JPH01105407A - 架橋ポリエチレン絶縁ケーブルおよびその製造方法 - Google Patents
架橋ポリエチレン絶縁ケーブルおよびその製造方法Info
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- JPH01105407A JPH01105407A JP26233187A JP26233187A JPH01105407A JP H01105407 A JPH01105407 A JP H01105407A JP 26233187 A JP26233187 A JP 26233187A JP 26233187 A JP26233187 A JP 26233187A JP H01105407 A JPH01105407 A JP H01105407A
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- cable
- methane gas
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Landscapes
- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、架橋ポリエチレン絶縁ケーブルの改良に関す
る。
る。
［従来の技術とその問題点］
従来よりゴム、プラスチック絶縁型カケープルとしては
、電気特性が優れ、電流容量が大きく、物理的特性が優
れている架橋ポリエチレン絶縁ケーブル（以下、Ｃｖケ
ーブルと略す）が主流を占めている。該Ｃ■ケーブルの
一例を図に示す。半導電層テープ２に巻層された導体１
は、架橋ポリエチレン（以下、ＸＬＰＥと略す）絶縁体
３に巻層され、さらにその外層を順次半導電層テープ２
゛、遮蔽銅テープ４に巻層されている。該絶縁導体３心
をケーブルコアとし、分村５が包囲し、該分村５の外層
を押えテープ６、最外層をＰｖｃシース７が被覆してい
る。
、電気特性が優れ、電流容量が大きく、物理的特性が優
れている架橋ポリエチレン絶縁ケーブル（以下、Ｃｖケ
ーブルと略す）が主流を占めている。該Ｃ■ケーブルの
一例を図に示す。半導電層テープ２に巻層された導体１
は、架橋ポリエチレン（以下、ＸＬＰＥと略す）絶縁体
３に巻層され、さらにその外層を順次半導電層テープ２
゛、遮蔽銅テープ４に巻層されている。該絶縁導体３心
をケーブルコアとし、分村５が包囲し、該分村５の外層
を押えテープ６、最外層をＰｖｃシース７が被覆してい
る。
ところで、ＸＬＰＥ絶縁体３の架橋剤（ジクミルパーオ
キサイド、以下ＤＣＰと略す）は、加熱による分解後メ
タンガスを発生する。ＤＣＰの分解過程を以下に示す。
キサイド、以下ＤＣＰと略す）は、加熱による分解後メ
タンガスを発生する。ＤＣＰの分解過程を以下に示す。
以下余白
アセトフェノン メタン Ｃ
１１３ＣＨ３ α−メチルスチレン 水蒸気従来は該メ
タンガスの放散処理は特に行われていなかった。このた
め、完成した電カケープルにおいて逃げ場をなくしたメ
タンガスが、ＰＶＣシース７の内圧を上昇させ、ＰＶＣ
シース７を膨らませるという不都合が生じている。ＰＶ
Ｃシースを膨らませるメタンガスがケーブルコアを抜け
るには、絶縁層が厚くなるほど時間がかかる。メタンガ
スが一定量以下になるまでケーブルコアからメタンガス
を抜かないうちにＰＶＣシースで被覆す ゛ると、
被覆後にケーブルから放散したメタンガスがコアとＰＶ
Ｃシースとの間にたまり、内圧を上昇させ、ＰＶＣシー
スを膨らませ、Ｃ■ケーブルの品質を低下させてしまう
ものである。
１１３ＣＨ３ α−メチルスチレン 水蒸気従来は該メ
タンガスの放散処理は特に行われていなかった。このた
め、完成した電カケープルにおいて逃げ場をなくしたメ
タンガスが、ＰＶＣシース７の内圧を上昇させ、ＰＶＣ
シース７を膨らませるという不都合が生じている。ＰＶ
Ｃシースを膨らませるメタンガスがケーブルコアを抜け
るには、絶縁層が厚くなるほど時間がかかる。メタンガ
スが一定量以下になるまでケーブルコアからメタンガス
を抜かないうちにＰＶＣシースで被覆す ゛ると、
被覆後にケーブルから放散したメタンガスがコアとＰＶ
Ｃシースとの間にたまり、内圧を上昇させ、ＰＶＣシー
スを膨らませ、Ｃ■ケーブルの品質を低下させてしまう
ものである。
［発明の目的］
本発明は、このような問題を解決するためになされたも
ので、ＸＬＰＥ絶縁体の架橋剤の分解物であるメタンガ
スによる電カケープルのＰＶＣシースの膨れを防ぎ、高
品質のＣＶケーブルを提供することを目的とする。
ので、ＸＬＰＥ絶縁体の架橋剤の分解物であるメタンガ
スによる電カケープルのＰＶＣシースの膨れを防ぎ、高
品質のＣＶケーブルを提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
このような目的を達成するために、本発明の架橋ポリエ
チレン絶縁ケーブルにおいては、架橋剤としてジクミル
パーオキサイドで化学架橋させた架橋ポリエチレン絶縁
ケーブルの内外半導電層を含む絶縁体内の残留メタンガ
ス濃度をＱ、 １ ｍＱ／ｇ以下とする。また、その方
法としては、内外半導電層を含む絶縁体を押出し後ＰＶ
Ｃシースで被覆する前に加熱処理することにより、残留
メタンガス濃度が０．１ｍｆｌ／ｇ以下である架橋ポリ
エチレン絶縁ケーブルを製造する。
チレン絶縁ケーブルにおいては、架橋剤としてジクミル
パーオキサイドで化学架橋させた架橋ポリエチレン絶縁
ケーブルの内外半導電層を含む絶縁体内の残留メタンガ
ス濃度をＱ、 １ ｍＱ／ｇ以下とする。また、その方
法としては、内外半導電層を含む絶縁体を押出し後ＰＶ
Ｃシースで被覆する前に加熱処理することにより、残留
メタンガス濃度が０．１ｍｆｌ／ｇ以下である架橋ポリ
エチレン絶縁ケーブルを製造する。
ＰＶＣシースの膨らみと、内外半導電層を含む絶縁体中
のメタンガス濃度との関係を詳細に検討した結果、内外
半導電層を含む絶縁体中の残留メタンガス濃度を０．１
＋ｎＱ／ｇ以下に処理したＣ■ケーブルにおいては、絶
縁層の厚さに関係なくＰＶＣシースは膨れないことが判
明した。そこで、内外半導電層を含むＣｖケーブル中の
残留メタンガス濃度を０ 、１ ｒｎ ｎ ／ ｇ以下
にした後、ｐｖｃシースで被覆し、所望のＸＬＰＥ絶縁
ケーブルを得る。
のメタンガス濃度との関係を詳細に検討した結果、内外
半導電層を含む絶縁体中の残留メタンガス濃度を０．１
＋ｎＱ／ｇ以下に処理したＣ■ケーブルにおいては、絶
縁層の厚さに関係なくＰＶＣシースは膨れないことが判
明した。そこで、内外半導電層を含むＣｖケーブル中の
残留メタンガス濃度を０ 、１ ｒｎ ｎ ／ ｇ以下
にした後、ｐｖｃシースで被覆し、所望のＸＬＰＥ絶縁
ケーブルを得る。
また、残留メタンガス濃度をＱ、１ｍｌ／ｇ以下に放散
処理する方法としては、６０℃、数日間の加熱によって
行うものである。なお、加熱温度は、６０℃より高すぎ
ると絶縁体が傷められ、変形する恐れがある。３０℃よ
り低すぎると加熱時間がかかりすぎ、実用的ではない。
処理する方法としては、６０℃、数日間の加熱によって
行うものである。なお、加熱温度は、６０℃より高すぎ
ると絶縁体が傷められ、変形する恐れがある。３０℃よ
り低すぎると加熱時間がかかりすぎ、実用的ではない。
６０℃で加熱する時の加熱時間は、絶縁体の厚さによっ
て異なるが、厚さ１０ｎｗｎのものでは、４日間が最適
である。
て異なるが、厚さ１０ｎｗｎのものでは、４日間が最適
である。
上記のような方法でＣｖケーブル中の残量メタンガスに
よるＰＶＣシースの膨れを防止することができる。
よるＰＶＣシースの膨れを防止することができる。
［実施例］
６６ｋｖ級Ｃｖケーブルにおいて、コア押出し直後のケ
ーブルおよびコア押出し後の加熱処理により残留メタン
ガス濃度を減少させたケーブルをＰＶＣシースで被覆し
く両端はめくらキャップをほどこした１０ｍケーブル）
ＣＶケーブルを得た。
ーブルおよびコア押出し後の加熱処理により残留メタン
ガス濃度を減少させたケーブルをＰＶＣシースで被覆し
く両端はめくらキャップをほどこした１０ｍケーブル）
ＣＶケーブルを得た。
該Ｃｖケーブルをそれぞれ４０℃の恒温槽内で３０日加
熱して、ＰＶＣシースの膨らみを比較した。４０℃の恒
温層内で３０日間加熱する前と後のＰＶＣシースの膨ら
みを測定し、比較した結果は第１表のとうりであった。
熱して、ＰＶＣシースの膨らみを比較した。４０℃の恒
温層内で３０日間加熱する前と後のＰＶＣシースの膨ら
みを測定し、比較した結果は第１表のとうりであった。
即ち、加熱処理により、残留メタンガス濃度を０．１ｍ
ｆｌ／ｇ以下にしたケーブルではｐｖｃシースの膨らみ
は認められなかった。
ｆｌ／ｇ以下にしたケーブルではｐｖｃシースの膨らみ
は認められなかった。
以下余白
第１表
［発明の効果］
以上の説明からも明らかなように、本発明の架橋ポリエ
チレン絶縁ケーブルおよびその製造方法によれば、内外
半導電層を含む絶縁体内の残留メタンガス濃度を０，１
ｍｕ／ｇ以下にしたので、ＰＶＣシースが膨らむという
製品としての不都合を除くことができ、高品質のＣ■ケ
ーブルを提供することができるようになった。
チレン絶縁ケーブルおよびその製造方法によれば、内外
半導電層を含む絶縁体内の残留メタンガス濃度を０，１
ｍｕ／ｇ以下にしたので、ＰＶＣシースが膨らむという
製品としての不都合を除くことができ、高品質のＣ■ケ
ーブルを提供することができるようになった。
図面は、本発明の対象であるＣｖケーブルの一例を示す
斜視図である。 １ ・・・・・・・・・導体 ２．２′・・・半導電層テープ ３ ・・・・・・・・・絶縁体 ４ ・・・・・・・・遮蔽銅テープ ５ ・・・・・・・・・介在 ６ ・・・・・・・・・押えテープ ７ ・・・・・・・・・ＰＶＣシース
斜視図である。 １ ・・・・・・・・・導体 ２．２′・・・半導電層テープ ３ ・・・・・・・・・絶縁体 ４ ・・・・・・・・遮蔽銅テープ ５ ・・・・・・・・・介在 ６ ・・・・・・・・・押えテープ ７ ・・・・・・・・・ＰＶＣシース
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、架橋剤としてジクミルパーオキサイドで化学架橋さ
せた架橋ポリエチレン絶縁ケーブルにおいて、内外半導
電層を含む絶縁体内の残留メタンガス濃度が０．１ｍｌ
／ｇ以下であることを特徴とする架橋ポリエチレン絶縁
ケーブル。 ２、架橋剤としてジクミルパーオキサイドで化学架橋さ
せた架橋ポリエチレン絶縁ケーブルを製造する方法にお
いて、内外半導電層を含む絶縁体を押出し後ＰＶＣシー
スで被覆する前に加熱処理することにより、前記内外半
導電層を含む絶縁体内の残留メタンガス濃度が０．１ｍ
ｌ／ｇ以下である架橋ポリエチレン絶縁ケーブルを製造
する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26233187A JPH01105407A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 架橋ポリエチレン絶縁ケーブルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26233187A JPH01105407A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 架橋ポリエチレン絶縁ケーブルおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105407A true JPH01105407A (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=17374284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26233187A Pending JPH01105407A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 架橋ポリエチレン絶縁ケーブルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01105407A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011515791A (ja) * | 2008-02-20 | 2011-05-19 | アーベーベー・リサーチ・リミテッド | 絶縁された高電圧直流ケーブルまたは高電圧直流終端部または接続部を設けるための方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54114782A (en) * | 1978-02-27 | 1979-09-07 | Hitachi Cable Ltd | Electric wire and cable |
| JPS6222313A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-30 | 古河電気工業株式会社 | 遮水型架橋ポリエチレン絶縁電力ケ−ブルの製造方法 |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP26233187A patent/JPH01105407A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54114782A (en) * | 1978-02-27 | 1979-09-07 | Hitachi Cable Ltd | Electric wire and cable |
| JPS6222313A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-30 | 古河電気工業株式会社 | 遮水型架橋ポリエチレン絶縁電力ケ−ブルの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011515791A (ja) * | 2008-02-20 | 2011-05-19 | アーベーベー・リサーチ・リミテッド | 絶縁された高電圧直流ケーブルまたは高電圧直流終端部または接続部を設けるための方法 |
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