JPH01106501A - マイクロ波ミリ波モジュール - Google Patents
マイクロ波ミリ波モジュールInfo
- Publication number
- JPH01106501A JPH01106501A JP62263194A JP26319487A JPH01106501A JP H01106501 A JPH01106501 A JP H01106501A JP 62263194 A JP62263194 A JP 62263194A JP 26319487 A JP26319487 A JP 26319487A JP H01106501 A JPH01106501 A JP H01106501A
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- microwave
- circuit
- bias
- millimeter wave
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
回路基板を金属基台の底部に実装したマイクロ波ミリ波
回路のモジュール構造に関し、マイクロ波回路の半導体
素子の為のバイアス回路を含めたモジュールの小形化と
、バイアス回路の高周波チョーク特性と直流バイアスの
付与の容易化を目的とし、金属基台の側壁を貫通して回
路基板に水平にマイクロ波信号を入出力する同軸水平端
子と同一面上で該同軸水平端子の垂直方向に、バイアス
回路用の遮蔽型マイクロストリップラインの気密端子を
設け、該気密端子の内部に高周波チョーク用フィルタを
ストリップ導体で作り、該バイアス回路の端子リードを
気密端子の外部で回路基板の垂直方向に取出す構造とし
たものである。
回路のモジュール構造に関し、マイクロ波回路の半導体
素子の為のバイアス回路を含めたモジュールの小形化と
、バイアス回路の高周波チョーク特性と直流バイアスの
付与の容易化を目的とし、金属基台の側壁を貫通して回
路基板に水平にマイクロ波信号を入出力する同軸水平端
子と同一面上で該同軸水平端子の垂直方向に、バイアス
回路用の遮蔽型マイクロストリップラインの気密端子を
設け、該気密端子の内部に高周波チョーク用フィルタを
ストリップ導体で作り、該バイアス回路の端子リードを
気密端子の外部で回路基板の垂直方向に取出す構造とし
たものである。
本発明は回路基板を金属基台の底部に実装したマイクロ
波ミリ波回路のモジエール構造に関し、特にマイクロ波
ミリ波回路の半導体素子に直流バイアスを与えるバイア
ス回路を含めたマイクロ波ミリ波モジュールの小形化と
バイアス回路におけるマイクロ波阻止の高周波チョーク
特性と直流バイアスの付与の容易化を目的とする。
波ミリ波回路のモジエール構造に関し、特にマイクロ波
ミリ波回路の半導体素子に直流バイアスを与えるバイア
ス回路を含めたマイクロ波ミリ波モジュールの小形化と
バイアス回路におけるマイクロ波阻止の高周波チョーク
特性と直流バイアスの付与の容易化を目的とする。
従来のマイクロ波ミリ波モジュールの構造の一例を第３
図に示す。
図に示す。
第３図のマイクロ波ミリ波モジュールは、金属基台１〇
への底部の回路基板ＩＡの表面にストリップライン等の
平面マ・イクロ波回路を設け、該マイクロ波回路のマイ
クロ波信号を、金属基台１〇への側壁を水平に貫通して
、回路基板ＩＡに水平な同軸水平端子１５Ａによって人
力／出力し、また、マイクロ波回路の半導体素子に与え
る直流バイアスは、金属基台１０Ａの底面を垂直に貫通
する同軸垂直端子１６Ａによって与えられる構造になっ
ている。
への底部の回路基板ＩＡの表面にストリップライン等の
平面マ・イクロ波回路を設け、該マイクロ波回路のマイ
クロ波信号を、金属基台１〇への側壁を水平に貫通して
、回路基板ＩＡに水平な同軸水平端子１５Ａによって人
力／出力し、また、マイクロ波回路の半導体素子に与え
る直流バイアスは、金属基台１０Ａの底面を垂直に貫通
する同軸垂直端子１６Ａによって与えられる構造になっ
ている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のマイクロ波ミリ波モジュールの構造は、上述の如
く、回路基板ＩＡの垂直方向に金属基台１〇への底面を
貫通して直流バイアス用の同軸垂直端子１６Ａを出して
いるので、その内部にマイクロ波阻止回路を実装できず
回路基板１の面に設けることになる。従って金属筐体内
部の有効利用が出来ず、そのマイクロ波阻止回路の部分
だけ内部体積が増加するのでモジュール構造が大形化す
るばかりでなく、モジュール筐体の共振周波数が低くな
り、そのためモジュールがマイクロ波ミリ波の高周波帯
で使珀が出来なくなるという問題がある。
く、回路基板ＩＡの垂直方向に金属基台１〇への底面を
貫通して直流バイアス用の同軸垂直端子１６Ａを出して
いるので、その内部にマイクロ波阻止回路を実装できず
回路基板１の面に設けることになる。従って金属筐体内
部の有効利用が出来ず、そのマイクロ波阻止回路の部分
だけ内部体積が増加するのでモジュール構造が大形化す
るばかりでなく、モジュール筐体の共振周波数が低くな
り、そのためモジュールがマイクロ波ミリ波の高周波帯
で使珀が出来なくなるという問題がある。
更に、同軸垂直端子１６Ａは構造が複雑でコスト高であ
り、該同軸垂直端子１６Ａにマイクロ波信号を阻止して
直流バイアスのみを通過させるバイアス回路として低域
通過特性又は帯域阻止特性のフィルタ特性を持たせると
尚−層複雑となるという問題がある。
り、該同軸垂直端子１６Ａにマイクロ波信号を阻止して
直流バイアスのみを通過させるバイアス回路として低域
通過特性又は帯域阻止特性のフィルタ特性を持たせると
尚−層複雑となるという問題がある。
この問題は、回路基板１を取付ける金属基台１０の底部
を垂直に貫通するバイアス回路用の同軸垂直端子１６Ａ
の代りに、マイクロ波ミリ波の入出力接続用の同軸水平
端子１５の取付く面と同一面上で同軸水平端子１５と垂
直の方向に遮蔽型ストリップ線路で形成した気密端子２
０を設け、この気密端子２０の内部にマイクロ波阻止の
フィルタ特性を持つストリップ導体２０Ｂを形成し、そ
の気密端子２０と垂直で金属基台１０の方向に外部リー
ド２１を設けたバイアス回路をもつ本発明の構造により
解決される。
を垂直に貫通するバイアス回路用の同軸垂直端子１６Ａ
の代りに、マイクロ波ミリ波の入出力接続用の同軸水平
端子１５の取付く面と同一面上で同軸水平端子１５と垂
直の方向に遮蔽型ストリップ線路で形成した気密端子２
０を設け、この気密端子２０の内部にマイクロ波阻止の
フィルタ特性を持つストリップ導体２０Ｂを形成し、そ
の気密端子２０と垂直で金属基台１０の方向に外部リー
ド２１を設けたバイアス回路をもつ本発明の構造により
解決される。
本発明の実施例のマイクロ波ミリ波モジュールの構成を
示す第１図、第２図の構造図において、■は、マイクロ
波回路の基板、 １０は、基板１を取付ける金属基台、 １５は、基板１の表面のマイクロ波回路に接続しマイク
ロ波ミリ波信号を人出力する同軸水平・端子、２０は、
同軸水平端子１５の取付く面と同一面上で同軸水平端子
１５と垂直の方向に設けられ８蔽型ストリツプ線路で形
成されるバイアス回路用の気密◇Ｗ子、 ２０Ｂは、気密端子２０の内部に設けられマイクロ波阻
止のフィルタ特性を持つストリップ導体、２１は、スト
リップ導体２０Ｂに接続され気密端子２０の外部で垂直
に金属基台１０の方向に引出した外部リードである。
示す第１図、第２図の構造図において、■は、マイクロ
波回路の基板、 １０は、基板１を取付ける金属基台、 １５は、基板１の表面のマイクロ波回路に接続しマイク
ロ波ミリ波信号を人出力する同軸水平・端子、２０は、
同軸水平端子１５の取付く面と同一面上で同軸水平端子
１５と垂直の方向に設けられ８蔽型ストリツプ線路で形
成されるバイアス回路用の気密◇Ｗ子、 ２０Ｂは、気密端子２０の内部に設けられマイクロ波阻
止のフィルタ特性を持つストリップ導体、２１は、スト
リップ導体２０Ｂに接続され気密端子２０の外部で垂直
に金属基台１０の方向に引出した外部リードである。
本発明のマイクロ波ミリ波モジュールは、金属基台１０
の底部に取付けられた回路基板１の表面に設けられたマ
イクロ波回路に水平に同軸水平端子１５を接続しマイク
ロ波ミリ波信号を入出力する。
の底部に取付けられた回路基板１の表面に設けられたマ
イクロ波回路に水平に同軸水平端子１５を接続しマイク
ロ波ミリ波信号を入出力する。
また、同軸水平端子１５の取付面と同一面上で同軸水平
端子１５と垂直の方向に遮蔽型ストリップ線路で形成さ
れる気密端子２０でバイアス回路が形成され、該気密端
子２０の外部リード２１から気密端子２０を通してマイ
クロ波回路の半導体素子に直流バイアスが与えられる。
端子１５と垂直の方向に遮蔽型ストリップ線路で形成さ
れる気密端子２０でバイアス回路が形成され、該気密端
子２０の外部リード２１から気密端子２０を通してマイ
クロ波回路の半導体素子に直流バイアスが与えられる。
バイアス回路となる気密端子２０は、マイクロ波回路に
マイクロ波ミリ波信号を入出力する同軸水平端子１５の
取付く面と同一面上で且つ同軸木平端子１５と垂直の方
向に設けられるので、モジュール筐体は小形化され、筐
体の共振周波数は高くなってマイクロ波ミリ波の高周波
帯における動作に支障は無くなり問題が解決される。
マイクロ波ミリ波信号を入出力する同軸水平端子１５の
取付く面と同一面上で且つ同軸木平端子１５と垂直の方
向に設けられるので、モジュール筐体は小形化され、筐
体の共振周波数は高くなってマイクロ波ミリ波の高周波
帯における動作に支障は無くなり問題が解決される。
また、気密端子２０の内部には、マイクロ波阻止のフィ
ルタ特性を持つストリップ導体２０Ｂが設けられる構造
になっているので、該ストリップ導体２０Ｂによりバイ
アス回路の高周波チョークとして必要なフィルタ特性を
自由に持たすことが出来るのでマイクロ波阻止の問題は
解決される。
ルタ特性を持つストリップ導体２０Ｂが設けられる構造
になっているので、該ストリップ導体２０Ｂによりバイ
アス回路の高周波チョークとして必要なフィルタ特性を
自由に持たすことが出来るのでマイクロ波阻止の問題は
解決される。
また、ストリップ導体２０Ｂに外部から直流バイアスを
付与する外部リード２１が、気密端子２０の外部で垂直
に金属基台１０の方向に引出される構造になっているの
で、マイクロ波回路の半導体素子の直流バイアスの付与
が容易になり問題が無い。
付与する外部リード２１が、気密端子２０の外部で垂直
に金属基台１０の方向に引出される構造になっているの
で、マイクロ波回路の半導体素子の直流バイアスの付与
が容易になり問題が無い。
第１図は本発明の実施例のマイクロ波ミリ波モジュール
の構成を示す全体構造図であり、第２図はその実施例の
気密端子の詳細図である。
の構成を示す全体構造図であり、第２図はその実施例の
気密端子の詳細図である。
第１図の全体構造図において、基板１は、マイクロ波回
路をその表面に形成するセラミック基板であり、金属基
台１０は、該基板１を取付ける金属基台である。
路をその表面に形成するセラミック基板であり、金属基
台１０は、該基板１を取付ける金属基台である。
同軸水平端子１５は、基板１の表面のマイクロ波回路に
接続しマイクロ波ミリ波信号を入出力する水平方向の同
軸端子であ一す、気密端子２０は、同軸水平端子１５の
取付面と同一面上で同軸水平端子１５と垂直の方向に設
けられるバイアス回路であって、金属カベと二層のセラ
ミック基板の外側をメタライズすることにより周囲が遮
蔽される遮蔽型ストリップ線路で形成される。
接続しマイクロ波ミリ波信号を入出力する水平方向の同
軸端子であ一す、気密端子２０は、同軸水平端子１５の
取付面と同一面上で同軸水平端子１５と垂直の方向に設
けられるバイアス回路であって、金属カベと二層のセラ
ミック基板の外側をメタライズすることにより周囲が遮
蔽される遮蔽型ストリップ線路で形成される。
ストリップ導体２０Ｂは、気密端子２０の内部に設けら
れるマイクロストリップラインのストリップ導体であっ
て、直流バイアスは通過するがマイクロ波信号は阻止す
るフィルタ特性を持つ。
れるマイクロストリップラインのストリップ導体であっ
て、直流バイアスは通過するがマイクロ波信号は阻止す
るフィルタ特性を持つ。
外部リード２１は、ストリップ導体２０Ｂの端にロー付
され、気密端子２０の外部で垂直に金属基台１゜の方向
に引出され直流バイアスが付与される。
され、気密端子２０の外部で垂直に金属基台１゜の方向
に引出され直流バイアスが付与される。
第２図の気密端子の詳細図において、ストリップ導体２
０Ｂは、気密端子２０の内部のマイクロ波阻止のフィル
タ特性を持つストリップ導体であり、該ストリップ導体
２０Ｂのパターンにより低域通過特性または帯域通過特
性を持っている。そして、ストリップ導体２０Ｂの一端
は外部リード２１に接続され、ストリップ導体２０Ｂの
他端はその延長部２０Ｃが、接続ワイヤにより、基板１
の表面のマイクロ波回路のストリップ導体に接続される
。
０Ｂは、気密端子２０の内部のマイクロ波阻止のフィル
タ特性を持つストリップ導体であり、該ストリップ導体
２０Ｂのパターンにより低域通過特性または帯域通過特
性を持っている。そして、ストリップ導体２０Ｂの一端
は外部リード２１に接続され、ストリップ導体２０Ｂの
他端はその延長部２０Ｃが、接続ワイヤにより、基板１
の表面のマイクロ波回路のストリップ導体に接続される
。
本実施例のマイクロ波ミリ波モジュールは、金属基台１
０の底部に取付けられたセラミックの回路基板１０表面
に設けられたマイクロストリップラインのマイクロ波回
路に、マイクロ波ミリ波信号を入出力する同軸水平端子
１５を接続し、該同軸水平端子１５の取付面と同一面上
で同軸水平端子１５と垂直の方向に遮蔽型ストリップ線
路で形成される気密端子２０を設け、該気密端子２０の
外部リード２１を通してマイクロ波回路の半導体素子に
直流バイアスを与えるバイアス回路とする構造である。
０の底部に取付けられたセラミックの回路基板１０表面
に設けられたマイクロストリップラインのマイクロ波回
路に、マイクロ波ミリ波信号を入出力する同軸水平端子
１５を接続し、該同軸水平端子１５の取付面と同一面上
で同軸水平端子１５と垂直の方向に遮蔽型ストリップ線
路で形成される気密端子２０を設け、該気密端子２０の
外部リード２１を通してマイクロ波回路の半導体素子に
直流バイアスを与えるバイアス回路とする構造である。
バイアス回路となる気密端子２０が、マイクロ波回路の
入出力接続の同軸水平端子１５の取付面と同一面上で且
つ同軸水平端子１５と垂直の方向に設けられるので、モ
ジュール筐体は小形化され、筐体の共振周波数は高くな
り、マイクロ波ミリ波の高周波帯における動作に支障は
無くなり問題が解決される。
入出力接続の同軸水平端子１５の取付面と同一面上で且
つ同軸水平端子１５と垂直の方向に設けられるので、モ
ジュール筐体は小形化され、筐体の共振周波数は高くな
り、マイクロ波ミリ波の高周波帯における動作に支障は
無くなり問題が解決される。
また、気密端子２０の内部には、マイクロ波阻止のフィ
ルタ特性を持つストリップ導体２０Ｂが設けられる構造
になっており該ストリップ導体２０Ｂの寸法およびパタ
ーンを適当に選ぶことにより、バイアス回路に必要な高
周波チョークとして低域通過特性や帯域阻止特性のフィ
ルタ特性を自由に持たすことが出来るので直流バイアス
回路のマイクロ波阻止の問題は解決される。
ルタ特性を持つストリップ導体２０Ｂが設けられる構造
になっており該ストリップ導体２０Ｂの寸法およびパタ
ーンを適当に選ぶことにより、バイアス回路に必要な高
周波チョークとして低域通過特性や帯域阻止特性のフィ
ルタ特性を自由に持たすことが出来るので直流バイアス
回路のマイクロ波阻止の問題は解決される。
また、外部リード２工は、気密端子２０により気密筐体
の外部にバイアス回路のストリップ導体２０Ｂを引出し
てから該ストリップ導体２０Ｂに垂直に取付ける構造に
なっているので、マイクロ波回路の半導体素子の直流バ
イアスの付与が容易となるので問題は無い。
の外部にバイアス回路のストリップ導体２０Ｂを引出し
てから該ストリップ導体２０Ｂに垂直に取付ける構造に
なっているので、マイクロ波回路の半導体素子の直流バ
イアスの付与が容易となるので問題は無い。
以上説明した如く、本発明によれば、モジュール筐体の
寸法を小さく出来るので、筐体の共振周波数を高く出来
て高周波数帯への適用を拡げる効果とモジュール内部の
実装密度を向上する効果がある。又、マイクロ波回路の
直流バイアス回路を遮蔽型マイクロストリップラインで
形成するため、バイアス回路の高周波チョーク特性を簡
単に得ることが出来る効果と、外部リードを気密構造の
外部で垂直に取付けるので直流バイアス付与が容易にな
る効果が得られる。
寸法を小さく出来るので、筐体の共振周波数を高く出来
て高周波数帯への適用を拡げる効果とモジュール内部の
実装密度を向上する効果がある。又、マイクロ波回路の
直流バイアス回路を遮蔽型マイクロストリップラインで
形成するため、バイアス回路の高周波チョーク特性を簡
単に得ることが出来る効果と、外部リードを気密構造の
外部で垂直に取付けるので直流バイアス付与が容易にな
る効果が得られる。
第１図は本発明の実施例のマイクロ波ミリ波モジュール
の全体構造図、 第２図は本発明の実施例のマイクロ波ミリ波モジュール
の一部詳細図、 第３図は従来のマイクロ波ミリ′波モジュールの構造図
である。 図において、 １はマイクロ波回路の基板、 １０は金属基台、 １５はマイクロ波信号入出力用の同軸水平端子、２０は
バイアス回路の気密端子、 ２１は外部リードである。 （のｇＦ面図 Ｃｂ）イ則面 図 第 １ 図 多？
の全体構造図、 第２図は本発明の実施例のマイクロ波ミリ波モジュール
の一部詳細図、 第３図は従来のマイクロ波ミリ′波モジュールの構造図
である。 図において、 １はマイクロ波回路の基板、 １０は金属基台、 １５はマイクロ波信号入出力用の同軸水平端子、２０は
バイアス回路の気密端子、 ２１は外部リードである。 （のｇＦ面図 Ｃｂ）イ則面 図 第 １ 図 多？
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 回路基板（１）を金属基台（１０）の底部に実装する
マイクロ波ミリ波モジュールの構造において、該回路基
板（１）面のマイクロ波回路に水平に金属基台（１０）
の側壁を貫通してマイクロ波信号を入出力する同軸水平
端子（１５）と、 該同軸水平端子（１５）と同一面上で垂直方向に周囲が
金属で遮蔽されたマイクロストリップラインの気密端子
（２０）と、 該気密端子（２０）の外部で該気密端子（２０）と金属
基台（１０）の底面に垂直に引出され直流バイアスを付
与する外部リード（２１）を具え、 該気密端子（２０）によりマイクロ波信号を阻止し直流
バイアスを通過して前記マイクロ波回路の半導体にバイ
アスを付与することを特徴としたマイクロ波ミリ波モジ
ュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263194A JP2599732B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マイクロ波ミリ波モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263194A JP2599732B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マイクロ波ミリ波モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106501A true JPH01106501A (ja) | 1989-04-24 |
| JP2599732B2 JP2599732B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=17386082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62263194A Expired - Fee Related JP2599732B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マイクロ波ミリ波モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2599732B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5599154U (ja) * | 1978-12-28 | 1980-07-10 | ||
| JPS56106401A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-24 | Hitachi Denshi Ltd | Microwave circuit |
| JPS58190046A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS59185853U (ja) * | 1983-05-27 | 1984-12-10 | 日本電気株式会社 | マイクロ波集積回路用金属パツケ−ジ |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP62263194A patent/JP2599732B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5599154U (ja) * | 1978-12-28 | 1980-07-10 | ||
| JPS56106401A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-24 | Hitachi Denshi Ltd | Microwave circuit |
| JPS58190046A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS59185853U (ja) * | 1983-05-27 | 1984-12-10 | 日本電気株式会社 | マイクロ波集積回路用金属パツケ−ジ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2599732B2 (ja) | 1997-04-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |