JPS633302B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS633302B2 JPS633302B2 JP19457983A JP19457983A JPS633302B2 JP S633302 B2 JPS633302 B2 JP S633302B2 JP 19457983 A JP19457983 A JP 19457983A JP 19457983 A JP19457983 A JP 19457983A JP S633302 B2 JPS633302 B2 JP S633302B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- mask
- pattern
- photomask
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はマスク表面を保護するためのマスク保
護膜の改良に関する。
護膜の改良に関する。
(b) 従来技術と問題点
半導体集積回路（IC）などの製造分野におい
て、機能領域、電極コンタクト窓、配線などのパ
ターンの形成は、フオトプロセス工程において、
半導体基板上の感光性樹脂（レジスト）膜に、フ
オトマスクを用いて紫外線などを照射し、該フオ
トマスクのパターンを転写して、該パターンをマ
スクにしてフオトエツチングにより形成される。
て、機能領域、電極コンタクト窓、配線などのパ
ターンの形成は、フオトプロセス工程において、
半導体基板上の感光性樹脂（レジスト）膜に、フ
オトマスクを用いて紫外線などを照射し、該フオ
トマスクのパターンを転写して、該パターンをマ
スクにしてフオトエツチングにより形成される。
このフオトプロセス工程において使用するフオ
トマスクは通常ガラス又は石英などの透明体基板
上にたとえばクロムなどの金属薄膜でパターンを
形成させたものが用いられている。
トマスクは通常ガラス又は石英などの透明体基板
上にたとえばクロムなどの金属薄膜でパターンを
形成させたものが用いられている。
又フオトマスクは一般に使用する迄の保管中に
透明体基板に形成されたクロームパターンの損傷
や、フオトマスク表面に塵埃などの付着汚染を防
止するため第１図に示すようにパターンが形成さ
れた面にビニール系樹脂膜よりなる表面を保護す
るためのマスク保護膜が被覆され、更にビニール
袋などに収納された状態で使用直前まで保管され
ている。同図において１はガラス又は石英などよ
りなる透明体基板、２は該基板上に形成されたク
ロム薄膜よりなるパターン、３はビニール系樹脂
膜よりなるマスク保護膜を示す。
透明体基板に形成されたクロームパターンの損傷
や、フオトマスク表面に塵埃などの付着汚染を防
止するため第１図に示すようにパターンが形成さ
れた面にビニール系樹脂膜よりなる表面を保護す
るためのマスク保護膜が被覆され、更にビニール
袋などに収納された状態で使用直前まで保管され
ている。同図において１はガラス又は石英などよ
りなる透明体基板、２は該基板上に形成されたク
ロム薄膜よりなるパターン、３はビニール系樹脂
膜よりなるマスク保護膜を示す。
所でフオトプロセス工程において、上記のよう
に構成されたフオトマスクを使用する際には第２
図の斜視図に示すように基板１上のマスク保護膜
３をはがして清浄なマスク面を表出して使用す
る。尚第２図においては前図と同一符号を付して
いる。
に構成されたフオトマスクを使用する際には第２
図の斜視図に示すように基板１上のマスク保護膜
３をはがして清浄なマスク面を表出して使用す
る。尚第２図においては前図と同一符号を付して
いる。
しかしながら此のマスク保護膜３を剥離する際
に、該マスク保護膜３と透明体基板１との間に静
電気による放電によつて、基板１上のクロムパタ
ーン２の一部、特にエツジ部を破壊損傷する現象
があつた。
に、該マスク保護膜３と透明体基板１との間に静
電気による放電によつて、基板１上のクロムパタ
ーン２の一部、特にエツジ部を破壊損傷する現象
があつた。
特に最近の半導体素子の高集積化が進む中で、
パターンの寸法は増々微細化され、此のパターン
の一部欠陥は製造歩留の低下をもたらす要因とな
り、又最近のマスク自動検査装置の検査精度向上
によつても上記微細欠陥の検査が確実に行なわれ
フオトマスクの歩留低下となる問題があつた。
パターンの寸法は増々微細化され、此のパターン
の一部欠陥は製造歩留の低下をもたらす要因とな
り、又最近のマスク自動検査装置の検査精度向上
によつても上記微細欠陥の検査が確実に行なわれ
フオトマスクの歩留低下となる問題があつた。
(c) 発明の目的
本発明の目的はかかる問題点に鑑みなされたも
ので、マスク保護膜の静電気の帯電を防止し、該
保護膜の剥離時に生ずるパターンの静電気破壊を
防止することが可能なマスク保護膜の提供にあ
る。
ので、マスク保護膜の静電気の帯電を防止し、該
保護膜の剥離時に生ずるパターンの静電気破壊を
防止することが可能なマスク保護膜の提供にあ
る。
(d) 発明の構成
その目的を達成するため、本発明のマスク保護
膜中に導電性微粉末を含有してなることを特徴と
する。
膜中に導電性微粉末を含有してなることを特徴と
する。
(e) 発明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照して説
明する。第３図に本発明の一実施例を説明するた
めの要部断面図を示す。
明する。第３図に本発明の一実施例を説明するた
めの要部断面図を示す。
同図において、たとえば厚さ約2.3mmのガラス
基板１１上に真空蒸着或はスパツタ蒸着などによ
つて厚さ約1000Åの金属クロム薄膜を蒸着し、該
クロム薄膜をレジスト膜をマスクにして四塩化炭
素（Ccl4）などのガスを用いてプラズマエツチン
グ処理によつて所望のクロムパターン１２を形成
しフオトマスクが完成する。
基板１１上に真空蒸着或はスパツタ蒸着などによ
つて厚さ約1000Åの金属クロム薄膜を蒸着し、該
クロム薄膜をレジスト膜をマスクにして四塩化炭
素（Ccl4）などのガスを用いてプラズマエツチン
グ処理によつて所望のクロムパターン１２を形成
しフオトマスクが完成する。
次に酢酸ビニール樹脂溶液に約10％の導電性微
粉末、たとえば酸化鉄、或はカーボンの粒度約
0.1μm程度の導電性微粉末を前記酢酸ビニール樹
脂溶液中に混合分散させる。
粉末、たとえば酸化鉄、或はカーボンの粒度約
0.1μm程度の導電性微粉末を前記酢酸ビニール樹
脂溶液中に混合分散させる。
上記導電性微粉末が混合分散された酢酸ビニー
ル樹脂溶液を前記フオトマスク上に滴下し、ロー
ラーなどによる自動機械によつて該酢酸ビニール
樹脂溶液を前記フオトマスク上に伸ばし、厚さ約
100μm程度の導電性のマスク保護膜１３が被覆さ
れ、排気中のドラフト内において常温乾燥する。
ル樹脂溶液を前記フオトマスク上に滴下し、ロー
ラーなどによる自動機械によつて該酢酸ビニール
樹脂溶液を前記フオトマスク上に伸ばし、厚さ約
100μm程度の導電性のマスク保護膜１３が被覆さ
れ、排気中のドラフト内において常温乾燥する。
上述したマスク保護膜１３を有するフオトマス
クは、使用時の該保護膜１３をはがす際に、含有
された導電性微粉末によつて該保護膜１３の電気
抵抗が下がつて導電性のため、ガラス基板１１と
保護膜１３との間の静電気の放電によるパターン
１２の破壊損傷を防止することが可能となる。
クは、使用時の該保護膜１３をはがす際に、含有
された導電性微粉末によつて該保護膜１３の電気
抵抗が下がつて導電性のため、ガラス基板１１と
保護膜１３との間の静電気の放電によるパターン
１２の破壊損傷を防止することが可能となる。
従つて欠陥のない正常なパターン形状を有する
フオトマスクの維持及び使用が可能となる。
フオトマスクの維持及び使用が可能となる。
(f) 発明の効果
以上説明したごとく本発明によれば、導電性微
粉末を含有してなるマスク保護膜によつて、静電
気の帯電を防止することにより、該保護膜の剥離
時におけるパターンの静電破壊を防止することが
可能となり、製品の歩留向上、品質向上に効果が
ある。
粉末を含有してなるマスク保護膜によつて、静電
気の帯電を防止することにより、該保護膜の剥離
時におけるパターンの静電破壊を防止することが
可能となり、製品の歩留向上、品質向上に効果が
ある。
第１図は従来例を説明するための要部断面図、
第２図はマスク保護膜をはがす状態を示す斜視
図、第３図は本発明の一実施例を説明するための
要部断面図である。 図において１１はガラス基板、１２はクロム薄
膜よりなるパターン、１３は導電性微粉末を含有
してなるマスク保護膜を示す。
第２図はマスク保護膜をはがす状態を示す斜視
図、第３図は本発明の一実施例を説明するための
要部断面図である。 図において１１はガラス基板、１２はクロム薄
膜よりなるパターン、１３は導電性微粉末を含有
してなるマスク保護膜を示す。
Claims (1)
- １ 導電性微粉末を含有してなることを特徴とす
るマスク保護膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194579A JPS6086545A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | マスク保護膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194579A JPS6086545A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | マスク保護膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086545A JPS6086545A (ja) | 1985-05-16 |
| JPS633302B2 true JPS633302B2 (ja) | 1988-01-22 |
Family
ID=16326886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58194579A Granted JPS6086545A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | マスク保護膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086545A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0421303U (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-24 | ||
| US10388427B2 (en) | 2016-09-20 | 2019-08-20 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Flat cable, method for manufacturing the same, and rotatable connector device including the same |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62139547A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-23 | Daicel Chem Ind Ltd | 帯電防止性を有する感光積層体 |
| JPS6446738A (en) * | 1987-08-17 | 1989-02-21 | Fuaintetsuku Kenkyusho Kk | Antistatic photosensitive laminated film |
| US5079113A (en) * | 1988-09-29 | 1992-01-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask |
| US5260150A (en) * | 1987-09-30 | 1993-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask with light shielding film buried in substrate |
| JP2558304B2 (ja) * | 1987-12-28 | 1996-11-27 | 大日本印刷株式会社 | 製版用ガラスパターン |
| US5178976A (en) * | 1990-09-10 | 1993-01-12 | General Electric Company | Technique for preparing a photo-mask for imaging three-dimensional objects |
| GB2301050B (en) * | 1995-05-12 | 1999-06-23 | Kimoto Company Limited | Masking films |
| JP4197378B2 (ja) * | 1999-08-18 | 2008-12-17 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びそのためのハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス並びにこれを用いたパターン形成方法 |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP58194579A patent/JPS6086545A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0421303U (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-24 | ||
| US10388427B2 (en) | 2016-09-20 | 2019-08-20 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Flat cable, method for manufacturing the same, and rotatable connector device including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6086545A (ja) | 1985-05-16 |
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