JPH01104750U - - Google Patents

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JPH01104750U
JPH01104750U JP20121187U JP20121187U JPH01104750U JP H01104750 U JPH01104750 U JP H01104750U JP 20121187 U JP20121187 U JP 20121187U JP 20121187 U JP20121187 U JP 20121187U JP H01104750 U JPH01104750 U JP H01104750U
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JP
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region
conductivity type
transistor device
emitter
collector
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JP20121187U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、本考案の一実施例のフオトトランジ
スタの断面構造図を示している。第2図は、従来
のフオトトランジスタの断面構造図を示している
。 図において、3は酸化膜、4はp型ベース拡散
領域、5はnエミツタ拡散領域、9は半絶縁性
膜を示す。なお、各図中、同一符号は同一または
相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 第1導電型のエミツタ領域とコレクタ領域とが
    、第2導電型のベース領域を挾んで積層されたト
    ランジスタ装置において、 半絶縁性材料からなり、前記エミツタ領域と前
    記ベース領域とを接続するように形成された導通
    路を備えていることを特徴とする、トランジスタ
    装置。
JP20121187U 1987-12-28 1987-12-28 Pending JPH01104750U (ja)

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JPH01104750U true JPH01104750U (ja) 1989-07-14

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