JPH01112243A - ホトマスクの製造方法 - Google Patents
ホトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH01112243A JPH01112243A JP62269973A JP26997387A JPH01112243A JP H01112243 A JPH01112243 A JP H01112243A JP 62269973 A JP62269973 A JP 62269973A JP 26997387 A JP26997387 A JP 26997387A JP H01112243 A JPH01112243 A JP H01112243A
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- Japan
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- photomask
- exposure
- mask
- area
- film
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ホトマスクの製造方法に関し、
製造過程においてマスク部のメインパターンに静電破壊
が起きないようにすることを目的とし、透明基板上の金
属膜の上面のレジスト膜をチップ単位で繰り返し露光す
るステップ露光を行なうステップ露光工程を含むホトマ
スクの製造方法において、上記ステップ露光による露光
エリアを上記金属膜の範囲内に制限し、上記金属膜がマ
スク部形成領域の全周に亘って連続して残置されるよう
に構成する。
が起きないようにすることを目的とし、透明基板上の金
属膜の上面のレジスト膜をチップ単位で繰り返し露光す
るステップ露光を行なうステップ露光工程を含むホトマ
スクの製造方法において、上記ステップ露光による露光
エリアを上記金属膜の範囲内に制限し、上記金属膜がマ
スク部形成領域の全周に亘って連続して残置されるよう
に構成する。
本発明はホトマスクの製造方法に関する。
一般に、ホトマスクは、第３図に示す工程１〜１２を粁
で製造される。同図中、１はガラス基根上にクロム膜を
形成する工程、２はクロム股上にレジスト膜を形成する
工程、３はレジスト膜をチップ単位で繰り返し露光する
ステップ露光を行なうステップ露光工程、４は露光され
た部分を現像する工程、５は現像液を除去する水洗工程
、６はクロム膜に対するエツチング工程、７はエツヂン
ダ液を除去する水洗工程、８はレジスト膜を剥離する剥
離工程、９は水洗工程、１０は表面の有機物等を分解除
去する硫酸を使用した酸処理工程、１１は硫酸を除去す
る水洗工程、１２は乾燥工程である。
で製造される。同図中、１はガラス基根上にクロム膜を
形成する工程、２はクロム股上にレジスト膜を形成する
工程、３はレジスト膜をチップ単位で繰り返し露光する
ステップ露光を行なうステップ露光工程、４は露光され
た部分を現像する工程、５は現像液を除去する水洗工程
、６はクロム膜に対するエツチング工程、７はエツヂン
ダ液を除去する水洗工程、８はレジスト膜を剥離する剥
離工程、９は水洗工程、１０は表面の有機物等を分解除
去する硫酸を使用した酸処理工程、１１は硫酸を除去す
る水洗工程、１２は乾燥工程である。
第４図は、上記の工程により製造されたホトマスクを構
成する多数マスク部のうちの一つのマスク部１５を示す
。１６．１７，１８．１９は夫々アイランドであり、メ
インパターンを形成している。
成する多数マスク部のうちの一つのマスク部１５を示す
。１６．１７，１８．１９は夫々アイランドであり、メ
インパターンを形成している。
各水洗工程５，７．９．１１は純水を対象物の表面に噴
き付けて行なわれる。純水は比抵抗が高い。特に水洗工
程９，１１ではホトマスクのパターンが純水でこすられ
る状態となり、各アイランド１６〜１９に静電気がたま
る傾向がある。この静電気が放電を伴って逃げると、ア
イランドの一部が欠けてメインパターン１４が静電破壊
を起こし、ホトマスクが不良品となってしまう。
き付けて行なわれる。純水は比抵抗が高い。特に水洗工
程９，１１ではホトマスクのパターンが純水でこすられ
る状態となり、各アイランド１６〜１９に静電気がたま
る傾向がある。この静電気が放電を伴って逃げると、ア
イランドの一部が欠けてメインパターン１４が静電破壊
を起こし、ホトマスクが不良品となってしまう。
従って、ホトマスクの製造方法においては、メインパタ
ーンの静電破壊が起ぎにくいにうにする必要がある。
ーンの静電破壊が起ぎにくいにうにする必要がある。
第５図は従来のホトマスクの製造方法のステップ露光工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
２０は露光対象物であり、第６図に示すように、透明基
板である円形のガラス板２１上に金属膜であるクロム膜
２２が形成され、更にこのクロム膜２２の土面にレジス
１〜膜２３が形成された構成である。
板である円形のガラス板２１上に金属膜であるクロム膜
２２が形成され、更にこのクロム膜２２の土面にレジス
１〜膜２３が形成された構成である。
ステップ露光はステップ露光装置により」ンピュータに
記憶されているプログラムに基づいて行なわれ、第５図
中実線で囲む部分が露光１リア２５として設定されてい
る。この露光エリア２５内で露光が繰り返し行なわれる
。二点鎖線で囲む部分が夫々−のステップ露光部２６で
ある。
記憶されているプログラムに基づいて行なわれ、第５図
中実線で囲む部分が露光１リア２５として設定されてい
る。この露光エリア２５内で露光が繰り返し行なわれる
。二点鎖線で囲む部分が夫々−のステップ露光部２６で
ある。
ここで露光エリア２５の各コーナ部及びその近傍のステ
ップ露光部２６〜２６−１６についてみ−す ると、その一部分がクロム膜２２より外側にはみ出して
いる。
ップ露光部２６〜２６−１６についてみ−す ると、その一部分がクロム膜２２より外側にはみ出して
いる。
このため、上記のステップ露光を経て製造されたホトマ
スク３０は第７図に示す如くになる。
スク３０は第７図に示す如くになる。
このホトマスク３０の上面は、上記マスク部１５が縦横
に整列して配されたマスク部形成領域３１と、格子状の
スクライブライン４５と、このマスク部形成領域３１の
周囲に残置された残置クロム膜３２とよりなる。
に整列して配されたマスク部形成領域３１と、格子状の
スクライブライン４５と、このマスク部形成領域３１の
周囲に残置された残置クロム膜３２とよりなる。
残置クロム膜３２はホトマスク３０の周方向上全周に亘
って連続して存在しているわけではなく、途中途中で寸
断されている。３３〜４４は夫々残置クロム膜３２が無
い部分である。特に３３゜４４で示す部分は比較的広い
幅に亘って残置クロム膜３２が欠けている。
って連続して存在しているわけではなく、途中途中で寸
断されている。３３〜４４は夫々残置クロム膜３２が無
い部分である。特に３３゜４４で示す部分は比較的広い
幅に亘って残置クロム膜３２が欠けている。
また残置クロム膜３２の面積Ｓ１も狭くなっている。
上記の製造方法により製造されたホトマスク３０では、
例えば第８図に示すようにアイランド１９の一部が欠け
る静電破壊が起きていることが多かった。−のマスク部
１５で静電破壊が起ぎていると、そのホトマスクは不良
品となり、従来の製造方法は歩留りが悪いという問題点
があった。
例えば第８図に示すようにアイランド１９の一部が欠け
る静電破壊が起きていることが多かった。−のマスク部
１５で静電破壊が起ぎていると、そのホトマスクは不良
品となり、従来の製造方法は歩留りが悪いという問題点
があった。
また本発明者は静電破壊が起きているマスク部１５の部
位を調べたところ、特に符号３３．４＝１で示す残置ク
ロム膜欠除部の近くに多いことが分かった。
位を調べたところ、特に符号３３．４＝１で示す残置ク
ロム膜欠除部の近くに多いことが分かった。
本発明は上記の検査結果に基づいて、製造過程において
マスク部のメインパターンに静電破壊が起きないように
したホトマスクの製造方法を提供することを目的とする
。
マスク部のメインパターンに静電破壊が起きないように
したホトマスクの製造方法を提供することを目的とする
。
本発明は、透明基板上の金属膜の土面のレジスト膜をチ
ップ単位で繰り返し露光するステップ露光を行なうステ
ップ露光工程を含むホトマスクの製造方法において、上
記ステップ露光による露光エリアを上記金属膜の範囲内
に制限し、上記金属膜がマスク部形成領域の全周に亘っ
て連続して残置されるように構成してなるものである。
ップ単位で繰り返し露光するステップ露光を行なうステ
ップ露光工程を含むホトマスクの製造方法において、上
記ステップ露光による露光エリアを上記金属膜の範囲内
に制限し、上記金属膜がマスク部形成領域の全周に亘っ
て連続して残置されるように構成してなるものである。
マスク形成領域の全周に亘って残置形成される金属膜が
、製造工程中の静電気の大半を帯電し、各マスク部への
静電気の帯電を相対的に抑制する。
、製造工程中の静電気の大半を帯電し、各マスク部への
静電気の帯電を相対的に抑制する。
（実施例〕
第１図は本発明のホトマスクのＩｌｌｌｌ法の一実施例
のステップ露光工程を示す図である。図中、第５図に示
す構成部分と実質−Ｖ同一部分には同一符号を付す。
のステップ露光工程を示す図である。図中、第５図に示
す構成部分と実質−Ｖ同一部分には同一符号を付す。
５０は露光エリアであり、実線で囲む部分でこの露光エ
リア５０は、第５図中の露光エリア２５からステップ露
光部２６．．１〜２６−１６を除いた部分である。
リア５０は、第５図中の露光エリア２５からステップ露
光部２６．．１〜２６−１６を除いた部分である。
これにより、周囲のステップ露光部２６−２Ｑ〜２６−
３７についてもクロム膜２２より外側にはみ出さず、ス
テップ露光部２６は全てクロム膜２２上となる。
３７についてもクロム膜２２より外側にはみ出さず、ス
テップ露光部２６は全てクロム膜２２上となる。
このように露光エリア５０を従来より−まわり狭めるこ
とは、コンピュータのプログラムを一部変更することに
より容易に実施できる。
とは、コンピュータのプログラムを一部変更することに
より容易に実施できる。
上記のステップ露光を経て製造されたホトマスク６０は
第２図に示す如くになる。
第２図に示す如くになる。
このホトマスク６０の上面は、前記マスク部１５が縦横
に整列して配されたマスク部形成領域６１と、格子状の
スクライブライン６２と、このマスク部形成領域６１の
周囲に残置された残置クロム膜６３とよりなる。
に整列して配されたマスク部形成領域６１と、格子状の
スクライブライン６２と、このマスク部形成領域６１の
周囲に残置された残置クロム膜６３とよりなる。
ここでマスク部形成領域６１は、クロム膜２２より外方
にはみ出さずに、クロム膜２２の外周より内側の領域に
限られている。
にはみ出さずに、クロム膜２２の外周より内側の領域に
限られている。
これにより残置クロム膜６２は、マスク部形成領域６１
の全周に亘って、寸断されずに、連続して存在している
。
の全周に亘って、寸断されずに、連続して存在している
。
また残置クロム膜６２の面積Ｓ２は前記の面積Ｓ１より
広い。
広い。
このホトマスク３０の各マスク部１５を検査したところ
、静電破壊は認められなかった。
、静電破壊は認められなかった。
従って本実施例の製造方法によれば、ホトマスク６０を
歩留り良く製造することが出来る。
歩留り良く製造することが出来る。
なお、静電破壊が起きない理由は、第１には、残置クロ
ム膜６３が全周に亘って連続して存在しているため、水
洗工程９，１１において発生する静電気の大部分は残置
クロム膜６３に帯電し、メインパターンに帯電する静電
気の量は相対的に少なくなるため、第２には全てのスク
ライブライン６２の両端が残置クロム膜６３とつながっ
ているため、メインパターン帯電した静電気がスクライ
ブライン６２を通してすみやかに周囲の残置クロム膜６
３に逃がされるためと考えられる。
ム膜６３が全周に亘って連続して存在しているため、水
洗工程９，１１において発生する静電気の大部分は残置
クロム膜６３に帯電し、メインパターンに帯電する静電
気の量は相対的に少なくなるため、第２には全てのスク
ライブライン６２の両端が残置クロム膜６３とつながっ
ているため、メインパターン帯電した静電気がスクライ
ブライン６２を通してすみやかに周囲の残置クロム膜６
３に逃がされるためと考えられる。
また、第２図中、７０はウェハの外形を示す。
露光エリアを狭めてもマスク形成領域６１はウェハより
も広く、ウェハ全体をカバーするため、ウェハ上面をパ
ターニングする上で不都合は無い。
も広く、ウェハ全体をカバーするため、ウェハ上面をパ
ターニングする上で不都合は無い。
また、上記静電破壊を防止するために、ガラス板上に透
明の導電膜を形成し、この上にクロム膜を形成した構造
とし、メインパターンに帯電した静電気を透明導電膜を
通してアースに逃がす方法も考えられるが、この方法で
は、透明導電膜を形成する工程を追加する必要があり、
製造コスト等Ｑ− の点て好ましくない。
明の導電膜を形成し、この上にクロム膜を形成した構造
とし、メインパターンに帯電した静電気を透明導電膜を
通してアースに逃がす方法も考えられるが、この方法で
は、透明導電膜を形成する工程を追加する必要があり、
製造コスト等Ｑ− の点て好ましくない。
以上説明した様に、本発明によれば、新たな工程を追加
することなく、従来の製造工程をそのまま踏襲して、メ
インパターンに静電破壊を起こさせることなく、ホトマ
スクを製造することが出来る。然して、ホトマスクを、
製造コストを上げずに且つ歩留り良く製造することが出
来る。
することなく、従来の製造工程をそのまま踏襲して、メ
インパターンに静電破壊を起こさせることなく、ホトマ
スクを製造することが出来る。然して、ホトマスクを、
製造コストを上げずに且つ歩留り良く製造することが出
来る。
第１図は本発明のホトマスクの製造方法の一実施例にお
けるステップ露光工程を説明する図、第２図は本発明の
製造方法により製造されたホトマスクの平面図、 第３図はホトマスクの一般的な製造工程を示す図、 第４図はホトマスクの−のマスク部を拡大して示す図、 第５図は従来のホトマスクの製造方法におけるステップ
露光工程を説明する図、 第６図は露光対象物の断面図、 第７図は従来の製造方法により製造されたホトマスクの
平面図、 第８図はマスク部の静電破壊の１例を拡大して示す図で
ある。 図において、 ３はステップ露光工程、 １５はマスク部、 ２０は露光対象物、 ２１はガラス板、 ２２はクロム膜、 ２３はレジスト膜、 ２６はステップ露光部、 ５０は露光エリア、 ６０はホトマスク、 ６１はマスク部形成領域、 ６２はスクライブライン、 ６３は残置クロム膜、 を示す。 第■図 ６（λオでトマλ２ 第２図 第５図 第６図 第７図 ＠８図
けるステップ露光工程を説明する図、第２図は本発明の
製造方法により製造されたホトマスクの平面図、 第３図はホトマスクの一般的な製造工程を示す図、 第４図はホトマスクの−のマスク部を拡大して示す図、 第５図は従来のホトマスクの製造方法におけるステップ
露光工程を説明する図、 第６図は露光対象物の断面図、 第７図は従来の製造方法により製造されたホトマスクの
平面図、 第８図はマスク部の静電破壊の１例を拡大して示す図で
ある。 図において、 ３はステップ露光工程、 １５はマスク部、 ２０は露光対象物、 ２１はガラス板、 ２２はクロム膜、 ２３はレジスト膜、 ２６はステップ露光部、 ５０は露光エリア、 ６０はホトマスク、 ６１はマスク部形成領域、 ６２はスクライブライン、 ６３は残置クロム膜、 を示す。 第■図 ６（λオでトマλ２ 第２図 第５図 第６図 第７図 ＠８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明基板（２１）上の金属膜（２２）の上面のレジス
ト膜（２３）をチップ単位で繰り返し露光するステップ
露光を行なうステップ露光工程（３）を含むホトマスク
の製造方法において、 上記ステップ露光による露光エリア（５０）を上記金属
膜（２２）の範囲内に制限し、 上記金属膜（２２、６３）がマスク部形成領域（６１）
の全周に亘って連続して残置されるように構成してなる
ホトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26997387A JPH0797217B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | ホトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26997387A JPH0797217B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | ホトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01112243A true JPH01112243A (ja) | 1989-04-28 |
| JPH0797217B2 JPH0797217B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=17479804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26997387A Expired - Fee Related JPH0797217B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | ホトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797217B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103850A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-04-30 | Fujitsu Ltd | レチクル |
| JP2008191277A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Fujitsu Ltd | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
| US20230282502A1 (en) * | 2022-03-03 | 2023-09-07 | Micron Technology, Inc. | Wafer carrier with reticle template for marking reticle fields on a semiconductor wafer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5016479A (ja) * | 1973-06-11 | 1975-02-21 | ||
| JPS58140742A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-20 | Hitachi Ltd | ホトマスク |
| JPS60222856A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Hitachi Ltd | 静電破壊防止マスク |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP26997387A patent/JPH0797217B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5016479A (ja) * | 1973-06-11 | 1975-02-21 | ||
| JPS58140742A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-20 | Hitachi Ltd | ホトマスク |
| JPS60222856A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Hitachi Ltd | 静電破壊防止マスク |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103850A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-04-30 | Fujitsu Ltd | レチクル |
| JP2008191277A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Fujitsu Ltd | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
| US20230282502A1 (en) * | 2022-03-03 | 2023-09-07 | Micron Technology, Inc. | Wafer carrier with reticle template for marking reticle fields on a semiconductor wafer |
| US12183609B2 (en) * | 2022-03-03 | 2024-12-31 | Micron Technology, Inc. | Wafer carrier with reticle template for marking reticle fields on a semiconductor wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797217B2 (ja) | 1995-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |