JPH01246820A - 半導体基板 - Google Patents
半導体基板Info
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- JPH01246820A JPH01246820A JP7519888A JP7519888A JPH01246820A JP H01246820 A JPH01246820 A JP H01246820A JP 7519888 A JP7519888 A JP 7519888A JP 7519888 A JP7519888 A JP 7519888A JP H01246820 A JPH01246820 A JP H01246820A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野１
本発明はＳＯＩ基板の基体構造に関する。
【従来の技術１
従来、ＳＯＩ基板としては、（１００）Ｓｉと格子定数
の合ったサファイアや酸化マグネシウム系等のガーネッ
ト面上に（１００）Ｓｉ膜をエピタキシャル成長させた
りあるいはアモルファスＳｉＯ□である石英上に（１０
０）Ｓｉミラニーへ貼付は硝差して（１００）Ｓｉｌｌ
ｉを形成する方法によって作成したもの等があった。
の合ったサファイアや酸化マグネシウム系等のガーネッ
ト面上に（１００）Ｓｉ膜をエピタキシャル成長させた
りあるいはアモルファスＳｉＯ□である石英上に（１０
０）Ｓｉミラニーへ貼付は硝差して（１００）Ｓｉｌｌ
ｉを形成する方法によって作成したもの等があった。
上記従来技術によると、ＳＯＩウェーへの基体の結晶方
位が石英の如くアモルファス状態であったり、サファイ
アの如く、Ｓｉ単結晶膜の結晶格子定数と基体の格子定
数が一致していたりして、Ｘ線回折（ブラッグ反射）を
用いて基体と単結晶Ｓｉ膜との格子定数差より単結晶Ｓ
ｉ膜の厚工を測定する事が出来ないと云う課題があった
。
位が石英の如くアモルファス状態であったり、サファイ
アの如く、Ｓｉ単結晶膜の結晶格子定数と基体の格子定
数が一致していたりして、Ｘ線回折（ブラッグ反射）を
用いて基体と単結晶Ｓｉ膜との格子定数差より単結晶Ｓ
ｉ膜の厚工を測定する事が出来ないと云う課題があった
。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、ＳＯＩウェ
ーへの単結晶Ｓｉ膜厚をＸ線回折法で測定可能とするた
めのＳＯＩウェーハの基体構造を提供する事を目的とす
る。
ーへの単結晶Ｓｉ膜厚をＸ線回折法で測定可能とするた
めのＳＯＩウェーハの基体構造を提供する事を目的とす
る。
【課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明は半導体基板に係り
、（１００）結晶方位面を有する単結晶Ｓｉ膜を有する
ＳＯＩウェーハの基体は（１００）のＳｉ格子定数と定
数を異にする単結晶サファイア、単結晶水晶、単結晶ガ
ーネットあるいは、（１１１）又は（１１０）結晶方位
面の単結晶Ｓｉとなす手段をとる。
、（１００）結晶方位面を有する単結晶Ｓｉ膜を有する
ＳＯＩウェーハの基体は（１００）のＳｉ格子定数と定
数を異にする単結晶サファイア、単結晶水晶、単結晶ガ
ーネットあるいは、（１１１）又は（１１０）結晶方位
面の単結晶Ｓｉとなす手段をとる。
例へば（１１１）Ｓｉ基体上に厚工の判った熱酸化５ｉ
０２膜を形成し、その上に（１００）Ｓ１膜を形成した
ＳＯＩウェーハをＸ線回折測定器にかけ、Ｘ線回折像を
得るとすると、（１１１）Ｓｉ基体の回折像とＳｉＯ２
（アモルファス）のバックグラウンド像と、（ｉｏｏ）
Ｓ１膜の回折像が得られ、（１１１）Ｓｉ基体のみの場
合のＸ線回折像と、上記、ＳＯＩ基板の回折像との位置
や反射強度の差をとる事により、（１００）Ｓｉ膜の厚
工の測定が可能となる作用がある。
０２膜を形成し、その上に（１００）Ｓ１膜を形成した
ＳＯＩウェーハをＸ線回折測定器にかけ、Ｘ線回折像を
得るとすると、（１１１）Ｓｉ基体の回折像とＳｉＯ２
（アモルファス）のバックグラウンド像と、（ｉｏｏ）
Ｓ１膜の回折像が得られ、（１１１）Ｓｉ基体のみの場
合のＸ線回折像と、上記、ＳＯＩ基板の回折像との位置
や反射強度の差をとる事により、（１００）Ｓｉ膜の厚
工の測定が可能となる作用がある。
［実 施 例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すＳＯ■基板構造である
。すなわち、ＣカットあるいはＺカット面の水晶基板１
の表面には（ｔｏｏ）Ｓｉウェーハを貼付けて裏面硝差
した（１００）Ｓｉ膜２が形成されて成る。水晶の場合
はどの結晶面もＳｉ膜の結晶の格子定数と定数が異なる
のでいかなるカット面を用いても良いが、（ｉｏｏ）Ｓ
ｉの格子定数はＳｉの中では最稠密格子定数をもつので
、水晶は最稠密格子定数面であることが望ましい、最稠
密格子定数面をＳＯＩ基板の基体に用いる事が望ましい
事はサファイア、ガーネットあるいはＳｔでも同様であ
り、Ｓｔの場合は（１１１）Ｓｉがこれに当たる。
。すなわち、ＣカットあるいはＺカット面の水晶基板１
の表面には（ｔｏｏ）Ｓｉウェーハを貼付けて裏面硝差
した（１００）Ｓｉ膜２が形成されて成る。水晶の場合
はどの結晶面もＳｉ膜の結晶の格子定数と定数が異なる
のでいかなるカット面を用いても良いが、（ｉｏｏ）Ｓ
ｉの格子定数はＳｉの中では最稠密格子定数をもつので
、水晶は最稠密格子定数面であることが望ましい、最稠
密格子定数面をＳＯＩ基板の基体に用いる事が望ましい
事はサファイア、ガーネットあるいはＳｔでも同様であ
り、Ｓｔの場合は（１１１）Ｓｉがこれに当たる。
第２図は本発明の他の実施例を示すＳＯＩ基板構造であ
る。すなわち、（１１１）Ｓｉ基板１１の表面にはＳｉ
Ｏ□膜１２膜形２され、該５ｉＯ−ｔｌｉ１２（Ｄ上に
は、（１００）Ｓｉウェーハを貼付け、裏面硝差して得
た（１００）Ｓｉ膜１３が形成されて成る。
る。すなわち、（１１１）Ｓｉ基板１１の表面にはＳｉ
Ｏ□膜１２膜形２され、該５ｉＯ−ｔｌｉ１２（Ｄ上に
は、（１００）Ｓｉウェーハを貼付け、裏面硝差して得
た（１００）Ｓｉ膜１３が形成されて成る。
本発明によりＳＯＩウェーハのＳｉ膜厚がＸ線回折法に
より測定可能となる効果がある。
より測定可能となる効果がある。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示すＳＯＩ基板の
構造図である。 １・・・・・・水晶基板 ２．１３・・・（１００）Ｓｉ膜 １１・・・・・ （１１１）Ｓｉ基板 １２・・・・・ＳｉＯ□膜 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
構造図である。 １・・・・・・水晶基板 ２．１３・・・（１００）Ｓｉ膜 １１・・・・・ （１１１）Ｓｉ基板 １２・・・・・ＳｉＯ□膜 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- （１００）結晶方位面を有する単結晶Ｓｉ膜を有するＳ
ＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェー
ハの基体は（１００）のＳｉ格子定数と定数を異にする
単結晶サファイア、単結晶水晶、単結晶ガーネットある
いは（１１１）又は（１１０）結晶方位面の単結晶Ｓｉ
となす事を特徴とする半導体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7519888A JPH01246820A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7519888A JPH01246820A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246820A true JPH01246820A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13569259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7519888A Pending JPH01246820A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01246820A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04322507A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶振動子の加工方法 |
| JPH066168A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶振動子とその製造方法 |
| JPH066167A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶振動子とその製造方法 |
| JPH0621746A (ja) * | 1992-07-03 | 1994-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶振動子とその製造方法 |
| JPH0621745A (ja) * | 1992-07-01 | 1994-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶振動子とその製造方法 |
| JPH07297377A (ja) * | 1994-04-21 | 1995-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP7519888A patent/JPH01246820A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04322507A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶振動子の加工方法 |
| JPH066168A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶振動子とその製造方法 |
| JPH066167A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶振動子とその製造方法 |
| JPH0621745A (ja) * | 1992-07-01 | 1994-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶振動子とその製造方法 |
| JPH0621746A (ja) * | 1992-07-03 | 1994-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水晶振動子とその製造方法 |
| JPH07297377A (ja) * | 1994-04-21 | 1995-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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