JPH01102082A - セフェム化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、多くの病原菌に対して強い抗菌作用を有す
る新規なセフェム化合物及び医薬として許容されるその
塩に関するものである。

［従来の技術］ この発明が属する技術分野においては、例えば特開昭５
７−６７５８１号が開示されている。

［発明の目的］ この発明は、細菌感染症予防治療剤として優れた抗菌作
用を示す新規なセフェム化合物および医薬として許容さ
れるその塩を提供しようとするものである。

［発明の構成］ 上記の目的を達成することのできたこの発明の構成は、 一般式 （式中　Ｒ１はアミノ基またはアシルアミノ基。

Ｒ２はカルボキシ基、保護されたカルボキシ基またはＣ
００θ。

Ｒ３は４−ピリジル基または１−置換−４−ピリジニオ
基 をそれぞれ意味し、ただしＲ２がｃ’ｏｏｅである場合
には　Ｒ３は１−置換−４−ピリジニオ基を意味するも
のとする） で示されるセフェム化合物である。

この発明のセフェム化合物（Ｉ）は、次に示す反応式に
従って製造することができる。

製造法２ 製造法３ 製造法４ （Ｉｅ） またはその塩 製造法５ またはその塩 ↓ （Ｉｇ） またはその塩 但し上記反応における各記号は夫々次の意味を有するも
のとする。

Ｒ２，前と同じ意味 ＲＩ　ａ　、アシル基で保護されたアミノ基Ｒ１ｂニア
シルアミノ基 Ｒ２１：保護されたカルボキシ基 Ｒ４：エステル化されたカルボキシ基 Ｒ８、Ｒ８、低級アルキル基 Ｒ７：置換基 Ｒ１１，アミノ基または保護されたアミノ基Ｒａ″：保
護されたアミノ基 ｘ　ｌ　、　ｘ２　　、ハロゲン この発明の目的化合物（Ｉｄ）、（Ｉｅ）。

（Ｉｆ）および（Ｉ　ｇ）は （■）　　　　（■）　　　　　　　（■）（式中Ｒａ
ａおよびＲ６は前と同じ意味）で示される基を有してい
るが、これらは（ＶＩａ）　　　　　（■ａ）　　　　
　　　　　（■ａ）（式中Ｒａｂは保護されたイミノ基
、Ｒ”はイミノ基または保護されたイミノ基を示す）で
示される互変異性体で示すことができ、これらは下記の
如く互いに平衡関係にある （Ｖｌ）　　：　　（Ｖｌａ） （■）　　＝　　（■ａ） （■）　　＝　　（■ａ） 従ってこの明細書では式（Ｖｌ）、（■）および式（■
）を用いて表現するが、式（■ａ）１式（■ａ）および
式（■ａ）で示される基を有する化合物もこの発明の技
術的範囲に包含される。

また前記化合物（Ｉｄ）、（Ｉｅ）、（Ｉｆ）および（
Ｉ　ｇ）は ０Ｒ’ （式中Ｒ６は前と同じ意味） で示される部分構造を有するが、これは（ＩＸａ）　　
　　　　　　　　　（■ｂ）（式中Ｒ６は前と同じ意味
） で示される様な懸回異性体を包含するものであり、式（
ＩＸａ）で示される（Ｚ）異性体および式（ｔｘｂ）で
示される（Ｅ）異性体のいずれもこの発明の技術的範囲
に包含される。

この発明の目的化合物（１）の医薬として許容される好
適な塩類は慣用の無毒な塩類であり、その例としては、
例えば、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩
およびカルシウム塩、マグネシウム塩等のアルカリ土類
金属塩のような金属塩、アンモニウム塩、トリメチルア
ミン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩
、ジシクロヘキシルアミン塩、Ｎ、Ｎ’−ジベンジルエ
チレンジアミン塩等の有機塩基との塩、ギ酸塩、酢酸塩
、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルポン酸塩、ベン
ゼンスルホン酸塩、トルエンスルボン酸塩等の有機酸と
の塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、りん酸塩等の無
機酸との塩、アルギニン塩、アスパラギン酸塩、グルタ
ミン酸塩等のアミノ酸との塩、更にはＲ３で示される４
−ピリジル基におけるメチルアイオダイド等のアルキル
パライト等の４ＮＬ塩等が挙げられる。

次に上記一般式の定義について説明する。

この明細書では、別に定めない限り「低級」なる語句は
、炭素数１〜６を意味するものとする。

Ｒ１およびＲｌｂで示される「アシルアミノ基」および
Ｒ１１１で示される「アシル基で保護されたアミノ基」
における好適なアシル部分としては、カルバモイル基、
脂肪族アシル基、芳香環または複素環を含むアシル基が
挙げられる。それらのアシル基の好適な例としては、カ
ルバモイル基、例えばホルミル、アセチル、プロピオニ
ル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレリル
、オキザリル、スクシニル、ピバロイル、ヘキサノイル
、ヘプタノイル、オクタノイル、ノナノイル、デカノイ
ル、ウンデカノイル、ドデカノイル、トリデカノイル、
テトラデカノイル、ペンタデカノイル、ヘキサデカノイ
ル、ヘプタデカノイル、オクタデカノイル等の炭素原子
１〜１８個を有するアルカノイル基； 例えばアクリロイル、メタクリロイル、クロトノイル、
イソクロトノイル、ペンテノイル、ヘキセノイル、ヘプ
テノイル、ドデカノイル、テトラデセノイル、ヘキサデ
セノイル、オレオイル、エライドイル等の炭素原子３〜
２０個を有するアルケノイル基； 例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロ
ポキシカルボニル、１−シクロプロピルエトキシカルボ
ニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル
、第３級ブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニ
ル、ヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子２〜７個か
らなるアルコキシカルボニル基； 例えばメシル、エタンスルホニル、プロパンスルホニル
、イソプロパンスルホニル、ブタンスルホニル等の低級
アルカンスルホニル基；例えばベンゼンスルホニル、ト
シル等のアレンスルホニル基： 例えばベンゾイル、トルオイル、キシロイル、ナフトイ
ル、フタロイル、インダンカルボニル等のアロイル基； 例えばフェニルアセチル、フェニルプロピオニル等のア
ル（低級）アルカノイル基； 例えばベンジルオキシカルボニル、フェネチルオキシカ
ルボニル等のアル（低級）アルコキシカルボニル基等が
挙げられる。

例えばテノイル、フロイル、ニコチノイル等の複素環カ
ルボニル； 例えばチエニルアセチル、チアゾリルアセチル、チアジ
アゾリルアセチル、テトラゾリルアセチル等の複素環（
低級）アルカノイル；例えばチアゾリルグリオキシロイ
ル、チエニルグリオキシロイル等の複素環グリオキシロ
イル；等のような複素環アシルが挙げられる。

上記「複素環カルボニル」、「複素環（低級）アルカノ
イル」および「複素環グリオキシロイル」における好適
な「複素環」部分をさらに詳しく説明すると、酸素、硫
黄、窒素等のようなヘテロ原子を少なくとも１個含む飽
和または不飽和複素単環基または複素多環基を意味する
。

さらに、特に好ましい複素環基としては、窒素原子１〜
４個を含む不飽和３〜８員環、さらに好ましくは５〜６
員環の複素単環基、その例として、ピロリル、ピロリニ
ル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピリジルおよびそのＮ
−オキサイド、ジヒドロピリジル、ピリミジル、ピラジ
ニル、ピリダジニル、例えば４Ｍ−１，２，４−トリア
ゾリル、ＩＨ−１，２，３−トリアゾリル、２Ｈ−１，
２，３−トリアゾリル等のトリアゾリル、例えばＩＨ−
テトラゾリル、２Ｈ−テトラゾリル等のテトラゾリル等
；窒素原子１〜４個を含む飽和３〜８員環、さらに好ま
しくは５〜６員環の複素単環基、例えば、ピロリジニル
、イミダゾリジニル、ピペリジノ、ピペラジニル等；窒
素原子１〜４個を含む不飽和縮合複素環基、例えば、イ
ンドリル、イソインドリル、イントリジニル、ベンズイ
ミダゾリル、キノリル、イソキノリル、イミダゾリル、
ベンゾトリアゾリル等；酸素原子１〜２個および窒素原
子１〜３個を含む不飽和３〜８員環、さらに好ましくは
５〜６員環の複素単環基、その例として、オキサシリル
、イソオキサシリル、例えば１，２．４−オキサジアゾ
リル、１，３．４−オキサジアゾリル、１゜２．５−オ
キサジアゾリル等のオキサジアゾリル等； 酸素原子１〜２個および窒素原子１〜３個を含む飽和３
〜８員環、さらに好ましくは５〜６員環の複素単環基、
例えば、モルホリニル、シトノニル等； 酸素原子１〜２個および窒素原子１〜３個を含む不飽和
縮合複素環基、例えば、ベンズオキサシリル、ベンズオ
キサジアゾリル等； 硫黄原子１〜２個および窒素原子１〜３個を含む不飽和
３〜８員環、さらに好ましくは５〜６員環の複素単環基
、その例として、チアゾリル、イソチアゾリル、例えば
１，２．３−チアジアゾリル、１．２．４−チアジアゾ
リル、１．３．４−チアジアゾリル、１，２．５−チア
ジアゾリル等のチアジアゾリル、ジヒドロチアジニル等
；硫黄原子１〜２個および窒素原子１〜３個を含む飽和
３〜８員環、さらに好ましくは５〜６員環の複素単環基
、例えば、チアゾリジニル等；硫黄原子１〜２個を含む
不飽和３〜８員環、さらに好ましくは５〜６員環の複素
単環基、例えば、チエニル、ジヒドロジチイニル、ジヒ
ドロジチオリル等； 硫黄原子１〜２個および窒素原子１〜３個を含む不飽和
縮合複素環基、例えば、ベンゾチアゾリル、ベンゾチア
ジアゾリル等； 酸素原子１個を含む不飽和３〜８員環、さらに好ましく
は５〜６員環の複素単環基、例えば、フリル等； 酸素原子１個および硫黄原子１〜２個を含む不飽和３〜
８員環、さらに好ましくは５〜６員環の複素単環基、例
えば、ジヒドロオキサチイニル等； 硫黄原子１〜２個を含む不飽和縮合複素環基、例えば、
ベンゾチエニル、ペンゾジチイニル等；酸素原子１個お
よび硫黄原子１〜２個を含む不飽和縮合複素環基、例え
ば、ベンズオキサチイニル等のような複素環基が挙げら
れる。

尚上記複素環基は更に任意の置換基例えば低級アルキル
基、低級アルコキシ基、アミノ基、ヒロドキシ基、ハロ
ゲン等を有していても良く、これ−らの置換基のうち、
例えばアミノ基は前に述べたアシルアミノ基におけるア
シル部分や後述するベンジルやトリチル等のアリール低
級アルキル基の様な保護基を有していても良い。

尚上記で例示した各種アシルにおけるアセチル部分のメ
チル基はメトキシイミノ、エトキシイミノ、プロポキシ
イミノ等の低級アルコキシミノ基で置換されていてもよ
い。

Ｒ６およびＲａｍにおける保護されたアミノ基としては
、前述の様なアシルアミノ基のばかアミノ基がベンジル
、トリチル等の少なくとも１個の適当な置換基を有して
いてもよいアリール低級アルキル基のようなアシル基以
外の慣用される保護基で置換されたものが挙げられる。

ＲＩＳｂおよびＲＩＳＣで示される保護されたイミノ基
における保護基としてはＲ６およびＲａｍにおいて説明
した保護基が例示される。

Ｒ２およびＲ２ａにおける保護されたカルボキシ基とし
てはエステル化カルボキシ基などが挙げられ、このエス
テル化カルボキシ基のエステル部分の好適な例としては
、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル
、イソプロピルエステ、ル、ブチルエステル、イソブチ
ルエステル、ペンチルエステル、ヘキシル臣ステル等の
低級アルキルエステル；ならびに１−シクロプロピルエ
チルエステル等のシクロアルキル低級アルキルエステル
、アセトキシメチルエステル、プロピオニルオキシメチ
ルエステル、ブチリルオキシメチルエステル、バレリル
オキシメチルエステル、２−アセトキシエチルエステル
、２−プロピオニルオキシエチルエステル、ピパロイル
オキシメチルエステル等の低級アルカノイルオキシ低級
アルキルエステル、２−メシルエチルエステル等の低級
アルカンスルホニル低級アルキルエステル、２−ヨード
エチルエステル、２．２．２−トリクロロエチルエステ
ル等のモノ（もしくはジもしくはトリ）ハロ低級アルキ
ルエステル等のように、１個以上の適当な置換基を有す
る低級アルキルエステル：ビニルエステル、アリルエス
テル等の低級アルケニルエステル；エチニルエステル、
ブリビニルエステル等の低級アルキニルエステル、ベン
ジルエステル、４−メトキシベンジルエステル、４−ニ
トロベンジルエステル、フェネチルエステル、トリチル
エステル、ジフェニルメチルエステル、ビス（メトキシ
フェニル）メチルエステル、３．４−ジメトキシベンジ
ルエステル、４−ヒドロキシー３．５−ジー第３級ブチ
ルベンジルエステル等のように、１個以上の適当な置換
基を有していてもよいアリール低級アルキルエステル；
フェニルエステル、４−クロロフェニルエステル、トリ
ルエステル、ｔ−ブチルフェニルエステル、キシリルエ
ステル、メシチルエステル、クメニルエステル等のよう
に、１個以上の適当な置換基を有していてもよいアリー
ルエステル等が挙げられる。

上記のエステル化されたカルボキシ基の好ましい例とし
ては、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロ
ポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキ
シカルボニル、イソブトキシカルボニル、第３級ブトキ
シカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、第３級ペン
チルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、１
−シクロプロピルエトキシカルボニル等の低級アルコキ
シカルボニル基ならびにベンジルオキシカルボニル、ジ
フェニルメトキシカルボニル等のフェニル低級アルコキ
シカルボニル基が挙げられる。

Ｒ２で示される基がＣ００θであるときにはＲ３で示さ
れる基は１−置換−４−ピリジニオ基を示すが、ここに
示される「置換」基およびＲ７における「置換」基の好
適な例としてはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル等の低級アルキル基、フェニル、ナフ
チル等のアリール基等が挙げられる。

Ｒ４で示されるエステル化されたカルボキシ基としては
Ｒ２およびＲ２ｍにおいて例示した様なエステル化され
たカルボキシ基が示される。

Ｒ５およびＲ６における好適な「低級アルキル基」とし
ては、直鎖状または分枝鎖状のアルキル基を含み、例え
ばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、
イソブチル、第３級ブチル、ペンチル、ヘキシル等が挙
げられる。

ｘ　Ｉ　、　Ｘ　２で示されるハロゲンは塩素、臭素、
ふっ素、沃素である。

叛遺抹ユ この発明の目的化合物のうち式（Ｉ　ａ）またはその塩
で示される化合物は、化合物（ＩＩ）またはその塩に化
合物（ｍ）を反応させて化合物（ＩＶ）またはその塩を
得、これを還元的脱離反応に付して化合物（Ｖ）または
その塩に誘導した後、更に還元することによって製造さ
れる。

化合物（ｍ）は例えばテトラヘドロンレターズ第２２巻
第４１号第４０９３頁（１９８１年）に記載されている
方法によって得られるが、これを化合物（ＩＩ）と脱ハ
ロゲン化水素反応させることによって化合物（ｍＶ）が
得られる。

脱ハロゲン化水素剤としてはｎ−ブチルリチウム等のア
ルカリ金属アルキル、ピリジンやトリエチルアミン等の
塩基を挙げることができる。

反応は通常、クロロホルム、塩化メチレン。

ｎ−ヘキサン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムア
ミド或はその他この反応の進行に悪影響を与えない一般
有機溶媒から選ばれる単独溶媒中または混合溶媒中で一
り０℃〜水冷下に行なわれる。

次に化合物（ＩＶ）の還元的脱離反応は化合物（ＩＴ）
にｎ−ブチルリチウムの様なアルカリ金属アルキル等を
反応させることによって行なわれる。

反応は通常、クロロホルム、塩化メチレン、ｎ−へキチ
ン、テトラヒドロフラン或はその他この反応の進行に悪
影響を与えない一般有機溶媒から選ばれる単独溶媒中ま
たは混合溶媒中で一り０℃〜水冷下に行なわれる。

最後に化合物（Ｖ）をＳ−オキサイドの還元反応に付す
ことによって目的化合物（Ｉ　ａ）が得られる。還元剤
としては３塩化燐等の様な温和なものが使用され、反応
温度も一り０℃〜水冷の緩和な条件が選ばれる０反応溶
媒としては塩化メチレン、ジメチルホルムアミド、テト
ラヒドロフラン或はその他この反応の進行に悪影響を与
えない一般有機溶媒の中から選択される。

毀遺抹ユ 目的化合物（Ｉｂ）またはその塩は、化合物（Ｉａ）ま
たはその塩を、Ｒ”におけるアシル基およびＲ２ｍにお
けるカルボキシ保護基の脱離反応に付すことにより製造
できる。

好適な化合物（Ｉａ）の塩としては、化合物（Ｉ）に対
して例示した塩が挙げられる。

この脱離反応には、加水分解、還元、ルイス酸を用いた
脱離などのアシル基およびカルボキシ保護基の脱離反応
に使用されるすべての慣用法が利用できる。カルボキシ
保護基がエステルである場合には、加水分解またはルイ
ス酸を用いた脱離により脱離させることができ、この場
合はアミノ基を保護するアシル基も同時に脱離される。

加水分解は塩基または酸の存在下に行なうのが好ましい
。好適な塩基としては、上述したように無機塩基および
有機塩基がある。

好適な酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、トリフ
ルオロ酢酸などの有機酸ならびに塩酸、臭化水素酸、硫
酸などの無機酸が挙げられる。尚塩基あるいは酸を用い
る脱離反応においては、使用した塩基あるいは酸が目的
化合物に付加した塩として得られる。

この加水分解は通常は有機溶媒、水またはこれらの混合
溶媒中で行なわれる。

反応温度は特に制限されず、アシル基やカルボキシ保護
基の種類と脱離法に応じて適宜選択しつる。

ルイス酸を用いた脱離は置換もしくは非置換アリール低
級アルキルエステルの脱離に利用するのが好ましく、こ
れは化合物（Ｉａ）またはその塩をルイス酸と反応させ
ることにより行なわれる。

ルイス酸の例としては、三塩化ホウ素、三弗化ホウ素等
の三ハロゲン化ホウ素、四塩化チタン、四臭化チタンな
どの四ハロゲン化チタン、四塩化スズ、四臭化スズな′
どの四ハロゲン化スズ、塩化アルミニウム、臭化アルミ
ニウムなどのハロゲン化アルミニウム、トリクロロ酢酸
、トリフルオロ酢酸などのトリハロ酢酸などが挙げられ
る。この脱離反応はカチオン捕捉剤（例、アニソール、
フェノールなど）の存在下に行なうのが好ましく、また
通常はニトロメタン、ニトロエタンなどのニトロアルカ
ン、塩化メチレン、塩化エチレンなどのハロゲン化アル
ケン、ジエチルエーテル、二硫化炭素またはその他の反
応に悪影響を及ぼさない溶媒中で実施される。これらの
溶媒は混合状態で使用することもできる。反応温度に特
に制限はないが、反応は通常は冷却下、室温または加温
下に行なわれる。

還元的脱離は、２−ヨードエチルエステル、２．２．２
−　トリクロロエチルエステルなどのハロ低級アルキル
エステル、ベンジルエステルなどのアリール低級アル、
キルエステルなどの保護基の脱離に利用するのが好まし
い、脱離反応に適用できるこの還元法には、たとえば金
属（亜鉛、亜鉛アマルガムなど）もしくはクロム化合物
（塩化第一クロム、酢酸第一クロムなど）と有機もしく
は無機酸（酢酸、プロピオン酸、塩酸など）との組み合
せを利用した還元；ならびに慣用の金属触媒（パラジウ
ム−炭素、ラネーニッケルなど）の存在下での慣用の接
触還元が含まれる。

毀遺抹ユ 目的化合物（Ｉｃ）またはその塩類は、化合物（Ｉｂ）
もしくはそのアミノ基における反応性誘導体またはそれ
らの塩類に、アシル化剤またはその塩類を作用させるこ
とにより製造することができる。

化合物（Ｉ　ｂ）のアミノ基における反応性誘導体とし
ては、例えば化合物（Ｉ　ｂ）とアルデヒド、ケトン等
のカルボニル化合物との反応により生成するシッフの塩
基（イミノ型もしくはそのエナミン型の互変異性体）、
化合物（Ｉｂ）とビス（トリメチルシリル）アセトアミ
ド等のシリル化合物との反応により生成するシリル誘導
体または化合物（Ｉｂ）と３塩化燐、ホスゲン等との反
応により生成する誘導体等が包含される。

化合物（Ｉｂ）およびアシル化剤の塩類としては、酢酸
塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、
トルエンスルホン酸塩等の有機酸塩、塩酸塩、臭化水素
酸塩、硫酸塩、燐酸塩等の無機酸塩等の酸付加塩；ナト
リウム塩、カリウム塩、カルシウム塩、マグネシウム塩
等の金属塩、アンモニウム塩、トリエチルアミン塩、ジ
シクロヘキシルアミン塩等の有機アミン塩などが挙げら
れる。

アシル化剤におけるカルボキシ基の反応性誘導体として
は、例えば酸ハライド、酸無水物、活性アミド、活性エ
ステル等が挙げられる。好適な例としては、酸クロリド
、酸アジド、ジアルキル燐酸混合酸無水物、フェニル燐
酸混合酸無水物、ジフェニル燐酸混合酸無水物、ジベン
ジル燐酸混合酸無水物、ハロゲン化燐酸混合酸蕪水物等
の置換燐酸混合酸無水物、ジアルキル亜燐酸混合酸無水
物、亜硫酸混合酸無水物、チオ硫酸混合酸無水物、硫酸
混合酸無水物、アルキル炭酸混合酸無水物、脂肪族カル
ボン酸（たとえばピバリン酸、ペンタン酸、イソペンタ
ン酸、２−エチル酪酸、トリクロル酢酸）混合酸無水物
、芳香族カルボン酸（たとえば安息香酸）混合酸無水物
等の混合酸無水物；対称形酸無水物；イミダゾール、４
−置換イミダゾール、ジメチルピラゾール、トリアゾー
ル、テトラゾール、などとの活性アミド；シアノメチル
エステル、メトキシメチルエステル、ジメチルイミノメ
チル［（ｃｔｔｓ）２ＮＯ＝Ｃ）（−］エステル、ビニ
ルエステル、プロパルギルエステル、ｐ−ニトロフェニ
ルエステル、２．４−ジニトロフェニルエステル、トリ
クロロフェニルエステル、ペンタクロロフェニルエステ
ル、メシルフェニルエステル、フェニルアゾフェニルエ
ステル、フェニルチオエステル、ｐ−ニトロフェニルチ
オエステル、ｐ−クレジルチオエステル、カルボキシメ
チルチオエステル、ピラニルエステル、ピリジルエステ
ル、ピペリジルエステル、８−キノリルチオエステル等
の活性エステル；または、Ｎ、Ｎ−ジメチルヒドロキシ
ルアミン、１−ヒドロキシ−２−（ＩＨ）−ピリドン、
Ｎ−ヒドロキシフタルイミド、Ｎ−ヒドロキシフタルイ
ミド、１−ヒドロキシ−６−クロロ−ＩＨ−ベンゾトリ
アゾール等のＮ−ヒドロキシ化合物とのエステル等が挙
げられ、これらの反応性誘導体は使用するアシル化剤に
おけるアシル部分の種類に応じて適宜選択される。

この反応は通常、水、アセトン、ジオキサン、アセトニ
トリル、クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、
テトラヒドロフラン、酢酸エチル、Ｎ、Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、ピリジンまたはその他の反応に悪影響を及
ぼさない一般有機溶媒等の溶媒中で行なわれ、これらの
慣用溶媒は水と混合して使用することもできる。

この反応においてアシル化剤を遊離酸もしくはその塩の
状態で使用する際は、縮合剤の存在下に反応を行うのが
有利である。縮合剤としては、たとえば、Ｎ、Ｎ’−ジ
シクロへキシルカルボジイミド、Ｎ−シクロへキシル−
Ｎｏ−モルホリノエチルカルボジイミド、Ｎ−シクロヘ
キシル−Ｎ’−（４−ジエチルアミノシクロヘキシル）
カルボジイミド、Ｎ、Ｎ’−ジエチルカルボジイミド、
Ｎ、Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミド、Ｎ−エチル
−Ｎ’−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミ
ド、Ｎ、Ｎ’−カルボニルビス（２−メチルイミダゾー
ル）、ペンタメチレンケテン−Ｎ−シクロヘキシルイミ
ン、ジフェニルケテン−Ｎ−シクロヘキシルイミン、エ
トキシアセチレン、１−アルコキシ−１−クロロエチレ
ン、亜燐酸トリアルキルエステル、ポリ燐酸エチルエス
テル、ポリ燐酸イソプロピルエステル、オキシ塩化燐、
３塩化燐、塩化チオニル、オキサシリルクロリド、トリ
フェニルホスフィン、２−エチル−ツーヒドロキシベン
ゾイソオキサゾリウム塩、２−エチル−５−（ｍ−スル
ホフェニル）イソオキサゾリウムヒドロキシド分子内塩
、１−（ｐ−クロロベンゼンスルホニルオキシ）−６−
クロロ−ＩＨ−ベンゾトリアゾール、ジメチルホルムア
ミドと塩化チオニル、ホスゲン又はオキシ塩化燐等から
製造されるいわゆるビルスマイヤー（ｖｌｌｓｍｅｌｅ
ｒ）試薬等が挙げられる。

この反応はまたアルカリ金属重炭酸塩、トリ低級アルキ
ルアミシ、ピリジン、Ｎ−低級アルキルモルホリン、Ｎ
、Ｎ−ジ低級アルキルベンジルアミンなどの無機または
有機塩基の存在下に行なってもよい０反応温度は特に限
定されないが、通常冷却下ないしは室温で行なわれるこ
とが多い。

叉遣抹１ 目的化合物（Ｉｅ）またはその塩類は、化合物（Ｉｄ）
またはその塩類をアミノ保護基の脱離反応に付すことに
より製造される。

化合物（Ｉ　ｄ）の塩類としては、前記した様なものが
挙げられる。

このアミノ保護基の脱離反応は、加水分解、還元および
Ｒ１１１１がアシルアミノである化合物（Ｉ　ｄ）に対
しては、イミノハロゲン化剤、ついでイミノエーテル化
剤を作用させた後、必要に応じて生成物を加水分解する
方法等の慣用の方法により実施できる。加水分解は酸、
塩基、ヒドラジン等を使用する方法を含む。これらの方
法は、脱離される保護基の種類により適宜選択される。

先に挙げた方法の中で、酸を用いる加水分解は最も一般
的な方法の１つであり、例えば第３級ペンチルオキシカ
ルボニルの様な置換もしくは非置換アルコキシカルボニ
ル基、ホルミル、アセチル等の様な低級アルカノイル基
、シクロアルコキシカルボニル基、置換もしくは非置換
アラルコキシカルボニル基、トリチルの様なアラルキル
基、置換フェニルチオ基、置換アラルキリデン基、置換
アルキリデン基、置換シクロアルキリデン基等の保護基
の脱離に好ましい方法である。

使用される酸としては、ギ酸、トリフルオロ酢酸、ベン
ゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、塩酸等の有
機および無機の酸が挙げられ、これらの中、ギ酸、トリ
フルオロ酢酸、塩酸等の様に減圧蒸留の様な慣用される
方法により反応混合物から容易に除去できるものが特に
好ましい。

これらの酸は脱離されるアミノ保護基の種類に応じて適
宜選択される。この脱離反応で酸を用いて加水分解する
場合には、無溶媒下もしくは溶媒の存在下のいずれでも
実施できる。水、親水性有機溶媒もしくはそれらの混合
溶媒等が好適な溶媒として挙げられる。

トリフルオロ酢酸を用いた脱離反応はアニソールの存在
下に行なってもよい、ヒドラジンを使用する加水分解は
、例えばサクシニル、フタロイル型のアミノ保護基の脱
離に一般に適用される。

塩基を用いる加水分解は、アシル基の脱離において特に
好ましい、使用される塩基としては、例えば水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属、水酸
化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化アルカリ
土類金属、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸アル
カリ金属、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等の炭酸
アルカリ土類金属、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリ
ウム等の炭酸水素アルカリ金属、酢酸ナトリウム、酢酸
カリウム等の酢酸アルカリ金属、燐酸カルシウム、燐酸
マグネシウム等の燐酸アルカリ土類金属、燐酸水素２ナ
トリウム、燐酸水素２カリウム等の燐酸水素アルカリ金
属等の無機塩基、ならびにトリメチルアミン、トリエチ
ルアミン等のトリアルキルアミン、ピコリン、Ｎ−メチ
ルピロリジン、Ｎ−メチルモルホリン、１．５−ジアザ
ビシクロ［４，３，Ｏ］ノン−５−エン、１゜４−ジア
ザビシクロ［２，２，２］オクタン、１．５−ジアザビ
シクロ［５，４，Ｏ］タウンセン−５等の有機塩基が挙
げられる。塩基を用いた加水分解は、通常、水、親水性
有機溶媒またはそれらの混合溶媒中で行なわれる。

還元的脱離方法は、例えば、トリクロロエトキシカルボ
ニルの様なへロアルコキシカルボニル基、ベンジルオキ
シカルボニルの様な置換もしくは非置換アラルコキシカ
ルボニル基、２−ピリジルメトキシカルボニル等の保護
基の脱離に一般に適用される。好適な還元法としては、
例えば、水素化はう素ナトリウム等の様な水素化はう素
アルカリ金属による還元、スズ、亜鉛、鉄などの金属ま
たはこの金属と金属塩化合物（塩化第一クロム、酢酸第
一クロムなど）との混合物と酢酸、プロピオン酸、塩酸
などの有機または無機酸との組合せによる還元、ならび
に接触還元が挙げられる。好適な触媒は慣用のもの、た
とえばラネーニッケル、酸化白金、パラジウム／炭素な
どである。

保護基のうち、アシル基は一般に加水分解により脱離で
きる。特に、ハロゲン置換アルコキシカルボニルおよび
８−キノリルオキシカルボニル基は、銅、亜鉛などの重
金属処理により通常脱離する。

アシル基の脱離は、イミノハロゲン化剤（オキシ塩化燐
など）およびイミノエーテル化剤（メタノール、エタノ
ールなどの低級アルカノールなど）で処理した後、必要
に応じて加水分解することによって実施できる。

反応温度は特に限定されず、例えば上述したアミノ保護
基の種類、脱離方法の種類等に応じて適宜選択されるが
、冷却下、室温ないしやや加温程度の緩和な条件で反応
を行なうのが好ましい。

この発明の目的化合物（Ｉ）およびその塩類は新規化合
物であり、強い抗菌活性を示し、ダラム陽性菌およびダ
ラム陰性菌を含む広汎な病原菌の発育を阻止し、細菌感
染症予防治療剤として有用である。

この発明の化合物を治療のために使用するにあたり、前
記化合物を有効成分として含有し、経口、非経口または
外用投与に適した有機もしくは無機の固体状もしくは液
状賦形剤のような医薬として許容される担体と混合して
慣用の医薬製剤の形で使用することができる。医薬製剤
はカプセル、錠剤、糖衣錠、軟膏または座薬のような固
体状であってもよいし、溶液、懸濁液またはエマルジョ
ンのような液状であってもよい、所望によっては上記製
剤中に助剤、安定剤、潤滑剤または乳化剤、緩衝液およ
びその他乳糖、フマール酸、クエン酸、酒石酸、ステア
リン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、ステアリン
酸マグネシウム、白土、シェークロース、コーンスター
チ、タルク、ゼラチン、寒天、ペクチン、落花生油、オ
リーブ油、カカオ脂、エチレングリコール等のような常
用の添加剤が含まれていてもよい。

化合物の投与量は患者の年齢および症状によって変化す
るが、この発明の化合物は平均１回投与量約１０ｍｇ、
　５０ｍｇ、　１００ｍｇ、　２５０ｍｇ。

５００ｍｇ％１０００ｍｇで病原菌感染症治療に有効で
ある。また、一般的には１日当り１　ｍｇ／個体〜約６
０００Ｉ１ｇ／個体またはそれ以上投与してもよい。

次に本発明の実施例（原料化合物については製造例）を
示すが、本発明はもとより下記の実施例によって拘束さ
れるものではない。

毀遺盟１ （１−エトキシカルボニル−１，４−ジヒドロピリジン
−４−イル）ホスホン酸ジエチル（１４，４ｇ）のテト
ラヒドロフラン（３０ｍｌ）溶液を窒素雰囲気下−２０
乃至−３０℃で攪拌しながらこれにｎ−ブチルリチウム
（１，５Ｍ）のｎ−ヘキサン（３６，３ｍ１）溶液を滴
下し、次いで７−（第３級ブトキシカルボニルアミド）
−３−ヨードメチル−３−セフェム−４−カルボン酸ジ
フェニルメチル−１−オキシド（１２ｇ　）のジメチル
ホルムアミド（１８０１１）溶液を５分間に亘って滴下
した。

滴下終了後、同温度で２時間攪拌を継続した後、反応混
合物を０．ＩＮ冷塩酸（７００ｍｌ）と酢酸エチル（４
０１Ｍｌ）の混液に注いだ。酢酸エチル層を分取し、水
、次いで塩化ナトリウム飽和水溶液で洗浄した後、硫酸
マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。残漬をシ
リカゲル充填のカラムクロマトグラフィに展開し酢酸エ
チルで溶出した。目的物質を含む画分を集めて溶出液を
留去し、残留物にジイソプロピルエーテルを加えて粉末
化すると、７−（第３級ブトキシカルボニルアミド）　
−３−（１−エトキシカルボニル−４−ジェトキシホス
ホノ−１，４−ジヒドロピリジン−４−イル）メチル−
３−セフェム−４−カルボン酸ジフェニルメチル−１−
オキシド（１，６ｇ）が得られた。

ＩＲ（ＮｕＪｏｌ）；１７８０．　１７１５．　１６２
０．　１４９０　ｃｍ−’ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄａ）δ
、０．９８〜１．３３（９）１．　ｍ）、　　１．４３
（９Ｌ　　ｓ）、　　３．７０〜４．３０（ＩＯＨ，ａ
＋）、　　４．８３〜４．９３（２）１．ｍ）、４．９
５（ＩＨ，ｄ、　Ｊ−５Ｈｚ）、　５．６９（１）１．
　ｄｄ。

Ｊ−９Ｈｚ、　　Ｊ−５Ｈｘ）、　　１１．１８（ＩＨ
，ｄ、Ｊ−９Ｈｚ）、　　６．６０〜６．９４（２Ｈ，
ｍ）、　６．９３（ＩＨ，ｓ）、　７．１３〜７．５８
（ＩＯＨ，Ｉ） 毀遣■ユ 製造例１で得た７−（第３級ブトキシカルボニルアミド
）　−３−（１−エトキシカルボニル−４−ジェトキシ
ホスホノ−１，４−ジヒドロピリジン−４−イル）メチ
ル−３−セフェム−４−カルボン酸ジフェニルメチルー
１−オキシド（３００ｍｇ）のテトラヒドロフラン（５
ｍｌ）溶液を−２０乃至−３０℃で攪拌しながら、これ
にｎ−ブチルリチウム（１，５Ｍ）のｎ−ヘキサン（１
，１ｍｌ　）溶液を滴下した０滴下終了後も同温度で２
時間攪拌を続け、反応終了後０．ＩＮ冷塩酸（２０ｍｌ
）と酢酸エチル（２０鳳ｌ）の混液に反応混合物を注い
だ。酢酸エチル層を分取し、水、次いで塩化ナトリウム
飽和水溶液で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、
溶媒を減圧留去した。残渣にジイソプロピルエーテル（
２０ｍｔ）を加えて粉末化し、これを濾取すると、ツー
（第３級ブトキシカルボニルアミド）−３−（４−ピリ
ジルメチル）−３−セフェム−４−カルボン酸ジフェニ
ルメチル−１−オキシド（１３０ｍｇ）が得られた。

ＩＲ（ＮｕＪｏｌ）；１７８Ｇ、　１７２０．１５００
　ｃ＋＋＋−’ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）δ；１．４３
（９Ｈ，Ｓ）、　３．１５〜３．７５（２Ｈ。

ｍ）、３．５５〜３．８５（２Ｈ，ｍ）、　４．９９（
ＩＨ，ｄ、　Ｊ−５）Ｉｚ）。

５．７４（ＩＨ，ｄｄ、　　Ｊ−９Ｈｘ、　　Ｊ＝５Ｈ
２）、　　６．２８（ＩＨ，ｄ。

Ｊ−９Ｈ２）、　６．９３（ＩＨ，Ｓ）、　７．００〜
７．６０（１２１（、ｍ）。

８．２０〜８．６０（２Ｈ，ｍ） 亙１１ユ 製造例２で得た７−（第３級ブトキシカルボニルアミド
）−３−（４−ピリジルメチル）−３−セフェム−４−
カルボン酸ジフェニルメチル−１−オキシド（５，９ｇ
）のジメチルホルムアミド（３０ｍｌ）溶液に、−２０
℃で３塩化ｆｉ（１，（１Ｈｍｌ）を滴下した。その後
同温度で２時間攪拌を続け、反応混合物を酢酸エチル（
１００ｍｌ）と希炭酸水素ナトリウム水溶液（２０鳳ｌ
）の混液中に注ぎ、更にｐ）１７．０に調整した。有機
層を分取し、水、次いで塩化ナトリウム飽和水溶液で洗
浄した後硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留
去した。残渣に少量の酢酸エチルを加え、生成した結晶
を濾取すると、７−（第３級ブトキシカルボニルアミド
）−３−（４−ピリジルメチル）−３−セフェム−４−
カルボン酸ジフェニルメチル（２゜４ｇ）が得られた。

ＩＲ（ＮｕＪｏｌ）；１７８５．１７２０．１６４０．
１６００．１５００ｃｍ−’ＮＭＲ（ｏＭｓｏ−ａｓ）
δ：１．４３（９Ｂ、　ｓ）、　３．３０．３．５８（
２）１゜ＡＢｑ、　　Ｊ−１８Ｈｘ）、　　３．７７（
２Ｈ，ｓ）、　　５．１６（１）１．　　ｄ、　　Ｊ−
５Ｈｚ）、　５．５３（ＩＨ，ｄｄ、　Ｊ−９Ｈｚ、　
Ｊ−５ｈｘ）、　６．９４（ＩＨ，ｓ）、　７．１５（
２Ｈ，ｄ、　Ｊ＝５Ｈｚ）、　７．２〜７．６（ＩＱＨ
，ｍ）、　７．９５（ＩＨ，ｄ、　Ｊ−１９Ｈｚ）、　
８．４３（２Ｈ，ｄ。

Ｊ−５Ｈｚ） 立直±１ 実施例１で得たツー（第３級ブトキシカルボニルアミド
）−３−（４−ピリジルメチル）−３−セフェム−４−
カルボン酸ジフェニルメチル（１，５ｇ）を塩化メチレ
ン（６５ｏ１）とアニソール（１，５ｍｌ　）の混液に
加えて懸濁液を得、５℃に冷やしつつトリフルオロ酢酸
（３，０ｍｌ）を滴下した。引続き１０℃で３時間攪拌
し、反応混合物から溶媒を減圧留去した。残漬にジイソ
プロピルエーテル（５０鳳ｌ）を加えて粉末化し、この
粉末を濾取すると、７−アミノ−３−（４−ピリジルメ
チル）−３−セフェム−４−カルボン酸のトリフルオロ
酢酸塩（１，９３ｇ　）が得られた。

ＩＲ（Ｎｕｊｏｌ）；１フ８θ、　　１７００．　　ｌ
５４０．　１５００　　ａｍ−’ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ
ａ）δ；３．３４．３．６３（２）１．’へＢｑ、　Ｊ
−１８１（Ｚ）３．８８．　４．１３（２Ｈ，ＡＢｑ、
　　Ｊ−１４Ｈｚ）、　　５．１３（ｄ、　　Ｊ−５Ｈ
ｚ）、　５．２５（ｄ、　Ｊ−５Ｈｘ）、　７．６２（
２Ｈ，ｄ、　Ｊｌ−５Ｈｘ）８．６８（２Ｈ，ｄ、　　
Ｊ−５）ｌｘ）東Ａ１互 実施例２で得た７−アミノ−３−（４−ピリジルメチル
）−３−セフェム−４−カルボン酸のトリフルオロ酢酸
塩（１，００ｇ　）とモノシリルアセトアミド（４，８
ｇ）をテトラヒドロフラン（２０鳳ｌ）に溶解しておき
、一方２−　（２−トリチルアミノチアゾール−４−イ
ル）　−２−（Ｚ）−メトキシイミノ酢酸（９３１ｍｇ
）をオキシ塩化燐（０，２３鳳ｌ）とジメチルホルムア
ミド（ｏ、ｔａｍｌ）のテトラヒドロフラン（９■ｌ）
溶液で処理することによって活性酸溶液を調整し、これ
を先の原料物質溶液に一２０℃で攪拌下に添加した。引
続き一１０℃以下に保持しつつ１時間攪拌を行った０反
応混合物を酢酸エチル（５０鳳ｌ）と水（２５鳳ｌ）の
溶液中へ注いだ、有機層を分取し、水、次いで塩化ナト
リウム飽和水溶液で洗浄し、溶媒を減圧下に留去した。

残漬をジイソプロピルエーテルで処理すると、？−（２
−（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）−２−
（Ｚ）−メトキシイミノアセトアミド］　−３−（４−
ピリジルメチル）−３−セフェム−４−カルボン酸（１
，３９ｇ　）が得られた。

ＩＲ（Ｎｕｊｏｌ）；１７８０．１８８０．１５９０．
１５２０　ｃｔａ−’ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄａ）δ　；
３．２３．　３．５３（２Ｈ，ＡＢｑ、　　Ｊ−１８Ｈ
２）３．５〜４．１（２）１．　ｍ）、　３．８３（３
Ｈ，ｓ）、　５．２１（ＩＨ。

ｄ、Ｊ−５）１ｘ）、　　５．７０（ＩＨ，ｄｄ、　　
ＪＩＩ８Ｈｚ、　　Ｊ−５Ｈｚ）。

８．７３　（１）１．　ｓ）、　７．１〜７．６（１５
）１．　ｍ）、　７．７５（２Ｈｄ、Ｊ−５Ｈｚ）、　
　８．７８（２Ｈ，ｄ、　　Ｊ−５Ｆｌｚ）、　　９．
５５（ＩＨ。

ｄ、Ｊ−８）１ｚ） 罠ｍ 実施例３で得た７−［２−（２−）ジチルアミノチアゾ
ール−４−イル’）−２−（Ｚ）−メトキシイミノアセ
トアミド］　−３−（４−ピリジルメチル）−３−セフ
ェム−４−カルボン酸（０，６ｇ　）とアニソール（０
６ｍ１）の塩化メチレン（１，８■ｌ）溶液に攪拌下ト
リフルオロ酢酸（１，８ｍｌ　）を５℃で加えた。Ｎ温
に戻して引続き３時間攪拌した後、反応混合物を減圧濃
縮した。残留物をジイソプロピルエーテルで処理して粉
末化し、これを多孔質非イオン性吸着樹脂［三菱化成工
業（株）製、商品名ダイヤイオンＨＰ−２０１の充填さ
れたカラムクロマトグラフィに展開し、１５％の水性イ
ソプロピルアルコールで溶出した。溶出液を凍結乾燥す
ると、ツー［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）
−２−（Ｚ）−メトキシイミノアセトアミド］　−３−
（４−ピリジルメチル）−３−セフェム−４−カルボン
酸（１８０ｍｇ）が得られた。

ＩＲ（ＮｕＪｏｌ）Ｈ１７７０，１６８０，１１！２０
．１５９０．１５３０　ｃｍ−’ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ
ａ）δ；３．１３．３．５７（２Ｈ，ＡＢｑ、　Ｊ−１
８Ｈｚ）。

３．６１．３．９５（２Ｈ，ＡＢｑ、　Ｊ＝１４Ｈｚ）
、　３．８１（３Ｈ，ｓ）。

５．１３（ＩＨ，ｄ、　Ｊ−５Ｈｚ）、　５．６８（Ｉ
Ｈ，ｄｄ、　Ｊ−８Ｈｚ。

５）１ｚ）、　６．１１８（ＩＨ，ｓ）、　７．１３（
２Ｈ，ｂｓ）、　７．２５（２１（、ｄ、　Ｊ−５Ｈｘ
）、　８．４３（２Ｈ，ｄ、　Ｊ−５Ｈｚ）、　９．４
７（ＩＨ，ｄ、　Ｊ−８Ｈ４） １１班１ （１）実施例３で得たツー［２−（２−トリチルアミノ
チアゾール−４−イル）−２−（Ｚ）−メトキシイミノ
アセトアミド］　−３−（４−ピリジルメチル）−３−
セフェム−４−カルボン酸（０，７ｇ）のジメチルホル
ムアミド（２，１ｍｌ）溶液に、沃化メチル、（０，１
１３ｍ１）を室温下撹拌しながら４時間を要して加えた
０反応混合物にジイソプロピルエーテル（５０ｍｌ）を
加えて粉末化し、析出した結晶を濾取すると、ツー［２
−（２−トリチルアミノチアゾール−４−イル）−２−
（Ｚ）−メトキシイミノアセトアミド］　−３−［（１
−メチル−４−ピリジニオ）メチル］−３−セフェムー
４−カルボン酸ヨーシト（６１２Ｂ）が得られた。

（２）上記４級塩化合物（０，６ｇ）を塩化メチレン（
１，８霞ｌ）とアニソール（０，６■ｌ）の混液に溶解
した溶液に、トリフルオロ酢酸（１，８ｍｌ　）を５℃
で攪拌下に加えた。同温度で更に３時間攪拌し、反応混
合物を減圧濃縮した。残漬にジイソプロピルエーテルを
加えて粉末化した後、前記ＨＰ−２０の充填されたカラ
ムクロマトグラフィに展開し、１５％水性イソプロピル
アルコールで溶出した。溶出液を凍結乾燥すると、ツー
［２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−２−（Ｚ
）−メトキシイミノアセトアミド］　−３−［４−（１
−メチルピリジニオ）メチル］−３−セフェムー４−カ
ルボキシラード（１２０ｍｇ）が得られた。

ＩＲ（ＮｕＪｏｌ）；１７８Ｇ、　１６８０．１６４０
．１６００．１５３０　ｃｍ”ＮＭＲ（ｌｈＯ）δ；３
．１５．３．６０（２１１，＾Ｂｑ、　Ｊ−１８）１ｚ
）、　３．９８（３Ｈ，ｓ）、　４．０５（２Ｈ，ｄ、
　Ｊ＝９Ｈｚ）、　４．３０（３）１．　ｓ）。

５．２０（ＩＨ，ｄ、　Ｊ−５Ｈｚ）、　５．７４（１
８，ｄ、　Ｊ−５Ｈｚ）。

６．９４（ＩＨ，ｓ）、　７．８２（２Ｈ，ｄ、　Ｊ＝
５Ｈｚ）、　８．５５（２Ｈ，ｄ、　Ｊ−５Ｈｚ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１はアミノ基またはアシルアミノ基、Ｒ＾
   ２はカルボキシ基、保護されたカルボ キシ基またはＣＯＯ＾■、 Ｒ＾３は４−ピリジル基または１−置換− ４−ピリジニオ基 をそれぞれ意味し、ただしＲ＾２がＣＯＯ＾■である場
   合には、Ｒ＾３は１−置換−４−ピリジニオ基を意味す
   るものとする） で示されることを特徴とするセフェム化合物およびその
   塩類。