電導セラミックス自体の、曲線２２は
超電導セラミックス粉体をガラスに分散させた場合の超
電導体の、曲線２３は本発明のガラス材料でコーティン
グした超電導体の経時変化特性を示す。曲線２１．２２
の場合数日〜−カ月で超電導特性がなくなるが、曲線２
３の場合、非常に安定であることが分かる。
第３図はガラス溶融温度を８００℃にした時の特性であ
る。コーティングは第１図の場合と同様の方法で行った
。少し非超電導状態時の抵抗値が高（なっているが、顕
著な変化はない、また、１０ｗｍＸ１０日×０．５鶴の
板状に成形したが、同様な特性を示した（特性グラフ省
略）、経時変化は第１図のものより少ない（特性グラフ
省略）。
る。コーティングは第１図の場合と同様の方法で行った
。少し非超電導状態時の抵抗値が高（なっているが、顕
著な変化はない、また、１０ｗｍＸ１０日×０．５鶴の
板状に成形したが、同様な特性を示した（特性グラフ省
略）、経時変化は第１図のものより少ない（特性グラフ
省略）。
また、（Ｙｒ−ｘ Ｂ ａ ｘ ） Ｃｕ Ｏｓの組成
において、Ｘ−Ｏ，Ｓのモル比で秤量しボールミルで混
合した。これをプレス成形し１１００℃で２時間焼成し
た。これをボールミルで湿式粉砕を２４時間行った。
において、Ｘ−Ｏ，Ｓのモル比で秤量しボールミルで混
合した。これをプレス成形し１１００℃で２時間焼成し
た。これをボールミルで湿式粉砕を２４時間行った。
次に、酸化セイ素（ＳｉＯり ７５重量％、酸化ナトリ
ウム（ＮａｇＯ）１５重量％、酸化カルシウム（Ｃａｂ
）１０重量％のガラス粉体を用いこれに対し前記（Ｙｒ
−＊ Ｂａｇ ）Ｃｕｂｓを１５重量％の割合で加え９
００℃でロンド式でガラス繊維状に引き伸ばした。さら
に、これを前記ガラスと同一組成のガラスを１０００℃
に溶融した中を浸漬処理した。この超電導体の特性を第
４図に示す、この超電導体を７０℃、湿度９０％の条件
で寿命試験を行った。この結果を第５図に記載する。非
常に経時変化が少ないことが分かる。
ウム（ＮａｇＯ）１５重量％、酸化カルシウム（Ｃａｂ
）１０重量％のガラス粉体を用いこれに対し前記（Ｙｒ
−＊ Ｂａｇ ）Ｃｕｂｓを１５重量％の割合で加え９
００℃でロンド式でガラス繊維状に引き伸ばした。さら
に、これを前記ガラスと同一組成のガラスを１０００℃
に溶融した中を浸漬処理した。この超電導体の特性を第
４図に示す、この超電導体を７０℃、湿度９０％の条件
で寿命試験を行った。この結果を第５図に記載する。非
常に経時変化が少ないことが分かる。
次に（Ｌ ａ １−１１ Ｂ ａｘ ） Ｃｕ ０ａ−
ｖの組成において、Ｘ−０，６（Ｙ−０）のモル比で秤
量し乳鉢で混合した。これを、プレス成形し１４００℃
、２時間焼成した。さらに、これをボールミルで湿式粉
砕を２４時間行った０粒度分布を測定したところ約３μ
ｍであった０次に、シリコン、ヒ素。
ｖの組成において、Ｘ−０，６（Ｙ−０）のモル比で秤
量し乳鉢で混合した。これを、プレス成形し１４００℃
、２時間焼成した。さらに、これをボールミルで湿式粉
砕を２４時間行った０粒度分布を測定したところ約３μ
ｍであった０次に、シリコン、ヒ素。
テルル、アンチモン系ガラス（Ｓｉ ｂ＾５４Ｔｅｓｂ
）のガラス粉体を用い、これに対し前記（Ｌａｄ−ｖＢ
ａｘ）ＣｕＯａ−ｖを３０重量％の割合で加え、６００
℃で溶融しガラス繊維状に引き伸ばした。この試作は、
いわゆるロンド式と言われる製法で試作した。
）のガラス粉体を用い、これに対し前記（Ｌａｄ−ｖＢ
ａｘ）ＣｕＯａ−ｖを３０重量％の割合で加え、６００
℃で溶融しガラス繊維状に引き伸ばした。この試作は、
いわゆるロンド式と言われる製法で試作した。
太さは約８０μｍであった。この超電導体を前記分散用
ガラスと同一組成のガラスを８００℃で溶融した中に浸
漬処理した。この超電導体の特性を第６図に実線で示す
、この超電導体を７０℃、湿度９０％の雰囲気で寿命試
験を行った。この結果を第７図に示す、経時変化は極め
て少なく安定である。
ガラスと同一組成のガラスを８００℃で溶融した中に浸
漬処理した。この超電導体の特性を第６図に実線で示す
、この超電導体を７０℃、湿度９０％の雰囲気で寿命試
験を行った。この結果を第７図に示す、経時変化は極め
て少なく安定である。
第８図はガラス溶融温度を７００℃にした時の特性であ
る。少し非超電導状態時の抵抗値が高くなり転移温度も
高くなっている。また、１０＋ｎＸ１０ｍＸ０．５ｍｍ
の板状に成形したが、同様な特性を示した（特性グラフ
省略）。経時変化は第７図のものより少ない（特性グラ
フ省略）。
る。少し非超電導状態時の抵抗値が高くなり転移温度も
高くなっている。また、１０＋ｎＸ１０ｍＸ０．５ｍｍ
の板状に成形したが、同様な特性を示した（特性グラフ
省略）。経時変化は第７図のものより少ない（特性グラ
フ省略）。
また、（Ｙｌ−Ｘ Ｂ ａ ＩＩ ） Ｃｕ Ｏｘの組
成において、Ｘ−０，５のモル比で秤量しボールミルで
混合した。これをプレス成形し１１００℃で２時間焼成
した。これをボールミルで湿式粉砕を２４時間行った。
成において、Ｘ−０，５のモル比で秤量しボールミルで
混合した。これをプレス成形し１１００℃で２時間焼成
した。これをボールミルで湿式粉砕を２４時間行った。
次に、ゲルマミウム、燐、硫黄系ガラス（ＧｅＰＳ、）
のガラス粉体を用い、これに対し前記（Ｙｌ−Ｘ Ｂ
ａ Ｘ ） Ｃｕ Ｏｓを１５重量％の割合で加え７０
０℃で溶融しロンド式でガラス繊維状に引き伸ばした。
のガラス粉体を用い、これに対し前記（Ｙｌ−Ｘ Ｂ
ａ Ｘ ） Ｃｕ Ｏｓを１５重量％の割合で加え７０
０℃で溶融しロンド式でガラス繊維状に引き伸ばした。
この超電導体の特性を第９図に示す。
この超電導体を７０℃、湿度９０冗の雰囲気で寿命試験
を行った。この結果を第１０図に示す。
を行った。この結果を第１０図に示す。
経時変化は極めて少なく安定である。
以上の実施例において、コーティング用のガラスの組成
比はそれほど重要でない０分散用ガラスと馴染みのよい
同一系統のガラスなら使用可能である。また超電導体セ
ラミックスを分散用ガラスに何％加えるかは主に機械的
性質により制限される。この添加量によって経時変化特
性はほとんど影響を受けない。
比はそれほど重要でない０分散用ガラスと馴染みのよい
同一系統のガラスなら使用可能である。また超電導体セ
ラミックスを分散用ガラスに何％加えるかは主に機械的
性質により制限される。この添加量によって経時変化特
性はほとんど影響を受けない。
発明の効果
以上のように本発明は酸化物超電導セラミックスを粉体
とし、前記酸化物超電導セラミックス粉体をガラス材料
に混合し、前記ガラスの製造に従い成形し、さらにその
表面をガラス材料でコーティングすることにより可撓性
および経時変化特性の優れた超電導体を製造できる。
とし、前記酸化物超電導セラミックス粉体をガラス材料
に混合し、前記ガラスの製造に従い成形し、さらにその
表面をガラス材料でコーティングすることにより可撓性
および経時変化特性の優れた超電導体を製造できる。
第１図、第３図、第４図、第６図、第８図、第９図は本
発明の超電導体の製造方法により製造された超電導体の
抵抗値の温度変化特性を示す抵抗値−温度特性図、第２
図、第５図、第７図、第１θ図は前記本発明による超電
導体の経時変化特性を示す経時変化特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第１図 第２図 第 ６ 図 第７図
発明の超電導体の製造方法により製造された超電導体の
抵抗値の温度変化特性を示す抵抗値−温度特性図、第２
図、第５図、第７図、第１θ図は前記本発明による超電
導体の経時変化特性を示す経時変化特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第１図 第２図 第 ６ 図 第７図
Claims (1)
- 酸化物超電導セラミックスを粉体とし、前記酸化物超
電導セラミックス粉体をガラス材料に混合し、前記ガラ
スの製造に従い成形し、さらにその表面をガラス材料で
コーティングすることを特徴とする超電導体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62258938A JPH01100036A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62258938A JPH01100036A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100036A true JPH01100036A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17327127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62258938A Pending JPH01100036A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01100036A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10191186B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-29 | Schott Corporation | Optical bonding through the use of low-softening point optical glass for IR optical applications and products formed |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62258938A patent/JPH01100036A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10191186B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-29 | Schott Corporation | Optical bonding through the use of low-softening point optical glass for IR optical applications and products formed |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2539214B2 (ja) | ガラスセラミツクスおよびその製造方法 | |
| JPH01100036A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPH01138158A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPH01100037A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| US2891914A (en) | Fired electrical resistor comprising molybdenum disilicide and borosilicate glass frit | |
| JPH01103934A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPH01160877A (ja) | 酸化物超電導材料の接合方法 | |
| JPH0248458A (ja) | セラミック超伝導体及びその製造方法 | |
| JPH0421521A (ja) | Ｎｉ基材を備えたＢｉ系超電導体の製造方法 | |
| JPS63237314A (ja) | 超伝導性複合材の作製方法 | |
| JPH01153525A (ja) | Ａｇ微粒子含有酸素欠損三重構造ペロブスカイト型酸化物超電導体とその製造方法 | |
| JP3195041B2 (ja) | 酸化物超電導体及びその製造方法 | |
| JPS61294803A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造法 | |
| JP2815094B2 (ja) | 超電導体とセラミックスとの接合方法 | |
| JPS581913A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JP3149170B2 (ja) | ビスマス系酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH01115863A (ja) | 超電導体 | |
| JPH01212225A (ja) | 酸化物超電導材料 | |
| JPS63308814A (ja) | 酸化物超伝導体の形成方法 | |
| JPS6368682A (ja) | 鉛筆の芯の製造方法 | |
| JPH01172259A (ja) | セラミックス超電導成形体の製造方法 | |
| JPH03252349A (ja) | 酸化物超電導ペーストおよび酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH04338135A (ja) | 高い臨界温度を有する超伝導酸化物をベースとする複合体及びその製造方法 | |
| JPH02230612A (ja) | 酸化物超電導線材の製造方法 | |
| JPH01219058A (ja) | 超伝導体及びその製造方法 |