JPH01108726A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01108726A JPH01108726A JP62267292A JP26729287A JPH01108726A JP H01108726 A JPH01108726 A JP H01108726A JP 62267292 A JP62267292 A JP 62267292A JP 26729287 A JP26729287 A JP 26729287A JP H01108726 A JPH01108726 A JP H01108726A
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- silicon substrate
- photoresist
- oxide film
- silicon
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にメサ状に
シリコン基板をエツチングする方法に関する。
シリコン基板をエツチングする方法に関する。
従来、メサ構造を有し、かつバンブ電極を有する半導体
装置においては、バンブ電極を形成する前にメサ構造を
形成するため、バンプ電極形成時には、電極の近傍にメ
サ段差が存在していた。
装置においては、バンブ電極を形成する前にメサ構造を
形成するため、バンプ電極形成時には、電極の近傍にメ
サ段差が存在していた。
この様子を、バンブ電極を有する半導体装置としてダイ
オードを例にとって説明する。まず第３図（ａ）に示す
ように、シリコン基板１上にシリコン酸化Ｊｌ！２を形
成しその開口部に金電極３を形成する。このあとメサ構
造を得るためにフォトレジスト４によりシリコン基板を
エツチングする（第３図（ｂ））。このエツチング量は
組立上の問題から５０μｍ程度と大きいものである。フ
ォトレジスト４を除去し第３図（Ｃ）に示すようなメサ
構造を形成した後、第３図（ｄ）に示すようにフォトレ
ジスト６をバターニングし、金電極３上に銀バンプ電極
７を形成する。この時、フォトレジスト６はスピンナー
（回転塗布様）を用いて形成するため、メサ段差の所で
フォトレジストが薄くなり、そこから異常メツキ部分１
１が発生する。この異常・メツキ部分１１はフォトレジ
ストを除去しても第３図（ｅ）に示すように残るため、
外観不良ま電極ショート不良等の原因となり、歩留り上
の大きな問題となっていた。
オードを例にとって説明する。まず第３図（ａ）に示す
ように、シリコン基板１上にシリコン酸化Ｊｌ！２を形
成しその開口部に金電極３を形成する。このあとメサ構
造を得るためにフォトレジスト４によりシリコン基板を
エツチングする（第３図（ｂ））。このエツチング量は
組立上の問題から５０μｍ程度と大きいものである。フ
ォトレジスト４を除去し第３図（Ｃ）に示すようなメサ
構造を形成した後、第３図（ｄ）に示すようにフォトレ
ジスト６をバターニングし、金電極３上に銀バンプ電極
７を形成する。この時、フォトレジスト６はスピンナー
（回転塗布様）を用いて形成するため、メサ段差の所で
フォトレジストが薄くなり、そこから異常メツキ部分１
１が発生する。この異常・メツキ部分１１はフォトレジ
ストを除去しても第３図（ｅ）に示すように残るため、
外観不良ま電極ショート不良等の原因となり、歩留り上
の大きな問題となっていた。
本発明の半導体装置の製造゛方法は、メサ構造を得るた
めに弗酸、硝酸系のエツチング液でシリコン基板をエツ
チング液る際、エツチングの終了時に表面に紫外線を含
む光を照射することにより、シリコン表面に化成酸化膜
を形成し、メサエッチング部を絶縁膜で被覆することを
特徴とする。
めに弗酸、硝酸系のエツチング液でシリコン基板をエツ
チング液る際、エツチングの終了時に表面に紫外線を含
む光を照射することにより、シリコン表面に化成酸化膜
を形成し、メサエッチング部を絶縁膜で被覆することを
特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例であるダイオードの製造
工程を示す断面図である。まず、第１図（ａ）に示すよ
うにシリコン基板１上にシリコン酸化膜２を形成し、そ
の開口部に金電極３を形成する０次にメサ構造を得るた
めに第１図（ｂ）に示すようにフォトレジスト４をマス
クにして弗酸、硝酸系のエツチング液によりシリコン基
板１をエツチングする。このエツチングの終了の時点で
シリコン基板に紫外線を含む光を照射すると、光化学反
応により、エツチング液に曝されたシリコン基板表面に
化成酸化膜５が形成される。このあと第１図（Ｃ）のよ
うにフォトレジスト４を除去する０次に第１°図（ｄ）
のようにフォトレジスト６をパターニングし、金電極３
の上に銀バンプ電極７を形成する。この際フォトレジス
ト６がメサ段差部で薄くなっても化成酸化膜５があるの
で異常メツキされない。
工程を示す断面図である。まず、第１図（ａ）に示すよ
うにシリコン基板１上にシリコン酸化膜２を形成し、そ
の開口部に金電極３を形成する０次にメサ構造を得るた
めに第１図（ｂ）に示すようにフォトレジスト４をマス
クにして弗酸、硝酸系のエツチング液によりシリコン基
板１をエツチングする。このエツチングの終了の時点で
シリコン基板に紫外線を含む光を照射すると、光化学反
応により、エツチング液に曝されたシリコン基板表面に
化成酸化膜５が形成される。このあと第１図（Ｃ）のよ
うにフォトレジスト４を除去する０次に第１°図（ｄ）
のようにフォトレジスト６をパターニングし、金電極３
の上に銀バンプ電極７を形成する。この際フォトレジス
ト６がメサ段差部で薄くなっても化成酸化膜５があるの
で異常メツキされない。
第２図は、本発明の第２の実施例を示す断面図である。
まず、第２図（ａ）に示すようにシリコン基板２１にＰ
Ｎ接合２２を形成し、シリコン窒化膜２３をマスクにし
てシリコン基板をエツチングしメサ部２４を形成する。
Ｎ接合２２を形成し、シリコン窒化膜２３をマスクにし
てシリコン基板をエツチングしメサ部２４を形成する。
この時、エツチング深さはＰＮ接合部より深くし、エツ
チング終了時点で光照射を行ない、化成酸化膜２５を形
成する。こうしてメサ部２４を形成し、このメサ部でＰ
Ｎ接合２２を切るために、接合耐圧の向上が得られる。
チング終了時点で光照射を行ない、化成酸化膜２５を形
成する。こうしてメサ部２４を形成し、このメサ部でＰ
Ｎ接合２２を切るために、接合耐圧の向上が得られる。
この後、第２図（ｂ）に示すようにシリコン窒化膜２３
を熱リン酸にて除去し、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜
２６を形成する。この時、シリコン酸化膜２６のステッ
プカバレッジが悪いため、メサ部の特に側面にはほとん
ど膜が成長しない、続いて、第２図（Ｃ）に示すように
シリコン酸化膜２６にコンタクトホール２７を形成し、
金電極２８を形成する。この後、第２図（ｄ）のように
銀メツキを行なって銀バンプ電極２９が形成される。銀
バンプ電極形成時、従来はメサ部の所のシリコン酸化膜
のステップカバレッジが悪く段差部に異常メツキされた
が、化成酸化膜形成後は異常メツキは皆無となった。
を熱リン酸にて除去し、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜
２６を形成する。この時、シリコン酸化膜２６のステッ
プカバレッジが悪いため、メサ部の特に側面にはほとん
ど膜が成長しない、続いて、第２図（Ｃ）に示すように
シリコン酸化膜２６にコンタクトホール２７を形成し、
金電極２８を形成する。この後、第２図（ｄ）のように
銀メツキを行なって銀バンプ電極２９が形成される。銀
バンプ電極形成時、従来はメサ部の所のシリコン酸化膜
のステップカバレッジが悪く段差部に異常メツキされた
が、化成酸化膜形成後は異常メツキは皆無となった。
以上説明したように、本発明はシリコン基板を弗酸、硝
酸系のエツチング液でエツチングする際、エツチング終
了時に光を照射することによりシリコン表面に化成酸化
膜を形成し、この絶縁膜によりメサ段差部での異常メツ
キの発生を防止し、信頼性、歩留りの向上ができる効果
がある。
酸系のエツチング液でエツチングする際、エツチング終
了時に光を照射することによりシリコン表面に化成酸化
膜を形成し、この絶縁膜によりメサ段差部での異常メツ
キの発生を防止し、信頼性、歩留りの向上ができる効果
がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例であるダ
イオードの製造工程を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ
）は本発明の第２の実施例の製造工程を示す断面図、第
３図（ａ）〜（ｅ）は従来のダイオードの製造工程を示
す断面図である。 １．２１・・・シリコン基板、２．２６・・・シリコン
酸化膜、３，２８・・・金電極、４．６・・・フォトレ
ジスト、５，２５・・・化成酸化膜、７，２９・・・銀
バンプ電極、１１・・・異常メツキ部分、２２・・・Ｐ
Ｎ接合、２３・・・シリコン窒化膜、２４・・・メサ部
、２７・・・コンタクトホール。
イオードの製造工程を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ
）は本発明の第２の実施例の製造工程を示す断面図、第
３図（ａ）〜（ｅ）は従来のダイオードの製造工程を示
す断面図である。 １．２１・・・シリコン基板、２．２６・・・シリコン
酸化膜、３，２８・・・金電極、４．６・・・フォトレ
ジスト、５，２５・・・化成酸化膜、７，２９・・・銀
バンプ電極、１１・・・異常メツキ部分、２２・・・Ｐ
Ｎ接合、２３・・・シリコン窒化膜、２４・・・メサ部
、２７・・・コンタクトホール。
Claims (1)
- シリコン基板を弗酸、硝酸系のエッチング液を用いて
エッチングする際、そのエッチング終点近傍で紫外線を
含む光を照射することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62267292A JPH01108726A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62267292A JPH01108726A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108726A true JPH01108726A (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=17442801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62267292A Pending JPH01108726A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108726A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5702578A (en) * | 1992-07-06 | 1997-12-30 | Mazda Motor Corporation | Method of applying a surface coating |
| US5976677A (en) * | 1992-04-06 | 1999-11-02 | Mazda Motor Corporation | Surface coating and method of applying the same |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP62267292A patent/JPH01108726A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976677A (en) * | 1992-04-06 | 1999-11-02 | Mazda Motor Corporation | Surface coating and method of applying the same |
| US5702578A (en) * | 1992-07-06 | 1997-12-30 | Mazda Motor Corporation | Method of applying a surface coating |
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