JPH01116636A - フォトレジスト - Google Patents
フォトレジストInfo
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- JPH01116636A JPH01116636A JP27553287A JP27553287A JPH01116636A JP H01116636 A JPH01116636 A JP H01116636A JP 27553287 A JP27553287 A JP 27553287A JP 27553287 A JP27553287 A JP 27553287A JP H01116636 A JPH01116636 A JP H01116636A
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- JP
- Japan
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- photoresist
- output
- disk
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- optical information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 38
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトレジストに関する。
光学式情報記録媒体は大量の情報を記録することが出来
る。中でも記録膜として磁気光学効果を顕著に示す垂直
磁化膜を用いた光磁気ディスクはを望視されている。ま
た、金属相の相変化を利用した金属膜を用いることも研
究が進んでいる。これら記録膜はグループ（案内溝のこ
と）を、存した基板上に形成される。基板上にはグルー
プと共に、セクタのヘッダ、媒体に関する情報を含むコ
ントロールトラックがプリピットの形で形成される。基
板上のグループ、プリピットの大きさ、深さ、位置の制
御は光学式情報記録媒体の基本技術の一つである。基板
のグループ、プリピットが備えるべき条件を以下に列挙
する。
る。中でも記録膜として磁気光学効果を顕著に示す垂直
磁化膜を用いた光磁気ディスクはを望視されている。ま
た、金属相の相変化を利用した金属膜を用いることも研
究が進んでいる。これら記録膜はグループ（案内溝のこ
と）を、存した基板上に形成される。基板上にはグルー
プと共に、セクタのヘッダ、媒体に関する情報を含むコ
ントロールトラックがプリピットの形で形成される。基
板上のグループ、プリピットの大きさ、深さ、位置の制
御は光学式情報記録媒体の基本技術の一つである。基板
のグループ、プリピットが備えるべき条件を以下に列挙
する。
（ア）トラッキングエラー信号（プッシュプル信号）が
充分に得られること。
充分に得られること。
（イ）プリピットからの再生信号の変調度が充分である
こと。
こと。
（つ）記録膜に記録したとき、その再生信号が充分なＳ
Ｎ比を得られること。
Ｎ比を得られること。
再生用ビームの波長λ、基板の屈折率ｎとしたさを育す
るプリピット２２、そして、グループ間に記録エリア２
２を宵することを特徴とする基板が、上記（ア）〜（つ
）の３つの条件を満足しうろことが周知であった。（特
開昭６０−５０７３この基板を得るための原盤は次のよ
うに製造すλ る。平坦に研磨されたガラス盤に石厚のフォトレジスト
を被着形成しておき、出力の異なる２本のビームでフォ
トレジスト側からフォトレジストを走査感光させていく
。その際、一方のビームはグループ用で、充分な出力に
よって、フォトレジλ スト層を底まで感光させπの深さを得るのに対し、他方
のビームは前者よりも小さい出力によっと、所望の凹凸
が得られる。現像後、表面の導電化、電鋳を経て、フォ
トレジストの凹凸の金属レプリカが出来る。これが原盤
として利用される。
るプリピット２２、そして、グループ間に記録エリア２
２を宵することを特徴とする基板が、上記（ア）〜（つ
）の３つの条件を満足しうろことが周知であった。（特
開昭６０−５０７３この基板を得るための原盤は次のよ
うに製造すλ る。平坦に研磨されたガラス盤に石厚のフォトレジスト
を被着形成しておき、出力の異なる２本のビームでフォ
トレジスト側からフォトレジストを走査感光させていく
。その際、一方のビームはグループ用で、充分な出力に
よって、フォトレジλ スト層を底まで感光させπの深さを得るのに対し、他方
のビームは前者よりも小さい出力によっと、所望の凹凸
が得られる。現像後、表面の導電化、電鋳を経て、フォ
トレジストの凹凸の金属レプリカが出来る。これが原盤
として利用される。
ループを得る目的で若干小さい出力のビームでフォトレ
ジスト層を走査感光させると、深さよりもむしろ、グル
ープの幅が小さくなるのが現実である。これは、ビーム
の強度分布がビームの中心軸付近に大きな強度を存し、
中心軸から離れるに従って、連続的に小さ（なる、いわ
ゆるガウシアンビームであることに起因している。出力
の小さいビームでフォトレジスト層を感光させると、強
度の大きい中心軸付近のみが感光のスレッショルドを越
える結果、細いグループを形成されることになる。
ジスト層を走査感光させると、深さよりもむしろ、グル
ープの幅が小さくなるのが現実である。これは、ビーム
の強度分布がビームの中心軸付近に大きな強度を存し、
中心軸から離れるに従って、連続的に小さ（なる、いわ
ゆるガウシアンビームであることに起因している。出力
の小さいビームでフォトレジスト層を感光させると、強
度の大きい中心軸付近のみが感光のスレッショルドを越
える結果、細いグループを形成されることになる。
本発明では、小さい出力のビームでフォトレシス）Ｇを
感光させてグループを形成したとき、従来の技術では、
幅の狭いグループが形成されるのに対し、幅が広く、か
つ、深さの浅いグループを形成することが可能なフォト
レジストを提供することを目的とする。
感光させてグループを形成したとき、従来の技術では、
幅の狭いグループが形成されるのに対し、幅が広く、か
つ、深さの浅いグループを形成することが可能なフォト
レジストを提供することを目的とする。
本発明の７オトレジストは、感光波長域に吸収帯を持つ
色素を均一に分散させたことを特徴とする。
色素を均一に分散させたことを特徴とする。
以下に本発明の７オトレジストについて詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明のフォトンシストの吸光特性の一例を
示したもので、横軸は入射光の波長、縦軸は１１００ｎ
厚の、フォトレジスト層の、エネルギー吸収率を表して
いる。フォトレジスト中には、赤色有機系色素を均一に
分散しであるので、波長が４００〜５０００ｍの青い光
を良く吸収する。
示したもので、横軸は入射光の波長、縦軸は１１００ｎ
厚の、フォトレジスト層の、エネルギー吸収率を表して
いる。フォトレジスト中には、赤色有機系色素を均一に
分散しであるので、波長が４００〜５０００ｍの青い光
を良く吸収する。
この、着色フォトレジストを用いてガラス盤上に１１０
０ｎの厚さのフォトレジスト層を形成して、Ｈｅ−Ｃｄ
レーザの４４１．６ｎｍのビームで走査感光させた。そ
の際、ビームの出力を変化させて感光させ、現像後のフ
ォトレジストの断面を観察した結果を第３図に示す。３
１は１．２ミリジユ一ル／メートル、３２は１．４ミリ
ジユ一ル／メートル、３３は１．６ミリジユ一ル／メー
トル、３４は、１．８ミリジユ一ル／メートルの出力で
走査感光させたフォトレジストの、断面である。尚、現
像条件はいずれにおいても同一である。レーザ光の出力
が大きくなるに従いフォトレジストに形成される溝の深
さが深くなっていることが分かる。溝の幅も変化してい
るが、この場合深さの変化の方が顕著である。
０ｎの厚さのフォトレジスト層を形成して、Ｈｅ−Ｃｄ
レーザの４４１．６ｎｍのビームで走査感光させた。そ
の際、ビームの出力を変化させて感光させ、現像後のフ
ォトレジストの断面を観察した結果を第３図に示す。３
１は１．２ミリジユ一ル／メートル、３２は１．４ミリ
ジユ一ル／メートル、３３は１．６ミリジユ一ル／メー
トル、３４は、１．８ミリジユ一ル／メートルの出力で
走査感光させたフォトレジストの、断面である。尚、現
像条件はいずれにおいても同一である。レーザ光の出力
が大きくなるに従いフォトレジストに形成される溝の深
さが深くなっていることが分かる。溝の幅も変化してい
るが、この場合深さの変化の方が顕著である。
一方、赤色有機系色素を分散させない従来のフォトレジ
ストを用いた１１００ｎ厚のフォトレジスト層に対して
、Ｈｅ−Ｃｄレーザの４４１．６ｎｍの、ビームの出力
を変化させて走査感光させた。現像後の７オトレジスト
の断面を観察した結果を第４図に示す。尚、前記の赤色
「機系色素を分散させたフォトレジストと、ここの従来
のフォトレジストとでは赤色有機系色素の分散の存無の
点で異なるだけで、他の点では同一の物である。
ストを用いた１１００ｎ厚のフォトレジスト層に対して
、Ｈｅ−Ｃｄレーザの４４１．６ｎｍの、ビームの出力
を変化させて走査感光させた。現像後の７オトレジスト
の断面を観察した結果を第４図に示す。尚、前記の赤色
「機系色素を分散させたフォトレジストと、ここの従来
のフォトレジストとでは赤色有機系色素の分散の存無の
点で異なるだけで、他の点では同一の物である。
４１は、０．８ミリジユ一ル／メートル、４２は１．０
ミリジユ一ル／メートル、４３は１．２ミリジユ一ル／
メートル、４４は１．４ミリジユ一ル／メートルの出力
で走査感光させたフォトレジストの断面である。レーザ
光の出力が大きくなるに従い、溝の幅が顕著に変化して
いる。溝の深さは小さい出力で露光したとき既にフォト
レジスト層の底に達しており、レーザ光の出力を変化さ
せても大きな変化はない。
ミリジユ一ル／メートル、４３は１．２ミリジユ一ル／
メートル、４４は１．４ミリジユ一ル／メートルの出力
で走査感光させたフォトレジストの断面である。レーザ
光の出力が大きくなるに従い、溝の幅が顕著に変化して
いる。溝の深さは小さい出力で露光したとき既にフォト
レジスト層の底に達しており、レーザ光の出力を変化さ
せても大きな変化はない。
一定の厚さのフォトレジスト層を用いて露光用レーザ光
の出力を変化させることによって深さの異なる溝を得よ
うとするとき、以上の結果から、仔機系色素を分散させ
たフォトレジストのほうが遥かに仔利であることが分か
る。そこで、光学式情報媒体の原盤を両者のフォトレジ
ストで作製してその差を検討した。仔機系色素を分散さ
せたフォトレジストで作製した原盤によって得られた光
学式情報記録媒体をＡディスク、従来のフォトレジスト
で作製した原盤によって得られた光学式情報記録媒体を
Ｂディスクとする。Ａディスクのグループ、プリピット
はそれぞれ１．３ミリジユ一ル／メートル、１．８ミリ
ジユ一ル／メートルの出力の、レーザで走査感光した。
の出力を変化させることによって深さの異なる溝を得よ
うとするとき、以上の結果から、仔機系色素を分散させ
たフォトレジストのほうが遥かに仔利であることが分か
る。そこで、光学式情報媒体の原盤を両者のフォトレジ
ストで作製してその差を検討した。仔機系色素を分散さ
せたフォトレジストで作製した原盤によって得られた光
学式情報記録媒体をＡディスク、従来のフォトレジスト
で作製した原盤によって得られた光学式情報記録媒体を
Ｂディスクとする。Ａディスクのグループ、プリピット
はそれぞれ１．３ミリジユ一ル／メートル、１．８ミリ
ジユ一ル／メートルの出力の、レーザで走査感光した。
Ｂディスクのグループ、プリピットは、それぞれ０．９
５ミリジユ一ル／メートル、１．４ミリジユ一ル／′メ
ートルの出力のレーザで走査感光した。両者のディスク
の断面図を第６図に示す。Ａディスクの、断面さ、０．
６マイクロメードルの幅のプリピット５６マイクロメー
ドルの幅のプリピット５４が得られている。更に、これ
ら２種類のディスクを光学式ヘッドによって、再生実験
した結果を表１に示す。グループから得られる、トラッ
キングエラー信号、トラッククロス信号、そして、プリ
ピットから得られるＶＦＯ信号の振幅をそれぞれ測定し
てミラ一部から得られる出力で規格化したものである。
５ミリジユ一ル／メートル、１．４ミリジユ一ル／′メ
ートルの出力のレーザで走査感光した。両者のディスク
の断面図を第６図に示す。Ａディスクの、断面さ、０．
６マイクロメードルの幅のプリピット５６マイクロメー
ドルの幅のプリピット５４が得られている。更に、これ
ら２種類のディスクを光学式ヘッドによって、再生実験
した結果を表１に示す。グループから得られる、トラッ
キングエラー信号、トラッククロス信号、そして、プリ
ピットから得られるＶＦＯ信号の振幅をそれぞれ測定し
てミラ一部から得られる出力で規格化したものである。
表 １
Ａディスクは光学式情報記録媒体として充分な性能を示
しているのに対して、Ｂディスクは充分とはいえない。
しているのに対して、Ｂディスクは充分とはいえない。
Ｂディスクにおいては、トラッキングサーボが不安定で
わずかな外乱でトラッキングサーボがはずれることが観
察された。
わずかな外乱でトラッキングサーボがはずれることが観
察された。
この結果からも、を機系色素を分散させたフォトレジス
トによって得られた光学式情報記録媒体が従来のフォト
レジストを用いたものより格段に優れていることが分か
る。
トによって得られた光学式情報記録媒体が従来のフォト
レジストを用いたものより格段に優れていることが分か
る。
以上のべたように、本発明のフォトレジストは露光用放
射光の出力を変化させることにより感光深さを変化させ
ることが可能で、光学式情報記・録媒体の原盤の製造に
利用すると従来のフォトレジストより優れた特性が得ら
れる。
射光の出力を変化させることにより感光深さを変化させ
ることが可能で、光学式情報記・録媒体の原盤の製造に
利用すると従来のフォトレジストより優れた特性が得ら
れる。
第１図は、本発明のフォトレジストの吸光特性図。
第２図は、グループ間にプリピットと記録エリアを存す
る光学式情報記録媒体の断面図。 第３図は、露光用ビームの出力を変化させて走査感光さ
せた本発明のフォトレジストの断面図。 第４図は、露光用ビームの出力を変化させて走査感光さ
せた従来の７オトレジストの断面図。 第５図（Ａ）は、本発明の７オトレジストを用いて作製
した光学式記録媒体の断面図。 ｍ５図ＣＢ）は、従来のフォトレジストを用いて作製し
た光学式記録媒体の断面図。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 易 ｔＢ １２図 ｒ ４Ｌ Ｈ
る光学式情報記録媒体の断面図。 第３図は、露光用ビームの出力を変化させて走査感光さ
せた本発明のフォトレジストの断面図。 第４図は、露光用ビームの出力を変化させて走査感光さ
せた従来の７オトレジストの断面図。 第５図（Ａ）は、本発明の７オトレジストを用いて作製
した光学式記録媒体の断面図。 ｍ５図ＣＢ）は、従来のフォトレジストを用いて作製し
た光学式記録媒体の断面図。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 易 ｔＢ １２図 ｒ ４Ｌ Ｈ
Claims (1)
- 感光波長域に吸収帯を持つ色素を均一に分散させたこと
を特徴とするフォトレジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27553287A JPH01116636A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | フォトレジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27553287A JPH01116636A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | フォトレジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01116636A true JPH01116636A (ja) | 1989-05-09 |
Family
ID=17556759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27553287A Pending JPH01116636A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | フォトレジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01116636A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06505211A (ja) * | 1991-02-22 | 1994-06-16 | プルップ・エスコフォット・アクティーゼルスカブ | レーザイメージセッタ |
| US5432047A (en) * | 1992-06-12 | 1995-07-11 | International Business Machines Corporation | Patterning process for bipolar optical storage medium |
| US5501926A (en) * | 1992-06-12 | 1996-03-26 | International Business Machines Corporation | Dichromatic photomask and a method for its fabrication |
| US7129006B2 (en) * | 1999-07-30 | 2006-10-31 | Research Investment Network, Inc. | Optical data storage system and method |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP27553287A patent/JPH01116636A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06505211A (ja) * | 1991-02-22 | 1994-06-16 | プルップ・エスコフォット・アクティーゼルスカブ | レーザイメージセッタ |
| US5432047A (en) * | 1992-06-12 | 1995-07-11 | International Business Machines Corporation | Patterning process for bipolar optical storage medium |
| US5501926A (en) * | 1992-06-12 | 1996-03-26 | International Business Machines Corporation | Dichromatic photomask and a method for its fabrication |
| US7129006B2 (en) * | 1999-07-30 | 2006-10-31 | Research Investment Network, Inc. | Optical data storage system and method |
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