JPH05100410A - レチクル - Google Patents
レチクルInfo
- Publication number
- JPH05100410A JPH05100410A JP25900991A JP25900991A JPH05100410A JP H05100410 A JPH05100410 A JP H05100410A JP 25900991 A JP25900991 A JP 25900991A JP 25900991 A JP25900991 A JP 25900991A JP H05100410 A JPH05100410 A JP H05100410A
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- Japan
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- pattern
- light shielding
- shielding pattern
- circuit pattern
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】レチクルにおいて、静電気による回路パターン
の破壊を防止する。 【構成】ガラス基板１上に、回路パターン２と遮光パタ
ーン３を形成する。この回路パターン３を形成する。こ
の回路パターン２及び遮光パターン３を、外周の金属膜
５から分離するための金属膜が除去された領域４を形成
する。
の破壊を防止する。 【構成】ガラス基板１上に、回路パターン２と遮光パタ
ーン３を形成する。この回路パターン３を形成する。こ
の回路パターン２及び遮光パターン３を、外周の金属膜
５から分離するための金属膜が除去された領域４を形成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製造
に用いられるレチクルに関する。
に用いられるレチクルに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の微細パターン化に従っ
て、ウェハーに回路を焼き付ける露光機はステッパーが
主流となっている。ステッパーではウェハー上のパター
ンサイズの１〜１０倍のパターンサイズを有するレチク
ルが使用される。レチクルを作成する為の回路バターン
の描画には電子ビーム露光装置が用いられるが、この
時、電子ビームに感光するレジストとして、後のプロセ
ス処理工程で感光領域が除去されるポジァァレジストを
用いた場合に、できあがるレチクルの構成は、従来、図
３に示す様に、透明なガラス基板１上にクロム、酸化ク
ロム等の遮光性金属膜で回路パターン２が形成されたパ
ターン領域とその周囲の遮光領域３となっていた。
て、ウェハーに回路を焼き付ける露光機はステッパーが
主流となっている。ステッパーではウェハー上のパター
ンサイズの１〜１０倍のパターンサイズを有するレチク
ルが使用される。レチクルを作成する為の回路バターン
の描画には電子ビーム露光装置が用いられるが、この
時、電子ビームに感光するレジストとして、後のプロセ
ス処理工程で感光領域が除去されるポジァァレジストを
用いた場合に、できあがるレチクルの構成は、従来、図
３に示す様に、透明なガラス基板１上にクロム、酸化ク
ロム等の遮光性金属膜で回路パターン２が形成されたパ
ターン領域とその周囲の遮光領域３となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】レチクルは絶縁体であ
るガラス基板上に金属膜を有する構造となっているた
め、クリーンルーム内の空気の流れや、純水を用いた高
圧シャワー水洗、あるいは絶縁体のレチクルキャリア
や、ケース等によって帯電する。金属パターンの領域が
広い場合には数ＫＶから数十ＫＶに帯電することもあ
る。。従来のレチクルでは帯電している時にハンドリン
グ操作等でレチクル周囲の金属膜部が設備，人間の手等
に接触すると金属膜の電荷は瞬時に除去されるが、内部
パターン領域に孤立した金属パターン部があり、かつ、
無電荷となった領域と接近している場合、その電位差に
より、放電現象が生じ、金属パターンの一部が破壊され
るという問題点があった。
るガラス基板上に金属膜を有する構造となっているた
め、クリーンルーム内の空気の流れや、純水を用いた高
圧シャワー水洗、あるいは絶縁体のレチクルキャリア
や、ケース等によって帯電する。金属パターンの領域が
広い場合には数ＫＶから数十ＫＶに帯電することもあ
る。。従来のレチクルでは帯電している時にハンドリン
グ操作等でレチクル周囲の金属膜部が設備，人間の手等
に接触すると金属膜の電荷は瞬時に除去されるが、内部
パターン領域に孤立した金属パターン部があり、かつ、
無電荷となった領域と接近している場合、その電位差に
より、放電現象が生じ、金属パターンの一部が破壊され
るという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のレチクルは、透
明基板の一主面に形成された回路パターンと、この回路
パターンの周囲に形成された遮光パターンとを有するレ
チクルにおいて、遮光パターンの外側に静電破壊防止用
の分離領域が形成されているものである。
明基板の一主面に形成された回路パターンと、この回路
パターンの周囲に形成された遮光パターンとを有するレ
チクルにおいて、遮光パターンの外側に静電破壊防止用
の分離領域が形成されているものである。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の平面図である。ガラ
ス基板１上にＣｒ等の金属を披着させて回路パターン２
と遮光パターン３を形成する。この際、遮光パターンの
外側に幅０．５〜２ｍｍで遮光パターン及び回路パター
ンを外周金属膜５から分離する為の金属膜が除去された
領域（分離領域）４を形成する。
る。図１は本発明の第１の実施例の平面図である。ガラ
ス基板１上にＣｒ等の金属を披着させて回路パターン２
と遮光パターン３を形成する。この際、遮光パターンの
外側に幅０．５〜２ｍｍで遮光パターン及び回路パター
ンを外周金属膜５から分離する為の金属膜が除去された
領域（分離領域）４を形成する。
【０００６】このように構成されたレチクルにおいて
は、静電気が発生した場合に外周の金属膜５の電荷がア
ースされ電位がゼロとなっても、静電破壊防止用の分離
領域４が存在するために、回路パターン領域あるいは遮
光パターン領域で放電が発生することがなく静電破壊を
防止できる。
は、静電気が発生した場合に外周の金属膜５の電荷がア
ースされ電位がゼロとなっても、静電破壊防止用の分離
領域４が存在するために、回路パターン領域あるいは遮
光パターン領域で放電が発生することがなく静電破壊を
防止できる。
【０００７】図２は本発明の第２の実施例の平面図であ
る。図２において、ガラス基板１上の遮光パターン３の
外側に幅０．５〜２ｍｍの静電破壊防止用の分離領域４
が形成されでいるが、分離領域内には少なくとも１本以
上の周囲と独立した枠パターン６が幅数十ミクロンから
数百ミクロンで形成されている。
る。図２において、ガラス基板１上の遮光パターン３の
外側に幅０．５〜２ｍｍの静電破壊防止用の分離領域４
が形成されでいるが、分離領域内には少なくとも１本以
上の周囲と独立した枠パターン６が幅数十ミクロンから
数百ミクロンで形成されている。
【０００８】この用に構成されたレチクルは分離領域の
金属膜が除去される面積を小さくできるため、電子ビー
ム描画装置を用いた露光時間を短縮できる利点がある。
本実施例の場合、外周の金属膜と静電破壊防止用の分離
領域内にある枠パターンの間で放電が生じ静電破壊を生
じることがあっても、ステッパーで使用される欠陥があ
ってはならない領域の外側なので問題ない。
金属膜が除去される面積を小さくできるため、電子ビー
ム描画装置を用いた露光時間を短縮できる利点がある。
本実施例の場合、外周の金属膜と静電破壊防止用の分離
領域内にある枠パターンの間で放電が生じ静電破壊を生
じることがあっても、ステッパーで使用される欠陥があ
ってはならない領域の外側なので問題ない。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明はレチクル上
の使用しない部分である遮光パターンの外側に、回路パ
ターン及び遮光パターンを外周の金属膜と分離するため
の静電破壊防止用の分離領域を形成したので、静電気に
よる、回路パターン及び遮光パターンの破壊を防止でき
る効果がある。
の使用しない部分である遮光パターンの外側に、回路パ
ターン及び遮光パターンを外周の金属膜と分離するため
の静電破壊防止用の分離領域を形成したので、静電気に
よる、回路パターン及び遮光パターンの破壊を防止でき
る効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図である。
【図２】第２の実施例の平面図である。
【図３】従来のレチクルの平面図である。
１ ガラス基板 ２ 回路パターン ３ 遮光パターン ４ 静電破壊防止用（分離領域） ５ 外周金属膜 ６ 枠パターン
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板の一主面に形成された回路パタ
ーンと、回路パターンの周囲に形成された遮光パターン
を有するレチクルにおいて、前記遮光パターンを内周と
外周に分離する分離領域が形成されていることを特徴と
するレチクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25900991A JPH05100410A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | レチクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25900991A JPH05100410A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | レチクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05100410A true JPH05100410A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17328086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25900991A Pending JPH05100410A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | レチクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05100410A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000036468A1 (en) * | 1998-12-14 | 2000-06-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Photomask with a mask edge provided with a ring-shaped esd protection area |
| JP2009086385A (ja) * | 2007-09-29 | 2009-04-23 | Hoya Corp | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 |
| JP2010122396A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Sony Corp | フォトマスク |
| US7883823B2 (en) | 2007-02-02 | 2011-02-08 | Fujitsu Semiconductor Limited | Photomask and method for manufacturing a semiconductor device using the photomask |
| CN108107671A (zh) * | 2016-11-25 | 2018-06-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种防静电光罩 |
| JP2022509247A (ja) * | 2019-01-17 | 2022-01-20 | 長江存儲科技有限責任公司 | 静電放電保護付きフォトマスク |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP25900991A patent/JPH05100410A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000036468A1 (en) * | 1998-12-14 | 2000-06-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Photomask with a mask edge provided with a ring-shaped esd protection area |
| US6291114B1 (en) | 1998-12-14 | 2001-09-18 | .S. Philips Corporation | Photomask with a mask edge provided with a ring-shaped ESD protection area |
| US7883823B2 (en) | 2007-02-02 | 2011-02-08 | Fujitsu Semiconductor Limited | Photomask and method for manufacturing a semiconductor device using the photomask |
| JP2009086385A (ja) * | 2007-09-29 | 2009-04-23 | Hoya Corp | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 |
| JP2010122396A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Sony Corp | フォトマスク |
| CN108107671A (zh) * | 2016-11-25 | 2018-06-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种防静电光罩 |
| JP2022509247A (ja) * | 2019-01-17 | 2022-01-20 | 長江存儲科技有限責任公司 | 静電放電保護付きフォトマスク |
| US11493842B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-11-08 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Photomask with electrostatic discharge protection |
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