JPH0797217B2 - ホトマスクの製造方法 - Google Patents
ホトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH0797217B2 JPH0797217B2 JP26997387A JP26997387A JPH0797217B2 JP H0797217 B2 JPH0797217 B2 JP H0797217B2 JP 26997387 A JP26997387 A JP 26997387A JP 26997387 A JP26997387 A JP 26997387A JP H0797217 B2 JPH0797217 B2 JP H0797217B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- film
- exposure
- manufacturing
- metal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ホトマスクの製造方法に関し、 製造過程においてマスク部のメインパターンに静電破壊
が起きないようにすることを目的とし、 透明基板上の金属膜の上面のレジスト膜をチップ単位で
繰り返し露光するステップ露光を行なうステップ露光工
程を含むホトマスクの製造方法において、上記ステップ
露光による露光エリアを上記金属膜の範囲内に制限し、
上記金属膜がマスク部形成領域の全周に亘って連続して
残置されるように構成する。
が起きないようにすることを目的とし、 透明基板上の金属膜の上面のレジスト膜をチップ単位で
繰り返し露光するステップ露光を行なうステップ露光工
程を含むホトマスクの製造方法において、上記ステップ
露光による露光エリアを上記金属膜の範囲内に制限し、
上記金属膜がマスク部形成領域の全周に亘って連続して
残置されるように構成する。
本発明はホトマスクの製造方法に関する。
一般に、ホトマスクは、第３図に示す工程１〜12を経て
製造される。同図中、１はガラス基板上にクロム膜を形
成する工程、２はクロム膜上にレジスト膜を形成する工
程、３はレジスト膜をチップ単位で繰り返し露光するス
テツプ露光を行なうステップ露光工程、４は露光された
部分を現像する工程、５は現像液を除去する水洗工程、
６はクロム膜に対するエッチング工程、７はエッチング
液を除去する水洗工程、８はレジスト膜を剥離する剥離
工程、９は水洗工程、10は表面の有機物を分解除去する
硫酸を使用した酸処理工程、11は硫酸を除去する水洗工
程、12は乾燥工程である。
製造される。同図中、１はガラス基板上にクロム膜を形
成する工程、２はクロム膜上にレジスト膜を形成する工
程、３はレジスト膜をチップ単位で繰り返し露光するス
テツプ露光を行なうステップ露光工程、４は露光された
部分を現像する工程、５は現像液を除去する水洗工程、
６はクロム膜に対するエッチング工程、７はエッチング
液を除去する水洗工程、８はレジスト膜を剥離する剥離
工程、９は水洗工程、10は表面の有機物を分解除去する
硫酸を使用した酸処理工程、11は硫酸を除去する水洗工
程、12は乾燥工程である。
第４図は、上記の工程により製造されたホトマスクを構
成する多数マスク部のうちの一つのマスク部15を示す。
16,17,18,19は夫々アイランドであり、メインパターン
を形成している。
成する多数マスク部のうちの一つのマスク部15を示す。
16,17,18,19は夫々アイランドであり、メインパターン
を形成している。
各水洗工程5,7,9,11は純水を対象物の表面に噴き付けて
行なわれる。純水は比抵抗が高い。特に水洗工程9,11で
はホトマスクのパターンが純水でこすられる状態とな
り、各アイランド16〜19に静電気がたまる傾向がある。
この静電気が放電を伴って逃げると、アイランドの一部
が欠けてメインパターン14が静電破壊を起こし、ホトマ
スクが不良品となってしまう。
行なわれる。純水は比抵抗が高い。特に水洗工程9,11で
はホトマスクのパターンが純水でこすられる状態とな
り、各アイランド16〜19に静電気がたまる傾向がある。
この静電気が放電を伴って逃げると、アイランドの一部
が欠けてメインパターン14が静電破壊を起こし、ホトマ
スクが不良品となってしまう。
従って、ホトマスクの製造方法においては、メインパタ
ーンの静電破壊が起きにくいようにする必要がある。
ーンの静電破壊が起きにくいようにする必要がある。
第５図は従来のホトマスクの製造方法のステップ露光工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
20は露光対象物であり、第６図に示すように、透明基板
である円形のガラス板21上に金属膜であるクロム膜22が
形成され、更にこのクロム膜22の上面にレジスト膜23が
形成された構成である。
である円形のガラス板21上に金属膜であるクロム膜22が
形成され、更にこのクロム膜22の上面にレジスト膜23が
形成された構成である。
ステップ露光はステップ露光装置によりコンピュータに
記憶されているプログラムに基づいて行なわれ、第５図
中実線で囲む部分が露光エリア25として設定されてい
る。この露光エリア25内で露光が繰り返し行なわれる。
二点鎖線で囲む部分が夫々一のステップ露光部26であ
る。
記憶されているプログラムに基づいて行なわれ、第５図
中実線で囲む部分が露光エリア25として設定されてい
る。この露光エリア25内で露光が繰り返し行なわれる。
二点鎖線で囲む部分が夫々一のステップ露光部26であ
る。
ここで露光エリア25の各コーナ部及びその近傍のステッ
プ露光部26-1〜26-16についてみると、その一部分がク
ロム膜22より外側にはみ出している。
プ露光部26-1〜26-16についてみると、その一部分がク
ロム膜22より外側にはみ出している。
このため、上記のステップ露光を経て製造されたホトマ
スク30は第７図に示す如くになる。
スク30は第７図に示す如くになる。
このホトマスク30の上面は、上記マスク部15が縦横に整
列して配されたマスク部形成領域31と、格子状のスクラ
イブライン45と、このマスク部形成領域31の周囲に残置
された残置クロム膜32とよりなる。
列して配されたマスク部形成領域31と、格子状のスクラ
イブライン45と、このマスク部形成領域31の周囲に残置
された残置クロム膜32とよりなる。
残置クロム膜32はホトマスク30の周方向上全周に亘って
連続して存在しているわけではなく、途中途中で寸断さ
れている。33〜44は夫々残置クロム膜32が無い部分であ
る。特に33,44で示す部分は比較的広い幅に亘って残置
クロム膜32が欠けている。
連続して存在しているわけではなく、途中途中で寸断さ
れている。33〜44は夫々残置クロム膜32が無い部分であ
る。特に33,44で示す部分は比較的広い幅に亘って残置
クロム膜32が欠けている。
また残置クロム膜32の面積S1も狭くなっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕 上記の構造方法により構造されたホトマスク30では、例
えば第８図に示すようにアイランド19の一部が欠ける静
電破壊が起きていることが多かった。一のマスク部15で
静電破壊が起きていると、そのホトマスクは不良品とな
り、従来の製造方法は歩留りが悪いという問題点があっ
た。
えば第８図に示すようにアイランド19の一部が欠ける静
電破壊が起きていることが多かった。一のマスク部15で
静電破壊が起きていると、そのホトマスクは不良品とな
り、従来の製造方法は歩留りが悪いという問題点があっ
た。
また本発明車は静電破壊が起きているマスク部15の部位
を調べたところ、特に符号33〜44で示す残置クロム膜欠
除部のと書くに多いことが分かった。
を調べたところ、特に符号33〜44で示す残置クロム膜欠
除部のと書くに多いことが分かった。
本発明は上記の検査結果に基づいて、製造過程において
マスク部のメインパターンに静電破壊が起きないように
したホトマスクの製造方法を提供することを目的とす
る。
マスク部のメインパターンに静電破壊が起きないように
したホトマスクの製造方法を提供することを目的とす
る。
本発明は、透明基板上の金属膜の上面のレジスト膜をチ
ップ単位で繰り返し露光するステップ露光を行う工程を
含むホトマスクの製造方法において、 上記ステップ露光による露光エリアを上記金属膜の範囲
内に制限するように露光し、上記金属膜がマスク部形成
領域の全周に亘って連続して残置されるように構成し、
かつ、前記金属膜はスクライブライン上にも連続して残
置され、前記スクライブライン上に残置された金属膜
と、前記マスク部形成領域の全周に亘って連続して残置
された金属膜とが接続されるように構成してなるもので
ある。
ップ単位で繰り返し露光するステップ露光を行う工程を
含むホトマスクの製造方法において、 上記ステップ露光による露光エリアを上記金属膜の範囲
内に制限するように露光し、上記金属膜がマスク部形成
領域の全周に亘って連続して残置されるように構成し、
かつ、前記金属膜はスクライブライン上にも連続して残
置され、前記スクライブライン上に残置された金属膜
と、前記マスク部形成領域の全周に亘って連続して残置
された金属膜とが接続されるように構成してなるもので
ある。
マスク形成領域の全周に亘って残置形成される金属膜
が、製造工程中の静電気の大半を帯電し、各マスク部へ
の静電気の帯電を相対的に抑制する。
が、製造工程中の静電気の大半を帯電し、各マスク部へ
の静電気の帯電を相対的に抑制する。
第１図は本発明のホストマスクの製造方法の一実施例の
ステップ露光工程を示す図である。図中、第５図に示す
構成部分と実質上同一部分には同一符号を付す。
ステップ露光工程を示す図である。図中、第５図に示す
構成部分と実質上同一部分には同一符号を付す。
50は露光エリアであり、実線で囲む部分でこの露光エリ
ア50は、第５図中の露光エリア25からステップ露光部26
-1〜26-16を除いた部分である。
ア50は、第５図中の露光エリア25からステップ露光部26
-1〜26-16を除いた部分である。
これにより、周囲のステップ露光部26-20〜26-37につい
てもクロム膜22より外側にはみ出さず、ステップ露光部
26は全てクロム膜22上となる。
てもクロム膜22より外側にはみ出さず、ステップ露光部
26は全てクロム膜22上となる。
このように露光エリア50を従来より一まわり狭めること
は、コンピュータのプログラムを一部変更することによ
り容易に実施できる。
は、コンピュータのプログラムを一部変更することによ
り容易に実施できる。
上記のステップ露光を経て製造されたホトマスク60は第
２図に示す如くになる。
２図に示す如くになる。
このホトマスク60の上面は、前記マスク部15が縦横に整
列して配されたマスク部形成領域61と、格子状のスクラ
イブライン62と、このマスク部形成領域61の周囲に残置
された残置クロム膜63とよりなる。
列して配されたマスク部形成領域61と、格子状のスクラ
イブライン62と、このマスク部形成領域61の周囲に残置
された残置クロム膜63とよりなる。
ここでマスク部形成領域61は、クロム膜22より外方には
み出さずに、クロム膜22の外周より内側の領域に限られ
ている。
み出さずに、クロム膜22の外周より内側の領域に限られ
ている。
これにより残置クロム膜62は、マスク部形成領域61の全
周に亘って、寸断されずに、連続して存在している。
周に亘って、寸断されずに、連続して存在している。
また残置クロム膜62の面積S2は前記の面積S1より広い。
このホトマスク30の各マスク部15を検査したところ、静
電破壊は認められなかった。
電破壊は認められなかった。
従って本実施例の製造方法によれば、ホトマスク60を歩
留り良く製造することが出来る。
留り良く製造することが出来る。
なお、静電破壊が起きない理由は、第１には、残置クロ
ム膜63が全周に亘って連続して存在しているため、水洗
工程9,11において発生する静電気の大部分は残置クロム
膜63に帯電し、メインパターンに帯電する静電気の量は
相対的に少なくなるため、第２には全てのスクライブラ
イン62の両端が残置クロム膜63とつながっているため、
メインパターン帯電した静電気がスクライブライン62を
通してすみやかに周囲の残置クロム膜63に逃がされるた
めと考えられる。
ム膜63が全周に亘って連続して存在しているため、水洗
工程9,11において発生する静電気の大部分は残置クロム
膜63に帯電し、メインパターンに帯電する静電気の量は
相対的に少なくなるため、第２には全てのスクライブラ
イン62の両端が残置クロム膜63とつながっているため、
メインパターン帯電した静電気がスクライブライン62を
通してすみやかに周囲の残置クロム膜63に逃がされるた
めと考えられる。
また、第２図中、70はウェハの外形を示す。露光エリア
を狭めてもマスク形成領域61はウェハよりも広く、ウェ
ハ全体をカバーするため、ウェハ上面をパターニングす
る上で不都合は無い。
を狭めてもマスク形成領域61はウェハよりも広く、ウェ
ハ全体をカバーするため、ウェハ上面をパターニングす
る上で不都合は無い。
また、上記静電破壊を防止するために、ガラス板上に透
明の導電膜を形成し、この上にクロム膜を形成した構造
とし、メインパターンに帯電した静電気を透明導電膜を
通してアースに逃がす方法も考えられるが、この方法で
は、透明導電膜を形成する工程を追加する必要があり、
製造コスト等の点で好ましくない。
明の導電膜を形成し、この上にクロム膜を形成した構造
とし、メインパターンに帯電した静電気を透明導電膜を
通してアースに逃がす方法も考えられるが、この方法で
は、透明導電膜を形成する工程を追加する必要があり、
製造コスト等の点で好ましくない。
以上説明した様に、本発明によれば、新たな工程を追加
することなく、従来の製造工程をそのまま踏襲して、メ
インパターンに静電破壊を起こさせることなく、ホトマ
スクを製造することが出来る。然して、ホトマスクを、
製造コストを上げずに且つ歩留り良く製造することが出
来る。
することなく、従来の製造工程をそのまま踏襲して、メ
インパターンに静電破壊を起こさせることなく、ホトマ
スクを製造することが出来る。然して、ホトマスクを、
製造コストを上げずに且つ歩留り良く製造することが出
来る。
第１図は本発明のホトマスクの製造方法の一実施例にお
けるステップ露光工程を説明する図、 第２図は本発明の製造方法により製造されたホトマスク
の平面図、 第３図はホトマスクの一般的な製造工程を示す図、 第４図はホトマスクの一のマスク部を拡大して示す図、 第５図は従来のホトマスクの製造方法におけるステップ
露光工程を説明する図、 第６図は露光対象物の断面図、 第７図は従来の製造方法により製造されたホトマスクの
平面図、 第８図はマスク部の静電破壊の１例を拡大して示す図で
ある。 図において、 ３はステップ露光工程、15はマスク部、20は露光対象
物、21はガラス板、22はクロム膜、23はレジスト膜、26
はステップ露光部、50は露光エリア、60はホトマスク、
61はマスク部形成領域、62はスクライブライン、63は残
置クロム膜、を示す。
けるステップ露光工程を説明する図、 第２図は本発明の製造方法により製造されたホトマスク
の平面図、 第３図はホトマスクの一般的な製造工程を示す図、 第４図はホトマスクの一のマスク部を拡大して示す図、 第５図は従来のホトマスクの製造方法におけるステップ
露光工程を説明する図、 第６図は露光対象物の断面図、 第７図は従来の製造方法により製造されたホトマスクの
平面図、 第８図はマスク部の静電破壊の１例を拡大して示す図で
ある。 図において、 ３はステップ露光工程、15はマスク部、20は露光対象
物、21はガラス板、22はクロム膜、23はレジスト膜、26
はステップ露光部、50は露光エリア、60はホトマスク、
61はマスク部形成領域、62はスクライブライン、63は残
置クロム膜、を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板（21）上の金属膜（22）の上面の
レジスト膜（33）をチップ単位で繰り返し露光するステ
ップ露光を行うステップ露光工程（３）を含むホトマス
クの製造方法において、 上記ステップ露光による露光エリア（50）を上記金属膜
（22）の範囲内に制限するように露光し、上記金属膜
（22,63）がマスク部形成領域（61）の全周に亘って連
続して残置されるように構成し、かつ、前記金属膜（2
2）はスクライブライン上にも連続して残置され、前記
スクライブライン（62）上に残置された金属膜と、前記
マスク部形成領域（61）の全周に亘って連続して残置さ
れた金属膜（63）とが接続されるように構成してなるホ
トマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26997387A JPH0797217B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | ホトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26997387A JPH0797217B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | ホトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01112243A JPH01112243A (ja) | 1989-04-28 |
| JPH0797217B2 true JPH0797217B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=17479804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26997387A Expired - Fee Related JPH0797217B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | ホトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797217B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103850A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-04-30 | Fujitsu Ltd | レチクル |
| JP4842164B2 (ja) * | 2007-02-02 | 2011-12-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
| US12183609B2 (en) * | 2022-03-03 | 2024-12-31 | Micron Technology, Inc. | Wafer carrier with reticle template for marking reticle fields on a semiconductor wafer |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5016479A (ja) * | 1973-06-11 | 1975-02-21 | ||
| JPS58140742A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-20 | Hitachi Ltd | ホトマスク |
| JPS60222856A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Hitachi Ltd | 静電破壊防止マスク |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP26997387A patent/JPH0797217B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01112243A (ja) | 1989-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5989754A (en) | Photomask arrangement protecting reticle patterns from electrostatic discharge damage (ESD) | |
| TWI270746B (en) | Anti-ESD photomask blank | |
| CN110850677A (zh) | 光刻层掩膜版的制备方法、离子注入方法 | |
| JPH0797217B2 (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JP3650055B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法 | |
| JPS633302B2 (ja) | ||
| JPS58175830A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH07117744B2 (ja) | ダイシングラインの形成方法 | |
| JP3337020B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000098585A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造装置の保管装置 | |
| JPH05100410A (ja) | レチクル | |
| JP2001272768A (ja) | フォトリソグラフィ・マスク | |
| JP2003248294A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JP2000131823A (ja) | 半導体レチクル・マスク | |
| JPH112893A (ja) | ホトマスク | |
| KR200196585Y1 (ko) | 이에스디(esd) 방지기능을 갖는 포토 마스크 | |
| KR20040069768A (ko) | 정전기 방지구조를 갖는 반도체 제조용 마스크와 마스크제조방법 | |
| JP3969789B2 (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
| JPS6381351A (ja) | ホトマスク | |
| JPS6118955A (ja) | レテイクルマスク | |
| JPH0455855A (ja) | フォトマスク | |
| JPH03103850A (ja) | レチクル | |
| JP2772172B2 (ja) | レチクル | |
| JP2002365782A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPS6315249A (ja) | 光学マスクの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |