JPH01110707A - 磁心 - Google Patents
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- JPH01110707A JPH01110707A JP62267830A JP26783087A JPH01110707A JP H01110707 A JPH01110707 A JP H01110707A JP 62267830 A JP62267830 A JP 62267830A JP 26783087 A JP26783087 A JP 26783087A JP H01110707 A JPH01110707 A JP H01110707A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は線形加速器、レーダやエキシマレーザ等の高電
圧パルス発生装置に使用される磁気スイッチ用鉄基軟磁
性合金コアに関するものである。
圧パルス発生装置に使用される磁気スイッチ用鉄基軟磁
性合金コアに関するものである。
線形加速器やエキシマレーザ等の装置においては、パル
ス幅が数十〜数百n seeと極めて短かく、かつ数十
kV以上の高電圧を発生するパルス発生装置が必要であ
る。しかも、単発エネルギーは大きいものでは数十万以
上にもなり、かつ繰返し数が1 kHz以上と極めて苛
酷な条件で、安定した動作を行う高電圧パルス発生装置
が要求されている。
ス幅が数十〜数百n seeと極めて短かく、かつ数十
kV以上の高電圧を発生するパルス発生装置が必要であ
る。しかも、単発エネルギーは大きいものでは数十万以
上にもなり、かつ繰返し数が1 kHz以上と極めて苛
酷な条件で、安定した動作を行う高電圧パルス発生装置
が要求されている。
従来、高電圧パルス発生装置のスイッチとしては、サイ
ラトロンやスパークギャップが用いられてきたが、上述
の様な大パワー′の極短パルスを発生した場合、その寿
命は極めて短くなり実用に耐えない。
ラトロンやスパークギャップが用いられてきたが、上述
の様な大パワー′の極短パルスを発生した場合、その寿
命は極めて短くなり実用に耐えない。
これに対し第1図に示す様な非晶質合金コアを磁気スイ
ッチとして用いたパルス圧縮回路が知られている(特開
昭59−63704.特開昭60−96182. US
P4.275.317等)、第1図は3個の磁気スイッ
チS、。
ッチとして用いたパルス圧縮回路が知られている(特開
昭59−63704.特開昭60−96182. US
P4.275.317等)、第1図は3個の磁気スイッ
チS、。
St、Ssを用いた3段のパルス圧縮回路の原理を示す
が、n個の磁気スイッチを用いればn段のパルス圧縮回
路が形成でき、その原理は同一である。
が、n個の磁気スイッチを用いればn段のパルス圧縮回
路が形成でき、その原理は同一である。
第1図において、エネルギー転送効率を高める為には、
C+=Czとし、SI、St、Ssのインダクタンスは
高次段程小さくする。
C+=Czとし、SI、St、Ssのインダクタンスは
高次段程小さくする。
第1図で、01が所定電圧になった時点でスイッチSW
を閉じると、S、が高インピーダンスの為、hは極めて
小さく、SIが飽和に達すると゛ Slのインピーダ
ンスが著るしく小さくなる為、C1の電荷が02に瞬時
に流れ、■、は短時間で大電流となる。その場合、C2
が十分充電されるまでの時間、S2が高インピーダンス
を保つ様に82のコア定数を定める。次いでCtが十分
高電圧になった時点で82の磁心が飽和し、C2の電荷
がPFM(パルスフォーミングライン)に流れ込む。そ
の様子を第2図に示すが、この動作を順次繰返すことに
よりI+、It、Isで示す様にパルス幅は圧縮される
。
を閉じると、S、が高インピーダンスの為、hは極めて
小さく、SIが飽和に達すると゛ Slのインピーダ
ンスが著るしく小さくなる為、C1の電荷が02に瞬時
に流れ、■、は短時間で大電流となる。その場合、C2
が十分充電されるまでの時間、S2が高インピーダンス
を保つ様に82のコア定数を定める。次いでCtが十分
高電圧になった時点で82の磁心が飽和し、C2の電荷
がPFM(パルスフォーミングライン)に流れ込む。そ
の様子を第2図に示すが、この動作を順次繰返すことに
よりI+、It、Isで示す様にパルス幅は圧縮される
。
さて、この様な磁気スイッチに用いられる磁心としては
、以下の特性が要求される。
、以下の特性が要求される。
第1に、この様な動作をする磁気スイッチは、マクスウ
ェルの電磁方程式から導出されるVT−NSΔB
−・・−(1)V:磁気スイッチに印加する電圧 T:その電圧が印加する時間 N:M1気スイッチコアの巻約数 ΔB:磁束密度の変化量 の関係式に従い磁心する。従って、Nを一定とし、同一
のVT積を得るには、ΔBが大きい程Sが小、すなわち
コアの断面積を小さ(できる事を意味する。(磁心体積
は1バΔB)!に比例する。)ここでVT積は、上述し
た様に02が十分充電する間、S2が高インピーダンス
となる条件から決定される。第3図に、磁気スイッチ用
コアの磁心する様子を模式的に示すが、B、、点を出発
点に直線(b)の様に変化する為、ΔBすなわちB、、
+BIがなるべく大きい、すなわち、コア材料としては
、飽和磁束密度が太き(、かつ角形比(B、/B、)が
大きい程望ましい事になる。尚、第2に、磁気スイッチ
としては未飽和領域のインダクタンスし。
ェルの電磁方程式から導出されるVT−NSΔB
−・・−(1)V:磁気スイッチに印加する電圧 T:その電圧が印加する時間 N:M1気スイッチコアの巻約数 ΔB:磁束密度の変化量 の関係式に従い磁心する。従って、Nを一定とし、同一
のVT積を得るには、ΔBが大きい程Sが小、すなわち
コアの断面積を小さ(できる事を意味する。(磁心体積
は1バΔB)!に比例する。)ここでVT積は、上述し
た様に02が十分充電する間、S2が高インピーダンス
となる条件から決定される。第3図に、磁気スイッチ用
コアの磁心する様子を模式的に示すが、B、、点を出発
点に直線(b)の様に変化する為、ΔBすなわちB、、
+BIがなるべく大きい、すなわち、コア材料としては
、飽和磁束密度が太き(、かつ角形比(B、/B、)が
大きい程望ましい事になる。尚、第2に、磁気スイッチ
としては未飽和領域のインダクタンスし。
が大きり、飽和領域のインダクタンスL matが小さ
い程良い、すなわち、パルス圧縮式は(L 5ilt/
1、、)自/l に比例することが知られているから
である。
い程良い、すなわち、パルス圧縮式は(L 5ilt/
1、、)自/l に比例することが知られているから
である。
ここで、L matを小さ(するには、次の点が重要で
ある。すなわち■コアの角形比が高く、飽和後の比透磁
率が1に近いこと。■磁心の体積を小さくし、空芯のも
つインダクタンスをできる限り小さくすることである。
ある。すなわち■コアの角形比が高く、飽和後の比透磁
率が1に近いこと。■磁心の体積を小さくし、空芯のも
つインダクタンスをできる限り小さくすることである。
つまり、この条件は、前述した第1の条件と同じである
。
。
また、L、を大きくするには、■未飽和領域の透磁率を
大きくすることおよび■コアの磁路長を小さくすること
が重要であり、コア材料としては■高周波での損失が小
さいこと(高周波での損失が大きいと、第3図H6が大
となり、直線(b)の勾配すなわちμ、=ΔB/H,が
小となる)、■ΔBが大きく、コア断面積を小さくする
、ことが重要である。
大きくすることおよび■コアの磁路長を小さくすること
が重要であり、コア材料としては■高周波での損失が小
さいこと(高周波での損失が大きいと、第3図H6が大
となり、直線(b)の勾配すなわちμ、=ΔB/H,が
小となる)、■ΔBが大きく、コア断面積を小さくする
、ことが重要である。
第3には特性の経時変化が小さい事が重要である。
さて、以上の事をまとめると、磁気スイッチに用いるコ
ア材料としては、■、飽和磁束密度BSが大なること、
■、角形比B、/B、が大なること、■、高周波での磁
心損失が小なること、■、磁気特性の経時変化が小さい
事が重要である。
ア材料としては、■、飽和磁束密度BSが大なること、
■、角形比B、/B、が大なること、■、高周波での磁
心損失が小なること、■、磁気特性の経時変化が小さい
事が重要である。
この様な目的の為には非晶質合金が適しており、従来用
いられてきている0代表的非晶質合金の磁気スイッチと
して必要な特性値B8.ΔB、μ、。
いられてきている0代表的非晶質合金の磁気スイッチと
して必要な特性値B8.ΔB、μ、。
磁心損失比を第1表に示す。
なお、μ、および磁心損失比は次の様にして求めた。す
なわち、第4図に評価回路を、第5図に各部の波形を、
また第6図に評価コアの磁化過程を示す。
なわち、第4図に評価回路を、第5図に各部の波形を、
また第6図に評価コアの磁化過程を示す。
さて、第4図において、制御用半導体スイッチ1がター
ンオンすると、図示巻線2の黒丸と逆極性に第5図e、
のような電圧が印加される。ここで、 Tr:3のオン期間 N、:2の巻数 A、=4の有効断面積 E、:5の電圧 とすれば、例えば磁心4は、第6図に示すB−Hループ
における第3象限側−8,に飽和する。次にT、>T、
・・・・・・(3)T、二周期 とすれば、ゲート回路の主スィッチ1のターンオン直前
に磁心4の磁束密度は、第6図に示すB−Hループの直
流磁気特性における残留磁束密度−B、にある。次に主
スィッチ1がターンオンすると、E。
ンオンすると、図示巻線2の黒丸と逆極性に第5図e、
のような電圧が印加される。ここで、 Tr:3のオン期間 N、:2の巻数 A、=4の有効断面積 E、:5の電圧 とすれば、例えば磁心4は、第6図に示すB−Hループ
における第3象限側−8,に飽和する。次にT、>T、
・・・・・・(3)T、二周期 とすれば、ゲート回路の主スィッチ1のターンオン直前
に磁心4の磁束密度は、第6図に示すB−Hループの直
流磁気特性における残留磁束密度−B、にある。次に主
スィッチ1がターンオンすると、E。
T、:1のオン期間
N9 :6の巻数
E、ニアの電圧
であれば、磁心は飽和し、第6図に示す。
ら
■9.:ゲート電流i、の波高値
1) :4の平均磁路長
まで磁化される。以上の動作における、主スィッチlが
ターンオンしてからターンオフするまでの期間Tgの磁
心Bの動作は、第6図の実線のようにである。一方、第
6図よりわかるようにである。また、単位体積における
単発パルスの磁心損失は、 となる。(8)式に(6)式を代入するとf ΔB すなわち(7)式より f μr となる、つまりμ、大なものほどPctは小となる。
ターンオンしてからターンオフするまでの期間Tgの磁
心Bの動作は、第6図の実線のようにである。一方、第
6図よりわかるようにである。また、単位体積における
単発パルスの磁心損失は、 となる。(8)式に(6)式を代入するとf ΔB すなわち(7)式より f μr となる、つまりμ、大なものほどPctは小となる。
したがって、本評価回路の測定より、ΔB大のものほど
可飽和磁心のサイズは小となり、単発パルスの全磁心損
失Pct/fは、μ、大はど小となることがわかる。
可飽和磁心のサイズは小となり、単発パルスの全磁心損
失Pct/fは、μ、大はど小となることがわかる。
第1表の評価に用いたコアは、非晶質合金の厚さが約5
0μ1)絶縁テープは厚さ9μmのポリイミド系テープ
を用い、外径100mmφ、内径60m+mφ、高さ2
5IIIIIlの形状である。熱処理は各組成の最適熱
処理温度で、゛磁路方向に800A/mの磁界を加えて
行なった。比較の為にほぼ同一コア形状のMu−Znフ
ェライトの測定結果を示す。
0μ1)絶縁テープは厚さ9μmのポリイミド系テープ
を用い、外径100mmφ、内径60m+mφ、高さ2
5IIIIIlの形状である。熱処理は各組成の最適熱
処理温度で、゛磁路方向に800A/mの磁界を加えて
行なった。比較の為にほぼ同一コア形状のMu−Znフ
ェライトの測定結果を示す。
表から明らかな様に、隘1の非晶質合金コアに比べてフ
ェライトコアは磁心損失はかなり小さいが、ΔBが小さ
い為コアの体積が約16倍にもなる。もちろん、非晶質
合金コアの場合占領積率(見掛けのコア体積に対する非
晶質合金が占める割合)が低い為第1表の通りの巻には
ならないが、例えば階1のコアの占積率を0.60と仮
定した場合でも、フェライトの必要な体積は約6倍にも
なる。
ェライトコアは磁心損失はかなり小さいが、ΔBが小さ
い為コアの体積が約16倍にもなる。もちろん、非晶質
合金コアの場合占領積率(見掛けのコア体積に対する非
晶質合金が占める割合)が低い為第1表の通りの巻には
ならないが、例えば階1のコアの占積率を0.60と仮
定した場合でも、フェライトの必要な体積は約6倍にも
なる。
同表かられかる様に、フェライトに比べれば非晶質合金
は磁気スイッチ用のコアとして優れた性質を示すが、磁
心体積の小さなものは磁心損失が大きく、磁心損失の小
さなものは磁心体積が大きいという傾向があり、バラン
スの良い材料がない。
は磁気スイッチ用のコアとして優れた性質を示すが、磁
心体積の小さなものは磁心損失が大きく、磁心損失の小
さなものは磁心体積が大きいという傾向があり、バラン
スの良い材料がない。
この理由は、非晶質合金コアはFe系とCo系に大別で
き、Fe系非晶質合金はB、が大なる代りに磁心損失が
大きい傾向にあり、Co系非晶質合金は磁心損失が小さ
い代りに、B、が小さいという傾向にあることに由来す
る。
き、Fe系非晶質合金はB、が大なる代りに磁心損失が
大きい傾向にあり、Co系非晶質合金は磁心損失が小さ
い代りに、B、が小さいという傾向にあることに由来す
る。
また、非晶質合金は経時安定性が十分でないという問題
も内在している。
も内在している。
本発明は、従来の非晶質合金がもつ、上記問題点を解決
し、Bsが比較的大きく、磁心損失が小さく、かつ経時
安定性に優れ、高電圧パルス発生装置の磁気スイッチと
して最適な全く新らしい軟磁性合金コアを提供せんとす
るものである。
し、Bsが比較的大きく、磁心損失が小さく、かつ経時
安定性に優れ、高電圧パルス発生装置の磁気スイッチと
して最適な全く新らしい軟磁性合金コアを提供せんとす
るものである。
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明斜等は、組成式
: %式% (ただし、MはCo及び/又はNiであり、M′はNb
。
: %式% (ただし、MはCo及び/又はNiであり、M′はNb
。
W、 Ta、 Zr、 Hf、 Ti及びMOからなる
群から選ばれた少なくとも1種の元素、M#はV、 C
r+ Mn、 A6゜白金属元素、Sc、 5. 希
土類元素、Au、 Zn、 Sn。
群から選ばれた少なくとも1種の元素、M#はV、 C
r+ Mn、 A6゜白金属元素、Sc、 5. 希
土類元素、Au、 Zn、 Sn。
Reからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素、X
はC,Ge+ p、 Ga、 Sbt In、 Be+
Asからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素で
あり、a、x。
はC,Ge+ p、 Ga、 Sbt In、 Be+
Asからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素で
あり、a、x。
y、 z、 α、β及びγはそれぞれ0≦a、≦0
.5,0.1≦X≦3.6≦y≦25゜3≦2≦15.
14≦y+z≦30.1≦α≦10゜0≦β≦10
.0≦T≦10を満たす、)により表わされる組成を有
し、組織の少なくとも50%が微細なりcc Fe固溶
体の結晶粒からなり、各結晶粒の最大寸法で測定した粒
径の平均が500Å以下である合金から形成された磁心
が磁気スイッチ用として優れた特性を示すことを見い出
し本発明に想到した。
.5,0.1≦X≦3.6≦y≦25゜3≦2≦15.
14≦y+z≦30.1≦α≦10゜0≦β≦10
.0≦T≦10を満たす、)により表わされる組成を有
し、組織の少なくとも50%が微細なりcc Fe固溶
体の結晶粒からなり、各結晶粒の最大寸法で測定した粒
径の平均が500Å以下である合金から形成された磁心
が磁気スイッチ用として優れた特性を示すことを見い出
し本発明に想到した。
本発明において、Cuは必須の元素であり、その含有量
Xは0.1〜3原子%の範囲である。0.1原子%より
少ないとCu添加によりμ、上昇、磁心損失の低減効果
がほとんどなく、一方3原子%より多いとμ、が低下し
好ましくない。また、本発明において特に好ましいCu
の含有量Xは0.5〜2原子%であり、この範囲で特に
高μ、で、磁心損失が低く、優れたものが得られる。
Xは0.1〜3原子%の範囲である。0.1原子%より
少ないとCu添加によりμ、上昇、磁心損失の低減効果
がほとんどなく、一方3原子%より多いとμ、が低下し
好ましくない。また、本発明において特に好ましいCu
の含有量Xは0.5〜2原子%であり、この範囲で特に
高μ、で、磁心損失が低く、優れたものが得られる。
本発明の磁心に使用される合金は通常次のようにして製
造される。
造される。
まず、前記組成の非晶質合金を溶湯から急冷により作製
し、更にこれを加熱し組織の少なくとも50%以上を微
細なりcc Fe固溶体結晶粒とする工程により製造さ
れる。
し、更にこれを加熱し組織の少なくとも50%以上を微
細なりcc Fe固溶体結晶粒とする工程により製造さ
れる。
Cuのμ、上昇、磁心損失低減効果の向上作用の原因は
明ら□かではないが次のように考えられる。
明ら□かではないが次のように考えられる。
CuとFeの相互作用パラメータは正であり、固溶度が
低く分離する傾向があるため非晶質状態の合金を加熱す
るとFe原子同志またはCu原子またはCu原子同志が
寄り集まり、クラスターを形成し組成ゆらぎが生じる。
低く分離する傾向があるため非晶質状態の合金を加熱す
るとFe原子同志またはCu原子またはCu原子同志が
寄り集まり、クラスターを形成し組成ゆらぎが生じる。
このため部分的に結晶化しやすい領域が多数でき、そこ
を核とした微細な結晶粒が生成される。この結晶はFe
を主成分とするものであり、FeとCuの固溶度はほと
んどないため結晶化によりCuは微細結晶粒の周囲には
き出され、結晶粒周辺のCu濃度が高(なる。このため
結晶粒は成長しにくいと考えられる。
を核とした微細な結晶粒が生成される。この結晶はFe
を主成分とするものであり、FeとCuの固溶度はほと
んどないため結晶化によりCuは微細結晶粒の周囲には
き出され、結晶粒周辺のCu濃度が高(なる。このため
結晶粒は成長しにくいと考えられる。
Cu添加により結晶核が多数できることと、結晶粒が成
長しに(いため結晶微細化が起こると考えられるが、こ
の作用はNb+ Ta、 W、 Mo+ Zr+ Hf
。
長しに(いため結晶微細化が起こると考えられるが、こ
の作用はNb+ Ta、 W、 Mo+ Zr+ Hf
。
Ti等の存在により特に著しく強められると考えられる
。
。
Nb、 Ta、 W、 Mo、 Zr、 Hf、 Ti
等が存在しない場合は結晶粒はあまり微細化されず軟磁
気特性も悪い。
等が存在しない場合は結晶粒はあまり微細化されず軟磁
気特性も悪い。
また磁心を形成する合金はbcc Fe固溶体からなる
微細結晶相からなり、Fe基非晶質合金に比べ磁歪が小
さくなっており、内部応力歪による磁気異方性が小さく
なることも透磁率や磁心損失低減効果が改善される理由
の1つと考えられる。
微細結晶相からなり、Fe基非晶質合金に比べ磁歪が小
さくなっており、内部応力歪による磁気異方性が小さく
なることも透磁率や磁心損失低減効果が改善される理由
の1つと考えられる。
Cuを添加しない場合は結晶粒は微細化されにくく、化
合物相が形成しやすいため結晶化により磁気特性は劣化
する。
合物相が形成しやすいため結晶化により磁気特性は劣化
する。
Si及びBは合金の微細化および磁歪調整に有用な元素
である。Si含有量yの限定理由は、yが25原子%を
超えると透磁率の良好な条件では磁歪が大きくなってし
まい好ましくなく、yが6原子%未満では十分な透磁率
が得られないためである。Bの含有量2の限定理由は、
2が2原子%未満では均一な結晶粒組織が得にくく透磁
率が劣化し好ましくなく、2が15原子%を超えると透
磁率の良好な熱処理条件では磁歪が大きくなってしまい
好ましくないためである。SiとBの総和量y+2の値
に関してはy+zが14原子%未満では非晶質化が困難
になり磁気特性が劣化し好ましくなく、一方、y+zが
30原子%を超えると飽和磁束密度の著しい低下および
軟磁気特性の劣化および磁歪の増加がある。より好まし
いSi、 B含有量の範囲は10≦y≦25.3≦2
≦12.18≦y+z≦28であり、この範囲では一5
X10−’〜+5X10’の範囲の飽和磁歪で軟磁気特
性に優れた合金が得られやすい。
である。Si含有量yの限定理由は、yが25原子%を
超えると透磁率の良好な条件では磁歪が大きくなってし
まい好ましくなく、yが6原子%未満では十分な透磁率
が得られないためである。Bの含有量2の限定理由は、
2が2原子%未満では均一な結晶粒組織が得にくく透磁
率が劣化し好ましくなく、2が15原子%を超えると透
磁率の良好な熱処理条件では磁歪が大きくなってしまい
好ましくないためである。SiとBの総和量y+2の値
に関してはy+zが14原子%未満では非晶質化が困難
になり磁気特性が劣化し好ましくなく、一方、y+zが
30原子%を超えると飽和磁束密度の著しい低下および
軟磁気特性の劣化および磁歪の増加がある。より好まし
いSi、 B含有量の範囲は10≦y≦25.3≦2
≦12.18≦y+z≦28であり、この範囲では一5
X10−’〜+5X10’の範囲の飽和磁歪で軟磁気特
性に優れた合金が得られやすい。
特に好ましくは1)≦y≦24.3≦2≦9゜18≦−
y+z≦27であり、この範囲では−1,5XIO−’
≦+1.5X10−’の範囲の飽和磁歪の合金が得られ
やすい。゛ 本発明に用いられる合金においてはM′はCuとの複合
添加により析出する結晶粒を微細化する作用を有するも
のであり、Nb、 It4. Ta、 Zr+ Hf+
Ti及びMoからなる群から選ばれた少なくとも1種
の元素である。Nb等は合金の結晶化温度を上昇させる
作用を有するが、クラスターを形成し結晶化温度を低下
させる作用を有するCuとの相互作用により結晶粒の成
長を抑え析出する結晶粒が微細化するものと考えられる
。M′の含有量αは1≦α≦10の範囲が望ましい。α
が1原子%未満では軟磁気特性が十分ではなく、10原
子%を越えると飽和磁束密度の著しい低下を招くためで
ある。好ましいαの範囲は2≦α≦8であり、この範囲
で特に優れた軟磁性が得られる。
y+z≦27であり、この範囲では−1,5XIO−’
≦+1.5X10−’の範囲の飽和磁歪の合金が得られ
やすい。゛ 本発明に用いられる合金においてはM′はCuとの複合
添加により析出する結晶粒を微細化する作用を有するも
のであり、Nb、 It4. Ta、 Zr+ Hf+
Ti及びMoからなる群から選ばれた少なくとも1種
の元素である。Nb等は合金の結晶化温度を上昇させる
作用を有するが、クラスターを形成し結晶化温度を低下
させる作用を有するCuとの相互作用により結晶粒の成
長を抑え析出する結晶粒が微細化するものと考えられる
。M′の含有量αは1≦α≦10の範囲が望ましい。α
が1原子%未満では軟磁気特性が十分ではなく、10原
子%を越えると飽和磁束密度の著しい低下を招くためで
ある。好ましいαの範囲は2≦α≦8であり、この範囲
で特に優れた軟磁性が得られる。
残部は不純物を除いて実質的にFeが主体であるが、F
eの1部は成分M (Co及び又はNi)により置換さ
れていても良い。Mの含有量は0≦a≦0.5であるが
、この理由は0.5以上ではμ、が劣化するためである
。特に好ましい範囲は0≦a≦0.1であり、この範囲
で磁歪が小さく高μ、の合金が得やすい。
eの1部は成分M (Co及び又はNi)により置換さ
れていても良い。Mの含有量は0≦a≦0.5であるが
、この理由は0.5以上ではμ、が劣化するためである
。特に好ましい範囲は0≦a≦0.1であり、この範囲
で磁歪が小さく高μ、の合金が得やすい。
本発明磁心に用いられる合金はbcc構造の鉄固溶体を
主体とする合金であるが、非晶質相やFe、B。
主体とする合金であるが、非晶質相やFe、B。
FeJ、 Nb等の遷移金属の化合物、Fe、Si規則
相等を含む場合もある。これらの相は磁気特性を劣化さ
せる場合がある。特にFe、B等の化合物相は軟磁気特
性を劣化させやすい。したがってこれらの相はできるだ
け、存在しない方が望ましい。
相等を含む場合もある。これらの相は磁気特性を劣化さ
せる場合がある。特にFe、B等の化合物相は軟磁気特
性を劣化させやすい。したがってこれらの相はできるだ
け、存在しない方が望ましい。
本発明磁心に用いられる合金は500Å以下の粒径の超
微細な均一に分布した結晶粒からなるが、特に優れた軟
磁性を示す合金の場合はその粒径が20〜200人の平
均粒径を有する場合が多い。
微細な均一に分布した結晶粒からなるが、特に優れた軟
磁性を示す合金の場合はその粒径が20〜200人の平
均粒径を有する場合が多い。
この結晶粒はα−Fe固溶体を主体とするものでSiや
B等が固溶していると考えられる。合金組織のうち微細
結晶粒以外の部分は主に非晶質である。
B等が固溶していると考えられる。合金組織のうち微細
結晶粒以外の部分は主に非晶質である。
なお微細結晶粒の割合が実質的に100%になった場合
、低磁歪の合金が特に得やすい。
、低磁歪の合金が特に得やすい。
本発明の磁心に係るFe基基磁磁性合金内には、例えば
、組成式: FebatCulNbJ5Si I 7.
5で表わされる合金の様に、磁歪が負のもの、或いは磁
歪が0又はほとんどOのものも含まれている。
、組成式: FebatCulNbJ5Si I 7.
5で表わされる合金の様に、磁歪が負のもの、或いは磁
歪が0又はほとんどOのものも含まれている。
Cuを添加しない場合は結晶粒は微細化されにく。
(、化合物相が形成しやすいため結晶化により磁気特性
は劣化する。
は劣化する。
V、 Cr、 Mn、 AL白金属元素、 Sc、 Y
、希土類元素、 Au、 Zn、 Sn、 Re等の元
素は耐食性を改善したり、磁気特性を改善する、又は磁
歪を調整する、等の効果を有するものである。その含有
量はせいぜい10原子%以下である。含有量が10原子
%を超えると著しい飽和磁束密度の低下を招くためであ
り、特に好ましい含有量は8原子%以下である。
、希土類元素、 Au、 Zn、 Sn、 Re等の元
素は耐食性を改善したり、磁気特性を改善する、又は磁
歪を調整する、等の効果を有するものである。その含有
量はせいぜい10原子%以下である。含有量が10原子
%を超えると著しい飽和磁束密度の低下を招くためであ
り、特に好ましい含有量は8原子%以下である。
これらの中でRun Rb+ Pd+ Os+ Ir+
Pt+ Au+ Cr+■から選ばれる少なくとも1
種の元素を添加した合金からなる場合は特に耐食性、耐
摩耗性に優れた磁心となる。
Pt+ Au+ Cr+■から選ばれる少なくとも1
種の元素を添加した合金からなる場合は特に耐食性、耐
摩耗性に優れた磁心となる。
本発明の磁心において、C,Ge、 P、 Ga、
Sb。
Sb。
In等からなる群から選ばれた少な(とも1種の元素を
10原子%以下含む合金を使用できる。これら元素は非
晶質化に有効な元素であり、Si、 Bと共に添加する
ことにより合金の非晶質化を助けると共に、磁歪やキエ
リー温度調整に効果がある。
10原子%以下含む合金を使用できる。これら元素は非
晶質化に有効な元素であり、Si、 Bと共に添加する
ことにより合金の非晶質化を助けると共に、磁歪やキエ
リー温度調整に効果がある。
M″の添加により、耐食性の改善、磁気特性の改善、又
は磁歪調整効果が得られる。M’が10原子%を超える
と飽和磁束密度低下が著しい。本発明に係る合金のうち
特に0≦a≦0.1,0.5≦X≦2,10≦y≦25
.3≦2≦12.18≦y+z≦28,2≦α≦8の関
係を有する場合特に高μ、で磁心損失低減効果が大きい
磁心が得られやすい。
は磁歪調整効果が得られる。M’が10原子%を超える
と飽和磁束密度低下が著しい。本発明に係る合金のうち
特に0≦a≦0.1,0.5≦X≦2,10≦y≦25
.3≦2≦12.18≦y+z≦28,2≦α≦8の関
係を有する場合特に高μ、で磁心損失低減効果が大きい
磁心が得られやすい。
上記組成を有する本発明に係るre基基磁磁性合金また
組織の少なくとも50%以上が微細な結晶粒からなる。
組織の少なくとも50%以上が微細な結晶粒からなる。
この結晶粒はα−Feを主体とするものでStやB等が
固溶していると考えられる。この結晶粒は500Å以下
と著しく小さな平均粒径を有することを特徴とし、合金
組織中に均一に分布している。
固溶していると考えられる。この結晶粒は500Å以下
と著しく小さな平均粒径を有することを特徴とし、合金
組織中に均一に分布している。
合金組織のうち微細結晶粒以外の部分は主な非晶質であ
る。なお微細結晶粒の割合が実質的に100%になって
も本発明の磁心は十分に優れた磁気特性を示す。
る。なお微細結晶粒の割合が実質的に100%になって
も本発明の磁心は十分に優れた磁気特性を示す。
なお、N、O,S、H等の不可避的不純物については所
望の特性が劣化しない程度に含有していても本発明の磁
心に用いられる合金組成と同一とみなすことができるの
はもちろんである。またCa。
望の特性が劣化しない程度に含有していても本発明の磁
心に用いられる合金組成と同一とみなすことができるの
はもちろんである。またCa。
Sr、 Bat Mg等の元素を含んでも良い。
次に本発明の磁心の製造方法について説明する。
まず上記所定の組成の溶湯から、片ロール法、双ロール
法等の公知の液体急冷法によりリボン状の非晶質合金を
形成する。通常、片ロール法等により製造される非晶質
合金リボンの板厚は5〜100μm程度であるが、板厚
が25μm以下のものが磁気スイッチ用磁心に使用する
薄帯として特に適している。
法等の公知の液体急冷法によりリボン状の非晶質合金を
形成する。通常、片ロール法等により製造される非晶質
合金リボンの板厚は5〜100μm程度であるが、板厚
が25μm以下のものが磁気スイッチ用磁心に使用する
薄帯として特に適している。
この非晶質合金は結晶相を含んでいてもよいが、後の熱
処理により微細な結晶粒を均一に生成するためには非晶
質であるのが望ましい。
処理により微細な結晶粒を均一に生成するためには非晶
質であるのが望ましい。
非晶質リボンは熱処理の前に巻回、打ち抜き、エツチン
グ等をして所定の形状に加工し磁心とする方が望ましい
。
グ等をして所定の形状に加工し磁心とする方が望ましい
。
この理由は非晶質の段階ではリボンは加工性が良いが、
−旦結晶化すると加工性が著しく低下する場合が多いか
らである。しかしながら、熱処理後巻回する、エツチン
グする等の加工を行ない磁心を製造することも可能であ
る。
−旦結晶化すると加工性が著しく低下する場合が多いか
らである。しかしながら、熱処理後巻回する、エツチン
グする等の加工を行ない磁心を製造することも可能であ
る。
熱処理は所定の形状に加工した非晶質合金リボンを真空
中または水素、窒素、Ar等の不活性ガス雰囲気中、又
は大気中において一定時間保持し行う。熱処理温度及び
時間は非晶質合金リボンからなる磁心の形状、サイズ、
組成等により異なるが、−a的に450℃〜700℃で
5分から24時間程度が望ましい、熱処理温度が450
℃未満であると結晶化が起こりに<<、熱処理に時間が
かかりすぎる。また700℃より高いと粗大な結晶粒が
生成したり、不均一な形態の結晶粒が生成するおそれが
あり、微細な結晶粒を均一に得ることができなくなる。
中または水素、窒素、Ar等の不活性ガス雰囲気中、又
は大気中において一定時間保持し行う。熱処理温度及び
時間は非晶質合金リボンからなる磁心の形状、サイズ、
組成等により異なるが、−a的に450℃〜700℃で
5分から24時間程度が望ましい、熱処理温度が450
℃未満であると結晶化が起こりに<<、熱処理に時間が
かかりすぎる。また700℃より高いと粗大な結晶粒が
生成したり、不均一な形態の結晶粒が生成するおそれが
あり、微細な結晶粒を均一に得ることができなくなる。
また熱処理時間については、5分未満では加工した合金
全体を均一な温度とすることが困難であり磁気特性がば
らつきやすく、24時間より長いと生産性が悪くなるだ
けでなく結晶粒の過剰な成長や不均一な形態の結晶粒の
生成により磁気特性の低下が起こりやすい。好ましい熱
処理条件は、実用性及び均一な温度コントロール等を考
慮して、500〜650℃で5分〜6時間である。
全体を均一な温度とすることが困難であり磁気特性がば
らつきやすく、24時間より長いと生産性が悪くなるだ
けでなく結晶粒の過剰な成長や不均一な形態の結晶粒の
生成により磁気特性の低下が起こりやすい。好ましい熱
処理条件は、実用性及び均一な温度コントロール等を考
慮して、500〜650℃で5分〜6時間である。
熱処理雰囲気はAr、 Nz+ Hz等の不活性ガス雰
囲気又は還元性雰囲気が望ましいが、大気中等の酸化性
雰囲気でも良い。冷却は空冷や炉冷等により、適宜行う
ことができる。また場合によっては多段の熱処理を行う
こともできる。また熱処理の際磁心材に電流を流したり
高周波磁界を印加し磁心を発熱させることにより磁心を
熱処理することもできる。
囲気又は還元性雰囲気が望ましいが、大気中等の酸化性
雰囲気でも良い。冷却は空冷や炉冷等により、適宜行う
ことができる。また場合によっては多段の熱処理を行う
こともできる。また熱処理の際磁心材に電流を流したり
高周波磁界を印加し磁心を発熱させることにより磁心を
熱処理することもできる。
熱処理を直流あるいは交流等の磁場中で行うこともでき
る。更には磁場中熱処理により本磁心に用いられている
合金に磁気異方性を生じさせ特性向上をはかることがで
きる。磁場は熱処理の間中かける必要はなく、合金のキ
ュリー温度Tcより低い温度のときであればよい場合が
多い。磁路と平行方向に磁心が飽和する強さの磁場を印
加し熱処理した場合は、B−Hカーブが高角形化し、Δ
Bが大のものが得られ、磁心体積を減少できる。
る。更には磁場中熱処理により本磁心に用いられている
合金に磁気異方性を生じさせ特性向上をはかることがで
きる。磁場は熱処理の間中かける必要はなく、合金のキ
ュリー温度Tcより低い温度のときであればよい場合が
多い。磁路と平行方向に磁心が飽和する強さの磁場を印
加し熱処理した場合は、B−Hカーブが高角形化し、Δ
Bが大のものが得られ、磁心体積を減少できる。
また磁場中熱処理の場合も熱処理を2段階以上で行うこ
とができる。また、張力や圧縮力を加えながら熱処理す
ることにより磁気特性を改善することもできる。
とができる。また、張力や圧縮力を加えながら熱処理す
ることにより磁気特性を改善することもできる。
本発明磁心は高電圧が印加する磁気スイッチとして使用
する為、合金薄帯表面の1部または全面に絶縁層を形成
し、巻回したリボン間で放電することの無い様にしなく
てはならない。この絶縁層は合金薄帯の片面でも両面で
も良いのはもちろんである。
する為、合金薄帯表面の1部または全面に絶縁層を形成
し、巻回したリボン間で放電することの無い様にしなく
てはならない。この絶縁層は合金薄帯の片面でも両面で
も良いのはもちろんである。
形成する絶縁層の形成方法はたとえばSiO□、MgO
。
。
雲母、Al2O3等の粉末を浸漬、スプレー法や電気泳
動法により付着させたり、ユバフタ−法や蒸着法でSi
O□等の膜をつける、あるいは変性アルキルシリケート
を含むアルコール溶液に酸を添加し、この溶液を塗布し
乾燥させたり、フォルステライト(Mg!5i04)層
を熱処理により形成させたりする方法がある。また、S
ing−Tilt系金属アルコキシド部分加水分塊ゾル
に各種セラミックス粉末原料を混合したものを塗布する
、合金薄帯を浸せきした後乾燥加熱する、チラノポリマ
ーを主体とする溶液を塗布あるいは浸せき後、加熱する
、リン酸塩溶液を塗布後加熱する、Cr酸化物を形成す
ること等により絶縁層を形成することができる。また熱
処理により表面にSt等の酸化物層を形成したり窒化物
層を形成する薬品により表面処理し酸化物層を形成し絶
縁層を合金表面に形成することができる。
動法により付着させたり、ユバフタ−法や蒸着法でSi
O□等の膜をつける、あるいは変性アルキルシリケート
を含むアルコール溶液に酸を添加し、この溶液を塗布し
乾燥させたり、フォルステライト(Mg!5i04)層
を熱処理により形成させたりする方法がある。また、S
ing−Tilt系金属アルコキシド部分加水分塊ゾル
に各種セラミックス粉末原料を混合したものを塗布する
、合金薄帯を浸せきした後乾燥加熱する、チラノポリマ
ーを主体とする溶液を塗布あるいは浸せき後、加熱する
、リン酸塩溶液を塗布後加熱する、Cr酸化物を形成す
ること等により絶縁層を形成することができる。また熱
処理により表面にSt等の酸化物層を形成したり窒化物
層を形成する薬品により表面処理し酸化物層を形成し絶
縁層を合金表面に形成することができる。
また、合金薄帯と絶縁テープを重ねて巻回し眉間絶縁を
行うこともできる。
行うこともできる。
絶縁テープとしてはポリイミドテープやセラミックス繊
維製のテープ、ポリエステルテープ、アラミドテープ、
ガラス繊維製のテープ等を使用することができる。
維製のテープ、ポリエステルテープ、アラミドテープ、
ガラス繊維製のテープ等を使用することができる。
耐熱性の優れたテープを使用する場合は前記合金薄帯と
同組成の非晶質合金薄帯を重ねて巻回し巻磁心とした後
熱処理し合金を結晶化させることにより本発明磁心を得
ることができる。
同組成の非晶質合金薄帯を重ねて巻回し巻磁心とした後
熱処理し合金を結晶化させることにより本発明磁心を得
ることができる。
積層磁心の場合は、前記合金薄帯の一層あるいは複数層
ごとに薄板状の絶縁物を挿入し層間絶縁を行うこともで
きる。この場合は、可塑性のない絶縁物を使用すること
もできる。たとえば、セラミックス板やガラス板、雲母
板等を挙げることができる。この場合も耐熱性の優れた
絶縁物を使用した場合、前記合金薄帯と同組成の非晶質
合金薄帯の一層あるいは複数層ごとに薄板状の絶縁物を
挿入し積層した後熱処理を行ない結晶化させ本発明磁心
を得ることもできる。
ごとに薄板状の絶縁物を挿入し層間絶縁を行うこともで
きる。この場合は、可塑性のない絶縁物を使用すること
もできる。たとえば、セラミックス板やガラス板、雲母
板等を挙げることができる。この場合も耐熱性の優れた
絶縁物を使用した場合、前記合金薄帯と同組成の非晶質
合金薄帯の一層あるいは複数層ごとに薄板状の絶縁物を
挿入し積層した後熱処理を行ない結晶化させ本発明磁心
を得ることもできる。
本発明磁心は、含浸しても従来のFe基アモルファス磁
心のような著しい特性劣化がない特徴があり、優れた特
性のものとして得ることができる。
心のような著しい特性劣化がない特徴があり、優れた特
性のものとして得ることができる。
含浸は通常は熱処理前に行われるが、耐熱性のある含浸
剤を用いた場合は熱処理前に含浸しても良い。この場合
硬化を熱処理と兼ねて行うこともできる。
剤を用いた場合は熱処理前に含浸しても良い。この場合
硬化を熱処理と兼ねて行うこともできる。
含浸材としてはエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、変
性アルキルシリケートを主成分とするフェス、シリコー
ン系樹脂等を使用することができる。
性アルキルシリケートを主成分とするフェス、シリコー
ン系樹脂等を使用することができる。
単ロール法で作製された合金薄帯を用いた巻磁心の場合
、薄帯作製の際ロールと接触した面を内側にして巻いて
も、外側にして巻いても良いが、絶縁テープと重ねて巻
く場合はロールと接触した面を外側にして巻いた方が巻
磁心作製が容易であり磁心の占積率を上げることができ
る。
、薄帯作製の際ロールと接触した面を内側にして巻いて
も、外側にして巻いても良いが、絶縁テープと重ねて巻
く場合はロールと接触した面を外側にして巻いた方が巻
磁心作製が容易であり磁心の占積率を上げることができ
る。
また、巻磁心を作製する場合、張力をかけなから薄帯を
巻いた方が占積率が上がり好ましい結果が得られる。
巻いた方が占積率が上がり好ましい結果が得られる。
巻磁心を作製する際巻初め及びまたは巻終りの部分は固
定されている方が望ましく、固定方法としてはレーザー
光照射あるいは電気エネルギーにより局部的に溶融し接
合する方法や耐熱性の接着剤あるいはテープにより固定
する方法がある。
定されている方が望ましく、固定方法としてはレーザー
光照射あるいは電気エネルギーにより局部的に溶融し接
合する方法や耐熱性の接着剤あるいはテープにより固定
する方法がある。
このような方法を行なった磁心は熱処理の際巻磁心の形
がくずれにくく熱処理後の取扱いも容易であり好ましい
結果を得ることができる。
がくずれにくく熱処理後の取扱いも容易であり好ましい
結果を得ることができる。
本発明磁心は重ね合わせて使用したり、組磁心として使
用したり、他の材質の磁心と複合化し複合磁心とするこ
ともできる。
用したり、他の材質の磁心と複合化し複合磁心とするこ
ともできる。
本発明磁心は使用する薄帯表面をメツキしたりコーティ
ングして耐食性等を改善することもできる。また一般に
は非磁性金属あるいはvA縁物からなる巻芯に巻回した
後、磁心外周をバンドでしめつける構造をとる。
ングして耐食性等を改善することもできる。また一般に
は非磁性金属あるいはvA縁物からなる巻芯に巻回した
後、磁心外周をバンドでしめつける構造をとる。
巻芯やバンドの材質としては、非磁性ステンレス、真鋳
、アルミニウムフェノール樹脂やセラミックスを挙げる
ことができる。
、アルミニウムフェノール樹脂やセラミックスを挙げる
ことができる。
特にさびが問題となる場合は耐圧性のある冷却オイル等
を循環させ、冷却と腐食防止を兼ね合わせることが好ま
しい。
を循環させ、冷却と腐食防止を兼ね合わせることが好ま
しい。
また大型の磁心の場合、中心部あるいは外周部に金属を
配置し変形や損傷を防いだり、外周部を金属バンドでし
め固定する等により変形を防ぐ等の方法も行なえる。
配置し変形や損傷を防いだり、外周部を金属バンドでし
め固定する等により変形を防ぐ等の方法も行なえる。
また本発明磁心は磁歪が小さ(磁気・機械共振による絶
縁被膜の破壊やμ、の劣化等をなくしたり、著しく小さ
くすることができ信頬性の高い磁心が得られる。
縁被膜の破壊やμ、の劣化等をなくしたり、著しく小さ
くすることができ信頬性の高い磁心が得られる。
また結晶質主体の合金を用いるため誘導磁気異方性がC
o基アモルファス合金やFe基アモルファス釡金を用い
た磁心よりつきにくく経時変化が著しく小さいという特
徴がある。
o基アモルファス合金やFe基アモルファス釡金を用い
た磁心よりつきにくく経時変化が著しく小さいという特
徴がある。
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明はこれらに限定されるものではない。
ス」U4上
原子%でCu 1%、5i16.5%、86%、 Nb
3%及び、残部実質的にFeからなる組成の溶湯から、
単ロール法により幅25nus、厚さ15μmのリボン
を作製した。このリボンのX線回折を測定したところ第
1図に示すような非晶質合金に典型的なハローパターン
が得られた。次にこの非晶質リボンを電気泳動法により
片面約3μmのMgOコーティングを行なった後、外径
100mm、内径60mmに巻き回し、窒素ガス雰囲気
中で熱処理を行った。熱処理の際全期間磁心の磁路と平
行方向(リボンの長手方向)に800A/mの磁場を印
加した。熱処理は10℃/minの昇温速度で510℃
まで昇温後1時間保持した後2.5℃/l1linの冷
却速度で室温まで冷却し行った。
3%及び、残部実質的にFeからなる組成の溶湯から、
単ロール法により幅25nus、厚さ15μmのリボン
を作製した。このリボンのX線回折を測定したところ第
1図に示すような非晶質合金に典型的なハローパターン
が得られた。次にこの非晶質リボンを電気泳動法により
片面約3μmのMgOコーティングを行なった後、外径
100mm、内径60mmに巻き回し、窒素ガス雰囲気
中で熱処理を行った。熱処理の際全期間磁心の磁路と平
行方向(リボンの長手方向)に800A/mの磁場を印
加した。熱処理は10℃/minの昇温速度で510℃
まで昇温後1時間保持した後2.5℃/l1linの冷
却速度で室温まで冷却し行った。
熱処理後のリボンのX線回折パターンは第2図(a)に
示すように結晶ピークが認められた。第2図(b)はこ
の熱処理後のリボンの透過電子顕微鏡により観察した模
式図である。
示すように結晶ピークが認められた。第2図(b)はこ
の熱処理後のリボンの透過電子顕微鏡により観察した模
式図である。
熱処理後の組織の大部分が微細な結晶粒からなることが
わかった。結晶粒の平均粒径は約100人てあった。
CuとNbを複合添加した本発明磁心に用いられている
合金の結晶粒の形は球状に近く、平均粒径は約100人
と著しく微細化されている。
わかった。結晶粒の平均粒径は約100人てあった。
CuとNbを複合添加した本発明磁心に用いられている
合金の結晶粒の形は球状に近く、平均粒径は約100人
と著しく微細化されている。
X線回折パターン及び透過電子顕微鏡による分析から、
この結晶粒はSi等が固溶したbcc構造のFeである
と推定される。Cuを添加しない場合は結晶粒は大きく
なり、微細化されにくくかつ化合物相が形成しやすいの
で軟磁気特性も悪い、このようにCu及びNbの複合添
加により得られる結晶粒の大きさ及び形態が著しく変化
することが確認された。
この結晶粒はSi等が固溶したbcc構造のFeである
と推定される。Cuを添加しない場合は結晶粒は大きく
なり、微細化されにくくかつ化合物相が形成しやすいの
で軟磁気特性も悪い、このようにCu及びNbの複合添
加により得られる結晶粒の大きさ及び形態が著しく変化
することが確認された。
次に熱処理を行なったトロイダル磁心を直流磁化測定装
置および第4図に示す評価装置を用いて評価した。その
結果を第2表に示す。比較の為、第1表患2及びl1h
5の試料を同様にMgOコーティングし、測定した結果
を示す。
置および第4図に示す評価装置を用いて評価した。その
結果を第2表に示す。比較の為、第1表患2及びl1h
5の試料を同様にMgOコーティングし、測定した結果
を示す。
第2表から明らかな様に本発明合金はNalのFe基非
晶質合金、患5のCo基非晶質合金と比べて、磁心体積
が小さく、かつ磁心損失も小さいのがわかる。ここで注
目すべきは、Fe基非晶質合金は、Bsが高いにも拘わ
らずΔBが小さい事である。この理由は、磁歪が大きい
為、MgOコーティングにより歪が入り、角形比が上昇
しない為と考えられる。
晶質合金、患5のCo基非晶質合金と比べて、磁心体積
が小さく、かつ磁心損失も小さいのがわかる。ここで注
目すべきは、Fe基非晶質合金は、Bsが高いにも拘わ
らずΔBが小さい事である。この理由は、磁歪が大きい
為、MgOコーティングにより歪が入り、角形比が上昇
しない為と考えられる。
次に、第1表1)hl、 1lh5および上記本発明合
金を用い、第7図に示す回路を形成し、エキシマレーザ
発振を行なわせ、各材料の実機における特性比較を行な
った。磁気スイッチ用の磁心は、外径170mm、内径
80++m、厚さ25mm (MgO絶縁、占積率約6
4%)のコアを第8図に示す様に6個重ね合せて使用し
た。第3表にその結果を示す。
金を用い、第7図に示す回路を形成し、エキシマレーザ
発振を行なわせ、各材料の実機における特性比較を行な
った。磁気スイッチ用の磁心は、外径170mm、内径
80++m、厚さ25mm (MgO絶縁、占積率約6
4%)のコアを第8図に示す様に6個重ね合せて使用し
た。第3表にその結果を示す。
第3表から明らかな様に、ΔBが大である事は磁心の小
型化におよび圧縮比を大とする為に重要ではあるが、磁
心損失が大きいと、エネルギー転送効率が劣化し、出力
レーザエネルギーも著るしく低下する。また高繰返しを
行なった場合には磁心損失による磁心の温度上昇が問題
となり、磁心損失の大きなものは使用できない。従って
、磁気スイッチ用コアとしては、まず第1に磁心損失を
重視し、次いでΔBの大なることを重視すべきであるこ
とがわかる。
型化におよび圧縮比を大とする為に重要ではあるが、磁
心損失が大きいと、エネルギー転送効率が劣化し、出力
レーザエネルギーも著るしく低下する。また高繰返しを
行なった場合には磁心損失による磁心の温度上昇が問題
となり、磁心損失の大きなものは使用できない。従って
、磁気スイッチ用コアとしては、まず第1に磁心損失を
重視し、次いでΔBの大なることを重視すべきであるこ
とがわかる。
この様な観点で第3表を見ると、本発明合金はコンデン
サエネルギーの転送効率が高く、かつ圧縮比も十分にと
れ従来のFe基非晶質合金や、Co基非晶質合金と比べ
て優れることがわかる。
サエネルギーの転送効率が高く、かつ圧縮比も十分にと
れ従来のFe基非晶質合金や、Co基非晶質合金と比べ
て優れることがわかる。
実施班1
原子%で、Cu 1%、 Nb 3%、5i13.5%
。
。
B 9%残部Feからなる厚さ15μs、幅25m+m
の合金薄帯を単ロール法により作製した。X線回折の結
果非晶質合金に特有なハローパターンを示した。DSC
により10℃/minの昇温速度でこの合金の結晶化温
度を測定したところ508℃であった舎 次にこの合金薄帯をMgOで約3μm絶縁コーティング
したのち外径100mm、内径60mm、巾25m5の
トロイダル状に巻回し、巻磁心とした。
の合金薄帯を単ロール法により作製した。X線回折の結
果非晶質合金に特有なハローパターンを示した。DSC
により10℃/minの昇温速度でこの合金の結晶化温
度を測定したところ508℃であった舎 次にこの合金薄帯をMgOで約3μm絶縁コーティング
したのち外径100mm、内径60mm、巾25m5の
トロイダル状に巻回し、巻磁心とした。
この磁心をN2ガス雰囲気で熱処理を行った。
熱処理は800A/mの磁界を印加しながら550℃ま
で20℃/l1inO昇温速度で昇温し昇温間保持した
後2℃/ffl1nの冷却速度で250℃まで冷却後磁
場印加をやめ炉外に取り出しチッ素ガスをふきつけ室温
まで冷却した。
で20℃/l1inO昇温速度で昇温し昇温間保持した
後2℃/ffl1nの冷却速度で250℃まで冷却後磁
場印加をやめ炉外に取り出しチッ素ガスをふきつけ室温
まで冷却した。
なお透過電子顕微鏡およびX線回折の結果、熱処理後の
磁心材は実施例1と同様の組織であることが確認された
。
磁心材は実施例1と同様の組織であることが確認された
。
本発明磁心の81+ ΔB、μ、を測定した結果、各々
1.24T、 2.35T、 6300の値が得ら
れ、また、磁心体積比および全磁心損失比を求めると第
2表との対比で0.87.0.81となり、いずれも従
来の非晶質合金と比べて優れた値となる。
1.24T、 2.35T、 6300の値が得ら
れ、また、磁心体積比および全磁心損失比を求めると第
2表との対比で0.87.0.81となり、いずれも従
来の非晶質合金と比べて優れた値となる。
ス」1)走
原子%で、Cu 1%、 Nb 3%、Si7%、89
%残部Feからなる厚さ18μm、幅15mmの合金薄
帯を単ロール法により作製した。この合金のX線回折を
行ったところ非晶質合金に特有なハローパターンを示し
た。DSCにより10℃/m1nO昇温速度でこの合金
の結晶化温度を測定したところ414℃であった。
%残部Feからなる厚さ18μm、幅15mmの合金薄
帯を単ロール法により作製した。この合金のX線回折を
行ったところ非晶質合金に特有なハローパターンを示し
た。DSCにより10℃/m1nO昇温速度でこの合金
の結晶化温度を測定したところ414℃であった。
次にこの合金薄帯の表面に雲母粉末を電気泳動法により
つけたのち外径60mn+、内径30mmに巻き回しト
ロイダル磁心とした。
つけたのち外径60mn+、内径30mmに巻き回しト
ロイダル磁心とした。
更にこの磁心をArガス雰囲気中で10℃/5hinの
昇温速度で570℃まで昇温し1時間保持後硼心を炉外
に取り出し、空冷する熱処理を行った。
昇温速度で570℃まで昇温し1時間保持後硼心を炉外
に取り出し、空冷する熱処理を行った。
後で磁心材の組織を透過電子顕微鏡により観察したとこ
ろ実施例1と同様のMi織を有していた。
ろ実施例1と同様のMi織を有していた。
同様のコーティング法により作製した同一形状の従来の
磁心と上記本発明磁心のBst ΔB、μ、およびその
磁心体積比全磁心損失比を第4表に示す。同表から、本
発明例は従来のFe基およびCoi非晶質合金と比較し
、磁心体積および磁心損失ともに優れるのは明らかであ
る。
磁心と上記本発明磁心のBst ΔB、μ、およびその
磁心体積比全磁心損失比を第4表に示す。同表から、本
発明例は従来のFe基およびCoi非晶質合金と比較し
、磁心体積および磁心損失ともに優れるのは明らかであ
る。
大施斑土
第5表に示す組成の幅15mm、板厚18μ糟の非晶質
合金薄帯を単ロール法より作製し、MgOで3μmのコ
ーティングをしたのち外径60mm、内径30ma+に
トロイダル状に巻き、結晶化温度以上の温度で磁場中熱
処理を行なった。
合金薄帯を単ロール法より作製し、MgOで3μmのコ
ーティングをしたのち外径60mm、内径30ma+に
トロイダル状に巻き、結晶化温度以上の温度で磁場中熱
処理を行なった。
得られたコアの磁心体積比および全磁心損失比を第5表
に示す。なお、得られた組織は実施例1とほぼ同様であ
った。
に示す。なお、得られた組織は実施例1とほぼ同様であ
った。
表から明らかな様に、本発明は従来のアモルファス合金
と比べて全磁心損失が著るしく小さくまた磁心体積も磁
心損失が比較的小さいCo基アモルファスやMn−Zn
フェライトと比べて著るしく小さくできる。またFe基
アモルファス磁心に比べ著しく磁歪が小さいため、磁心
のうなりがほとんどなく、磁心を落下させても特性劣化
が小さい。
と比べて全磁心損失が著るしく小さくまた磁心体積も磁
心損失が比較的小さいCo基アモルファスやMn−Zn
フェライトと比べて著るしく小さくできる。またFe基
アモルファス磁心に比べ著しく磁歪が小さいため、磁心
のうなりがほとんどなく、磁心を落下させても特性劣化
が小さい。
大施炎工
第6表に示す組成の幅15mm、厚さ18μmの非晶質
合金薄帯を単ロール法により作製した。次いで、この薄
帯をMgOで約3μmのコーティングをした後、外径6
0mm、内径30m1)1のトロイダル状に巻回し、巻
磁心とした。
合金薄帯を単ロール法により作製した。次いで、この薄
帯をMgOで約3μmのコーティングをした後、外径6
0mm、内径30m1)1のトロイダル状に巻回し、巻
磁心とした。
次に、この磁心を結晶化温度以上の温度で、磁場中熱処
理した。昇温は急加熱(炉中に磁心を装入)で行ない降
温は2℃/n+inで行なった。保持時間は1時間であ
る。熱処理後の合金は実施例1と同様の組織を有してい
た。第2表に磁気特性および磁心体積比、全磁心損失比
および磁歪を測定した結果を示す。
理した。昇温は急加熱(炉中に磁心を装入)で行ない降
温は2℃/n+inで行なった。保持時間は1時間であ
る。熱処理後の合金は実施例1と同様の組織を有してい
た。第2表に磁気特性および磁心体積比、全磁心損失比
および磁歪を測定した結果を示す。
本発明磁心は従来の非晶質合金を結晶化させ作製した磁
心よりも全磁心損失が小さく、かつ磁心体積も小さくで
きるため本発明磁心は、従来にない優れた特性が得られ
る。
心よりも全磁心損失が小さく、かつ磁心体積も小さくで
きるため本発明磁心は、従来にない優れた特性が得られ
る。
スIL影
第7表に示す組成の幅15mm、厚さ18μ鋼の非晶質
合金薄帯を作製し雲母粉で約3μmのコーティングをし
たのち、外径60mm、内径301のトロイダル状に巻
回し、巻磁心とした。
合金薄帯を作製し雲母粉で約3μmのコーティングをし
たのち、外径60mm、内径301のトロイダル状に巻
回し、巻磁心とした。
次に、この磁心を結晶化温度以上の温度で磁場中熱処理
を行った。昇温速度は10℃/min、保持時間は1時
間、冷却速度は1.5℃/minとした。
を行った。昇温速度は10℃/min、保持時間は1時
間、冷却速度は1.5℃/minとした。
熱処理後の合金の組織は実施例1と同様であった。
第7表に磁心体積比および全磁心損失比を示す。
各々の値は、第4表に示したと同様従来アモルファス合
金の値を1とした場合の比で示す。
金の値を1とした場合の比で示す。
第 7 表
第 7 表 鼓き)
第 7 表 懺き)
第 7 表 鋏き)
〔発明の効果〕
本発明によれば、高電圧パルス発生装置の磁気スイッチ
として、従来のFe系あるいはCO系アモルファス合金
では実現できなかった、低損失で小型かつ信頼性の高い
コアを提供することができる。
として、従来のFe系あるいはCO系アモルファス合金
では実現できなかった、低損失で小型かつ信頼性の高い
コアを提供することができる。
第1図は多段パルス圧縮回路の1例、第2図はパルスが
圧縮される様子の模式図、第3図は磁気スイッチコアと
しての磁心過程の模式図、第4図は磁心評価装置の概要
及び第5図はその各部波形、第6図はHP1μmの説明
、第7図はエキシマレーザ発振回路、第8図は磁気スイ
ッチコアを6個重ねた様子を示す図、第9図は非晶質合
金のX線回折パターン、第10図(alは発明合金のX
線回折パターン、(b)はその透過電顕組織を示す図で
ある。 第1図 第2図 時 間 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 電λの流れる同さ 第9図 らに区 第10図 2θ(6) 200人 (b)
圧縮される様子の模式図、第3図は磁気スイッチコアと
しての磁心過程の模式図、第4図は磁心評価装置の概要
及び第5図はその各部波形、第6図はHP1μmの説明
、第7図はエキシマレーザ発振回路、第8図は磁気スイ
ッチコアを6個重ねた様子を示す図、第9図は非晶質合
金のX線回折パターン、第10図(alは発明合金のX
線回折パターン、(b)はその透過電顕組織を示す図で
ある。 第1図 第2図 時 間 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 電λの流れる同さ 第9図 らに区 第10図 2θ(6) 200人 (b)
Claims (8)
- (1) 組成式: (Fe_1_−_aM_a)_1_0_0_−_x_−
_y_−_z_−_α_−_β_−_γCu_xSi_
yB_zM′_αM″_βX_γ(原子%) (ただし、MはCo及び/又はNiであり、M′はNb
,W,Ta,Zr,Hf,Ti及びMoからなる群から
選ばれた少なくとも1種の元素、M″はV,Cr,Mn
,Al,白金属元素、Sc,Y,希土類元素、Au,Z
n,Sn,Reからなる群から選ばれた少なくとも1種
の元素、XはC,Ge,P,Ga,Sb,In,Be,
Asからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素であ
り、a,x,y,z,α,β及びγはそれぞれ 0≦a≦0.5,0.1≦x≦3,6≦y≦25,3≦
z≦15,14≦y+z≦30,1≦α≦10,0≦β
≦10,0≦γ≦10を満たす。) により表わされる組成を有し、組織の少なくとも50%
が微細なbccFe固溶体の結晶粒からなり、各結晶粒
の最大寸法で測定した粒径の平均が500Å以下である
合金から成る鉄基軟磁性合金リボンを回してコア形状と
なし高電圧パルス発生装置の磁気スイッチとして用いる
ことを特徴とする磁心。 - (2) 特許請求の範囲第1項に記載の磁気スイッチ用
の磁心において前記合金が 0≦a≦0.1,0.5≦x≦2,10≦y≦25,3
≦z≦12,18≦y+z≦28,2≦α≦8,の関係
を有することを特徴とする磁心。 - (3) 特許請求の範囲第1項ならびに第2項に記載の
磁気スイッチ用の磁心において前記bccFe固溶体結
晶粒の周囲が非晶質主体の相からなる合金から形成され
たことを特徴とする磁心。 - (4) 特許請求の範囲第1項ならびに第2項に記載の
磁気スイッチ用磁心において前記合金組織が実質的に微
細な結晶粒からなる合金から形成されたことを特徴とす
る磁心。 - (5) 特許請求の範囲第1項ならびに第4項に記載の
磁気スイッチ用磁心においてM′がNbであることを特
徴とする磁心。 - (6) 飽和磁歪λ_sが+5×10^−^6〜−5×
10^−^6の範囲にある合金から形成されたことを特
徴とする特許請求の範囲第1項乃至第6項に記載の磁心
。 - (7) 板厚が5μm〜25μmの合金薄帯から形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第
6項に記載の磁心。 - (8) 前記合金薄帯表面の1部または全面に絶縁層が
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第7項
記載の磁心。
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|---|---|---|---|
| JP62267830A JPH0680611B2 (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 磁 心 |
| DE3835986A DE3835986A1 (de) | 1987-10-23 | 1988-10-21 | Hochspannungs-impulsgenerator |
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|---|---|---|---|
| JP62267830A JPH0680611B2 (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 磁 心 |
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| JPH01110707A true JPH01110707A (ja) | 1989-04-27 |
| JPH0680611B2 JPH0680611B2 (ja) | 1994-10-12 |
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ID=17450208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP62267830A Expired - Fee Related JPH0680611B2 (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 磁 心 |
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|---|---|
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-
1988
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- 1988-10-24 US US07/261,296 patent/US4871925A/en not_active Expired - Lifetime
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