JPH01109611A - 熱分解法による超電導材の製造方法 - Google Patents
熱分解法による超電導材の製造方法Info
- Publication number
- JPH01109611A JPH01109611A JP62265444A JP26544487A JPH01109611A JP H01109611 A JPH01109611 A JP H01109611A JP 62265444 A JP62265444 A JP 62265444A JP 26544487 A JP26544487 A JP 26544487A JP H01109611 A JPH01109611 A JP H01109611A
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- superconducting
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、熱分解法による超電導材の製造方法に関す
るものである。
るものである。
数年前までは遠い将来の技術とされていた超電導技術は
、１９８６年に臨界温度（’ｒｅ：超電導現象が現われ
る限界温度）が４０ Ｋ （−２３３°Ｃ）のセラミッ
クス系超電導物質が発見され、続いてその翌年に（’ｒ
ｅ）が９０ ｘ （−１Ｂ３°Ｃ）のセラミックス系超
電導物質が発見されたことによって、にわかに脚光を浴
び、最近各方面でその実用化への研究が進められている
。
、１９８６年に臨界温度（’ｒｅ：超電導現象が現われ
る限界温度）が４０ Ｋ （−２３３°Ｃ）のセラミッ
クス系超電導物質が発見され、続いてその翌年に（’ｒ
ｅ）が９０ ｘ （−１Ｂ３°Ｃ）のセラミックス系超
電導物質が発見されたことによって、にわかに脚光を浴
び、最近各方面でその実用化への研究が進められている
。
現在のところ、（’ｒｃ ）が９０にの超電導物質とし
て、Ｙ −Ｂ、−Ｃｕ −０系のセラミックス（化学組
成：ＹＢα２ Ｃｕ３Ｏ）−ｙ）が注目されている。
て、Ｙ −Ｂ、−Ｃｕ −０系のセラミックス（化学組
成：ＹＢα２ Ｃｕ３Ｏ）−ｙ）が注目されている。
超電導物質は、（’ｒｅ ） 温度下で電気抵抗がゼ
ロで且つ外部磁界に対して反磁性を示す性質（マイスナ
ー効果）を有していることから、その工業的利用分野は
極めて広く、例えば、低損失で電力を送電することがで
きる電カケープル、ケーブルをコイル状に形成すること
によって強大な磁界を発生し得る磁気コイル、半導体基
材の表面上に超電導物質からなる皮膜を形成することに
よって得られる高スィッチング速度を有するジョセフン
ン素子等、電気やエレクトロニクスの分野を始め無限と
云っても過言ではない。
ロで且つ外部磁界に対して反磁性を示す性質（マイスナ
ー効果）を有していることから、その工業的利用分野は
極めて広く、例えば、低損失で電力を送電することがで
きる電カケープル、ケーブルをコイル状に形成すること
によって強大な磁界を発生し得る磁気コイル、半導体基
材の表面上に超電導物質からなる皮膜を形成することに
よって得られる高スィッチング速度を有するジョセフン
ン素子等、電気やエレクトロニクスの分野を始め無限と
云っても過言ではない。
従来、Ｙ Ｂ４２ Ｃｕ３ ｏ７からなる超電導材を製
造するには、Ｙ２Ｏ３、ＣｕＯおよびＢ、ＣＯ，粉末を
所望割合で混合したものを１次焼成し、これを所定粒度
に粉、砕して粉状超電導原料を調製し、この原料を所望
形状に成形後、焼成していた。
造するには、Ｙ２Ｏ３、ＣｕＯおよびＢ、ＣＯ，粉末を
所望割合で混合したものを１次焼成し、これを所定粒度
に粉、砕して粉状超電導原料を調製し、この原料を所望
形状に成形後、焼成していた。
しかし、上述した従来法では、粉状超電導原料を用いて
いるので、基材の表面上にＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ□からなる
超電導薄膜を形成することが困難であり、しかも、Ｙ２
０３ 、 Ｃｕ ＯおよびＢ、ＣＯ３粉末を機械的に均
一に混合することが困難であった。
いるので、基材の表面上にＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ□からなる
超電導薄膜を形成することが困難であり、しかも、Ｙ２
０３ 、 Ｃｕ ＯおよびＢ、ＣＯ３粉末を機械的に均
一に混合することが困難であった。
そこで、この発明の目的は、成分が均一なＹＢｅＬ２Ｃ
ｕ３Ｏ７からなる超電導薄膜を基材上に容易且つ短時間
に形成することができる、熱分解法による超電導材の製
造方法を提供することにある。
ｕ３Ｏ７からなる超電導薄膜を基材上に容易且つ短時間
に形成することができる、熱分解法による超電導材の製
造方法を提供することにある。
この発明は、イツトリウム、バリウムおよび銅化合物を
モル比でｌ：２：３の割合で混合し、この混合物を水に
溶解し、このようにして得られた水溶液を基材の表面に
塗布し、次いで、前記表面の付着水溶液を乾燥させ、そ
して、前記塗布、乾燥操作を繰り返し行ない、これによ
って前記基材の表面上に形成された皮膜を焼成し、かく
して、前記基材の表面上にＹ Ｂａ２ Ｃｕ３ ｏ、か
らなる超電導薄膜を形成することに特徴を有するもので
ある。
モル比でｌ：２：３の割合で混合し、この混合物を水に
溶解し、このようにして得られた水溶液を基材の表面に
塗布し、次いで、前記表面の付着水溶液を乾燥させ、そ
して、前記塗布、乾燥操作を繰り返し行ない、これによ
って前記基材の表面上に形成された皮膜を焼成し、かく
して、前記基材の表面上にＹ Ｂａ２ Ｃｕ３ ｏ、か
らなる超電導薄膜を形成することに特徴を有するもので
ある。
この発明を実施例によって更に説明する。
実施例１
ＹＯ２、Ｂ、ＬＣ４およびＣｕ Ｃ２２をｌ：２：３（
モル比）の割合で混合したものを、５０ｍ１の水に２０
２溶解させた。このようにして調製した、Ｙ、Ｂａ。
モル比）の割合で混合したものを、５０ｍ１の水に２０
２溶解させた。このようにして調製した、Ｙ、Ｂａ。
Ｃｕ イオンが均一に混合された水浴液をジルコニア
からなる基板の表面に塗布し、この後、１００℃の温度
で付着水溶液を乾燥させた。この操作を繰り返し行なっ
て、トータルでｌ ｍｌ ／ ｃｒｄの水溶液を基板の
表面に塗布した。次に、このようにして表面上に皮膜が
形成された基板を、大気中で１０００℃の温度に４時間
加熱して皮膜を焼成した。このようにして、基板の表面
に約ｌＯμｍの膜厚を有するＹ ＢｃＬ２ Ｃｕ３ ｏ
７からなる超電導薄膜が形成された超電導材を製造した
。
からなる基板の表面に塗布し、この後、１００℃の温度
で付着水溶液を乾燥させた。この操作を繰り返し行なっ
て、トータルでｌ ｍｌ ／ ｃｒｄの水溶液を基板の
表面に塗布した。次に、このようにして表面上に皮膜が
形成された基板を、大気中で１０００℃の温度に４時間
加熱して皮膜を焼成した。このようにして、基板の表面
に約ｌＯμｍの膜厚を有するＹ ＢｃＬ２ Ｃｕ３ ｏ
７からなる超電導薄膜が形成された超電導材を製造した
。
上記超電導材の臨界温度（’ｒｅ ）、臨界電流密度（
、ｒｅ） について調べた結果、Ｔｃ ＝９０Ｋ 、
Ｊｃ ：１００Ａ／ｃ４であった。そして、マイスナ
ー効果は、７’７にでその効果が現われた。
、ｒｅ） について調べた結果、Ｔｃ ＝９０Ｋ 、
Ｊｃ ：１００Ａ／ｃ４であった。そして、マイスナ
ー効果は、７’７にでその効果が現われた。
実施例２
Ｙ （ＮＯ３）３ 、 Ｂａ （ＮＯ３）２およびＣｕ
（ＮＯ３）２をｌ：２：３（モル比）の割合で混合した
ものを、５０−の水に２０９溶解させた。このようにし
て調製した、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ イオンが均一に混合さ
れた水溶液をジルコニアからなる基板の表面に塗布し、
この後、１００℃の温度で付着水浴液を乾燥させた。こ
の操作を繰り返し行なって、トータルで２−／ｄの水浴
液を基板の表面に塗布した。次に、このようにして表面
上に皮膜が形成された基板を、大気中で９５０°Ｃの温
度に４時間加熱して皮膜を焼成した。このようにして、
基板の表面に約１２μｍの膜厚を有するＹＢ、□Ｃｕ３
Ｏ７からなる超電導薄膜が形成された超電導材を製造し
た。
（ＮＯ３）２をｌ：２：３（モル比）の割合で混合した
ものを、５０−の水に２０９溶解させた。このようにし
て調製した、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ イオンが均一に混合さ
れた水溶液をジルコニアからなる基板の表面に塗布し、
この後、１００℃の温度で付着水浴液を乾燥させた。こ
の操作を繰り返し行なって、トータルで２−／ｄの水浴
液を基板の表面に塗布した。次に、このようにして表面
上に皮膜が形成された基板を、大気中で９５０°Ｃの温
度に４時間加熱して皮膜を焼成した。このようにして、
基板の表面に約１２μｍの膜厚を有するＹＢ、□Ｃｕ３
Ｏ７からなる超電導薄膜が形成された超電導材を製造し
た。
上記超電導材の臨界温度（’ｒｅ ）、臨界電流密度（
ＪＣ）について調べた結果、Ｔｃ ：９０Ｋ 、 Ｊｃ
：１２０ Ａ ／Ｃ！であった。そして、マイスナー
効果は、７７にでその効果が現われた。
ＪＣ）について調べた結果、Ｔｃ ：９０Ｋ 、 Ｊｃ
：１２０ Ａ ／Ｃ！であった。そして、マイスナー
効果は、７７にでその効果が現われた。
以上説明したように、この発明によれば、基材の表面に
、Ｙ、 Ｂａ 、 Ｃｕイオンを含有する水溶液を塗布
し、乾燥させて、基材の表面上に超電導膜を形成し、そ
して、この薄膜を焼成するだけで、基材の表面上に超電
導薄膜を容易且つ短時間に形成することができ、しかも
、Ｙ、 Ｃｕ、 Ｂａの化合物の粉末を混合させる場合
のように、各粉末が均一に混合されないという問題も全
く生じないといったきわめて有用な効果がもたらされる
。
、Ｙ、 Ｂａ 、 Ｃｕイオンを含有する水溶液を塗布
し、乾燥させて、基材の表面上に超電導膜を形成し、そ
して、この薄膜を焼成するだけで、基材の表面上に超電
導薄膜を容易且つ短時間に形成することができ、しかも
、Ｙ、 Ｃｕ、 Ｂａの化合物の粉末を混合させる場合
のように、各粉末が均一に混合されないという問題も全
く生じないといったきわめて有用な効果がもたらされる
。
Claims (1)
- イットリウム、バリウムおよび銅化合物をモル比で１
：２：３の割合で混合し、この混合物を水に溶解し、こ
のようにして得られた水溶液を基材の表面に塗布し、次
いで、前記表面の付着水溶液を乾燥させ、そして、前記
塗布、乾燥操作を繰り返し行ない、これによつて前記基
材の表面上に形成された皮膜を焼成し、かくして、前記
基材の表面上にＹＢ＿α＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７からなる超
電導薄膜を形成することを特徴とする、熱分解法による
超電導材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62265444A JPH01109611A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 熱分解法による超電導材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62265444A JPH01109611A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 熱分解法による超電導材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01109611A true JPH01109611A (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=17417236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62265444A Pending JPH01109611A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 熱分解法による超電導材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01109611A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100750963B1 (ko) * | 2005-11-09 | 2007-08-22 | 한국전기연구원 | 저 교류손실 고온 초전도 선재의 구조 및 그 제조방법 |
-
1987
- 1987-10-22 JP JP62265444A patent/JPH01109611A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100750963B1 (ko) * | 2005-11-09 | 2007-08-22 | 한국전기연구원 | 저 교류손실 고온 초전도 선재의 구조 및 그 제조방법 |
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