JPH01105588A - 半導体レーザ出力調整装置 - Google Patents
半導体レーザ出力調整装置Info
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- JPH01105588A JPH01105588A JP62263042A JP26304287A JPH01105588A JP H01105588 A JPH01105588 A JP H01105588A JP 62263042 A JP62263042 A JP 62263042A JP 26304287 A JP26304287 A JP 26304287A JP H01105588 A JPH01105588 A JP H01105588A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0427—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は半導体レーザの出力制御装置における半導体レ
ーザ出力調整方法に関する。
ーザ出力調整方法に関する。
(従来技術)
半導体レーザの出力強度は温度に対して非常に不安定で
ある為、半導体レーザの周囲温度が変化する環境下では
半導体レーザの出力制御装置等により半導体レーザの出
力強度を安定化させる必要がある。半導体レーザの出力
制御装置にはカウンタを用いる方式があり、第2図はそ
の方式の一例を採用したレーザプリンタの一例を示す。
ある為、半導体レーザの周囲温度が変化する環境下では
半導体レーザの出力制御装置等により半導体レーザの出
力強度を安定化させる必要がある。半導体レーザの出力
制御装置にはカウンタを用いる方式があり、第2図はそ
の方式の一例を採用したレーザプリンタの一例を示す。
半導体レーザ1より前方に射出されたレーザビームはカ
ップリングレンズ、例えばコリメータレンズ2を介して
回転多面鏡よりなる光走査装置3で偏向され、fθレン
ズ4により感光体ドラム5の帯電された表面に結像され
てその結像スポットが回転多面鏡3の回転で矢印X方向
に反復して移動すると同時に感光体ドラム5が回転する
。光検出器6は情報書き込み領域外に設けられ、@転多
面鏡3で偏向されたレーザビームを検出して同期信号を
発生する。信号処理回路7は光検出器6からの同期信号
により情報信号をタイミング制御して半導体レーーザ駆
動”回路8に変調信号として印加する。゛半導体レーザ
駆動回路8は信号処理回路7からの変調信号により半導
体レーザ1を駆動し、したがって情報信号で変調された
レーザビームが感光体ドラム5に照射されて静電潜像が
形成される。この静電潜像は現像器で現像されて転写器
で紙等に転写される。また半導体レード1から後方に出
射されたレーザビームは光検出器9に入射してその光強
度が検出され、制御回路10が光検出器9の出力信号に
応じて半導体レーザ駆動回路8を制御して半導体レーザ
1の出力強度を一定に制御する。
ップリングレンズ、例えばコリメータレンズ2を介して
回転多面鏡よりなる光走査装置3で偏向され、fθレン
ズ4により感光体ドラム5の帯電された表面に結像され
てその結像スポットが回転多面鏡3の回転で矢印X方向
に反復して移動すると同時に感光体ドラム5が回転する
。光検出器6は情報書き込み領域外に設けられ、@転多
面鏡3で偏向されたレーザビームを検出して同期信号を
発生する。信号処理回路7は光検出器6からの同期信号
により情報信号をタイミング制御して半導体レーーザ駆
動”回路8に変調信号として印加する。゛半導体レーザ
駆動回路8は信号処理回路7からの変調信号により半導
体レーザ1を駆動し、したがって情報信号で変調された
レーザビームが感光体ドラム5に照射されて静電潜像が
形成される。この静電潜像は現像器で現像されて転写器
で紙等に転写される。また半導体レード1から後方に出
射されたレーザビームは光検出器9に入射してその光強
度が検出され、制御回路10が光検出器9の出力信号に
応じて半導体レーザ駆動回路8を制御して半導体レーザ
1の出力強度を一定に制御する。
第3図は上記半導体レーザ駆動回路8及び制御回路10
を詳細に示す。
を詳細に示す。
半導体レーザ1から後方に射出されたレーザビームは半
導体レーザ1と一緒に一つのユニットに構成されている
フォトダイオードよりなる光検出器9に入射し、フォト
ダイオード9はそのレーザビームの強度に比例した電流
を出力する。この電流は増幅器11により電圧に変換さ
れ、比較器12で可変基準電源からの基準電圧V re
fと比較される。゛比較器12の出力電圧は比較器12
の面入力電圧の大小関係により高レベル又は低、レベル
となり、アップダウンカウンタ13のカウントモードを
制御する。例えば半導体レーザ1からのレーザビームの
強度が基準値より弱い時には比較器12の出力が低レベ
ルになり、アップダウンカウンタ13はアップカウンタ
として動作する状態となる。タイミング信号T□により
エツジ検出回路14がアップダウンカウンタ13へのデ
ィスエーブル状態を解除すると、半導体レーザ1のパワ
ーセット(出力強度の設定)が行われる。即ちアップダ
ウンカウンタ13は発振器15からのクロック信号によ
りその計数値が増加して行く。このアップダウンカウン
タ13の計数出力はディジタル/アナログ変換器16で
アナログ量に変換されて半導体レーザ駆動回路8に入力
される。半導体レーザ駆動回路8は信号処理回路7から
の変調信号により半導体レーザ1を駆動するが、その駆
動電流をディジタル/アナログ変換器16の出力に応じ
て変化させる。したがってアップダウンカウンタ13の
計数値が徐々に増、加することにより半導体レーザ1か
らのレーザビームの強度が徐々に増加し、増幅器11の
出力が増加する。そして比較器12の出力が低レベルか
ら高レベルに反転すると、エツジ検出回路14が比較器
12の出力の立上りエツジを検出してアップダウンカウ
ンタ13をディスエーブル状態にする。よってアップダ
ウンカウンタ13は計数値を保持し、半導体レーザ1の
駆動電流の大きさがそのまま保持される。またタイミン
グ信号T□によりエツジ検出回路14がアップダウンカ
ウンタ13のディスエーブル状態を解除した時に比較器
12の出力が高レベルであれば(半導体レーザの出力強
度が強ければ)アップダウンカウンタ13はダウンカウ
ンタとして動作し、発振器15からのクロック信号によ
り計数値が減少して゛行く。よってディジタル/アナロ
グ変換器16の出力が減少して半導体レーザ1の駆動電
流が減少し、増幅器11の出力が減少する。そして増幅
器11の出力が基準電圧Vrefより小さくなって比較
器12の出力が高レベルから低レベルに反転すると、エ
ツジ検出回路14は比較器12の出力の立ち下がりエツ
ジを検出してアップダウンカウンタ13をディスエーブ
ル状態にする。
導体レーザ1と一緒に一つのユニットに構成されている
フォトダイオードよりなる光検出器9に入射し、フォト
ダイオード9はそのレーザビームの強度に比例した電流
を出力する。この電流は増幅器11により電圧に変換さ
れ、比較器12で可変基準電源からの基準電圧V re
fと比較される。゛比較器12の出力電圧は比較器12
の面入力電圧の大小関係により高レベル又は低、レベル
となり、アップダウンカウンタ13のカウントモードを
制御する。例えば半導体レーザ1からのレーザビームの
強度が基準値より弱い時には比較器12の出力が低レベ
ルになり、アップダウンカウンタ13はアップカウンタ
として動作する状態となる。タイミング信号T□により
エツジ検出回路14がアップダウンカウンタ13へのデ
ィスエーブル状態を解除すると、半導体レーザ1のパワ
ーセット(出力強度の設定)が行われる。即ちアップダ
ウンカウンタ13は発振器15からのクロック信号によ
りその計数値が増加して行く。このアップダウンカウン
タ13の計数出力はディジタル/アナログ変換器16で
アナログ量に変換されて半導体レーザ駆動回路8に入力
される。半導体レーザ駆動回路8は信号処理回路7から
の変調信号により半導体レーザ1を駆動するが、その駆
動電流をディジタル/アナログ変換器16の出力に応じ
て変化させる。したがってアップダウンカウンタ13の
計数値が徐々に増、加することにより半導体レーザ1か
らのレーザビームの強度が徐々に増加し、増幅器11の
出力が増加する。そして比較器12の出力が低レベルか
ら高レベルに反転すると、エツジ検出回路14が比較器
12の出力の立上りエツジを検出してアップダウンカウ
ンタ13をディスエーブル状態にする。よってアップダ
ウンカウンタ13は計数値を保持し、半導体レーザ1の
駆動電流の大きさがそのまま保持される。またタイミン
グ信号T□によりエツジ検出回路14がアップダウンカ
ウンタ13のディスエーブル状態を解除した時に比較器
12の出力が高レベルであれば(半導体レーザの出力強
度が強ければ)アップダウンカウンタ13はダウンカウ
ンタとして動作し、発振器15からのクロック信号によ
り計数値が減少して゛行く。よってディジタル/アナロ
グ変換器16の出力が減少して半導体レーザ1の駆動電
流が減少し、増幅器11の出力が減少する。そして増幅
器11の出力が基準電圧Vrefより小さくなって比較
器12の出力が高レベルから低レベルに反転すると、エ
ツジ検出回路14は比較器12の出力の立ち下がりエツ
ジを検出してアップダウンカウンタ13をディスエーブ
ル状態にする。
したがってアップダウンカウンタ13が計数値を保持す
ることになり、半導体レーザ1の駆動電流の大きさがそ
のまま保持される。ζこにエツジ検出回路14.jよタ
イミング信号T1によりアップダウンカウンタ13のデ
ィスエーブル状態を解除して比較器12の出力が低レベ
ルから高レベルに反転した時にのみアップダウンカウン
タ13をディスエーブル状態にするように構成しておけ
ば比較器12の出力が低レベルでタイミング信号T工に
より、アップダウンカウンタ13のディスエーブル状態
が解除さ九ている時に比較器12の出力が低レベルから
高レベルに反転すると、アップダウンカウンタ13はデ
ィスエーブル状態になって計数値を保持する。比較器1
2の出力が高レベルでタイミング信号Tユによりアップ
ダウンカウンタ13のディスエーブル状態が解除されて
いる時に比較器12の出力が高レベルから低レベルにな
ると、アップダウンカウンタ13はディスエーブル状態
が解除されたままで比較器12の出力によりアップカウ
ンタとして動作することになる。そして半導体レーザ1
の駆動電流が増加して比較器12の出力が低レベルから
高レベルに反転すると、エツジ検出回路14がその立上
りエツジを検出してアップダウンカウンタ13をディス
エーブル状態にし、その計数値を保持させる。上記タイ
ミング信号T工はフレーム同期信号の立上りエツジを検
出して作ったプリントエンド信号等が用いられ、フレー
ム記録時等に半導体レーザのパワーセット(出力強度の
設定)が行われる。また半導体レーザ1の出力強度は基
準信号Vrafを可変することによって調整される。
ることになり、半導体レーザ1の駆動電流の大きさがそ
のまま保持される。ζこにエツジ検出回路14.jよタ
イミング信号T1によりアップダウンカウンタ13のデ
ィスエーブル状態を解除して比較器12の出力が低レベ
ルから高レベルに反転した時にのみアップダウンカウン
タ13をディスエーブル状態にするように構成しておけ
ば比較器12の出力が低レベルでタイミング信号T工に
より、アップダウンカウンタ13のディスエーブル状態
が解除さ九ている時に比較器12の出力が低レベルから
高レベルに反転すると、アップダウンカウンタ13はデ
ィスエーブル状態になって計数値を保持する。比較器1
2の出力が高レベルでタイミング信号Tユによりアップ
ダウンカウンタ13のディスエーブル状態が解除されて
いる時に比較器12の出力が高レベルから低レベルにな
ると、アップダウンカウンタ13はディスエーブル状態
が解除されたままで比較器12の出力によりアップカウ
ンタとして動作することになる。そして半導体レーザ1
の駆動電流が増加して比較器12の出力が低レベルから
高レベルに反転すると、エツジ検出回路14がその立上
りエツジを検出してアップダウンカウンタ13をディス
エーブル状態にし、その計数値を保持させる。上記タイ
ミング信号T工はフレーム同期信号の立上りエツジを検
出して作ったプリントエンド信号等が用いられ、フレー
ム記録時等に半導体レーザのパワーセット(出力強度の
設定)が行われる。また半導体レーザ1の出力強度は基
準信号Vrafを可変することによって調整される。
このレーザプリンタにおける半導体レーザの出力制御装
置にあっては半導体レーザ1と光検出器9とが1つのユ
ニットになっているが、半導体レーザ1の取り付は位置
や後方出力光の広がり角にバラツキがあり、かつ光検出
Im9の感度にもバラツキがあって半導体レーザ1の出
力強度と光検出器9の出力電流との関係にバラツキがあ
った。このためユーザが上記ユニットを劣化により交換
する時などには感光体ドラム3の位置にパワーメータを
設置してこのパワーメータで半導体レーザ1の出力強度
を測定しながら基準信号V refを可変して半導体レ
ーザlの出力強度を調整するという方法を採っていた。
置にあっては半導体レーザ1と光検出器9とが1つのユ
ニットになっているが、半導体レーザ1の取り付は位置
や後方出力光の広がり角にバラツキがあり、かつ光検出
Im9の感度にもバラツキがあって半導体レーザ1の出
力強度と光検出器9の出力電流との関係にバラツキがあ
った。このためユーザが上記ユニットを劣化により交換
する時などには感光体ドラム3の位置にパワーメータを
設置してこのパワーメータで半導体レーザ1の出力強度
を測定しながら基準信号V refを可変して半導体レ
ーザlの出力強度を調整するという方法を採っていた。
しかしこの方法では調整が面倒であり、またユーザの使
用する市販のパワーメータ自体のバラツキにより半導体
レーザの出力強度を正確に調整することができない。
用する市販のパワーメータ自体のバラツキにより半導体
レーザの出力強度を正確に調整することができない。
(目 的)
本発明は上記欠点を改善し、半導体レーザの出力強度の
調整を簡単かつ正確に行うことができる半導体レーザ出
力調整方法を提供することを目的とする。
調整を簡単かつ正確に行うことができる半導体レーザ出
力調整方法を提供することを目的とする。
(構 成)
本発明は出力光をカップリングレンズを介して出力する
半導体レーザと、この半導体レーザの出力強度を検出す
る光検出器と、この光検出器の出力信号が入力される増
M器と、基準信号を発生する基準信号発生器と、この基
準信号発生器からの基準信号と上記増幅器の出力信号を
比較する比較器と、この比較器の出力信号に応じて上記
半導体レーザの駆動電流を増減させて上記半導体レーザ
の出力強度を制御する手段とを有する半導体レーザの出
力制御装置において、少なくとも上記半導体レーザ、光
検出器、増幅器及び基準信号発生器と、上記増幅器の出
力信号を可変する調整手段とを1つのユニットに構成し
、上記調整手段により°上記半導体レーザの出力強度を
調整する。
半導体レーザと、この半導体レーザの出力強度を検出す
る光検出器と、この光検出器の出力信号が入力される増
M器と、基準信号を発生する基準信号発生器と、この基
準信号発生器からの基準信号と上記増幅器の出力信号を
比較する比較器と、この比較器の出力信号に応じて上記
半導体レーザの駆動電流を増減させて上記半導体レーザ
の出力強度を制御する手段とを有する半導体レーザの出
力制御装置において、少なくとも上記半導体レーザ、光
検出器、増幅器及び基準信号発生器と、上記増幅器の出
力信号を可変する調整手段とを1つのユニットに構成し
、上記調整手段により°上記半導体レーザの出力強度を
調整する。
第1図は本発明を適用した半導体レーザの出力制御装置
の一例を示す。
の一例を示す。
この例は前記レーザプリンタにおける半導体レーザの出
力制御装置において、半導体レーザ1゜光検出器9、増
幅器11及び調整手段17と、基準信号V refを発
生する基準信号発生器21とを1つのユニット18に構
成してこのユニット18をその劣化などにより交換でき
るようにし、増幅器11の出力信号及び基準信号発生5
321からの基準信号V refを比較器12に印加す
るようにしたものである。
力制御装置において、半導体レーザ1゜光検出器9、増
幅器11及び調整手段17と、基準信号V refを発
生する基準信号発生器21とを1つのユニット18に構
成してこのユニット18をその劣化などにより交換でき
るようにし、増幅器11の出力信号及び基準信号発生5
321からの基準信号V refを比較器12に印加す
るようにしたものである。
調整手段17は増幅a11のゲインを可変するもので、
増幅器11の出力端子と反転入力端子との間に接続され
た可変抵抗よりなる。ユニット18はメーカが生産して
半導体レーザ1の出力強度を調整してからユーザに渡さ
れ、その調整では半導体レーザ1の出力強度をパワーメ
ータで測定しながら可変抵抗17により増幅器11のゲ
インをl111L、て半導体レーザ1の出力が所要の強
度になった時に増幅器11の出力信号が基準信号Vre
fと一致するようにする。したがってこの調整はメーカ
が同一のパワーメータを用いて正確に行うことができ、
又ユーザはユニット18の劣化による交換時などには半
導体レーザ1の出力強度を調整する必要がなくなり、半
導体レーザ1の出力強度の調整が簡単になる。また基準
信号発生器21は第6図に示すように電源Vccとアー
スとの間に抵抗22とツェナーダイオード23を直列に
接続してその接続点から基準信号V refを得るもの
である。この基準信号発生器21をユニット18内に設
けたので、ユーザは基準信号V refを調整する必要
がなくなり、その調整誤差を排除できる。
増幅器11の出力端子と反転入力端子との間に接続され
た可変抵抗よりなる。ユニット18はメーカが生産して
半導体レーザ1の出力強度を調整してからユーザに渡さ
れ、その調整では半導体レーザ1の出力強度をパワーメ
ータで測定しながら可変抵抗17により増幅器11のゲ
インをl111L、て半導体レーザ1の出力が所要の強
度になった時に増幅器11の出力信号が基準信号Vre
fと一致するようにする。したがってこの調整はメーカ
が同一のパワーメータを用いて正確に行うことができ、
又ユーザはユニット18の劣化による交換時などには半
導体レーザ1の出力強度を調整する必要がなくなり、半
導体レーザ1の出力強度の調整が簡単になる。また基準
信号発生器21は第6図に示すように電源Vccとアー
スとの間に抵抗22とツェナーダイオード23を直列に
接続してその接続点から基準信号V refを得るもの
である。この基準信号発生器21をユニット18内に設
けたので、ユーザは基準信号V refを調整する必要
がなくなり、その調整誤差を排除できる。
第4図は本発明を適用した半導体レーザの出力制御装置
の他の例を示す、この例は上記第1図の例において半導
体レーザ1.光検出器9、増幅器11、可変抵抗17、
基準信号発生器21の他にカップリングレンズ2も含め
て1つのユニット19に構成してこのユニット19を交
換可能にしたものである。ユニット19はメーカが生産
してカップリングレンズ2の出力強度を調整してからユ
ーザに渡され、その調整ではカップリングレンズ2の出
力強度をパワーメータで測定しながら可変抵抗17によ
り増幅器11のゲインを調整してカップリングレンズ2
の出力光が所要の強度になった時に増幅器11の出力信
号が基準信号V refと一致するように半導体レーザ
1の出力強度を調整する。このようにすれば半導体レー
ザ1の出力光発散角のバラツキによるカップリングレン
ズ2の出力強度のバラツキも除去することができる。
の他の例を示す、この例は上記第1図の例において半導
体レーザ1.光検出器9、増幅器11、可変抵抗17、
基準信号発生器21の他にカップリングレンズ2も含め
て1つのユニット19に構成してこのユニット19を交
換可能にしたものである。ユニット19はメーカが生産
してカップリングレンズ2の出力強度を調整してからユ
ーザに渡され、その調整ではカップリングレンズ2の出
力強度をパワーメータで測定しながら可変抵抗17によ
り増幅器11のゲインを調整してカップリングレンズ2
の出力光が所要の強度になった時に増幅器11の出力信
号が基準信号V refと一致するように半導体レーザ
1の出力強度を調整する。このようにすれば半導体レー
ザ1の出力光発散角のバラツキによるカップリングレン
ズ2の出力強度のバラツキも除去することができる。
上述の第1図、第4図の例において増幅器11のゲイン
を調整する可変抵抗17の代りに第5図に示すように増
幅器11の入力信号を調整する可変抵抗20を調整手段
として設け、この可変抵抗20で同様に出力光を所要の
強度に調整するようにしてもよい。
を調整する可変抵抗17の代りに第5図に示すように増
幅器11の入力信号を調整する可変抵抗20を調整手段
として設け、この可変抵抗20で同様に出力光を所要の
強度に調整するようにしてもよい。
(効 果)
以上のように本発明によれば出力光をカップリングレン
ズを介して出力する半導体レーザと、この半導体レーザ
の出力強度を検出する光検出器と、この光検出器の出力
信号が入力される増幅器と、基準信号を発生する基準信
号発生器と、この基準信号発生器からの基準信号と上記
増幅器の出力信号を比較する比較器と、この比較器の出
力信号に応じて上記半導体レーザの駆動電流を増減させ
て上記半導体レーザの出力強度を制御する手段とを有す
る半導体レーザの出力制御装置において、少なくとも上
記半導体レーザ、光検出器、増幅器及び基準信号発生器
と、上記増幅器の出力信号を可変する調整手段とを1つ
のユニットに構成し、上記調整手段により上記半導体レ
ーザの出力強度を調整するので、半導体レーザの出力強
度の調整を簡単かつ正確に行うことがで゛きる。またユ
ニット内の基準信号発生器から基準信号を供給するので
、ユーザによる基準信号の調整が不必要となり、安価に
できる。
ズを介して出力する半導体レーザと、この半導体レーザ
の出力強度を検出する光検出器と、この光検出器の出力
信号が入力される増幅器と、基準信号を発生する基準信
号発生器と、この基準信号発生器からの基準信号と上記
増幅器の出力信号を比較する比較器と、この比較器の出
力信号に応じて上記半導体レーザの駆動電流を増減させ
て上記半導体レーザの出力強度を制御する手段とを有す
る半導体レーザの出力制御装置において、少なくとも上
記半導体レーザ、光検出器、増幅器及び基準信号発生器
と、上記増幅器の出力信号を可変する調整手段とを1つ
のユニットに構成し、上記調整手段により上記半導体レ
ーザの出力強度を調整するので、半導体レーザの出力強
度の調整を簡単かつ正確に行うことがで゛きる。またユ
ニット内の基準信号発生器から基準信号を供給するので
、ユーザによる基準信号の調整が不必要となり、安価に
できる。
第1図は本発明を適用した半導体レーザの出力制御装置
の一例を示すブロック図、第2図はレーザプリンタの一
例を示すブロック図、第3図は同レーザプリンタの一部
を詳細に示すブロック図、第4図は本発明を適用した半
導体レーザの出力制御装置の他の例を示すブロック図、
第5図は本発明の詳細な説明するための回路図、第6図
は基準信号発生器の一例を示す回路図である。 1・・・半導体レーザ、8・・・半導体レーザ駆動回路
、9・・・光検出器、11・・・増幅器、12・・・比
較器、13・・・アップダウンカウンタ、14・・・エ
ツジ検出回路、15・・・発振器、16・・・ディジタ
ル/アナログ変換器、17.20・・・調整手段、18
.19・・・ユニット、21・・・基準信号発生器。 % 5 図 第6図 手続補正書
の一例を示すブロック図、第2図はレーザプリンタの一
例を示すブロック図、第3図は同レーザプリンタの一部
を詳細に示すブロック図、第4図は本発明を適用した半
導体レーザの出力制御装置の他の例を示すブロック図、
第5図は本発明の詳細な説明するための回路図、第6図
は基準信号発生器の一例を示す回路図である。 1・・・半導体レーザ、8・・・半導体レーザ駆動回路
、9・・・光検出器、11・・・増幅器、12・・・比
較器、13・・・アップダウンカウンタ、14・・・エ
ツジ検出回路、15・・・発振器、16・・・ディジタ
ル/アナログ変換器、17.20・・・調整手段、18
.19・・・ユニット、21・・・基準信号発生器。 % 5 図 第6図 手続補正書
Claims (1)
- 出力光をカップリングレンズを介して出力する半導体レ
ーザと、この半導体レーザの出力強度を検出する光検出
器と、この光検出器の出力信号が入力される増幅器と、
基準信号を発生する基準信号発生器と、この基準信号発
生器からの基準信号と上記増幅器の出力信号を比較する
比較器と、この比較器の出力信号に応じて上記半導体レ
ーザの駆動電流を増減させて上記半導体レーザの出力強
度を制御する手段とを有する半導体レーザの出力制御装
置において、少なくとも上記半導体レーザ、光検出器、
増幅器及び基準信号発生器と、上記増幅器の出力信号を
可変する調整手段とを1つのユニットに構成し、上記調
整手段により上記半導体レーザの出力強度を調整するこ
とを特徴とする半導体レーザ出力調整方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263042A JP2672527B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 半導体レーザ出力調整装置 |
| US07/258,479 US4926433A (en) | 1987-10-19 | 1988-10-17 | Semiconductor laser unit |
| KR1019880013644A KR920001454B1 (ko) | 1987-10-19 | 1988-10-19 | 반도체레이저유니트 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263042A JP2672527B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 半導体レーザ出力調整装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105588A true JPH01105588A (ja) | 1989-04-24 |
| JP2672527B2 JP2672527B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=17384058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62263042A Expired - Lifetime JP2672527B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 半導体レーザ出力調整装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2672527B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2839889B2 (ja) | 1987-11-11 | 1998-12-16 | 株式会社リコー | 半導体レーザユニツト |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239085A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Toshiba Corp | レ−ザ−発光ユニツト |
| JPS61174794A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Ricoh Co Ltd | レ−ザプリンタの光源ユニツト |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP62263042A patent/JP2672527B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239085A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Toshiba Corp | レ−ザ−発光ユニツト |
| JPS61174794A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Ricoh Co Ltd | レ−ザプリンタの光源ユニツト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2672527B2 (ja) | 1997-11-05 |
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