JPS63310107A - 高誘電率磁器の製造方法 - Google Patents
高誘電率磁器の製造方法Info
- Publication number
- JPS63310107A JPS63310107A JP14736187A JP14736187A JPS63310107A JP S63310107 A JPS63310107 A JP S63310107A JP 14736187 A JP14736187 A JP 14736187A JP 14736187 A JP14736187 A JP 14736187A JP S63310107 A JPS63310107 A JP S63310107A
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- porcelain
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- Pending
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば半導体セラミックコンデンサ等の母材と
なる高誘電率磁器の製造方法に関する。・〔従来技術〕 磁器、所謂セラミックを半導体化して用いる半導体セラ
ミックコンデンサは小型で大容量が得られるので最近の
電子機器に多用されている。
なる高誘電率磁器の製造方法に関する。・〔従来技術〕 磁器、所謂セラミックを半導体化して用いる半導体セラ
ミックコンデンサは小型で大容量が得られるので最近の
電子機器に多用されている。
この製造方法はまずＢａＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３等の磁
器の原料粉体にＳｉ等の焼結助剤及びＮｂ等の半導体化
剤を加えて所定の形状に成形し、還元雰囲気中焼成と呼
ばれる工程（「１次焼成」という）によって熱処理を行
って結晶粒を半導体化させ（半導体化されたものを「１
次焼結体」という）、１次焼結体の表面にＢｉｔ０３等
の金属酸化物又は金属を付着させて、多孔質セラミック
の台上に置き、次いで拡散処理と呼ばれる工程（「２次
焼成」という）において熱処理を行って結晶粒界部に金
属酸化物又は金属を拡散させて結晶粒界部を絶縁体化、
即ち誘電体化させ半導体と誘電体との複合体とする。
器の原料粉体にＳｉ等の焼結助剤及びＮｂ等の半導体化
剤を加えて所定の形状に成形し、還元雰囲気中焼成と呼
ばれる工程（「１次焼成」という）によって熱処理を行
って結晶粒を半導体化させ（半導体化されたものを「１
次焼結体」という）、１次焼結体の表面にＢｉｔ０３等
の金属酸化物又は金属を付着させて、多孔質セラミック
の台上に置き、次いで拡散処理と呼ばれる工程（「２次
焼成」という）において熱処理を行って結晶粒界部に金
属酸化物又は金属を拡散させて結晶粒界部を絶縁体化、
即ち誘電体化させ半導体と誘電体との複合体とする。
そしてこれの上下端部等に銀ペースト等の電極を焼付さ
せるのが一般的である。
せるのが一般的である。
ところで前述の２次焼成前の金属酸化物又は金属の付着
は一般に所定量の金属酸化物が分散されている水溶液中
に１次焼結体を投入させることにより行われており、こ
の場合、金属酸化物を均一に１次焼結体に付着させるた
めに超音波振動子等を用いて水溶液中の金属酸化物を常
に分散させているが、実際に１次焼結体に付着される金
属酸化物の量にはバラツキが生じ、この結果、製品の個
々の誘電特性にもバラツキが生じていた。
は一般に所定量の金属酸化物が分散されている水溶液中
に１次焼結体を投入させることにより行われており、こ
の場合、金属酸化物を均一に１次焼結体に付着させるた
めに超音波振動子等を用いて水溶液中の金属酸化物を常
に分散させているが、実際に１次焼結体に付着される金
属酸化物の量にはバラツキが生じ、この結果、製品の個
々の誘電特性にもバラツキが生じていた。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、１次
焼結体を低融点の金属がメッキされた台上に載置して２
次焼成を行うことにより結晶粒界部の絶縁体化を均一に
行わしめ、製品の誘電特性の均一化を図った高誘電率磁
器の製造方法の提供を目的とする。
焼結体を低融点の金属がメッキされた台上に載置して２
次焼成を行うことにより結晶粒界部の絶縁体化を均一に
行わしめ、製品の誘電特性の均一化を図った高誘電率磁
器の製造方法の提供を目的とする。
本発明に係る高誘電率磁器の製造方法は、半４体磁器の
結晶粒からなる被焼成材に金属を付着させて焼成するこ
とにより前記金属を結晶粒界部に拡散させて該結晶粒界
部を絶縁体化させる高誘電率磁器の製造方法において、
前記金属をメンキした台上に前記被焼成材をｉＨして焼
成することを特徴とする。
結晶粒からなる被焼成材に金属を付着させて焼成するこ
とにより前記金属を結晶粒界部に拡散させて該結晶粒界
部を絶縁体化させる高誘電率磁器の製造方法において、
前記金属をメンキした台上に前記被焼成材をｉＨして焼
成することを特徴とする。
被焼成材は金属がメンキされた台上に５３１ｉされ焼成
されることにより被焼成材の結晶粒界部に前記台との接
触面から前記金属が拡散され、結晶粒界部が絶縁体化さ
れるので、高誘電率磁器となる層の成分の分布が均一と
なり、品質が安定する。
されることにより被焼成材の結晶粒界部に前記台との接
触面から前記金属が拡散され、結晶粒界部が絶縁体化さ
れるので、高誘電率磁器となる層の成分の分布が均一と
なり、品質が安定する。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に
説明する。第１図は本発明の実施状態を示す外観斜視図
であり、第２図はその結晶粒の構成を説明するための模
式的断面図である。
説明する。第１図は本発明の実施状態を示す外観斜視図
であり、第２図はその結晶粒の構成を説明するための模
式的断面図である。
まず、Ａ ｌ ｚＯｓ製の平板状の敷物２を予め槽（図
示せず）内に溶融されているハンダに浸漬させる。この
敷物の材質としてはＡｌｚ（ｈの他にＺｒ０ｔ、Ｚｎ０
１ ＭｇＯｌＣａＯ＋ ＳｒＯ＋ ＢａＯ＋ Ｔｉ０１
およびこれらの複合酸化物からなる耐熱性の多孔質材料
を用いることができる。メッキ用溶融金属としてはハン
ダ合金の他にＺｎを用いてもよい。槽から引上げられた
散物２は金属がメッキされており、この上に１次焼成が
終了し、結晶粒部１１が半導体化された直径８鶴、厚さ
ｌ鶴程度の円盤状の１次焼結体１を複数個載置する。
示せず）内に溶融されているハンダに浸漬させる。この
敷物の材質としてはＡｌｚ（ｈの他にＺｒ０ｔ、Ｚｎ０
１ ＭｇＯｌＣａＯ＋ ＳｒＯ＋ ＢａＯ＋ Ｔｉ０１
およびこれらの複合酸化物からなる耐熱性の多孔質材料
を用いることができる。メッキ用溶融金属としてはハン
ダ合金の他にＺｎを用いてもよい。槽から引上げられた
散物２は金属がメッキされており、この上に１次焼成が
終了し、結晶粒部１１が半導体化された直径８鶴、厚さ
ｌ鶴程度の円盤状の１次焼結体１を複数個載置する。
そしてこの敷物２及び１次焼結体１をこの状態で１２０
０℃、１時間の２次焼成を大気中で行う、この結果、第
３図に示すように１次焼結体ｌの結晶粒界部１２に敷物
２から前記金属が拡散されてゆき、誘電体層１３が形成
され、半導体化された結晶粒部１１と誘電体化、即ち絶
縁体化された結晶粒界部とを有する高誘電率磁器１０が
形成される。
０℃、１時間の２次焼成を大気中で行う、この結果、第
３図に示すように１次焼結体ｌの結晶粒界部１２に敷物
２から前記金属が拡散されてゆき、誘電体層１３が形成
され、半導体化された結晶粒部１１と誘電体化、即ち絶
縁体化された結晶粒界部とを有する高誘電率磁器１０が
形成される。
高誘電率磁器１０にはこの後、上下端部に電極となる銀
ペースト （図示せず）等が焼付けられ半導体セラミッ
クコンデンサとなる。
ペースト （図示せず）等が焼付けられ半導体セラミッ
クコンデンサとなる。
第 １ 表
第１表は２０個の半導体セラミックコンデンサを、本発
明方法を適用して製造した場合及び適用しない従来方法
によって製造した場合の夫々の誘電特性の実測値であり
、本発明方法においては６３％Ｓｎのハンダを使用し、
従来方法においてはＢｉｚＯｌが混入された水溶液の濃
度を８重量％に設定した。
明方法を適用して製造した場合及び適用しない従来方法
によって製造した場合の夫々の誘電特性の実測値であり
、本発明方法においては６３％Ｓｎのハンダを使用し、
従来方法においてはＢｉｚＯｌが混入された水溶液の濃
度を８重量％に設定した。
第１表から分かるように各測定項目において本発明品は
従来品と比較してバラツキが少なく均一な誘電特性を有
している。
従来品と比較してバラツキが少なく均一な誘電特性を有
している。
本発明方法においては、１次焼結体を２次焼成する場合
に１次焼結体を低融点の金属がメンキされた台に載置し
て焼成するので個々の１次焼結体は各々台から平均して
前記金属が結晶粒界部に拡散されてゆき、結晶粒界部の
絶縁体化が均一に行われる。
に１次焼結体を低融点の金属がメンキされた台に載置し
て焼成するので個々の１次焼結体は各々台から平均して
前記金属が結晶粒界部に拡散されてゆき、結晶粒界部の
絶縁体化が均一に行われる。
これにより個々の誘電特性が均一な製品が得られる等、
本発明方法は倭れた効果を奏する。
本発明方法は倭れた効果を奏する。
第１図は本発明の実施状態を示す外観斜視図、第２図及
び第３図はその模式的断面図である。
び第３図はその模式的断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体磁器の結晶粒からなる被焼成材に金属を付着
させて焼成することにより前記金属を結晶粒界部に拡散
させて該結晶粒界部を絶縁体化させる高誘電率磁器の製
造方法において、 前記金属をメッキした台上に前記被焼成材 を載置して焼成することを特徴とする高誘電率磁器の製
造方法。 ２、前記メッキは前記台を溶融した前記金属中に浸漬し
て行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高
誘電率磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14736187A JPS63310107A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 高誘電率磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14736187A JPS63310107A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 高誘電率磁器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63310107A true JPS63310107A (ja) | 1988-12-19 |
Family
ID=15428463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14736187A Pending JPS63310107A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 高誘電率磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63310107A (ja) |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP14736187A patent/JPS63310107A/ja active Pending
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