JPH01102936A - 半導体装置の測定パターン - Google Patents
半導体装置の測定パターンInfo
- Publication number
- JPH01102936A JPH01102936A JP26063587A JP26063587A JPH01102936A JP H01102936 A JPH01102936 A JP H01102936A JP 26063587 A JP26063587 A JP 26063587A JP 26063587 A JP26063587 A JP 26063587A JP H01102936 A JPH01102936 A JP H01102936A
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- JP
- Japan
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- pattern
- etching
- semiconductor device
- mask
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims 1
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の測定パターンに、関する。
従来の半導体装置の測定パターンは特になく、半導体基
板上のエツチング被材とエツチングマスク両者の断差を
機械的に測定し、またその近辺のマスク材の厚みを、光
学的に測定し、その差をエツチング被材の断差として求
めていた。
板上のエツチング被材とエツチングマスク両者の断差を
機械的に測定し、またその近辺のマスク材の厚みを、光
学的に測定し、その差をエツチング被材の断差として求
めていた。
しかし、前述の技術では、断差の測定において基準とな
る平面の想定がむずかしく、測定者により測定値がかな
りバラツキを持つ。またマスク材の測定においては、断
差の極めて近い部位の膜厚の測定が望ましいが、毎回、
極近を測定する事は不可能であり、かなりのくりかえし
のバラツキを持つ。結馬、エツチング被材のみの断差は
、両測定のバラツキ誤差により、より大きな誤差を含ん
でしまう。
る平面の想定がむずかしく、測定者により測定値がかな
りバラツキを持つ。またマスク材の測定においては、断
差の極めて近い部位の膜厚の測定が望ましいが、毎回、
極近を測定する事は不可能であり、かなりのくりかえし
のバラツキを持つ。結馬、エツチング被材のみの断差は
、両測定のバラツキ誤差により、より大きな誤差を含ん
でしまう。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、正確なエッチング披材の断差の
測定を提供するところにある。
の目的とするところは、正確なエッチング披材の断差の
測定を提供するところにある。
１） 本発明の半導体装置の測定パターンは半導体＆ｉ
Ｈのエフチ／グ工程で、被エツチング層及びエツチン
グマスク居、それぞれのエツチング量を、機械式断差測
定機と、光学式〇厚測定機を用い、同時に計測するため
のパターンにおいて、被エツチングパターンとマスクパ
ターンのくり返しを少なくとも１つ以上存する事を特徴
とする。
Ｈのエフチ／グ工程で、被エツチング層及びエツチン
グマスク居、それぞれのエツチング量を、機械式断差測
定機と、光学式〇厚測定機を用い、同時に計測するため
のパターンにおいて、被エツチングパターンとマスクパ
ターンのくり返しを少なくとも１つ以上存する事を特徴
とする。
２） 前ｌ己エツチングパターンの巾は、エッチング部
の被エツチフグ量とマスク層の厚さの和の２０倍以下で
ある事を特徴とする。
の被エツチフグ量とマスク層の厚さの和の２０倍以下で
ある事を特徴とする。
以下、本発明に９いて実施例に基づき詳細に説明する。
第１図は本発明の実施例のパターン及び断面構造を示す
。また第２図はこれを測定したときの、断差データ及び
表１は、各点におけるマスク厚のデータである。なおこ
こではマスク材が透過性膜マスクとしてＳ ｉ Ｏ＊で
被エツチング材がＳｉの場合について説明する。
。また第２図はこれを測定したときの、断差データ及び
表１は、各点におけるマスク厚のデータである。なおこ
こではマスク材が透過性膜マスクとしてＳ ｉ Ｏ＊で
被エツチング材がＳｉの場合について説明する。
まずパターンの中央線にそって機械的に断差を求めると
、（第２図）Ｃ及びＣ′でレベリングをする。これによ
って、理想的な基板に対して平行な面を仮定できる。こ
のとき、Ａ−ｎもしくはＡ−Ｂ′によりこのエツチング
パターンの断差が測定できる。又このときのＡ〜Ｄ及び
Ａ〜Ｄ′の各点のマスクの厚さを光学的に測定すると表
１の様になる。
、（第２図）Ｃ及びＣ′でレベリングをする。これによ
って、理想的な基板に対して平行な面を仮定できる。こ
のとき、Ａ−ｎもしくはＡ−Ｂ′によりこのエツチング
パターンの断差が測定できる。又このときのＡ〜Ｄ及び
Ａ〜Ｄ′の各点のマスクの厚さを光学的に測定すると表
１の様になる。
表１
このときのＣ，ｃ’ とり、Ｂ′との差は、−船釣にロ
ーディング効果、パッジベージ層ン効果ニより説明でき
る。つまり従来の測定に対し、より実際に近い場合のマ
スク材の厚みが測定された事になる。またここではパタ
ーンの一例として矩形のパターイを用いたがこれに限定
されない事は、言うまでもない。この応用例の一部とし
て第３図第４図が考えられる。
ーディング効果、パッジベージ層ン効果ニより説明でき
る。つまり従来の測定に対し、より実際に近い場合のマ
スク材の厚みが測定された事になる。またここではパタ
ーンの一例として矩形のパターイを用いたがこれに限定
されない事は、言うまでもない。この応用例の一部とし
て第３図第４図が考えられる。
上述の如く、本発明の半導体装置の測定パターンによれ
ば、より１！際に近い条件で被エツチング材の断差を測
定でき、マスク材を除去したときの機械的断差に対し、
±１％以内の精度を有Ｌ１従来方法による±７％の値に
対しかなり改善されている。
ば、より１！際に近い条件で被エツチング材の断差を測
定でき、マスク材を除去したときの機械的断差に対し、
±１％以内の精度を有Ｌ１従来方法による±７％の値に
対しかなり改善されている。
第１図（ａ）、（ｂ）、第３図（＆）、（ｂ）及び第４
図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施１例のパターン図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。 第２図は、第１図（ａ）の中央線にそって断差測定を行
なった時のデーターを示す図である。 １・・・エツチング部 ２・・・マスク材 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 彷 他１名（久） 蟻ｌ 巳 掌２薗 （土） ＜ｂ） 竿３ 口 （ａ） ＜ｂ） 鷲４）刀
図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施１例のパターン図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。 第２図は、第１図（ａ）の中央線にそって断差測定を行
なった時のデーターを示す図である。 １・・・エツチング部 ２・・・マスク材 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 彷 他１名（久） 蟻ｌ 巳 掌２薗 （土） ＜ｂ） 竿３ 口 （ａ） ＜ｂ） 鷲４）刀
Claims (2)
- （１）半導体装置のエッチング工程で、被エッチング層
及びエッチングマスク層、それぞれのエッチング量を機
械式断差測定機と、光学式膜厚測定機を用い、同時に計
測するためのパターンにおいて、被エッチングパターン
とマスクパターンのくり返しを少なくとも１つ以上有す
る事を特徴とする、半導体装置の測定パターン。 - （２）前記エッチングパターンの巾は、エッチング後の
被エッチング量とマスク層の厚さの和の２０倍以下であ
る事を特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の半導体
装置の測定パターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26063587A JPH01102936A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 半導体装置の測定パターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26063587A JPH01102936A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 半導体装置の測定パターン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102936A true JPH01102936A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=17350658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26063587A Pending JPH01102936A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 半導体装置の測定パターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01102936A (ja) |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP26063587A patent/JPH01102936A/ja active Pending
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