JPH01106437A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH01106437A
JPH01106437A JP62264172A JP26417287A JPH01106437A JP H01106437 A JPH01106437 A JP H01106437A JP 62264172 A JP62264172 A JP 62264172A JP 26417287 A JP26417287 A JP 26417287A JP H01106437 A JPH01106437 A JP H01106437A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
ceramic substrate
lead
plane
conductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP62264172A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahide Yamauchi
山内　眞英
Tetsuo Mori
哲郎 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH01106437A publication Critical patent/JPH01106437A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 乙の発明は、高周波用半導体装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第４図は従来の半導体装置を示す斜視図であり、図（と
おいて、１はセラミック基板、２及び３，４はこのセラ
ミック基板１の表面導体部（図示せず）に接合された入
力リード及び出力リード、電源リードであり、５は上記
セラミック基板１の表面導体部（図示せず）に半田（図
示せず）等で接合された半導体素子、６はこの半導体素
子５の電極（図示せず）と上記セラミック基板１の表面
導体（図示せず）とを電気的に接続する金属からなる細
線である。
次に動作について説明する。入力リード２により高周波
信号が入り、セラミック基板１上の導体及び細線６を経
由して半導体素子５に印加される。
半導体素子５には電源リード４より電力が供給されてい
るので、所望の信号増幅が行われる。そしてこの増幅さ
れた信号は出力リード３より外部へ取り出される。
［発明が解決しようとする問題点〕 従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
半導体素子５とセラミック基板１との電気的接合のため
に金属網Ｉ１６を使用しなければならず、１０ＧＨｚ以
上の高周波動作においては、金属細線のインダクタンス
が大きく、かつワイヤ長のバラツキのため、インダクタ
ンスのバラツキが大きくなり、所望の特性が得られない
などの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体素子とセラミック基板導体間のインダ
クタンスを減少できるとともに、バラツキをも少なくで
きる高周波用半導体装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、セラミック基板に凹部を
形成し、この凹部内に半導体素子を接合するとともに、
半導体素子の電極とセラミック基板上の導体を表面積の
大きい平面リードで結線したものである。
〔作用〕
この発明におけるセラミック基板の凹部への半導体素子
接合は、セラミック基板上の導体面と半導体素子の表面
をほぼ同一平面上に形成できるため、リード線長を最短
にできるとともに、平面リードを取り付けるため結線後
のリード長を一定にすることができる。
〔実施例〕 以下この発明の一実施例を図について説明する。
第１図、第２図において、１〜４は上記従来例のものと
同様であり、８は上記セラミック基板１に設けられた凹
部で、５はこの凹部内に半田等で接着された半導体素子
、７はこの半導体素子５の電極（図示せず）と上記セラ
ミック基板１上の導体（図示せず）とを電気的に接続す
る平面リードである。
次に動作について説明する。入力リード２より高周波信
号が入り、セラミック基板１Ｌの導体及び平面リード７
を経由して半導体素子に印加される。半導体素子５には
、電源リード４より電力が供給されているので、所望の
信号増幅が行われる。
増幅された信号は、出力リード３より外部へ取り出され
る。
なお上記実施例では、平面リード７の形状は長方形のも
のを示したが、第３図に示す如く、リードインダクタン
スを減少させかつ面積の小さい半　　。
導体素子の電極との接合を確実にするために、先端のみ
細くした凸部９を設けてもよい。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、セラミック基板に凹部
を設け、この凹部内に半導体素子を実装するようにした
ので、半導体素子表面とセラミック基板表面が同一面に
形成でき、かつ平面リードを採用したため、ソース又は
エミッターインダクタンスを著しく減少させるとともに
、バラツキをも減少でき高周波特性の良好な半導体装置
が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す斜
視図、第２図はその要部の断面図、第３図はこの発明の
他の実施例を示す上面図、第４図は従来の半導体装置の
斜視図、第５図はその一部を示す断面図である。 図中、１はセラミック基板、２は入力リード、３は出力
リード、４は電源リード、５は半導体素子、７は平面リ
ード、８は凹部、９は平面リードの凸部である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）セラミック基板上に凹部を設け、この凹部内に半
    導体素子を接合するとともに、上記半導体素子の電極と
    セラミック基板上の導体を平面リードで接続したことを
    特徴とする半導体装置。
  2. （２）上記平面リードの先端に凸部を設けたことを特徴
    とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
JP62264172A 1987-10-19 1987-10-19 半導体装置 Pending JPH01106437A (ja)

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