JPH01100908A - 粒界絶縁形半導体磁器の製造方法 - Google Patents
粒界絶縁形半導体磁器の製造方法Info
- Publication number
- JPH01100908A JPH01100908A JP62258891A JP25889187A JPH01100908A JP H01100908 A JPH01100908 A JP H01100908A JP 62258891 A JP62258891 A JP 62258891A JP 25889187 A JP25889187 A JP 25889187A JP H01100908 A JPH01100908 A JP H01100908A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porcelain
- porcelain piece
- diffusing agent
- inner container
- grain boundary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1272—Semiconductive ceramic capacitors
- H01G4/1281—Semiconductive ceramic capacitors with grain boundary layer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁器コンデンサ等に用いられる粒界絶縁形半導
体磁器の製造方法に関するものである。
体磁器の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来より価格が安く品質が安定しているため、固定コン
デンサとして磁器コンデンサが多ぐ′用いられている。
デンサとして磁器コンデンサが多ぐ′用いられている。
以下、従来の磁器コンデンサの誘電体に用いられる粒界
絶縁形半導体磁器の製造方法を説明する。第２図は磁器
の拡大断面図である。ここで１は磁器の結晶粒であり、
２は結晶粒１と結晶粒１の間の境目の粒界である。この
ような磁器片にＢｉ２Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，Ｐｂ３Ｏ４，Ｂ
２Ｏ３などの金属酸化物を１種または２種以上有する拡
散剤の溶液を吹き付けたり、上記の金属酸化物をペース
ト状にしてスクリーン印刷法や転写法によって塗布した
後、９５０℃〜１２００℃の温度で２時間程度加熱して
粒界２に上記金属酸化物を拡散し、粒界２に絶縁層を形
成していた。
絶縁形半導体磁器の製造方法を説明する。第２図は磁器
の拡大断面図である。ここで１は磁器の結晶粒であり、
２は結晶粒１と結晶粒１の間の境目の粒界である。この
ような磁器片にＢｉ２Ｏ３，Ｃｕ２Ｏ，Ｐｂ３Ｏ４，Ｂ
２Ｏ３などの金属酸化物を１種または２種以上有する拡
散剤の溶液を吹き付けたり、上記の金属酸化物をペース
ト状にしてスクリーン印刷法や転写法によって塗布した
後、９５０℃〜１２００℃の温度で２時間程度加熱して
粒界２に上記金属酸化物を拡散し、粒界２に絶縁層を形
成していた。
発明が解決しようとする問題点
以上のような従来の粒界絶縁形半導体磁器の製造方法で
は次のような理由により磁器片に均一に金属酸化物が付
着されず、よって粒界に形成される絶縁層にばらつきが
生じ、電気特性のばらつきが生じていた。
は次のような理由により磁器片に均一に金属酸化物が付
着されず、よって粒界に形成される絶縁層にばらつきが
生じ、電気特性のばらつきが生じていた。
つまり、金属酸化物の溶液を吹き付ける場合、吹き付は
圧力のばらつきや吹き付は器のノズルに異物が付着する
など吹き付は条件が変化しゃすい°。スクリーン印刷法
や転写法によってペースト状の金属酸化物を塗布する場
合、ペースト状の金属酸化物の粘度がロットによってば
らついたり３、印刷用のスクリーンが使用に伴って目詰
まりして来る。
圧力のばらつきや吹き付は器のノズルに異物が付着する
など吹き付は条件が変化しゃすい°。スクリーン印刷法
や転写法によってペースト状の金属酸化物を塗布する場
合、ペースト状の金属酸化物の粘度がロットによってば
らついたり３、印刷用のスクリーンが使用に伴って目詰
まりして来る。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明は金属成分を含む
拡散剤の気相雰囲気中で磁器片に金属成分を熱拡散し磁
器片の粒界に絶縁層を形成した。
拡散剤の気相雰囲気中で磁器片に金属成分を熱拡散し磁
器片の粒界に絶縁層を形成した。
作 用
上記した手段により、拡散剤は一様に磁器片の表面に触
れる。
れる。
実施例
以下、本発明の粒界絶縁形半導体磁器の製造方法の一実
施例を第１図を参照し゛て説明する。
施例を第１図を参照し゛て説明する。
第１図は本実施例の粒界絶縁形半導体磁器の製造方法に
用いられる製造１ｆｔＦの側断面図である。
用いられる製造１ｆｔＦの側断面図である。
第２図において３は円筒状で両端の径が小さ（形成され
た外部容器であり、この中に円筒状で両端の径が小さく
形成された内部容器４が支持部材５によって支られてい
る。外部容器３．内部容器４、支持部材５はそれぞれニ
ッケルによって作られている。さらに内部容器４には一
面に多数の開口６が開けられている。そして外部容器３
はニッケルによって作られた管７に中に挿入されている
。
た外部容器であり、この中に円筒状で両端の径が小さく
形成された内部容器４が支持部材５によって支られてい
る。外部容器３．内部容器４、支持部材５はそれぞれニ
ッケルによって作られている。さらに内部容器４には一
面に多数の開口６が開けられている。そして外部容器３
はニッケルによって作られた管７に中に挿入されている
。
粒界絶縁形半導体磁器の製造装置は以上のような構造で
あり、内部容器４の中に磁器片８を投入し、外部容器３
の中に拡散剤９を投入する。その後、管７を外部より加
熱しながら１分間に３〜５回回転するように駆動する。
あり、内部容器４の中に磁器片８を投入し、外部容器３
の中に拡散剤９を投入する。その後、管７を外部より加
熱しながら１分間に３〜５回回転するように駆動する。
管７は回転しながら加熱されるため全体が一様に加熱さ
れ、次第に温度が上昇する。これに伴い、外部容器３の
温度も上昇し、ついには外部容器３に投入された拡散剤
９が気化する。拡散剤９が気化した気体は内部容器４の
両端の開口および内部容器４に設けられた多数の開口６
を通過して内部容器４の中に入って（る。すると内部容
器４の中に投入された磁器片８にも管７の熱が伝わり、
加熱されているため磁器片８の結晶内部に拡散剤９の気
体が拡散し、粒界に絶縁層が形成される。
れ、次第に温度が上昇する。これに伴い、外部容器３の
温度も上昇し、ついには外部容器３に投入された拡散剤
９が気化する。拡散剤９が気化した気体は内部容器４の
両端の開口および内部容器４に設けられた多数の開口６
を通過して内部容器４の中に入って（る。すると内部容
器４の中に投入された磁器片８にも管７の熱が伝わり、
加熱されているため磁器片８の結晶内部に拡散剤９の気
体が拡散し、粒界に絶縁層が形成される。
ここで本実施例に用いた磁器片は直径６ ｍ ｍ ｚ厚
さ０．３５ｍｍの円板状の５ｒＴｉ０３系の磁器である
。そして内部容器４に磁器片８を１０００個投入した。
さ０．３５ｍｍの円板状の５ｒＴｉ０３系の磁器である
。そして内部容器４に磁器片８を１０００個投入した。
また拡散剤はオクチル酸ビスマス３５モル％、ナフテン
酸６５モル％、オクチル酸ランタン２０モル％、ナフテ
ン酸マンガン３モル％の組成をもつ混合液を用いた。、
この混合液を外部容器３に２０ｍ１投入した。管７を加
熱した条件は１時間当たり３００℃ずつ上昇するような
温度上昇特性で加熱を行い、３００℃に達したらこの温
度を２時間保持するように加熱し、１１００℃〜１２０
０℃に達したらこの温度を１〜４時間保持した後、１時
間当たり３００℃ずつ温度が降下するように制御した。
酸６５モル％、オクチル酸ランタン２０モル％、ナフテ
ン酸マンガン３モル％の組成をもつ混合液を用いた。、
この混合液を外部容器３に２０ｍ１投入した。管７を加
熱した条件は１時間当たり３００℃ずつ上昇するような
温度上昇特性で加熱を行い、３００℃に達したらこの温
度を２時間保持するように加熱し、１１００℃〜１２０
０℃に達したらこの温度を１〜４時間保持した後、１時
間当たり３００℃ずつ温度が降下するように制御した。
また拡散処理した後の磁器片に直径５ｍｍの銀電極を８
００℃で焼き付け、静電容量、誘電正接、絶縁抵抗、昇
圧破壊特性について測定をした。この結果すべての磁器
片について各測定値に大きなばらつきが見られなかった
。
００℃で焼き付け、静電容量、誘電正接、絶縁抵抗、昇
圧破壊特性について測定をした。この結果すべての磁器
片について各測定値に大きなばらつきが見られなかった
。
発明の効果 ′
以上説明したように、本発明の粒界絶縁形半導体磁器の
製造方法は金属成分を含む拡散剤の気相雰囲気中で磁器
片に金属を熱拡散し磁器片の粒界に絶縁層を形成したた
め、磁器片内への拡散剤の拡散条件が安定し、磁器片の
結晶の粒界にばらつきなく絶縁層を形成することができ
る。また拡散剤の加熱条件を変えることで絶縁層の形成
条件を変えることができ、絶縁層の形成条件を変えるた
めに種々の拡散剤を用意しなくても良い。
製造方法は金属成分を含む拡散剤の気相雰囲気中で磁器
片に金属を熱拡散し磁器片の粒界に絶縁層を形成したた
め、磁器片内への拡散剤の拡散条件が安定し、磁器片の
結晶の粒界にばらつきなく絶縁層を形成することができ
る。また拡散剤の加熱条件を変えることで絶縁層の形成
条件を変えることができ、絶縁層の形成条件を変えるた
めに種々の拡散剤を用意しなくても良い。
第１図は本発明の粒界絶縁形半導体磁器の製造方法一実
施例に用いられる粒界絶縁形半導体磁器の製造装置の側
断面図、第２図は粒界絶縁形半導体磁器の拡大断面図で
ある。 １・・・結晶粒 ２・・・粒界 ３・・・外
部容器４・・・内部容器 ５・・・支持部材 ６・・・
開口 ７・・・筒８・・・磁器片 ９・・・拡散剤
施例に用いられる粒界絶縁形半導体磁器の製造装置の側
断面図、第２図は粒界絶縁形半導体磁器の拡大断面図で
ある。 １・・・結晶粒 ２・・・粒界 ３・・・外
部容器４・・・内部容器 ５・・・支持部材 ６・・・
開口 ７・・・筒８・・・磁器片 ９・・・拡散剤
Claims (1)
- 金属成分を含む拡散剤を加熱して発生する気相雰囲気
中で磁器片を加熱することによって前記磁器片に前記拡
散剤が含む金属成分を熱拡散させ、前記磁器片の粒界に
絶縁層を形成したことを特徴とする粒界絶縁形半導体磁
器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62258891A JPH01100908A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 粒界絶縁形半導体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62258891A JPH01100908A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 粒界絶縁形半導体磁器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100908A true JPH01100908A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17326464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62258891A Pending JPH01100908A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 粒界絶縁形半導体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01100908A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6049619A (ja) * | 1983-08-27 | 1985-03-18 | 松下電器産業株式会社 | 粒界層型半導体セラミツクコンデンサの製造方法 |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62258891A patent/JPH01100908A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6049619A (ja) * | 1983-08-27 | 1985-03-18 | 松下電器産業株式会社 | 粒界層型半導体セラミツクコンデンサの製造方法 |
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