JPH01104484A - 圧延による銅および銅合金の接合方法 - Google Patents

圧延による銅および銅合金の接合方法

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JPH01104484A
JPH01104484A JP26035187A JP26035187A JPH01104484A JP H01104484 A JPH01104484 A JP H01104484A JP 26035187 A JP26035187 A JP 26035187A JP 26035187 A JP26035187 A JP 26035187A JP H01104484 A JPH01104484 A JP H01104484A
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copper
rolling
temperature
reduction
joining
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JP26035187A
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Kenji Yamaguchi
健司 山口
Sadahiko Sanki
参木 貞彦
Yasuhiko Miyake
三宅 保彦
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Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、銅および銅合金の界面接着性および形状安定
性を格段に向上せしめ得る改良された圧延接合方法に関
するものである。
[従来の技術と問題点] 銅および銅合金を圧延により圧接せしめる場合には、従
来は、JUfff洗浄後接合表面をブラシ、パフ、ショ
ツトブラストなどにより機械研磨して表面に活性面を形
成せしめ、圧延圧接することが行なわれてきた。
しかし、この機械研磨により当然ながら表面あらさは大
きくなり、最大表面あらさ Rt =8〜200μmにも達する。それでも、接合す
る条の厚さが厚ければ余り問題はなかった。
しかし、最近は3〜200μmといっなきわめて薄い箔
を重ね合せた複合金属条の需要が高まり、これを従来方
法で接合せしめた場合、前記表面あらさと余り差のない
厚さとなり、箔が破れたりして均一な被覆厚さの複合材
を得ることが困難であった。
さらに、上記の表面あらさのために、重ね合せ圧延圧接
をする際にミクロ的な空気の封じ込みが生じ、未接着部
が生ずる。すると、後の拡散加熱処理の際にこの未接着
部に火ブクレが発生し、表面品質を劣化せしめる原因と
もなっていた。
従って、高品質の極薄被覆複合材を入手しようとするに
は、前記機械研磨を用いないことが望ましい。
このために、前処理として10’ torrにて真空焼
なまし、アルゴン不活性雰−気での焼なまし、表面還元
処理焼なましを別工程で行ない、これを圧延圧接工程に
搬入し、前記機械研磨を行なわずに圧延圧接する方法も
とられている。しかし、この場合には70%以上の高い
圧延率でないと安定した接着を確保することが難しく、
このような大きな圧下刃を与えると極端な端伸びが生じ
、形状ならびに品質の上で安定した複合金属条を得るこ
とが困難となるという問題があった。
[発明の目的] 本発明は、上記したような従来技術の欠点を解消し、接
着の安定した高品質の銅および銅合金よりなる複合金属
条を入手する方法を提供しようと゛ するものである。
[発明の概要] すなわち、本発明の要旨とするところは、同一ライン上
で銅および銅合金の表面を高温短時間加熱還元して表面
活性化せしめ、同時に焼なまし処理をも兼ねて行ない、
つづいてライン上で冷却して、そのまま圧延圧接するこ
とにあり、これにより機械研磨を施すことなく接着性と
形状安定性にすぐれた複合金属条を入手可能ならしめた
ものである。
[実施例] 以下に、本発明について実施例に基いて説明する。
第1図は、本発明に係る方法を施している様子を示す模
式的説明図である。1.1′はコイル巻されな素条、2
は還元炉、3は冷却室、4.4は圧延ロール、5は巻取
機であって、10は複合金、属条である。
本発明においては、第1図にみられるように加熱還元、
冷却、圧延をすべて同一ライン上で行なうことを大きな
特徴とする。すなわち、別ラインで還元処理を行なった
場合、大気との接触時間が長くなり、折角活性化した表
面に水分が吸着されさらには酸化進行が起り、安定した
接着が得られなくなるからである。とくに、コイル取り
されたものであれば、還元した表面にローラによる汚染
や作業者の手指による汚染が生じ易く、安定した接着を
阻害する要因となる。
本発明においては、前記従来例における機械研磨は行な
わず、還元炉2中において高温短時間加熱処理を行ない
、表面を還元して活性化せしめる一方、この加熱により
素条1,1′の焼なましをも行なわしめる。しかして、
この還元炉中の雰囲気は、高温水素ガスGによる還元が
望ましく、その温度は500〜1040℃の範囲である
ことが望まれる。
すなわち、第2図は、水素還元による還元減量(還元前
後における重量変化量の百分率)を0.1%とする還元
温度と還元時間ならびに圧延圧接による良好な接着可能
領域との関係をプロットした線図である。これによれば
、還元温度が500℃以下になると還元時間かにわかに
長くなり、良好な圧延圧接が阻害される。従って500
℃以下は除外される。上限については、温度が高いほど
短時間で還元が行なわれ好ましいが、銅の融点との関連
から1040℃にとどめられる。
そして、このような温度範囲は、水素ガス以外の還元雰
囲気下においても有意差はみられないこともわかった。
上記表面還元により表面の活性化が達成されるが、その
場合の最大表面あらさ Rt=1.5〜20μmであって、前記機械研磨のRt
 =8〜200μmに比較して格段に小さなものとなる
ことがわかる。このために、重ね合せ圧延圧接において
もミクロ的な空気の封じ込みを防止でき、そのための未
接着部の存在が皆無となり、金属学的接合を強固ならし
めると共に、その後の拡散加熱処理の際め火ブクレの発
生を解消せしめるものである。
上記加熱還元処理を行なったのちに、当該表面還元の行
なわれた素条は冷却室3を通過せしめられ、100℃以
下に冷却される。第1図はあくまでも模式図であり、水
Wによる冷却が例示されているが、この冷却方式は短時
間で上記100℃以下に冷却し、かつ還元活性化された
表面に悪影響を及ぼさない方式であればとくにこだわる
ものではない。しかし、冷却温度は圧延ロール4,4に
より圧延圧接される′段階で100℃以下とされている
ことが望ましいのであり、これより温度が高い場合には
、十分な接着が阻害されるおそれがある。すなわち、銅
および銅合金は、大気に接触せしめられた場合酸化物被
膜の形成が行なわれるが、そのときの温度が100℃以
下であれば数分間でその皮膜厚さは20A°程度、1時
間後においても40A°程度と小さく、しかもそのとき
の酸化物の組成はCtlz○であらて、接着にとって大
きな影響は与えない。
しかし、100℃以上256℃位になると、三乗側で酸
化物被膜の厚さが急激に増大し、しかもそのとき生成さ
れる酸化物はCuOであり、接着を阻害する因子となる
のである。
従って、圧延圧接前に素材の温度を100℃以下とし、
酸化物被膜厚さを抑制することが望まれるのである。
圧接する材料の厚さ、加工履歴、あるいは圧下率などに
より上記圧接のみで十分に良好な接着が行なわれる場合
もあるが、材質とりわけ純銅では融点より40℃前後低
い条件すなわち1040℃以下の温度で拡散加熱してや
ることにより接着をきわめて強固なものとなし得ること
が判明した。
この拡散は必ずしも同一ラインにおいて行なう必要はな
く、別工程となっても差支えはないが、同−工程中に含
ましめれば大巾な省力化を達成せしめ得る。゛ 第3図は、本発明に係る製造方法を3層複合金属条の圧
延圧接に適用した場合を示す模式的説明図であり、1.
1’、1″は素条、2は還元炉、3は冷却室、4.4は
圧延ロール、5は巻取機、6.6は案内ロールである。
本工程においては、3層複合金属条10′は再度還元炉
中に案内通過せしめられ、この再通過によって同一ライ
ン上での拡散加熱が行なわれる構成となっており、すべ
てが−貫した同一ライン上で行なわれる結果、これによ
り達成される大巾の省力化ならびに原価低減効果は非常
に大きいのである。
実施例1 第1図の模式図に示すような圧延圧接ライン上に設けた
還元炉を使用し、巾100閣、厚さ1.0WII11の
純銅(OFC>と巾100mm、厚さ0.8鴫のcu−
o、os%Ag合金とを水素気流中温度800℃で還元
処理し、水冷却室を通過せしめたのち、圧延率50%で
圧延圧接した。このとき作業ロール径180mmの圧延
機を使用した。
また還元炉出口での金属条の表面温度は80℃であっな
。その結果、十分な接着がなされ、しかも従来の接合表
面を機械研磨処理したものよりも約10%圧下率を小さ
くできた。
また、700℃での拡散加熱と焼なまし処理を兼ねた加
熱処理を施しても火ブクレの発生はなかった。
実施例2  − 第3図に示すような同一ライン上の還元炉と圧延圧接の
ための作業ロール径180薗の圧延機との組合せ工程を
用い、純銅の両表面側にCu−15%Ag−5%P合金
[りん銅ろう]を組合せた各々の板厚2Onw板巾10
0Mよりなる三層構造素条を温度600℃でアンモニア
分解ガス(75%Hz、25%Nz)雰囲気中で還元し
、冷却後圧延圧接したところ圧延率50%をもって安定
した接着が得られた。一方、得られた3層複合金属条を
同じ還元炉に素材条とは反対側より挿入し、拡散加熱処
理を同時に行ない金属的に接着を強固にする操作を行な
ったが、火ブクレの発生もなく、良好な接着が得られた
なお、還元炉の出口の各素材条の表面温度は60℃であ
った。
実施例3 第1図の模式図に示すような還元炉と圧延機(作業ロー
ル径180mm)を有する製造工程で、板厚2.0mm
、巾100Bのりん青銅(CU −3%sn合金)、に
板厚20 )t m、巾100mmの純銅を温度650
℃でアンモニア分解ガス(75%H2,25%Nz)で
還元して冷却後、圧延率60%で圧延圧接した。この時
の還元炉出口での素材表面温度は50℃であった。さら
に500℃で拡散加熱したところ、未接着部がふくれる
火ブクレもなく、被覆厚さ約8μm(純銅)の接着強固
な薄被覆複合材が得られた。
なお、還元炉の雰囲気ガスとしては、本発明の実施例で
示した純水素、アンモニア分解ガスの他に一酸化炭素ガ
スあるいはプロパン(発熱型ガス、10〜16%プロパ
ン+空気で発生したガス組成としては、12〜15%C
0,12〜16%H2。
4〜6%CO2,2%H20,残Nz)を利用したもの
、あるいは純水素とアルゴン(Ar)、窒素ガスの混合
ガスの応用も考えられる。
一方、銅合金としては、本発明の実施例の他に、クロム
銅(CIJ−0,6%C「合金)、ジルコニウム銅(C
tl−0,15%zr合金)、ベリリウム銅(Cu−0
,6%Be−2,5%CO合金)、テルル銅(C(j−
0,5%Te合金)りん脱酸銅(Cu−0,03%P合
金)丹銅(Cu −10%zn合金)及びりん青銅(C
u −5%sn合金)などにも応用可能である。
[発明の効果] 以上詳記の通り、本発明に係る圧延接合方法によれば、
つぎのようなすぐれた効果を発揮せしめることができる
(1)  銅並びに銅合金において被覆厚さ1〜30μ
mの均一な薄被覆層を有するクラツド材が容易に製造可
能である。
(2)還元炉設備を有するが、単純な工程でしかも機械
的な研磨等で発生する粉じんの発生もなく、接合面が比
較的平坦な複合金属条の製法が可能である。
(3)還元と同時に焼なまし処理も可能で、変形抵抗が
小さくなり、しかも直ちに圧延圧接するため安定した強
固な接着が得られ、旦産性に適した製法で工業上の効果
が大きく、更に同時に焼なましが行なわれる結果圧接時
の圧延荷重も低下し、平坦な板形状が容易に得られる。
(4)従来法での火ブクレ発生現象を防止でき、表面品
質上安定した複合材が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る方法を実施している模式的説明図
、第2図は還元温度と時間との関係を示す線図、第3図
は本発明に係る別な方法を実施している模式的説明図で
ある。 1.1’、1″:素条、 2:還元炉、 3:冷却室、 4:圧延ロール、 5:巻取機、 10.10’ :複合金属条。 代理人  弁理士  佐 藤 不二雄 前 1図 1.1’、 J” :県条 2:ilF、、f 3:會却主 φ ;五ItO−レ ro:pigN5.# jl!3図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)圧延により接合すべき銅および銅合金を500℃
    〜1040℃の温度範囲において表面還元処理を行ない
    、同一ラインにおいて材料の表面温度を100℃以下に
    冷却せしめて圧延圧接する銅および銅合金の接合方法。
  2. (2)圧延により接合すべき銅および銅合金を500℃
    〜1040℃の温度範囲において表面還元処理を行ない
    、同一ラインにおいて材料の表面温度を100℃以下に
    冷却せしめて圧延圧接し、その後1040℃以下の温度
    において加熱拡散せしめる銅および銅合金の接合方法。
  3. (3)表面還元処理を高温の水素を含む雰囲気中で行な
    う特許請求の範囲第1項記載の接合方法。
  4. (4)表面還元処理を高温の水素を含む雰囲気中で行な
    う特許請求の範囲第2項記載の接合方法。
JP26035187A 1987-10-15 1987-10-15 圧延による銅および銅合金の接合方法 Pending JPH01104484A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998029213A1 (en) * 1996-12-26 1998-07-09 Johnson Matthey Electronics, Inc. Method of making high purity copper sputtering targets

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1998029213A1 (en) * 1996-12-26 1998-07-09 Johnson Matthey Electronics, Inc. Method of making high purity copper sputtering targets
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