JPH01108195A - 化合物結晶の引上装置 - Google Patents
化合物結晶の引上装置Info
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- JPH01108195A JPH01108195A JP26163187A JP26163187A JPH01108195A JP H01108195 A JPH01108195 A JP H01108195A JP 26163187 A JP26163187 A JP 26163187A JP 26163187 A JP26163187 A JP 26163187A JP H01108195 A JPH01108195 A JP H01108195A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ホットウォール法により化合物結晶、例えば
、ＣｄＴｅ結晶や０ｄ１−１ＺｎＸＴｅ 。
、ＣｄＴｅ結晶や０ｄ１−１ＺｎＸＴｅ 。
Ｃ（Ｌｌ−１ＭｎｚＴｅ ＃ ０（１８６ｘＴｅ１−ｚ
などのＣｄＴｅ ｆ含む混晶、ＨｇＢｅ結晶、ＨｇＴ
ｅ結晶等を引上げる装置に関する。
などのＣｄＴｅ ｆ含む混晶、ＨｇＢｅ結晶、ＨｇＴ
ｅ結晶等を引上げる装置に関する。
〔従来の技術］
従来、高解離圧化合物結晶の引上法としては。
ＬＥＣ法が広く用いられてきた。ＬＩＯ法ｒｆｉ原料融
液をＢ２Ｏ２で被覆し、さらに、不活性ガスを加えるこ
とにより原料融液から揮発成分の解離を抑制しながら、
結晶を引上げるものである。
液をＢ２Ｏ２で被覆し、さらに、不活性ガスを加えるこ
とにより原料融液から揮発成分の解離を抑制しながら、
結晶を引上げるものである。
この方法により引上げられた結晶に高温下で上記不活性
ガス雰囲気に曝されるために、結晶表面から揮発性成分
が解離し易く、結晶表面近傍の結晶性が悪くなる。
ガス雰囲気に曝されるために、結晶表面から揮発性成分
が解離し易く、結晶表面近傍の結晶性が悪くなる。
そこで、成長チャンバ内を結晶中の揮発性成分の蒸気で
満し、該蒸気雰囲気内で高解離圧化合物結晶を引上げる
方法、即ち、ホットウォール法が提案された。
満し、該蒸気雰囲気内で高解離圧化合物結晶を引上げる
方法、即ち、ホットウォール法が提案された。
ホットウォール法によＪ） ＧａＡｓ結晶を育成する方
法については、（１） Ｊ、 ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ
ＧｒｏｗｔｈＶｏｌ、１９、ｐ３５６〜３５８）、（２
）米国特許第３．７１６．５４５号明ｍｓ、（３） 、
Ｔ、 ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏ−ｗｔｈ ｖｏｌ
、 ２４ ／ ２５、ｐ３７６〜３７９（１９７４）、
（４）特開昭５４−１２５５８５号公報に記載されてい
る。また、Ｃ（ＩＴθ結晶の育成にホットウォール法の
適用を示唆する記載は、ＲθＶ。
法については、（１） Ｊ、 ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ
ＧｒｏｗｔｈＶｏｌ、１９、ｐ３５６〜３５８）、（２
）米国特許第３．７１６．５４５号明ｍｓ、（３） 、
Ｔ、 ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏ−ｗｔｈ ｖｏｌ
、 ２４ ／ ２５、ｐ３７６〜３７９（１９７４）、
（４）特開昭５４−１２５５８５号公報に記載されてい
る。また、Ｃ（ＩＴθ結晶の育成にホットウォール法の
適用を示唆する記載は、ＲθＶ。
Ｐｈｙｅ、Ａｐｐｌ、ｖｏ’１．１２ （２）、ｐ１０
５〜１１５（１９７７）にある。
５〜１１５（１９７７）にある。
上記のホントウオール法でに、成長チャンノ（を結晶引
上軸やるつぼ軸が貫通する部分、並びに上下に分割され
た成長チャンノ（の接続部に、液体Ｂ、Ｏ１を用いたシ
ール構造を採用し、成長チャンバの気密を確保している
。
上軸やるつぼ軸が貫通する部分、並びに上下に分割され
た成長チャンノ（の接続部に、液体Ｂ、Ｏ１を用いたシ
ール構造を採用し、成長チャンバの気密を確保している
。
カドミウム化合物結晶、例えばＣ（ｌＴ８結晶又ｒｉｃ
ａ’ｒｅ６含む”混晶を、上記のホットウォール法で引
上げる場合には、シール剤として用いるＢ！Ｏｓ融液か
ら発生する蒸気が原料融液と接触して下記の反応によシ
原料融液内にホウ素が取込まれる。
ａ’ｒｅ６含む”混晶を、上記のホットウォール法で引
上げる場合には、シール剤として用いるＢ！Ｏｓ融液か
ら発生する蒸気が原料融液と接触して下記の反応によシ
原料融液内にホウ素が取込まれる。
Ｂ＊Ｏｓ （ｍ ＋ ３ Ｃｄ （ｉｎ ０ｄＴｅ融液
）−５０（１０（８） ＋ ２ Ｂ （１ｎＣｄＴｅ融
液）引上結晶中に取込まれるホウ素の濃度は成長チャン
バ内のＢ、Ｏｓ 蒸気圧に依存し、およそ１０１１〜
１０１６５Ｂ″′″１となる。Ｂ、Ｏｓ は液体シー
ル剤として用いるために、６５０℃以上に加熱すること
になり、Ｂ、 ｏｓ 蒸気圧を十分に低減することに
できなかった。そして、引上結晶は。
）−５０（１０（８） ＋ ２ Ｂ （１ｎＣｄＴｅ融
液）引上結晶中に取込まれるホウ素の濃度は成長チャン
バ内のＢ、Ｏｓ 蒸気圧に依存し、およそ１０１１〜
１０１６５Ｂ″′″１となる。Ｂ、Ｏｓ は液体シー
ル剤として用いるために、６５０℃以上に加熱すること
になり、Ｂ、 ｏｓ 蒸気圧を十分に低減することに
できなかった。そして、引上結晶は。
ホウ素濃度が上記の１０’５１″″３ 程度であっても
。
。
結晶特性に悪影響を及ぼすものである。
また、水銀化合物結晶、例えば、Ｈｇ８ａ結晶、ＨｇＴ
ｅ結晶をホットウォール法で引上げる場合においても、
上記と同様にシール剤からの不純物が結晶中に混入する
という問題があった。
ｅ結晶をホットウォール法で引上げる場合においても、
上記と同様にシール剤からの不純物が結晶中に混入する
という問題があった。
本発明は、上記の問題点を解消し、特に、成長チャンバ
側壁のクール部からの不純物の混入を回避して高純度化
合物の引上げを可能とし、成長チャンバ内の結晶成分蒸
気を高圧チャンノ（に漏出させることのないホットウォ
ール法に用いる引上装置を提供しようとするものである
。
側壁のクール部からの不純物の混入を回避して高純度化
合物の引上げを可能とし、成長チャンバ内の結晶成分蒸
気を高圧チャンノ（に漏出させることのないホットウォ
ール法に用いる引上装置を提供しようとするものである
。
〔問題点を解決するための手段］
本発明に。
（１）高圧チャンバと、その中に配設して結晶成分蒸気
を保持する成長チャンバと、成長チャンバ内に設けた原
料融液収容るつぼと、該るつぼを支持するるつぼ軸と、
成長チャンバを貫通する結晶引上軸とを有するホットウ
ォール法によ〕化合物結晶を引上げる装置において、成
長チャンバの側壁を上下に２分割し、下方の成長チャン
バの上端に上記蒸気成分の融液を収容する内側環状溝と
液体シール剤を収容する外側環状溝を併設し、かつ、上
方の成長チャンバの下端には上記２つの環状溝の液体中
にそれぞれ浸漬してシール部を形成する２つの円筒状脚
部を付設したことを特徴とする化合物結晶の引上装置、 （２）引上軸を成長チャンバと摺動可能に貫通させ、該
貫通部に液体シール剤を収容する受皿を付設したことを
特徴とする上記第１項記載の化合物結晶の引上装置、 （３）引上軸に成長チャンバを固定し、上方の成長チャ
ンバ下端の２つの円筒状脚部の高さ及び下方の成長チャ
ンバ上端の内外環状溝の深さを、引上軸の引上距離よ）
長くしたことを特徴とする上記第１項記載の化合物結晶
の引上装置、 （４）るつぼ軸の周囲に、成長チャンバ内に保持する結
晶成分蒸気の融液を収容する内側環状溝と液体シール剤
を収容する外側環状溝を併設し、下方の成長チャンバの
下端に上記２つの環状溝の液体中にそれぞれ浸漬してシ
ール部を形成する２つの円筒状脚部を付設し九ことを特
徴とする上記第１項又は第２項又は第３項に記載の化合
物結晶の引上装置 である。
を保持する成長チャンバと、成長チャンバ内に設けた原
料融液収容るつぼと、該るつぼを支持するるつぼ軸と、
成長チャンバを貫通する結晶引上軸とを有するホットウ
ォール法によ〕化合物結晶を引上げる装置において、成
長チャンバの側壁を上下に２分割し、下方の成長チャン
バの上端に上記蒸気成分の融液を収容する内側環状溝と
液体シール剤を収容する外側環状溝を併設し、かつ、上
方の成長チャンバの下端には上記２つの環状溝の液体中
にそれぞれ浸漬してシール部を形成する２つの円筒状脚
部を付設したことを特徴とする化合物結晶の引上装置、 （２）引上軸を成長チャンバと摺動可能に貫通させ、該
貫通部に液体シール剤を収容する受皿を付設したことを
特徴とする上記第１項記載の化合物結晶の引上装置、 （３）引上軸に成長チャンバを固定し、上方の成長チャ
ンバ下端の２つの円筒状脚部の高さ及び下方の成長チャ
ンバ上端の内外環状溝の深さを、引上軸の引上距離よ）
長くしたことを特徴とする上記第１項記載の化合物結晶
の引上装置、 （４）るつぼ軸の周囲に、成長チャンバ内に保持する結
晶成分蒸気の融液を収容する内側環状溝と液体シール剤
を収容する外側環状溝を併設し、下方の成長チャンバの
下端に上記２つの環状溝の液体中にそれぞれ浸漬してシ
ール部を形成する２つの円筒状脚部を付設し九ことを特
徴とする上記第１項又は第２項又は第３項に記載の化合
物結晶の引上装置 である。
第１図は、本発明の具体列である引上装置の断面図であ
る。なお、シール剤としてＢｔｕｓ を用いてＣｄＴ
ｅ結晶を引上げる場合を例として以下説明する。高圧チ
ャンバ１内に配置された成長チャンバは側壁で上下に２
分割されており、下方の成長チャンバ２の中央にるつぼ
５を置き、るつぼ＠４によシ両者は一体的に回転可能に
支持されている。上方の成長チャンバ５の頚部１７を摺
動可能に貫通して結晶を引上げる引上軸６が配置されて
お９１貫通部にに上方の成長チャンバ５の頚部１７に接
続する受皿７を設け、引上軸６とともに形成される環状
部分に、Ｃ（１融液８とＥ、Ｏｓ 融液９を比重差に
よ＃）２居に収容する。なお、該２層の間に隔壁を設け
て２重構造とすることもできる。また、下方の成長チャ
ンバ２の上端には、Ｃａ融液を収容する内側環状溝１０
とその外側ににＢ、Ｏｓ 融液を収容する外側環状溝
１１とを有しておシ、上方の成長チャンバ５の下端には
、上記の２つの環状溝１ａ、１１内の融液中に浸漬する
ように円筒状脚部を有することにより上下の成長チャン
バ２．５の接続部のシー／Ｌ／を形成する。なお、るつ
ぼ３に収容した０ｄＴｅ原料融液１２は、その周囲に置
かれたメインヒータ１３により加熱され、引上軸６によ
ｊ） ＣｄＴｅ結晶１４を引上げる。結晶成長過程は、
高圧チャンバ１ｔ−貫通するビューロッド１５によシ監
視されている。なお、補助ヒータ１６は引上軸６のクー
ルを形成する受皿７内のＣａ融液８及びＢ意Ｏｓ ＠液
９ｆｔ加熱するためのものである。
る。なお、シール剤としてＢｔｕｓ を用いてＣｄＴ
ｅ結晶を引上げる場合を例として以下説明する。高圧チ
ャンバ１内に配置された成長チャンバは側壁で上下に２
分割されており、下方の成長チャンバ２の中央にるつぼ
５を置き、るつぼ＠４によシ両者は一体的に回転可能に
支持されている。上方の成長チャンバ５の頚部１７を摺
動可能に貫通して結晶を引上げる引上軸６が配置されて
お９１貫通部にに上方の成長チャンバ５の頚部１７に接
続する受皿７を設け、引上軸６とともに形成される環状
部分に、Ｃ（１融液８とＥ、Ｏｓ 融液９を比重差に
よ＃）２居に収容する。なお、該２層の間に隔壁を設け
て２重構造とすることもできる。また、下方の成長チャ
ンバ２の上端には、Ｃａ融液を収容する内側環状溝１０
とその外側ににＢ、Ｏｓ 融液を収容する外側環状溝
１１とを有しておシ、上方の成長チャンバ５の下端には
、上記の２つの環状溝１ａ、１１内の融液中に浸漬する
ように円筒状脚部を有することにより上下の成長チャン
バ２．５の接続部のシー／Ｌ／を形成する。なお、るつ
ぼ３に収容した０ｄＴｅ原料融液１２は、その周囲に置
かれたメインヒータ１３により加熱され、引上軸６によ
ｊ） ＣｄＴｅ結晶１４を引上げる。結晶成長過程は、
高圧チャンバ１ｔ−貫通するビューロッド１５によシ監
視されている。なお、補助ヒータ１６は引上軸６のクー
ルを形成する受皿７内のＣａ融液８及びＢ意Ｏｓ ＠液
９ｆｔ加熱するためのものである。
第２図は、上下の成長チャンバの接続部分のシール部の
拡大断面図である。下方の成長チャンバ２の上端に内側
環状溝１０及び外側環状溝１１ｔ−付設し、それぞれｃ
ａ融液１Ｂ及びＢ雪ｏ８融液１９ｔ−収容する。上方の
成長チャンバ５の下端には２つの円筒状脚部２０が付設
されてお〕、上記融液１８及び１９の中に浸漬するよう
になっている。
拡大断面図である。下方の成長チャンバ２の上端に内側
環状溝１０及び外側環状溝１１ｔ−付設し、それぞれｃ
ａ融液１Ｂ及びＢ雪ｏ８融液１９ｔ−収容する。上方の
成長チャンバ５の下端には２つの円筒状脚部２０が付設
されてお〕、上記融液１８及び１９の中に浸漬するよう
になっている。
第３図にるつぼを成長チャンバと分離するときの、るつ
ぼ軸のシール部拡大図である。この構造は下方の成長チ
ャンバ２ｔ−固定し、るつぼ３のみを回転するときに有
効である。るつぼ軸４の外周には、内側環状溝２１と外
側環状溝２２が付設されており、それぞれＣｄ融液２３
とＢｇＯｓ ／ａ液２４が収容されている。そして、
下方の成長チャンバ２の下端には上記融成中にそれぞれ
浸漬＠能な２つの円筒状脚部２５が付設されている。
ぼ軸のシール部拡大図である。この構造は下方の成長チ
ャンバ２ｔ−固定し、るつぼ３のみを回転するときに有
効である。るつぼ軸４の外周には、内側環状溝２１と外
側環状溝２２が付設されており、それぞれＣｄ融液２３
とＢｇＯｓ ／ａ液２４が収容されている。そして、
下方の成長チャンバ２の下端には上記融成中にそれぞれ
浸漬＠能な２つの円筒状脚部２５が付設されている。
第２図及び＠３図のシール部にともに成長チャンバ内雰
囲気に接する内側環状溝にＣｄ融液を収容し、外側環状
溝に収容されるＥ、Ｏｓ 融液の蒸気を成長チャンバ
内に揮散することを防ぐとともに、蒸気圧の高いＣａ蒸
気が高圧チャンバ内に揮散することを外側環状溝のＢｇ
Ｏｓ 融液が防いでいる。
囲気に接する内側環状溝にＣｄ融液を収容し、外側環状
溝に収容されるＥ、Ｏｓ 融液の蒸気を成長チャンバ
内に揮散することを防ぐとともに、蒸気圧の高いＣａ蒸
気が高圧チャンバ内に揮散することを外側環状溝のＢｇ
Ｏｓ 融液が防いでいる。
このように成長チャンバＩＩＢ！ＯＢ とＣｄ の２
重シール構造によプ気密が保持されている。−方、成長
チャンバ内に約１〜２気圧のＣａ蒸気を含む不活性ガス
（例えば、窒素、アルゴン）を満たし、カドミウム化合
物結晶の引上げがなされる。成長チャンバ内の全圧は、
不活性ガスの導入によシ高圧チャンバの圧力と同じに、
１４整される。このＣｄ蒸気源は内側環状溝内のＯ（１
融液である。し九がって、成長チャンバ内のＣｄ蒸気圧
は成長チャンバの最低温度部分の温度により決められる
。通常に、７６０〜８２０℃の間で制御される。また、
成長チャンバ内で凝縮するＣａ融液は壁面を流下して上
記環状溝内に回収されるような位置に環状溝を設けるこ
とが好ましい。そして、環状溝に収容するＯ（１は蒸発
→凝縮→還流が盛んに行なわれるので予じめ多量にチャ
ージする必要がある。
重シール構造によプ気密が保持されている。−方、成長
チャンバ内に約１〜２気圧のＣａ蒸気を含む不活性ガス
（例えば、窒素、アルゴン）を満たし、カドミウム化合
物結晶の引上げがなされる。成長チャンバ内の全圧は、
不活性ガスの導入によシ高圧チャンバの圧力と同じに、
１４整される。このＣｄ蒸気源は内側環状溝内のＯ（１
融液である。し九がって、成長チャンバ内のＣｄ蒸気圧
は成長チャンバの最低温度部分の温度により決められる
。通常に、７６０〜８２０℃の間で制御される。また、
成長チャンバ内で凝縮するＣａ融液は壁面を流下して上
記環状溝内に回収されるような位置に環状溝を設けるこ
とが好ましい。そして、環状溝に収容するＯ（１は蒸発
→凝縮→還流が盛んに行なわれるので予じめ多量にチャ
ージする必要がある。
他方、高圧チャンバ内はＢ！０１ 融液を通して気泡状
のＣａ が散逸することを防止するために。
のＣａ が散逸することを防止するために。
不活性ガスで５気圧以上に加圧することが好ましい。
第４図は、本発明の別の具体例である引上装置の断面図
である。この引上装置でに引上軸６に上方の成長チャン
バ５を固定し、引上軸のシール部を省略した。結晶引上
げに藪もなって上下の成長チャンバ５及び２は離れてゆ
くが、上方成長チャンバ下端の２つの円筒状脚部２０の
高さ及び下方成長チャンバ上端の内外環状溝１０．１１
の深さを引上軸の引上距離より長くすることにより液体
シール剤とＣａ 融液の中に円筒状脚部分常時浸漬させ
てシールを確保するようにしたものである。この装ｖｉ
ハシール部の構造が大きくなるが、引上軸のシール部を
省略することにより、上方成長チャンバの頚部における
引上軸の摺動かなくなるので、摺動にともなう振動を回
避することができ、結晶育成への影響を防ぐことができ
る。
である。この引上装置でに引上軸６に上方の成長チャン
バ５を固定し、引上軸のシール部を省略した。結晶引上
げに藪もなって上下の成長チャンバ５及び２は離れてゆ
くが、上方成長チャンバ下端の２つの円筒状脚部２０の
高さ及び下方成長チャンバ上端の内外環状溝１０．１１
の深さを引上軸の引上距離より長くすることにより液体
シール剤とＣａ 融液の中に円筒状脚部分常時浸漬させ
てシールを確保するようにしたものである。この装ｖｉ
ハシール部の構造が大きくなるが、引上軸のシール部を
省略することにより、上方成長チャンバの頚部における
引上軸の摺動かなくなるので、摺動にともなう振動を回
避することができ、結晶育成への影響を防ぐことができ
る。
以上、０（ｌＴ８結晶の引上げヲ例にして説明したが、
ＨｇＴｅ結晶、１ｇ８ｅ結晶等他の化合物結晶について
も同様の作用が奏される。
ＨｇＴｅ結晶、１ｇ８ｅ結晶等他の化合物結晶について
も同様の作用が奏される。
第１図の装置を用いて０ＬＴｅの結晶を製造した。成長
チャンバに石英製のものを使用した。
チャンバに石英製のものを使用した。
るつぼには０ｄＬＴｅ原料ｔ−１，２ｋｇ入れた。引上
軸周囲の受皿にｔｉＢｔｏｓ ５５ ｆ、 Ｃｄ ８
０ ｆ’ｉ入れ、成長チャンバ側−の内側環状溝にはＣ
ａ４００９を、外側環状溝にはＢ１０．３００ｆ入れた
。この環状溝は約７８０℃に加熱し、成長チャンバ内に
１気圧のＣａ蒸気雰囲気を維持した０また、高圧チャン
バ内は窒素ガスで１０気圧に加圧した。るつぼ内の原料
を溶融した後るつば軸を８ ｒｐｍで回転し、引上軸Ｈ
ｓ ｒｐｍで逆回転させながら引上速度２．８ ｗ／Ｈ
ｒで引上げ。
軸周囲の受皿にｔｉＢｔｏｓ ５５ ｆ、 Ｃｄ ８
０ ｆ’ｉ入れ、成長チャンバ側−の内側環状溝にはＣ
ａ４００９を、外側環状溝にはＢ１０．３００ｆ入れた
。この環状溝は約７８０℃に加熱し、成長チャンバ内に
１気圧のＣａ蒸気雰囲気を維持した０また、高圧チャン
バ内は窒素ガスで１０気圧に加圧した。るつぼ内の原料
を溶融した後るつば軸を８ ｒｐｍで回転し、引上軸Ｈ
ｓ ｒｐｍで逆回転させながら引上速度２．８ ｗ／Ｈ
ｒで引上げ。
直径５０ｍ、長さ６５Ｉｏ ＣｄＴｅ単結晶を得た。
結晶成長の間にシール部から高圧チャンバ内に散逸した
ｃｄニ約２Ｏｆで、初期のチャージ量の約４憾に相当し
、問題のないレベルであった。・また、引上結晶中のＢ
濃度はフロント部からバンク部に渡って４〜８Ｘ１０１
４α−１であった。
ｃｄニ約２Ｏｆで、初期のチャージ量の約４憾に相当し
、問題のないレベルであった。・また、引上結晶中のＢ
濃度はフロント部からバンク部に渡って４〜８Ｘ１０１
４α−１であった。
一方、液体シール材としてＢ、Ｏｓ のみを用い次点
を除いて上記の実施例と同じ条件でＣａτｅ単結晶ｆｔ
裂造し製造ころ結晶中のＢ濃度ｒ１３〜７ Ｘ １０１
８、−１であシ、上記実施例では１の混入が大巾に抑制
されたことが分る。
を除いて上記の実施例と同じ条件でＣａτｅ単結晶ｆｔ
裂造し製造ころ結晶中のＢ濃度ｒ１３〜７ Ｘ １０１
８、−１であシ、上記実施例では１の混入が大巾に抑制
されたことが分る。
〔発明の効果］
本発明は、上記構成を採用することにょシ、シール剤蒸
気の成長チャンバ内への拡散を結晶成分の融液のシール
部で防止し、かつ、高圧チャンバ内への上記結晶成分の
蒸気の拡散を液体シール剤のシール部で防止することが
でき、その結果、シール剤成分等の不純物濃度を抑えた
高純度化合物結晶ｔ−製造することができ、また、ｃａ
、ｕｇ等の有害蒸気を成長チャンバ内に保持する場合に
おいても、該蒸気の高圧チャンバ内への漏出が完全に防
止されているので、引上操作が極めて容易となった。
気の成長チャンバ内への拡散を結晶成分の融液のシール
部で防止し、かつ、高圧チャンバ内への上記結晶成分の
蒸気の拡散を液体シール剤のシール部で防止することが
でき、その結果、シール剤成分等の不純物濃度を抑えた
高純度化合物結晶ｔ−製造することができ、また、ｃａ
、ｕｇ等の有害蒸気を成長チャンバ内に保持する場合に
おいても、該蒸気の高圧チャンバ内への漏出が完全に防
止されているので、引上操作が極めて容易となった。
第１図及び第４図に本発明の具体例である引上装置の断
面図、第２図は成長チャンバの接続部におけるシール部
の拡大ｉＦＲ面図、第３図はるつぼ軸のシール部の拡大
断面図である。
面図、第２図は成長チャンバの接続部におけるシール部
の拡大ｉＦＲ面図、第３図はるつぼ軸のシール部の拡大
断面図である。
Claims (4)
- （１）高圧チャンバと、その中に配設して結晶成分蒸気
を保持する成長チャンバと、成長チャンバ内に設けた原
料融液収容るつぼと、該るつぼを支持するるつぼ軸と、
成長チャンバを貫通する結晶引上軸とを有するホットウ
ォール法により化合物結晶を引上げる装置において、成
長チャンバの側壁を上下に２分割し、下方の成長チャン
バの上端に上記蒸気成分の融液を収容する内側環状溝と
液体シール剤を収容する外側環状溝を併設し、かつ、上
方の成長チャンバの下端には上記２つの環状溝の液体中
にそれぞれ浸漬してシール部を形成する２つの円筒状脚
部を付設したことを特徴とする化合物結晶の引上装置。 - （２）引上軸を成長チャンバと摺動可能に貫通させ、該
貫通部に液体シール剤を収容する受皿を付設したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合物結晶の引
上装置。 - （３）引上軸に成長チャンバを固定し、上方の成長チャ
ンバ下端の２つの円筒状脚部の高さ及び下方の成長チャ
ンバ上端の内外環状溝の深さを、引上軸の引上距離より
長くしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
化合物結晶の引上装置。 - （４）るつぼ軸の周囲に、成長チャンバ内に保持する結
晶成分蒸気の融液を収容する内側環状溝と液体シール剤
を収容する外側環状溝を併設し、下方の成長チャンバの
下端に上記２つの環状溝の液体中にそれぞれ浸漬してシ
ール部を形成する２つの円筒状脚部を付設したことを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項に
記載の化合物結晶の引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26163187A JPH01108195A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 化合物結晶の引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26163187A JPH01108195A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 化合物結晶の引上装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108195A true JPH01108195A (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=17364576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26163187A Pending JPH01108195A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 化合物結晶の引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108195A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03120568U (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-11 | ||
| EP1247882A1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-10-09 | General Research Institute for Nonferrous Metals | Vapor controlled czochralski (VCZ) single crystal growth apparatus |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP26163187A patent/JPH01108195A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03120568U (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-11 | ||
| EP1247882A1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-10-09 | General Research Institute for Nonferrous Metals | Vapor controlled czochralski (VCZ) single crystal growth apparatus |
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