JPH01107211A - 耐環境性光フアイバ - Google Patents
耐環境性光フアイバInfo
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- JPH01107211A JPH01107211A JP62263947A JP26394787A JPH01107211A JP H01107211 A JPH01107211 A JP H01107211A JP 62263947 A JP62263947 A JP 62263947A JP 26394787 A JP26394787 A JP 26394787A JP H01107211 A JPH01107211 A JP H01107211A
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Landscapes
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放射線環境下において伝送特性の劣化の少な
い、耐放射線性元ファイバに関し、例えば、原子力発電
設備やウラン鉱の存在する海底など放射線の被曝を受け
る環境で使用することのできる耐環境性元ファイバに関
する。
い、耐放射線性元ファイバに関し、例えば、原子力発電
設備やウラン鉱の存在する海底など放射線の被曝を受け
る環境で使用することのできる耐環境性元ファイバに関
する。
最近、元ファイバを原子力発電設備等の放射線環境下で
使用するニーズが高まっておυ、耐放射線性元ファイバ
の開発が要請されている。
使用するニーズが高まっておυ、耐放射線性元ファイバ
の開発が要請されている。
従来、耐放射線性元ファイバとしては、高純度石英ガラ
スをコアとし、Ｆを添加した石英ガラスをクラッドとす
るもの〔「住友電気」 第１２３号、第２９頁（１９８
３）］、高純度石英ガラスをコアとし、ＦとともにＰを
添加した石英ガラスをクラッドとするもの（特開昭６１
−１７４１３６号）、？およびＰを添加した石英ガラス
をコアとし、？もしくはＦＫＰま友はＢを加えて添加し
た石英ガラスをクラ・ンドとするもの（特開昭６ Ｌ−
２４２９２９号）などがある。
スをコアとし、Ｆを添加した石英ガラスをクラッドとす
るもの〔「住友電気」 第１２３号、第２９頁（１９８
３）］、高純度石英ガラスをコアとし、ＦとともにＰを
添加した石英ガラスをクラッドとするもの（特開昭６１
−１７４１３６号）、？およびＰを添加した石英ガラス
をコアとし、？もしくはＦＫＰま友はＢを加えて添加し
た石英ガラスをクラ・ンドとするもの（特開昭６ Ｌ−
２４２９２９号）などがある。
本発明者等は、元ファイバの線引き工程に着目し耐放射
線性元ファイバの改良を試みた。
線性元ファイバの改良を試みた。
一般に、元ファイバを線引きする際にガラス母材を外側
から加熱するために、ガラス母相の外側の温度が高く内
側が低いという温度分布が形成される。この温度差に基
づき半径方向に粘度の差が生ずる。また、コアとクラッ
ドとの組成の違いによっても粘度に差が生ずる。そして
、線引き工程において、コアの粘度がクラッドのものよ
シある程度以上大きくなると、線引き張力がコアに集中
して両者の界面に歪みを発生させることになる。この歪
みは、放射線照射によりガラスの欠陥部を形成し、元フ
ァイバの伝送損失をもたらすものと考えられる。
から加熱するために、ガラス母相の外側の温度が高く内
側が低いという温度分布が形成される。この温度差に基
づき半径方向に粘度の差が生ずる。また、コアとクラッ
ドとの組成の違いによっても粘度に差が生ずる。そして
、線引き工程において、コアの粘度がクラッドのものよ
シある程度以上大きくなると、線引き張力がコアに集中
して両者の界面に歪みを発生させることになる。この歪
みは、放射線照射によりガラスの欠陥部を形成し、元フ
ァイバの伝送損失をもたらすものと考えられる。
そこで、耐放射線性に優れている高純度石英ガラスのコ
アとＦビー１石英ガラスのクラッドとを有する元ファイ
バについてみると、コアとクラッドの粘度は、 コア粘度（高純度ｓ１ｏ、）＞クラッド粘度（Ｆ−１３
１０，）の関係を有し、さらに、線引き時の温度はコア
の方が低いところから粘度差は一層広がり、コアとクラ
ッドとの界面には相当の歪が発生するために、コアに高
純度石英ガラスを用いるにもかかわらず、放射線照射時
の伝送損失の増加を避けることができなかった。
アとＦビー１石英ガラスのクラッドとを有する元ファイ
バについてみると、コアとクラッドの粘度は、 コア粘度（高純度ｓ１ｏ、）＞クラッド粘度（Ｆ−１３
１０，）の関係を有し、さらに、線引き時の温度はコア
の方が低いところから粘度差は一層広がり、コアとクラ
ッドとの界面には相当の歪が発生するために、コアに高
純度石英ガラスを用いるにもかかわらず、放射線照射時
の伝送損失の増加を避けることができなかった。
−本発明は、高純度石英ガラスコアの特徴を生かし、コ
アとクラッドの界面における粘度差を小さくすることに
より歪の発生を回避して放射線照射時の伝送損失の増加
を抑制した耐放射線性に優れた元ファイバを提供しよう
とするものである。
アとクラッドの界面における粘度差を小さくすることに
より歪の発生を回避して放射線照射時の伝送損失の増加
を抑制した耐放射線性に優れた元ファイバを提供しよう
とするものである。
米発明は、高純度石英ガラスのコアと？含有石英ガラス
のクラッドとを有する耐環境性ファイバにおいて、クラ
ッドのコア−クラッド界面周辺に界面のＧｅＯ１濃度を
最大とするＧｅＯ１濃度勾配層を設けたことを特徴とす
る光ファイバである。
のクラッドとを有する耐環境性ファイバにおいて、クラ
ッドのコア−クラッド界面周辺に界面のＧｅＯ１濃度を
最大とするＧｅＯ１濃度勾配層を設けたことを特徴とす
る光ファイバである。
なお、Ｇｅ０１（Ｉ１１度勾配層の界面濃度は、クラッ
ドのＦ濃度に依存するが、界面周辺のＦビー１石英ガラ
ス中の欠陥を埋めるに充分な量、即ちＺ８Ｒ測定による
欠陥の数（数ｐｐｍ程度）の５００〜１０００倍を目安
に決定されるもので、クラッドの？含有石英ガラスに対
して屈折率差Δ＋が１０１％以上であることが好ましく
、また、上限は、光字的特性を変えない限度において、
クラッドの１含有石英ガラスの屈折率差にの約１７３〜
１／４ 以下とすることが好ましい。
ドのＦ濃度に依存するが、界面周辺のＦビー１石英ガラ
ス中の欠陥を埋めるに充分な量、即ちＺ８Ｒ測定による
欠陥の数（数ｐｐｍ程度）の５００〜１０００倍を目安
に決定されるもので、クラッドの？含有石英ガラスに対
して屈折率差Δ＋が１０１％以上であることが好ましく
、また、上限は、光字的特性を変えない限度において、
クラッドの１含有石英ガラスの屈折率差にの約１７３〜
１／４ 以下とすることが好ましい。
また、Ｇｅｏｚｌｊｋ度勾配層の外径はコア径の約１．
２〜２．０倍が好ましい。
２〜２．０倍が好ましい。
そして、クラッドにＧｅＯ２をドープする九めにＧｅ０
４などのＧｅ化合物を用りることができる。
４などのＧｅ化合物を用りることができる。
ま念、クラッドへの１の添加量は半径方向に一定でちゃ
、光伝送に必要なコア−クラッド間の比１ｍ折率差を設
けるためのもので、ファイバの種類により異なる。例え
ば、波長１．３０μｍ用のシングルモードファイバでは
屈折率差Δ−４ｎ１％となるようにＦを添加することが
あシ、ステップインデックスファイバにおいては屈折率
差ｆ’：：ｔ、０％となるように１Ｐｔ−添加すること
もある。
、光伝送に必要なコア−クラッド間の比１ｍ折率差を設
けるためのもので、ファイバの種類により異なる。例え
ば、波長１．３０μｍ用のシングルモードファイバでは
屈折率差Δ−４ｎ１％となるようにＦを添加することが
あシ、ステップインデックスファイバにおいては屈折率
差ｆ’：：ｔ、０％となるように１Ｐｔ−添加すること
もある。
そして、クラッドにＦをドープするために、フッ化炭素
、フッ化塩化炭素、フッ化イオウ、フッ化ケい素、オキ
シフッ化イオウ、オキシフッ化けい素等を用いることが
できる。
、フッ化塩化炭素、フッ化イオウ、フッ化ケい素、オキ
シフッ化イオウ、オキシフッ化けい素等を用いることが
できる。
〔作用］
Ｇｅ０１は石英ガラスの屈折率を高める物質であシ、従
来クラッド部に添加されることはながう念。また、Ｇｅ
０２けそれ自体光ファイバの耐放射線特性を悪くするも
のであるから、耐環境性光ファイバには添加したくない
ものであった。
来クラッド部に添加されることはながう念。また、Ｇｅ
０２けそれ自体光ファイバの耐放射線特性を悪くするも
のであるから、耐環境性光ファイバには添加したくない
ものであった。
さらに、ＧｅＯ３は石英ガラスの粘度を低下させる物質
と考えられていたので、高純度石英ガラスコアと？ビー
１石英ガラスクラッドとからなる元ファイバのクラッド
にＧｅＯ２を添加することはクラッドの粘度を一層低下
させることになシ、コアとクラッドの粘度差を広げるこ
とが予想された。
と考えられていたので、高純度石英ガラスコアと？ビー
１石英ガラスクラッドとからなる元ファイバのクラッド
にＧｅＯ２を添加することはクラッドの粘度を一層低下
させることになシ、コアとクラッドの粘度差を広げるこ
とが予想された。
本発明は、？ビー１石英ガラスクラッドのコア−クラッ
ド界面周辺に、界面の濃度を最大とするＧｅＯ２濃度勾
配層を設けることによ）、ＧｅＯ２の添加量を抑えなが
ら、クラ゛ツドの界面周辺の欠陥をＧｅで埋めることが
でき、コア−クラッド界面の粘度差による歪発生をも抑
制することができた。その結果、放射線照射による伝送
損失の増加も、Ｇｅｍ意未添加の元ファイバと比較して
大巾に低く抑えることができた。
ド界面周辺に、界面の濃度を最大とするＧｅＯ２濃度勾
配層を設けることによ）、ＧｅＯ２の添加量を抑えなが
ら、クラ゛ツドの界面周辺の欠陥をＧｅで埋めることが
でき、コア−クラッド界面の粘度差による歪発生をも抑
制することができた。その結果、放射線照射による伝送
損失の増加も、Ｇｅｍ意未添加の元ファイバと比較して
大巾に低く抑えることができた。
〔実施例１〕
第１図（ａ）のプロファイルを有するステップインデッ
クス型ファイバを次のように作成し、第１因（ｂ）のプ
ロファイルを有する従来のステップインデックス型ファ
イバと対比して耐放射線特性を調べた。
クス型ファイバを次のように作成し、第１因（ｂ）のプ
ロファイルを有する従来のステップインデックス型ファ
イバと対比して耐放射線特性を調べた。
第１図（ａ）の７アイパは、微量のＧｅ ０１４を加え
た５ｉＣ４、Ｈ，、ｏ、含有ガス及びＧｅａｔ４を加え
ないガスを供給してＷＡＤ法によシスス付けを行なった
後に、ＳＦ、含有ガス中で焼結することによシ、ガラス
母材を得友。これは純石英ガラスに対する屈折率差ざを
１．０チとするのに相当するＦがガラス母材全体に均一
にドープされており、外側にＧｅＯ２を含有しないＦ含
有石英ガラス層が形成され、内側には上記屈折率差Δ−
＝ｔｏｅＩｂを基準にして最大屈折率差Δｌ”ｔ−１５
％とするグレーティラドなＧｅＯ２濃度勾配領域（Ｆ
−ＧｅＯ鵞−５１Ｏ，）が形成された。このガラス母材
の中央をくり貫いて、内側のＧｅ０．最大濃度域の屈折
率差△＋を（１０８’％とするチューブを得た。一方、
コアを構成する純石英ガラスロッドを上記のチューブに
挿入して酸素水素炎中で押しつぶしファイバ母材を作つ
九後これを線引して第１図（ａ）に示すプロファイルを
有するファイバを得た。
た５ｉＣ４、Ｈ，、ｏ、含有ガス及びＧｅａｔ４を加え
ないガスを供給してＷＡＤ法によシスス付けを行なった
後に、ＳＦ、含有ガス中で焼結することによシ、ガラス
母材を得友。これは純石英ガラスに対する屈折率差ざを
１．０チとするのに相当するＦがガラス母材全体に均一
にドープされており、外側にＧｅＯ２を含有しないＦ含
有石英ガラス層が形成され、内側には上記屈折率差Δ−
＝ｔｏｅＩｂを基準にして最大屈折率差Δｌ”ｔ−１５
％とするグレーティラドなＧｅＯ２濃度勾配領域（Ｆ
−ＧｅＯ鵞−５１Ｏ，）が形成された。このガラス母材
の中央をくり貫いて、内側のＧｅ０．最大濃度域の屈折
率差△＋を（１０８’％とするチューブを得た。一方、
コアを構成する純石英ガラスロッドを上記のチューブに
挿入して酸素水素炎中で押しつぶしファイバ母材を作つ
九後これを線引して第１図（ａ）に示すプロファイルを
有するファイバを得た。
第１図０）のファイバは、Ｇｅ０１濃度勾配層を除いそ
上記と同様の方法で第１図（ｂ）に示すプロファイルを
有するファイバを作成した。
上記と同様の方法で第１図（ｂ）に示すプロファイルを
有するファイバを作成した。
これらの元ファイバについて、波長α８５μｍにおける
初期特性を測定すると、第１因（至））のファイバが２
．８６４Ｂ／−であるのに対して第１図（ａ）のファイ
バは２．６７ ｄＢ／ｋａ＋であった。次に、線量率１
０ ’ Ｒ／ Ｈｒのγ線を１時間照射した後上記波長
における伝送損失の増加量を測定すると第１図（ｂ）の
７アイパが２五１ｄＥ／ｋｆｆｌであるのに対して第１
図（ａ）のファイバは１ ａ ＯｄＢ／ｋｍと大巾に低
減させることができ念。
初期特性を測定すると、第１因（至））のファイバが２
．８６４Ｂ／−であるのに対して第１図（ａ）のファイ
バは２．６７ ｄＢ／ｋａ＋であった。次に、線量率１
０ ’ Ｒ／ Ｈｒのγ線を１時間照射した後上記波長
における伝送損失の増加量を測定すると第１図（ｂ）の
７アイパが２五１ｄＥ／ｋｆｆｌであるのに対して第１
図（ａ）のファイバは１ ａ ＯｄＢ／ｋｍと大巾に低
減させることができ念。
〔実施例２〕
１Ｋ ２ 図（ａ）のプロファイルを有するシングルモ
ードファイバを次のように作成し、第２図（ｂ）のプロ
ファイルを有する従来のシングルモードファイバと対比
して耐放射線特性を調べた。
ードファイバを次のように作成し、第２図（ｂ）のプロ
ファイルを有する従来のシングルモードファイバと対比
して耐放射線特性を調べた。
第２図（ａ）のファイバは、まず、純石英ガラスに対し
て屈折率差ｘ−１ｏ、 ！＋ ４とする？含有石英ガラ
スチューブを用意し、該チューブ内に８１ＯＬ４゜ＳＦ
６含有ガスを定量で、かつ、Ｇ８ＣＬ４添加量はゼロか
ら徐々に増加させて最終的には上記屈折率差Δ−＝Ｉｌ
Ｂチを基準にして屈折率差Δ＋が１１０８チとなるよう
に調節しながらＭＯＶＤ法によシＧｅｏ２濃度勾配層に
当るガラス層を形成し、その後、Ｇｅ０４及びＳＦ６の
添加を止めて、コアに当る純石英ガラス層を形成し、内
実化処理によシファイバ母材を得た。そして、該母材を
線引きすることにより第２図（ａ）に示すプロファイル
を有するファイバを得た。
て屈折率差ｘ−１ｏ、 ！＋ ４とする？含有石英ガラ
スチューブを用意し、該チューブ内に８１ＯＬ４゜ＳＦ
６含有ガスを定量で、かつ、Ｇ８ＣＬ４添加量はゼロか
ら徐々に増加させて最終的には上記屈折率差Δ−＝Ｉｌ
Ｂチを基準にして屈折率差Δ＋が１１０８チとなるよう
に調節しながらＭＯＶＤ法によシＧｅｏ２濃度勾配層に
当るガラス層を形成し、その後、Ｇｅ０４及びＳＦ６の
添加を止めて、コアに当る純石英ガラス層を形成し、内
実化処理によシファイバ母材を得た。そして、該母材を
線引きすることにより第２図（ａ）に示すプロファイル
を有するファイバを得た。
第２図（ｂ）のファイバは、Ｇｅ０１濃度勾配層を除い
て上記と同様の方法で第２図（ｂｌのプロファイルを有
するファイバを作成した。
て上記と同様の方法で第２図（ｂｌのプロファイルを有
するファイバを作成した。
これらの元ファイバについて、波長１．３０μｍにおけ
る初期特性を測定すると、第２図（ｂ）のファイバが（
Ｌ ４０ ｄＢ／ｋｆｆｌであるのに対して第２図（ａ
ｌのファイバはα３７４Ｂ／ｋｍであった。次に、線量
率１０ ＠Ｒ／ Ｈｒのγ線を１時間照射した後に上記
波長における伝送損失の増加量を測定すると第２図（１
））のファイバが１５． ＯｄＢ／ｋｍであるのに対し
て第２図（ａ）のファイバは１１１ ｄＢ／ｋｍと大巾
に低減した。
る初期特性を測定すると、第２図（ｂ）のファイバが（
Ｌ ４０ ｄＢ／ｋｆｆｌであるのに対して第２図（ａ
ｌのファイバはα３７４Ｂ／ｋｍであった。次に、線量
率１０ ＠Ｒ／ Ｈｒのγ線を１時間照射した後に上記
波長における伝送損失の増加量を測定すると第２図（１
））のファイバが１５． ＯｄＢ／ｋｍであるのに対し
て第２図（ａ）のファイバは１１１ ｄＢ／ｋｍと大巾
に低減した。
〔実施例３〕
第５図（ａ）のプロファイルを有するシングルモードフ
ァイバを次のように作成し、第６図（１））のプロファ
イルを肩する従来のファイバと対比して耐放射線特性を
調べた。
ァイバを次のように作成し、第６図（１））のプロファ
イルを肩する従来のファイバと対比して耐放射線特性を
調べた。
第３図（Ｌ）のファイバは、コアに当る純石英ガラスロ
ッドの周囲に微量のＧｅａｔ４を添加した５ｉ０４４含
有ガスを供給してＧｅ０！含有Ｓ１０．スス体を堆積し
、ＳｉＦ４含有ガス中で焼結することによシ上記ロッド
周囲にＧｅ０２＃度勾配層に相当するＦ−ＧａＯ１含有
石英ガラス層が形成された。仄いで、Ｇｅ ０４の添加
を中止し、上記と同様の方法で８１０２スス体を堆積し
、Ｓｉ Ｆ４含有ガヌ中で焼結することにより、？含有
石英ガラス層が形成された。このＦ含有石英ガラス層は
コアの純石英ガラスに対して屈折率差Δ−がα′３チで
あり、Ｇ１１１０１濃度勾配層のコア界面は上記屈折率
差ざ＝１３チを基準にして屈折率差Δ＋がα０６チであ
った。
ッドの周囲に微量のＧｅａｔ４を添加した５ｉ０４４含
有ガスを供給してＧｅ０！含有Ｓ１０．スス体を堆積し
、ＳｉＦ４含有ガス中で焼結することによシ上記ロッド
周囲にＧｅ０２＃度勾配層に相当するＦ−ＧａＯ１含有
石英ガラス層が形成された。仄いで、Ｇｅ ０４の添加
を中止し、上記と同様の方法で８１０２スス体を堆積し
、Ｓｉ Ｆ４含有ガヌ中で焼結することにより、？含有
石英ガラス層が形成された。このＦ含有石英ガラス層は
コアの純石英ガラスに対して屈折率差Δ−がα′３チで
あり、Ｇ１１１０１濃度勾配層のコア界面は上記屈折率
差ざ＝１３チを基準にして屈折率差Δ＋がα０６チであ
った。
第３図（ｂ）のファイバは、（）ｅ０２−度勾配層を除
いて上記と同様の方法で第３図（ｂ）に示すプロファイ
ルｔＶする７アイバを作成した。
いて上記と同様の方法で第３図（ｂ）に示すプロファイ
ルｔＶする７アイバを作成した。
これらの元ファイバについて、波長１．３０μｍにおけ
る初期特性を測定すると、第３図（ｂ）のファイバが（
Ｌ ５６ ｃＬＢ／ｋｍであるのに対して第３図（ａ）
のファイバは（Ｌ ５８ （ＬＢ／ｋｌｌｌであった。
る初期特性を測定すると、第３図（ｂ）のファイバが（
Ｌ ５６ ｃＬＢ／ｋｍであるのに対して第３図（ａ）
のファイバは（Ｌ ５８ （ＬＢ／ｋｌｌｌであった。
次に、線量率１０’ Ｒ／Ｈｒのｒ＠’に１時間照射し
ｔ後、上記波長における伝送損失の増加量を測定すると
、第５ｌＮ（ｂ）のファイバが１＆口ｄＢ ／ｋｍであ
るのに対して第３図（ａ）の７アイパは１２．８４Ｂ／
ｋｍと大巾に低減した。
ｔ後、上記波長における伝送損失の増加量を測定すると
、第５ｌＮ（ｂ）のファイバが１＆口ｄＢ ／ｋｍであ
るのに対して第３図（ａ）の７アイパは１２．８４Ｂ／
ｋｍと大巾に低減した。
本発明は上記構成を採用することにより、高純度石英ガ
ラスコアの耐放射線特性を生かし、線引き時のコア−ク
ラッド界面における歪の発生を抑制することによシ、放
射線照射にともなう伝送損失の増加を大巾に低減するこ
とができ、放射線環境下における使用を可能とした。
ラスコアの耐放射線特性を生かし、線引き時のコア−ク
ラッド界面における歪の発生を抑制することによシ、放
射線照射にともなう伝送損失の増加を大巾に低減するこ
とができ、放射線環境下における使用を可能とした。
耐１図（ａ）、＠２図（ａ）及び第３図（ａ）は本発明
の実施例で得た元ファイバのプロファイルを、第１図（
ｂ）、第２図（１））及び第３図（１））は従来の元フ
ァイバのプロファイルをそれぞれ示した因である。
の実施例で得た元ファイバのプロファイルを、第１図（
ｂ）、第２図（１））及び第３図（１））は従来の元フ
ァイバのプロファイルをそれぞれ示した因である。
Claims (1)
- 高純度石英ガラスのコアとＦ含有石英ガラスのクラッド
とを有する耐環境性フアイバにおいて、クラッドのコア
−クラッド界面周辺に界面のＧｅＯ＿２濃度を最大とす
るＧｅＯ＿２濃度勾配層を設けたことを特徴とする耐環
境性光ファイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263947A JPH01107211A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 耐環境性光フアイバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263947A JPH01107211A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 耐環境性光フアイバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01107211A true JPH01107211A (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=17396464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62263947A Pending JPH01107211A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 耐環境性光フアイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01107211A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61262708A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | １．５ミクロン帯用シングルモ−ド光フアイバ |
| JPS62259640A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄板連続鋳造装置 |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP62263947A patent/JPH01107211A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61262708A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | １．５ミクロン帯用シングルモ−ド光フアイバ |
| JPS62259640A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄板連続鋳造装置 |
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