JPS595631A - メサ型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
メサ型半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS595631A JPS595631A JP57114854A JP11485482A JPS595631A JP S595631 A JPS595631 A JP S595631A JP 57114854 A JP57114854 A JP 57114854A JP 11485482 A JP11485482 A JP 11485482A JP S595631 A JPS595631 A JP S595631A
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- JP
- Japan
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- groove
- section
- semiconductor substrate
- forming
- coating
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、メサ側壁を２段構造になしたメサ型半導体装
置及びその製造方法に関する。
置及びその製造方法に関する。
メサ型半導体装置は衆知の如くメサエッチングによって
形成された溝部側壁にＰＮ接合部が露呈しており通常こ
の側壁を含む溝部には表面安定化被膜が被着形成され、
これによってメサ型半導体装置の特性を安定化している
。かかる表面安定化被膜の形成方法に、硅酸ガラスの微
粉末をアルコール等の有機溶剤中へ懸濁しこれに電解液
として弗酸あるいはアンモニア水を微量添加してなる懸
濁液中でガラス微粉末を電気泳動させて半導体基板の溝
部へ被着する電気泳動法が利用される。
形成された溝部側壁にＰＮ接合部が露呈しており通常こ
の側壁を含む溝部には表面安定化被膜が被着形成され、
これによってメサ型半導体装置の特性を安定化している
。かかる表面安定化被膜の形成方法に、硅酸ガラスの微
粉末をアルコール等の有機溶剤中へ懸濁しこれに電解液
として弗酸あるいはアンモニア水を微量添加してなる懸
濁液中でガラス微粉末を電気泳動させて半導体基板の溝
部へ被着する電気泳動法が利用される。
第１図はかかる電気泳動法によりガラス被膜が溝部に被
着形成された従来のメサ構造を有する半導体基板の断面
図である。
着形成された従来のメサ構造を有する半導体基板の断面
図である。
図中、１はシリコン基板部、２は前記基板部１と内部で
ＰＮ接合を形成する表面領域、３は同半導体基板上を覆
う酸化膜（５ｉＯ２）、 ４はメサエッチングにより形
成した溝、そして６は溝部に被着形成されたガラス被膜
である。
ＰＮ接合を形成する表面領域、３は同半導体基板上を覆
う酸化膜（５ｉＯ２）、 ４はメサエッチングにより形
成した溝、そして６は溝部に被着形成されたガラス被膜
である。
ところで電気泳動法ではガラス微粉末被着のマスクとな
る酸化膜３の端が露呈する半導体基体面と接していると
ガラス微粉末被着のまわり込み現象が起り酸化膜３の上
にも被着し突起部６が形成される。この突起部６はその
後電極形成時のマスクとなるホトレジスト膜の塗布むら
を起こす原因となるのみならず電極パターン形成のだめ
のマスクと半導体基板の相互間隔を保持する上でもこれ
を損う原因となる、等の問題が多かった。
る酸化膜３の端が露呈する半導体基体面と接していると
ガラス微粉末被着のまわり込み現象が起り酸化膜３の上
にも被着し突起部６が形成される。この突起部６はその
後電極形成時のマスクとなるホトレジスト膜の塗布むら
を起こす原因となるのみならず電極パターン形成のだめ
のマスクと半導体基板の相互間隔を保持する上でもこれ
を損う原因となる、等の問題が多かった。
本発明は、電気泳動法により溝部へガラス被膜を被着形
成するにあたりガラス微粉末被着のまわり込み現象によ
り生じる突起部がその後の工程に及ぼす塗布むら等の悪
影響を皆無にする事が出来るメサ型半導体装置及びその
製造方法を提供するものである。すなわち本発明は溝側
壁部を２段構造となしガラス微粉末のまわり込み突起被
着部を基板表面から下位の溝内部に形成するようにした
ものである。
成するにあたりガラス微粉末被着のまわり込み現象によ
り生じる突起部がその後の工程に及ぼす塗布むら等の悪
影響を皆無にする事が出来るメサ型半導体装置及びその
製造方法を提供するものである。すなわち本発明は溝側
壁部を２段構造となしガラス微粉末のまわり込み突起被
着部を基板表面から下位の溝内部に形成するようにした
ものである。
以下、第２図を参照して本発明のメサ型半導体装置の製
造方法を詳しく説明する。
造方法を詳しく説明する。
第２図、（ａ）〜（Ｃ）は本発明の方法によりガラス被
膜を溝部に被着形成する主要な処理過程を示す工程図で
あり先づ半導体基板１とＰＮ接合を形成する表面領域２
に、酸化膜３を形成し、この酸化膜３にメサエッチング
用窓４を開口し、エツチング処理を施して、前記表面領
域２に、ＰＮ接合部を貫かない程度に比較的浅い第１の
溝４、を形成する（第２図（ａ））。その後、酸化膜３
を除去し、ついで、衆知の熱処理にて半導体基板１を覆
う新たな酸化膜３′を形成し前記酸化膜３′上にホトレ
ジスト等の耐食性被膜７に前記開口窓幅石より狭い関係
のエツチング用窓１２を前記溝部４に形成する（第２図
（１）） ） ｏこの窓１２を通してエツチングを行な
い溝部４よりも深（ＰＮ接合部を１貫く第２の溝４′を
形成し、溝部が浅い淵を有する。いわゆる２段構造にな
るように形成する。しかるのち前述した電気泳動法によ
りガラス被膜６をこの溝部４′に被着形成する（第２図
（０） ） 、）ガラス被膜を被着形成後焼付処理を施
すと従来のようにガラス被膜５の溝部端の頂部に突起部
６が形成されているが、この部分は、一段低い表面領域
面にあり、半導体基板１の平坦な表面には突出しないよ
うにすることが可能であり、したがって、これが、その
後のマスク工程の支障になることはない。
膜を溝部に被着形成する主要な処理過程を示す工程図で
あり先づ半導体基板１とＰＮ接合を形成する表面領域２
に、酸化膜３を形成し、この酸化膜３にメサエッチング
用窓４を開口し、エツチング処理を施して、前記表面領
域２に、ＰＮ接合部を貫かない程度に比較的浅い第１の
溝４、を形成する（第２図（ａ））。その後、酸化膜３
を除去し、ついで、衆知の熱処理にて半導体基板１を覆
う新たな酸化膜３′を形成し前記酸化膜３′上にホトレ
ジスト等の耐食性被膜７に前記開口窓幅石より狭い関係
のエツチング用窓１２を前記溝部４に形成する（第２図
（１）） ） ｏこの窓１２を通してエツチングを行な
い溝部４よりも深（ＰＮ接合部を１貫く第２の溝４′を
形成し、溝部が浅い淵を有する。いわゆる２段構造にな
るように形成する。しかるのち前述した電気泳動法によ
りガラス被膜６をこの溝部４′に被着形成する（第２図
（０） ） 、）ガラス被膜を被着形成後焼付処理を施
すと従来のようにガラス被膜５の溝部端の頂部に突起部
６が形成されているが、この部分は、一段低い表面領域
面にあり、半導体基板１の平坦な表面には突出しないよ
うにすることが可能であり、したがって、これが、その
後のマスク工程の支障になることはない。
以下に第２図に示す本発明の実施態様例を説明する。表
面が酸化膜３で覆われたシリコン基板１の表面領域２上
にホトレジスト膜７を約１０ｐｍの厚みで塗布したのち
、このホトレジスト膜７に２６０μｍの窓幅（１１）を
もつエツチング用窓を形成するとともにこの窓内の酸化
膜を除去し次いで弗酸、硝酸、酢酸を容量比で１．ｒｓ
： ７ ： １．５の割合いで混合してなるエツチン
グ液中へ半導体基板を浸漬することにより深さがＰＮ接
合部を貫かない溝４を形成する。
面が酸化膜３で覆われたシリコン基板１の表面領域２上
にホトレジスト膜７を約１０ｐｍの厚みで塗布したのち
、このホトレジスト膜７に２６０μｍの窓幅（１１）を
もつエツチング用窓を形成するとともにこの窓内の酸化
膜を除去し次いで弗酸、硝酸、酢酸を容量比で１．ｒｓ
： ７ ： １．５の割合いで混合してなるエツチン
グ液中へ半導体基板を浸漬することにより深さがＰＮ接
合部を貫かない溝４を形成する。
かかるエツチング処理を施した後、ホトレジスト膜を除
去し、さらに、酸化膜３を除去し、しかるのち熱処理を
施し半導体基板を再び、新たな酸化膜３にて覆い、さら
に、ホトレジストを１６／／ｍの厚みで塗布し前記溝部
内に１８０／／ｍの窓幅（４２）をもつエツチング用窓
を形成するとともにこの窓内の酸化膜を除去し次いで弗
酸、硝酸、酢酸の容量比で３：６：２の割合いで混合し
てなるエツチング液にて処理しＰＭ接合部を貫く溝４′
を形成し、溝形状を２段構造とする。かかる処理の施さ
れた半導体基板を、酸化鉛を主成分としたガラス微粉末
をアルコール中に懸濁させるとともに塩化アルミニウム
を電解質として添加してなる処理液にて。
去し、さらに、酸化膜３を除去し、しかるのち熱処理を
施し半導体基板を再び、新たな酸化膜３にて覆い、さら
に、ホトレジストを１６／／ｍの厚みで塗布し前記溝部
内に１８０／／ｍの窓幅（４２）をもつエツチング用窓
を形成するとともにこの窓内の酸化膜を除去し次いで弗
酸、硝酸、酢酸の容量比で３：６：２の割合いで混合し
てなるエツチング液にて処理しＰＭ接合部を貫く溝４′
を形成し、溝形状を２段構造とする。かかる処理の施さ
れた半導体基板を、酸化鉛を主成分としたガラス微粉末
をアルコール中に懸濁させるとともに塩化アルミニウム
を電解質として添加してなる処理液にて。
２０Ｖの電圧を３０秒間印加することによりガラス微粉
末に電気泳動を生じさせ、約１６μｍの厚さのガラス被
膜６を形成する。ガラス被膜６の被膜形成は浅い溝部で
突起部６が発生しているが平導体基板表面の酸化膜３′
から突出する迄は達していなかった。
末に電気泳動を生じさせ、約１６μｍの厚さのガラス被
膜６を形成する。ガラス被膜６の被膜形成は浅い溝部で
突起部６が発生しているが平導体基板表面の酸化膜３′
から突出する迄は達していなかった。
以上の説明から明らかなように、本発明による２段構造
の溝を有するメサ型半導体装置は電気泳動法によりガラ
ス被膜を形成する場合に問題となるガラス微粉末被着の
まわり込み現象実質的に排除出来るので、レジストの塗
布むら、マスク不良等の問題がなくなる効果を有する０
の溝を有するメサ型半導体装置は電気泳動法によりガラ
ス被膜を形成する場合に問題となるガラス微粉末被着の
まわり込み現象実質的に排除出来るので、レジストの塗
布むら、マスク不良等の問題がなくなる効果を有する０
第１図は、従来構造の溝部に電気泳動法によりガラス被
膜の被着形成がなされた半導体基板の断面図、第２図（
ａ）〜（Ｃ）は、本発明の２段構造の溝に於けるガラス
被膜の形成方法を説明するための処理工程図である０ １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・表面領域、
３．３′・・・・・・酸化膜、４．４’・・・・・・エ
ッチ溝、６・・・・・ガラス被膜、６・・・・・・突起
部、７・・・・・・ホトレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
膜の被着形成がなされた半導体基板の断面図、第２図（
ａ）〜（Ｃ）は、本発明の２段構造の溝に於けるガラス
被膜の形成方法を説明するための処理工程図である０ １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・表面領域、
３．３′・・・・・・酸化膜、４．４’・・・・・・エ
ッチ溝、６・・・・・ガラス被膜、６・・・・・・突起
部、７・・・・・・ホトレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (2)
- （１）ＰＮ接合面を有する半導体基板と、前記半導体基
板表面に前記ＰＮ接合面より浅い第１の溝部と、前記第
１の溝部内に形成されかつ前記ＰＭ接合面を貫く第２の
溝部と、前記第１の溝部から前記第２の溝部にわたって
形成されたガラス被膜とを有することを特徴とするメサ
型半導体装置。 - （２）ＰＮ接合面を有する半導体基板上を覆う第１の絶
縁膜に第１の開口を形成し、前記第１の開口をマスクと
して前記ＰＮ接合面より浅い第１の溝を形成する工程と
、第２の絶縁膜を形成し、前記第１の溝内の前記第２の
絶縁膜に第２の開口を形成し、前記第２の開口を通して
前記ＰＮ接合面より深い第２の溝を形成する工程と、電
気泳動法により前記第１及び第２の溝部にガラス被膜を
形成する工程とを含むことを特徴とするメサ型半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57114854A JPS595631A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | メサ型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57114854A JPS595631A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | メサ型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS595631A true JPS595631A (ja) | 1984-01-12 |
Family
ID=14648358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57114854A Pending JPS595631A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | メサ型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS595631A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009019358A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Hitachi Plant Technologies Ltd | 自動除塵機 |
| JP2014175389A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Mitsubishi Materials Corp | アルミナ絶縁膜の形成方法 |
-
1982
- 1982-07-01 JP JP57114854A patent/JPS595631A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009019358A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Hitachi Plant Technologies Ltd | 自動除塵機 |
| JP2014175389A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Mitsubishi Materials Corp | アルミナ絶縁膜の形成方法 |
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