JPH01107217A - 耐環境性ステツプインデツクス型光フアイバ - Google Patents
耐環境性ステツプインデツクス型光フアイバInfo
- Publication number
- JPH01107217A JPH01107217A JP62263945A JP26394587A JPH01107217A JP H01107217 A JPH01107217 A JP H01107217A JP 62263945 A JP62263945 A JP 62263945A JP 26394587 A JP26394587 A JP 26394587A JP H01107217 A JPH01107217 A JP H01107217A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- fiber
- optical fiber
- quartz glass
- type optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放射線環境下において伝送特性の劣化の少な
い、耐放射線性元ファイバに関し、例えば、原子力発電
設備やウラン鉱の存在する海底など放射線の被曝を受け
る環境で使用することのできる耐環境性元ファイバに関
する。
い、耐放射線性元ファイバに関し、例えば、原子力発電
設備やウラン鉱の存在する海底など放射線の被曝を受け
る環境で使用することのできる耐環境性元ファイバに関
する。
最近、元ファイバを原子力発電設備等の放射線環境下で
使用するニーズが高１っており、耐放射線性元ファイバ
の開発が要請されている。
使用するニーズが高１っており、耐放射線性元ファイバ
の開発が要請されている。
従来、耐放射線特性に優れた高純度石英ガラスをコアに
使用し、クラッドの石英ガラスにＦを添加して屈折率を
低下させたステップインデックス型光ファイバが提案さ
れていたが、線引き工程においてコアの高純度石英ガラ
スに酸素欠陥などの構造欠陥が生じ、そこに水素分子が
捕獲されるなどの理由から、元の吸収損失が増加すると
考え、コアの高純度石英ガラスに均一に低濃度のＦを伶
加し、該？を酸素欠陥部に強固に結合することにより元
ファイバの長期安定性を向上させようとしたものがある
。（特開昭６０−２５７４０８号公報） 〔発明が解決しょうとする問題点〕 不発明考等はステップインデックス型光ファイバの線引
き工程に着目し、放射線環境下の伝送損失を増大させる
原因を研究した結果、コアとクラッドとの界面の歪みに
白米すると考えた。
使用し、クラッドの石英ガラスにＦを添加して屈折率を
低下させたステップインデックス型光ファイバが提案さ
れていたが、線引き工程においてコアの高純度石英ガラ
スに酸素欠陥などの構造欠陥が生じ、そこに水素分子が
捕獲されるなどの理由から、元の吸収損失が増加すると
考え、コアの高純度石英ガラスに均一に低濃度のＦを伶
加し、該？を酸素欠陥部に強固に結合することにより元
ファイバの長期安定性を向上させようとしたものがある
。（特開昭６０−２５７４０８号公報） 〔発明が解決しょうとする問題点〕 不発明考等はステップインデックス型光ファイバの線引
き工程に着目し、放射線環境下の伝送損失を増大させる
原因を研究した結果、コアとクラッドとの界面の歪みに
白米すると考えた。
一般に、元ファイバを線引きする際にガラス母材を外側
から加熱する。それ故、ガラス母材の外側の温度が高く
、内側が低いという温度分布が形成される。この温度差
に基づき牛後方向に粘度の差が生ずる。特に、コアとク
ラッドとの組成の違いによっても粘度に差が生ずる。そ
して、線引き工程において、コアの粘度がクラッドのも
のよりある程度以上大きくなると、線引＠蚤力がコアに
集中して両名の界面に歪みを発生させることになる。こ
の歪みは、放射線照射によりガラスの欠陥部を形成し、
元ファイバの伝送損失をも几らすものと考えられる。
から加熱する。それ故、ガラス母材の外側の温度が高く
、内側が低いという温度分布が形成される。この温度差
に基づき牛後方向に粘度の差が生ずる。特に、コアとク
ラッドとの組成の違いによっても粘度に差が生ずる。そ
して、線引き工程において、コアの粘度がクラッドのも
のよりある程度以上大きくなると、線引＠蚤力がコアに
集中して両名の界面に歪みを発生させることになる。こ
の歪みは、放射線照射によりガラスの欠陥部を形成し、
元ファイバの伝送損失をも几らすものと考えられる。
高純度石英ガラスコアに低濃度のＦをふ加した元ファイ
バは、Ｆ添加にＬカコアの粘度を低Ｔｌぜ、コアとクラ
ッドの粘度差を小さくすることができ、界面の歪み発生
が抑制される。
バは、Ｆ添加にＬカコアの粘度を低Ｔｌぜ、コアとクラ
ッドの粘度差を小さくすることができ、界面の歪み発生
が抑制される。
しかし、コアには低濃度であるが、全体に均一にＦが徐
加されているので、高純度石英ガラスコアの本来の特徴
である放射線特性が失われる。また、クラッドはコアに
対して所定の屈折率差を確保するために、コアにＦを添
加するときにはクラッドのＦ添加量はコアの？添加量の
分だけ増加することになる。この増加は光の浸み出し等
の観点から好ましいものではない。
加されているので、高純度石英ガラスコアの本来の特徴
である放射線特性が失われる。また、クラッドはコアに
対して所定の屈折率差を確保するために、コアにＦを添
加するときにはクラッドのＦ添加量はコアの？添加量の
分だけ増加することになる。この増加は光の浸み出し等
の観点から好ましいものではない。
そこで、本発明は高純度石英ガラスコアの特徴を生かし
、クラッドのＦ Ｗ！５７ＦＤ 量を抑え、コアとクラ
ッド界面の歪み発生を抑制することにより、耐放射線性
に優れ友ステップインデックス型元ファイバを提供しよ
うとするものである。
、クラッドのＦ Ｗ！５７ＦＤ 量を抑え、コアとクラ
ッド界面の歪み発生を抑制することにより、耐放射線性
に優れ友ステップインデックス型元ファイバを提供しよ
うとするものである。
不発明は、高純度石英ガラスのコアとフッ素含有石英ガ
ラスのクラッドとを有する耐環境性ステップインデック
ス型光ファイバにおいて、コアの界面近くにのみ微量の
フッ素を含有させ友ことｆ！：特徴とする耐環境性ステ
ップインデックス型光ファイバである。
ラスのクラッドとを有する耐環境性ステップインデック
ス型光ファイバにおいて、コアの界面近くにのみ微量の
フッ素を含有させ友ことｆ！：特徴とする耐環境性ステ
ップインデックス型光ファイバである。
なお、？ドープの友めに、フッ化炭素、７ツ化塩化炭素
、フッ化イオク、フッ化けい素、オキシフッ化イオク、
オ中シフツ化けい素などのフッ素化合物を用いることが
できる。
、フッ化イオク、フッ化けい素、オキシフッ化イオク、
オ中シフツ化けい素などのフッ素化合物を用いることが
できる。
また、コア表面近くに１１５７１０するＦ添加量はガラ
スの欠陥を埋めるために充分な量、即ち、ｇｓＲ測定に
よる欠陥の数（数ｐｐｍ程度）の５００へ１０００倍を
目安に決定されるもので、高純度石英ガラスに対する屈
折率差Δ−が０．００１％以上とすることが好ましく、
また、上限はクラッドのＦのみ願意に依存するが、光学
的特性を変化させない限度で、クラッドの屈折率Δ−の
約１４〜に以下とすることが好ましい。
スの欠陥を埋めるために充分な量、即ち、ｇｓＲ測定に
よる欠陥の数（数ｐｐｍ程度）の５００へ１０００倍を
目安に決定されるもので、高純度石英ガラスに対する屈
折率差Δ−が０．００１％以上とすることが好ましく、
また、上限はクラッドのＦのみ願意に依存するが、光学
的特性を変化させない限度で、クラッドの屈折率Δ−の
約１４〜に以下とすることが好ましい。
そして、ファイバのＯＨ基含有量は初期特性をよくする
ために、できるだけ少ない方が良く、ｌｐｐｍ以下とす
ることが好ｌしい。
ために、できるだけ少ない方が良く、ｌｐｐｍ以下とす
ることが好ｌしい。
本発明のステップインデックス型光ファイバはコアの表
面近くにのみ＠量のＦを含有させたもので、その他の大
半の部分が高純度石英ガラスで構成されたコアを用いる
ところから、高純度石英ガラスコアの特徴を維持するこ
とができ、他方、コアの表面近くにはＦが存在するとこ
ろから、コアとクラッド界面は粘度差も小さくなり、界
面における歪み発生を抑制すること、ができる。その結
果、放射線罷射時においても、伝送損失の増大を抑える
ことができる。
面近くにのみ＠量のＦを含有させたもので、その他の大
半の部分が高純度石英ガラスで構成されたコアを用いる
ところから、高純度石英ガラスコアの特徴を維持するこ
とができ、他方、コアの表面近くにはＦが存在するとこ
ろから、コアとクラッド界面は粘度差も小さくなり、界
面における歪み発生を抑制すること、ができる。その結
果、放射線罷射時においても、伝送損失の増大を抑える
ことができる。
〔実施例１〕
第１図（ａ）のプロファイルを有するシングルモードフ
ァイバを次のように作成し、第１図＋ｂ＋のプロファイ
ルを有する従来のシングルモードファイバと対比して耐
放射線特性ｔ−調べた。
ァイバを次のように作成し、第１図＋ｂ＋のプロファイ
ルを有する従来のシングルモードファイバと対比して耐
放射線特性ｔ−調べた。
ｗＪ１図（ａｌのファイバは、まず、ｖＡＤ法によシ高
純度シリカ多孔賀母材金作成し、該母材を微量のＳＦ６
含有ガス中で加熱することに工９Ｆを添加し焼結するこ
とにより表面に最大屈折率差Δ−＝０．０６％を有する
コアンこ相当するガラス母材を形成し、次いで、該ガラ
ス母材表面にＷＡＤ法によ！ｌＦｔ有シリカシリカ付け
を行ない焼結し友後、線引することにより第１図（ａｌ
に示し几プロファイルを有するシングルモードファイバ
を作成し友。
純度シリカ多孔賀母材金作成し、該母材を微量のＳＦ６
含有ガス中で加熱することに工９Ｆを添加し焼結するこ
とにより表面に最大屈折率差Δ−＝０．０６％を有する
コアンこ相当するガラス母材を形成し、次いで、該ガラ
ス母材表面にＷＡＤ法によ！ｌＦｔ有シリカシリカ付け
を行ない焼結し友後、線引することにより第１図（ａｌ
に示し几プロファイルを有するシングルモードファイバ
を作成し友。
第１図（ｂｌのファイバは、コアにＦをぶ加する点を除
いて上記と同様の方法により、第１図（１）１に示し几
プロファイルを有するファイバを作成し友。
いて上記と同様の方法により、第１図（１）１に示し几
プロファイルを有するファイバを作成し友。
これらの元ファイバについて、波長１．６０μｍにおけ
る初期特性を測定すると、第１図（ｂｌのファイバ及び
第１図（ａｌのファイバはともに０．５５６Ｂ／廟であ
った。次に、線量率１０ Ｒ／Ｈｒ のγ線を１時間
照射した後、上記波長における伝送損失の増加麓Δα１
．５ｏを測定したところ、第１図１ｂ＋のファイバが１
５．１ ｄＢ／ｋｍであるのに対して第１図（Ｌｌのフ
ァイバは１２．８ ｄＢ／Ｋｍと大巾に低減させること
ができた。
る初期特性を測定すると、第１図（ｂｌのファイバ及び
第１図（ａｌのファイバはともに０．５５６Ｂ／廟であ
った。次に、線量率１０ Ｒ／Ｈｒ のγ線を１時間
照射した後、上記波長における伝送損失の増加麓Δα１
．５ｏを測定したところ、第１図１ｂ＋のファイバが１
５．１ ｄＢ／ｋｍであるのに対して第１図（Ｌｌのフ
ァイバは１２．８ ｄＢ／Ｋｍと大巾に低減させること
ができた。
〔実施例２〕
第２図（ａｌのプロファイルを有するステップインデッ
クス型ファイバを次のように作成し、第２図（ｂｌのプ
ロファイルを有する従来のステップインデックス型ファ
イバと対比して耐放射線特性を調べ友。
クス型ファイバを次のように作成し、第２図（ｂｌのプ
ロファイルを有する従来のステップインデックス型ファ
イバと対比して耐放射線特性を調べ友。
第２図（ａｌのファイバは、高純度石英ガラス棒の周囲
に、５ｉｌ１４． ＳＦ６ を含有するガスを用いた
プラズマ外付は法によ５、Ｆｌ／１度を徐々に濃くしな
からスス付けを行ない、次いで焼結することにより、表
面に最大屈折率差Δ−＝０．１％を有するコアに相当す
るガラス母材を形成し念。
に、５ｉｌ１４． ＳＦ６ を含有するガスを用いた
プラズマ外付は法によ５、Ｆｌ／１度を徐々に濃くしな
からスス付けを行ない、次いで焼結することにより、表
面に最大屈折率差Δ−＝０．１％を有するコアに相当す
るガラス母材を形成し念。
一方、高純度石英ガラスに対する屈折率差ムー＝１．０
％とするＦビー１石英ガラスチューブを用意じ、このチ
ューブ内に上記ガラス母材を挿入してロッドインチュー
ブ法にニジ一体化処理を行ない、次いで線引きすること
にょシ第２図（ａｌに示したプロファイルを有するステ
ップインデックス型ファイバを作成した。
％とするＦビー１石英ガラスチューブを用意じ、このチ
ューブ内に上記ガラス母材を挿入してロッドインチュー
ブ法にニジ一体化処理を行ない、次いで線引きすること
にょシ第２図（ａｌに示したプロファイルを有するステ
ップインデックス型ファイバを作成した。
第１図１ｂ＋のファイバは、コアへのＦ １１５７ＪＤ
を除いて上記と同様の方法によシ、第２図（ｂｌに示し
たプロファイルを有するファイバを作成した。
を除いて上記と同様の方法によシ、第２図（ｂｌに示し
たプロファイルを有するファイバを作成した。
これらの元ファイバについて、波長０．８５μｍにおけ
る初期特性を創建する゛と、第２図（ｂｌのファイバが
５．８０ ｄＢ／ｋｍであるのに対して第２図（ａｌの
ファイバは５．６５ ｄＢ／ｋｆｆｌ ｒ ６ ”）
ｉ。次Ｋ、線量率１０５Ｒ／ Ｈｒのγ線を１時間照射
した後に、上記波長における伝送損失の増７１０量Δα
ｏ、８５ を照射したところ、第２図（ｂｌのファイバ
が２４．０ｄＢ／ｋｍであるのに対して第２図（ａｌの
ファイバは２０．５６Ｂ／−と大巾に低減することがで
きた。
る初期特性を創建する゛と、第２図（ｂｌのファイバが
５．８０ ｄＢ／ｋｍであるのに対して第２図（ａｌの
ファイバは５．６５ ｄＢ／ｋｆｆｌ ｒ ６ ”）
ｉ。次Ｋ、線量率１０５Ｒ／ Ｈｒのγ線を１時間照射
した後に、上記波長における伝送損失の増７１０量Δα
ｏ、８５ を照射したところ、第２図（ｂｌのファイバ
が２４．０ｄＢ／ｋｍであるのに対して第２図（ａｌの
ファイバは２０．５６Ｂ／−と大巾に低減することがで
きた。
〔実施例６〕
第６図ｆａｌのプロファイルを有するステップインデッ
クス型ファイバを次のように作成し、第６図（ｂｌのプ
ロファイルヲ有する従来のステップインデックス型ファ
イバと対比して耐放射線特性を調べ之。
クス型ファイバを次のように作成し、第６図（ｂｌのプ
ロファイルヲ有する従来のステップインデックス型ファ
イバと対比して耐放射線特性を調べ之。
第６図（ａｌのファイバは、高純度石英ガラスに対して
屈折率差Δ−＝１．０％のＦビー１石英ガラスチューブ
を用意し、該チューブ内にＳｉＦ４゜５ｉｌ１４．０２
含Ｍガスを流して外側から加熱するＭＣ１ＶＤ法により
、Ｆ濃度を徐々に薄くしながら漱ｔＦ含有石英ガラス層
と形成して核層の最大屈折率差Δ−を０．０８％と内１
則の最小屈折率差Δ−をほぼゼロとし友。一方、コアの
中央部を構成する高純度石英ガラスロッドを上記チュー
ブの中に挿入してロッドインチューブ法よシ一体化処理
し友後に線引きすることにより、第３図（ａｌに示した
プロファイルを有するファイバを作成した。
屈折率差Δ−＝１．０％のＦビー１石英ガラスチューブ
を用意し、該チューブ内にＳｉＦ４゜５ｉｌ１４．０２
含Ｍガスを流して外側から加熱するＭＣ１ＶＤ法により
、Ｆ濃度を徐々に薄くしながら漱ｔＦ含有石英ガラス層
と形成して核層の最大屈折率差Δ−を０．０８％と内１
則の最小屈折率差Δ−をほぼゼロとし友。一方、コアの
中央部を構成する高純度石英ガラスロッドを上記チュー
ブの中に挿入してロッドインチューブ法よシ一体化処理
し友後に線引きすることにより、第３図（ａｌに示した
プロファイルを有するファイバを作成した。
第３図（ｂｌのファイバは＠＊Ｆ含有石英ガラス層を除
いて上記と同様の方法で第５図（ｂ）に示したプロファ
イルを有するファイバを作成した。
いて上記と同様の方法で第５図（ｂ）に示したプロファ
イルを有するファイバを作成した。
これらの元ファイバについて、波長１．＋０１１ｍにお
ける初期特性を測定すると、第５図（ｂｌのファイバが
４．０１ ｄ１３７−であるのに対して渠６図ｔａ＋の
ファイバは５．８５６Ｂ／ｋｍで、ｉタフＨ６次に、線
量率１０５Ｒ／Ｈｒのｒ線全６時間月射した後に、上記
波長における伝送損失の増７ＩＯ，！ｔΔα＋、３ａ’
ｒ測定したところ、第５図（ｂｌのファイバが５０．４
６８／ｋｍであるのに対して第６図（ｍｌのファイバは
２５．０ｄＢ／ｋｍと大巾に低減させることができた。
ける初期特性を測定すると、第５図（ｂｌのファイバが
４．０１ ｄ１３７−であるのに対して渠６図ｔａ＋の
ファイバは５．８５６Ｂ／ｋｍで、ｉタフＨ６次に、線
量率１０５Ｒ／Ｈｒのｒ線全６時間月射した後に、上記
波長における伝送損失の増７ＩＯ，！ｔΔα＋、３ａ’
ｒ測定したところ、第５図（ｂｌのファイバが５０．４
６８／ｋｍであるのに対して第６図（ｍｌのファイバは
２５．０ｄＢ／ｋｍと大巾に低減させることができた。
〔実施例４〕
第４図（２Ｌ）のプロファイルを有するシングルモード
ファイバを矢のように作成し、第４図（ｂｌのプロファ
イルをンバする従来のシングルモードファイバと対比し
て耐放射線特性を調べた。
ファイバを矢のように作成し、第４図（ｂｌのプロファ
イルをンバする従来のシングルモードファイバと対比し
て耐放射線特性を調べた。
ｉ４１￥Ｊ（ａｌのファイバは、高純度石英ガラスに対
して屈折率差Δ−＝０．３ ＸであるＦビー１石英ガラ
スチューブ茫用意し、該チューブ内に微量のＳｉＦ４、
を添加したＳ １０１ ａ ｅ、 ０２含有ガスを流し
ながら外側から加熱するＭＣＶＤ法によυ前半はＦ＠度
を徐々に薄くし、後半はＳｉ Ｆ４ の添加を止めて
高純度石英ガラス層を形成した後これを内実化処理して
ファイバ母材を得た。微量Ｆ含有石英ガラス層における
最大屈折率差Δ−は０．０１％であった。次いで、この
ファイバ母材を線引きすることにより、第４図（ａｌに
示したプロファイルを有するファイバを得た。
して屈折率差Δ−＝０．３ ＸであるＦビー１石英ガラ
スチューブ茫用意し、該チューブ内に微量のＳｉＦ４、
を添加したＳ １０１ ａ ｅ、 ０２含有ガスを流し
ながら外側から加熱するＭＣＶＤ法によυ前半はＦ＠度
を徐々に薄くし、後半はＳｉ Ｆ４ の添加を止めて
高純度石英ガラス層を形成した後これを内実化処理して
ファイバ母材を得た。微量Ｆ含有石英ガラス層における
最大屈折率差Δ−は０．０１％であった。次いで、この
ファイバ母材を線引きすることにより、第４図（ａｌに
示したプロファイルを有するファイバを得た。
第４１１１（ｂｌのファイバは、微量Ｆ含Ｍ石英ガラス
層金除いて上記と同様の方法により＠４図（ｂｌに示し
たプロファイルを有するファイバを作成した。
層金除いて上記と同様の方法により＠４図（ｂｌに示し
たプロファイルを有するファイバを作成した。
これらの元ファイバについて、波長１．５０μｍにおけ
る初期特性を測定すると、５ｇ４図（ｂｌのファイバが
０．４０６Ｂ／ｋｏ＋であるのに対して、第４図１ａｌ
のファイバは０．３８６Ｂ／−であった。次に、線量率
１０’Ｒ／Ｈｒのγ締金１００時間照射した後に、上記
の波長における伝送損失の増加量Δ’１．３０を測定し
友ところ、第４図（ｂｌの７アイノ（が８２．１ ｄＢ
／ｋｍであるのに対して第４図１ａｌのファイバは６０
．８ ＋１’Ｂ／−と大巾に低減することができた。
る初期特性を測定すると、５ｇ４図（ｂｌのファイバが
０．４０６Ｂ／ｋｏ＋であるのに対して、第４図１ａｌ
のファイバは０．３８６Ｂ／−であった。次に、線量率
１０’Ｒ／Ｈｒのγ締金１００時間照射した後に、上記
の波長における伝送損失の増加量Δ’１．３０を測定し
友ところ、第４図（ｂｌの７アイノ（が８２．１ ｄＢ
／ｋｍであるのに対して第４図１ａｌのファイバは６０
．８ ＋１’Ｂ／−と大巾に低減することができた。
本発明は上記構成を採用することによシ、高純度石英ガ
ラスコアの耐放射線特性を生かし、線引き時のコアーク
ラッド界面における歪の発生を抑制することにニジ、放
射線照射にともなう伝送損失の増加を大巾に低減するこ
とができ、放射線環境下における使用を可能とした。
ラスコアの耐放射線特性を生かし、線引き時のコアーク
ラッド界面における歪の発生を抑制することにニジ、放
射線照射にともなう伝送損失の増加を大巾に低減するこ
とができ、放射線環境下における使用を可能とした。
第１図（ａｌ、第２図（ａｌ、第３図（ａｌ及び第４図
（ａｌは本発明の実施例で得九元ファイバのプロファイ
ルを、ｗ１１図（ｂｌ、第２図（ｂ）、第３図（ｂｌ及
び第４図（ｂｌは従来の元ファイバのプロファイルをそ
れぞれ示したものである。
（ａｌは本発明の実施例で得九元ファイバのプロファイ
ルを、ｗ１１図（ｂｌ、第２図（ｂ）、第３図（ｂｌ及
び第４図（ｂｌは従来の元ファイバのプロファイルをそ
れぞれ示したものである。
Claims (1)
- 高純度石英ガラスのコアと、フッ素含有石英ガラスのク
ラッドとを有する耐環境性ステップインデックス型光フ
ァイバにおいて、コアの界面近くにのみ微量のフッ素を
含有させたことを特徴とする耐環境性ステップインデッ
クス型光ファイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263945A JPH01107217A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 耐環境性ステツプインデツクス型光フアイバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263945A JPH01107217A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 耐環境性ステツプインデツクス型光フアイバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01107217A true JPH01107217A (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=17396438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62263945A Pending JPH01107217A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 耐環境性ステツプインデツクス型光フアイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01107217A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60263103A (ja) * | 1984-06-12 | 1985-12-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光フアイバ用母材およびその製造方法 |
| JPS62259640A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄板連続鋳造装置 |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP62263945A patent/JPH01107217A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60263103A (ja) * | 1984-06-12 | 1985-12-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光フアイバ用母材およびその製造方法 |
| JPS62259640A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄板連続鋳造装置 |
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