JPH01117252A - X線像観察装置 - Google Patents
X線像観察装置Info
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- JPH01117252A JPH01117252A JP27486387A JP27486387A JPH01117252A JP H01117252 A JPH01117252 A JP H01117252A JP 27486387 A JP27486387 A JP 27486387A JP 27486387 A JP27486387 A JP 27486387A JP H01117252 A JPH01117252 A JP H01117252A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はX線像拡大観察装置に関し、特に詳細には、光
電変換膜をその中に備えた真空容器を有するX線像拡大
観察装置に関する。
電変換膜をその中に備えた真空容器を有するX線像拡大
観察装置に関する。
従来、X線像拡大観察装置では、その拡大された像を観
察するため、拡大されてきたX線像をX線フィルム上に
投影し、そのX線フィルムを現像することにより拡大像
を観察していた。また、特に微弱なX線像を観察するた
めにはX線の減衰を防止するため真空容器内で拡大、観
察する必要がある。その為、X線フィルムは真空容器内
に固定された状態で拡大像を撮影し、その後、真空容器
を破壊して取り出し、現像することにより、拡大像を観
察していた。
察するため、拡大されてきたX線像をX線フィルム上に
投影し、そのX線フィルムを現像することにより拡大像
を観察していた。また、特に微弱なX線像を観察するた
めにはX線の減衰を防止するため真空容器内で拡大、観
察する必要がある。その為、X線フィルムは真空容器内
に固定された状態で拡大像を撮影し、その後、真空容器
を破壊して取り出し、現像することにより、拡大像を観
察していた。
また、X線フィルムを使用せず、シンチレータを用いて
X線像を電子像に変換して、その電子像を蛍光面に写し
出すことにより、像を観察する装置が、例えば特開昭5
9−101134号公報に開示されている。
X線像を電子像に変換して、その電子像を蛍光面に写し
出すことにより、像を観察する装置が、例えば特開昭5
9−101134号公報に開示されている。
更にまた、測定物を真空容器のX線入射窓上に固定し、
その対向面で真空容器の内面にX線−電子変換膜を付着
し、測定物を透過したX線をX線−電子変換膜により電
子に変換し、その電子像をフィルム゛に撮影する方法も
知られている。
その対向面で真空容器の内面にX線−電子変換膜を付着
し、測定物を透過したX線をX線−電子変換膜により電
子に変換し、その電子像をフィルム゛に撮影する方法も
知られている。
上記X線フィルムを使用する方法では、拡大像を観察す
るためにはX線フィルムを現像しなければならず、この
為、観察すべき物体の時間的変化を観察することができ
ず、またこのX線フィルムを現像するためには真空容器
を破壊し取り出さなければならなかった。更に、この様
なX線フィルムを使用する方法では、X線フィルムに照
射されたX線の量とそのフィルムの黒化度との関係の再
現性が悪く、更に、そのX線の量と黒化度との直線性が
悪いことにより、正確な拡大像を観察出来なかった。ま
た、人間がその拡大像を目視するためには、その現像し
たX線フィルムを拡大したり、顕微鏡で観察しなければ
ならず、拡大像の観察に繁雑な手間が掛かっていた。
るためにはX線フィルムを現像しなければならず、この
為、観察すべき物体の時間的変化を観察することができ
ず、またこのX線フィルムを現像するためには真空容器
を破壊し取り出さなければならなかった。更に、この様
なX線フィルムを使用する方法では、X線フィルムに照
射されたX線の量とそのフィルムの黒化度との関係の再
現性が悪く、更に、そのX線の量と黒化度との直線性が
悪いことにより、正確な拡大像を観察出来なかった。ま
た、人間がその拡大像を目視するためには、その現像し
たX線フィルムを拡大したり、顕微鏡で観察しなければ
ならず、拡大像の観察に繁雑な手間が掛かっていた。
一方、上記公報に開示されるシンチレータを使用する装
置では、真空容器内でX線像を拡大していないため、微
細なX線像を観察することが出来ず、更に、顕微鏡とし
て使用できるほど拡大することも出来ない。
置では、真空容器内でX線像を拡大していないため、微
細なX線像を観察することが出来ず、更に、顕微鏡とし
て使用できるほど拡大することも出来ない。
更に、真空容器のX線入射窓の内面にX線−電子変換膜
を付着させる方法では、大気圧と真空容器内の圧力差に
よる破壊を防止するため、このX線入射窓の厚さを一定
以上にしなければならない。
を付着させる方法では、大気圧と真空容器内の圧力差に
よる破壊を防止するため、このX線入射窓の厚さを一定
以上にしなければならない。
そのため、入射窓部においてX線が吸収され、減衰する
ことによって、鮮明な像を得ることが難しかった。
ことによって、鮮明な像を得ることが難しかった。
そこで、本発明は上記問題点を解決し、被観察物の時間
的変化を連続的に観察でき、かつ、X線を利用して拡大
率の大きい像を観察することの出来るX線像拡大観察装
置を提供することを目的とする。
的変化を連続的に観察でき、かつ、X線を利用して拡大
率の大きい像を観察することの出来るX線像拡大観察装
置を提供することを目的とする。
本発明のX線像拡大観察装置は、真空容器と、この真空
容器の観察窓から入射されたX線を所定の位置に結像さ
せるX線結像装置と、X線の結像位置で真空容器に固定
して設けられた支持膜と、この支持膜に付着形成された
光電変換膜と、この光電変換膜からの電子を所定の位置
に結像する電子結像装置とを備え、支持膜はX線の透過
を妨げない程度に薄くなっていることを特徴とする。
容器の観察窓から入射されたX線を所定の位置に結像さ
せるX線結像装置と、X線の結像位置で真空容器に固定
して設けられた支持膜と、この支持膜に付着形成された
光電変換膜と、この光電変換膜からの電子を所定の位置
に結像する電子結像装置とを備え、支持膜はX線の透過
を妨げない程度に薄くなっていることを特徴とする。
本発明のX線像拡大観察装置では、光電変換膜をX線の
透過を妨げない程度に薄い支持膜に固定し真空容器内に
配置して、拡大されたX線像を減衰させること無く光電
変換し、その変換された像を可視像として観察すること
により、フィルム現像、または拡大等の繁雑な処理を必
要とせず、被観察物の拡大された像の観察を可能とし、
また連続的な時間的変化をも観察可能とする。
透過を妨げない程度に薄い支持膜に固定し真空容器内に
配置して、拡大されたX線像を減衰させること無く光電
変換し、その変換された像を可視像として観察すること
により、フィルム現像、または拡大等の繁雑な処理を必
要とせず、被観察物の拡大された像の観察を可能とし、
また連続的な時間的変化をも観察可能とする。
以下添付図面の第1図ないし第5図を参照して、本発明
の詳細な説明する。尚、図面の説明において同一の要素
には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
の詳細な説明する。尚、図面の説明において同一の要素
には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
第1図は本発明に従うX線像拡大観察装置を組み込んだ
X線顕微鏡の側面構成図である。図示のX線顕微鏡は、
いわゆるwoiter I型と呼ばれる斜入射X線顕微
鏡であり、X線管1と、X線管1より照射され、試料3
を透過したX線を拡大し、その拡大像を形成する像拡大
部13と、拡大された像を観察するための観察系14と
より構成されている。
X線顕微鏡の側面構成図である。図示のX線顕微鏡は、
いわゆるwoiter I型と呼ばれる斜入射X線顕微
鏡であり、X線管1と、X線管1より照射され、試料3
を透過したX線を拡大し、その拡大像を形成する像拡大
部13と、拡大された像を観察するための観察系14と
より構成されている。
本実施例ではX線管1は、例えば生物試料中で炭素原子
と酸素原子のコントラストを得るために23オングスト
ローム〜44オングストロームの波長のX線を発生する
ものを使用した。
と酸素原子のコントラストを得るために23オングスト
ローム〜44オングストロームの波長のX線を発生する
ものを使用した。
観察系14は拡大された像を撮像面上に結像するリレー
レンズ8と、その結像された拡大像を撮像するためのT
V右カメラと、そのTV右カメラからの画像信号をA/
D変換し積算処理するビデオフレームメモリ10と、そ
のビデオフレームメモリ10からの画像信号を可視像と
してCRT上に表すモニター11とより構成されている
。
レンズ8と、その結像された拡大像を撮像するためのT
V右カメラと、そのTV右カメラからの画像信号をA/
D変換し積算処理するビデオフレームメモリ10と、そ
のビデオフレームメモリ10からの画像信号を可視像と
してCRT上に表すモニター11とより構成されている
。
像拡大部13はX線拡大部13aと電子ズーミングイメ
ージ部13bとより構成され、それらは真空容器13c
内に設ける。その真空容器13cの前面には試料3を透
過したX線をその中に入射するためのX線入射窓12を
設けておく。真空容器13c内にはX線の入射°方向か
ら順に1olter I型の斜入射X線反射鏡2、斜入
射反射鏡2により結像されたX線を光電変換する光電変
換膜4b(第2図)その上に有する光電変換部4、光電
変換膜4bで発生した電子を増倍するマイクロチャンネ
ルプレート(MCP:旧cro channel pl
ate)6、MCP6により出射した電子群を入射し可
視光像に変換する蛍光面7が設けられている。光電変換
部4及びこの光電変換部4とMCP6との間の真空容器
13cの外側には光電変換部4で変換された電子群を加
速、拡大するための電磁コイル5及び5aで構成した電
子レンズを設ける。
ージ部13bとより構成され、それらは真空容器13c
内に設ける。その真空容器13cの前面には試料3を透
過したX線をその中に入射するためのX線入射窓12を
設けておく。真空容器13c内にはX線の入射°方向か
ら順に1olter I型の斜入射X線反射鏡2、斜入
射反射鏡2により結像されたX線を光電変換する光電変
換膜4b(第2図)その上に有する光電変換部4、光電
変換膜4bで発生した電子を増倍するマイクロチャンネ
ルプレート(MCP:旧cro channel pl
ate)6、MCP6により出射した電子群を入射し可
視光像に変換する蛍光面7が設けられている。光電変換
部4及びこの光電変換部4とMCP6との間の真空容器
13cの外側には光電変換部4で変換された電子群を加
速、拡大するための電磁コイル5及び5aで構成した電
子レンズを設ける。
第2図に電子ズーミングイメージ部13bの拡大構成図
を示し、第3図に光電変換部4の断面構造及び斜視図を
示す。光電変換部4はX線拡大部13aで拡大されたX
線像の結像点に設けられる。
を示し、第3図に光電変換部4の断面構造及び斜視図を
示す。光電変換部4はX線拡大部13aで拡大されたX
線像の結像点に設けられる。
この光電変換部4は、図示するように光電変換膜支持体
4aと、その中心部に付着された光電変換膜4bとより
構成されている。この光電変換膜4bは支持膜(第2及
び3図では図示していない。)上に付着され、その支持
膜側から透過したX線を電子に変換してX線の入射側と
は反対側に放出する。ここで、この様な光電変換膜とし
てはAuの薄膜を使用する。支持膜の厚さはx′4fA
がその膜により吸収され減衰してしまうのを防止するた
め、例えば数μm程度以下に非常に薄くしておくことが
必要である。この光電変換膜支持体4aの周囲には貫通
穴4cが形成されている。この貫通穴4cを設けである
のは、真空容器13c内を真空にする際、一般に真空容
器13cの一端部から真空を引くが、真空容器13c内
でのX線拡大部13aと電子ズーミングイメージ部13
bとの間で真空圧力差が生じ、光電変換膜Au及び支持
膜が破壊されるのを防止するためである。また、貫通穴
4cを設けておけば、蛍光面7を構成する蛍光材料など
のガス抜きが不十分であったために、使用中に真空圧差
が生じることはまったくない。
4aと、その中心部に付着された光電変換膜4bとより
構成されている。この光電変換膜4bは支持膜(第2及
び3図では図示していない。)上に付着され、その支持
膜側から透過したX線を電子に変換してX線の入射側と
は反対側に放出する。ここで、この様な光電変換膜とし
てはAuの薄膜を使用する。支持膜の厚さはx′4fA
がその膜により吸収され減衰してしまうのを防止するた
め、例えば数μm程度以下に非常に薄くしておくことが
必要である。この光電変換膜支持体4aの周囲には貫通
穴4cが形成されている。この貫通穴4cを設けである
のは、真空容器13c内を真空にする際、一般に真空容
器13cの一端部から真空を引くが、真空容器13c内
でのX線拡大部13aと電子ズーミングイメージ部13
bとの間で真空圧力差が生じ、光電変換膜Au及び支持
膜が破壊されるのを防止するためである。また、貫通穴
4cを設けておけば、蛍光面7を構成する蛍光材料など
のガス抜きが不十分であったために、使用中に真空圧差
が生じることはまったくない。
従って、支持膜をX線が吸収、減衰されない程度に十分
に薄くすることが可能である。
に薄くすることが可能である。
この光電変換部4の後方には光電変換膜4bから出射し
た、電子を増倍するMCP6が設けられ、このMCP6
は2枚重ねマイクロチャンネルプレートを使用する。そ
のMCP6の後方で、真空容器13cの内側にMCP6
より出射した電子像を可視像に変換する蛍光面7が真空
容器13cの内側に設けられている。真空容器13cの
外側には、光電変換部4の周囲に対応する部分に電磁コ
イル5が設けられ、光電変換部4とMCP6との間の周
囲にも電磁コイル5aが配置されている。
た、電子を増倍するMCP6が設けられ、このMCP6
は2枚重ねマイクロチャンネルプレートを使用する。そ
のMCP6の後方で、真空容器13cの内側にMCP6
より出射した電子像を可視像に変換する蛍光面7が真空
容器13cの内側に設けられている。真空容器13cの
外側には、光電変換部4の周囲に対応する部分に電磁コ
イル5が設けられ、光電変換部4とMCP6との間の周
囲にも電磁コイル5aが配置されている。
以下、本実施例の像拡大作用について説明する。
X線管1を発したX線は試料3に照射され、その透過X
線が真空容器13cのX線入射窓12より入射する。入
射したX線は斜入射反射鏡2により反射され、光電変換
部4に設けられた光電変換膜4b上にX線像が結像する
。光電変換膜4bに入射したX線はこの光電変換膜の光
電変換作用により電子に変換され電子ズーミングイメー
ジ部13bへ電子を放出する。この変換作用によりX線
像が電子像に変換される。変換された電子は真空容器1
3cの外側に設けた電磁コイル群より構成される電子レ
ンズにより加速、拡大されてMCP6に入射する。この
MCP6に入射した電子はその位置情報を保ったまま増
倍され蛍光面7側に放出され蛍光面7に入射される。そ
して、蛍光面7は入射した電子により可視像形成する。
線が真空容器13cのX線入射窓12より入射する。入
射したX線は斜入射反射鏡2により反射され、光電変換
部4に設けられた光電変換膜4b上にX線像が結像する
。光電変換膜4bに入射したX線はこの光電変換膜の光
電変換作用により電子に変換され電子ズーミングイメー
ジ部13bへ電子を放出する。この変換作用によりX線
像が電子像に変換される。変換された電子は真空容器1
3cの外側に設けた電磁コイル群より構成される電子レ
ンズにより加速、拡大されてMCP6に入射する。この
MCP6に入射した電子はその位置情報を保ったまま増
倍され蛍光面7側に放出され蛍光面7に入射される。そ
して、蛍光面7は入射した電子により可視像形成する。
ここで、斜入射反射鏡2の拡大倍率を20倍とし、電子
ズーミングイメージ部13bの光電変換膜上での分解能
を1μm1電磁群5及び5aで構成される電子レンズ拡
大倍率を100倍とすると、試料上での分解能は1μm
/ 20 = 50 n mとなり、また蛍光面7上
では、試料上の50nmが0.1mmに拡大されること
になる。。
ズーミングイメージ部13bの光電変換膜上での分解能
を1μm1電磁群5及び5aで構成される電子レンズ拡
大倍率を100倍とすると、試料上での分解能は1μm
/ 20 = 50 n mとなり、また蛍光面7上
では、試料上の50nmが0.1mmに拡大されること
になる。。
更に、蛍光面7上に形成されて拡大像はリレーレンズ8
を通してTV左カメラにその像が捕らえられ、このTV
左カメラで捕らえられた拡大像は電気ビデオ信号に変換
されて、ビデオフレームメモリ10に送られる。このビ
デオフレームメモリ10では、送られてきた電気ビデオ
信号をA/D変換し、一定時間積算する。そして積算さ
れた結果をモニター11に送る。このモニター11では
、その積算された結果より、可視像を作成する。このT
V左カメラで、蛍光面7上に形成された可視像を撮像す
ることにより、モニター11上では、試料上での50n
mも容易に目視することができる。すなわち、リレーレ
ンズ8の倍率を1倍、TV左カメラの入力面の大きさを
1010mmX10とし、モニター11の画面を20c
mX20amとすると、このX線顕微鏡では全体として
、20x100X20−40000倍の倍率を得ること
ができる。
を通してTV左カメラにその像が捕らえられ、このTV
左カメラで捕らえられた拡大像は電気ビデオ信号に変換
されて、ビデオフレームメモリ10に送られる。このビ
デオフレームメモリ10では、送られてきた電気ビデオ
信号をA/D変換し、一定時間積算する。そして積算さ
れた結果をモニター11に送る。このモニター11では
、その積算された結果より、可視像を作成する。このT
V左カメラで、蛍光面7上に形成された可視像を撮像す
ることにより、モニター11上では、試料上での50n
mも容易に目視することができる。すなわち、リレーレ
ンズ8の倍率を1倍、TV左カメラの入力面の大きさを
1010mmX10とし、モニター11の画面を20c
mX20amとすると、このX線顕微鏡では全体として
、20x100X20−40000倍の倍率を得ること
ができる。
またX線像が十分な強度を有している場合には先に説明
したようにビデオフレームメモリ用いること無く、TV
左カメラ一般的な時間分解能である1/30秒毎に1枚
の画像が得られるので、はぼリアルタイムのX線像の観
察が可能となる。
したようにビデオフレームメモリ用いること無く、TV
左カメラ一般的な時間分解能である1/30秒毎に1枚
の画像が得られるので、はぼリアルタイムのX線像の観
察が可能となる。
しかし、X線像が微弱な場合には、先に説明した実施例
のようにビデオフレームメモリー11を用いて、電気ビ
デオ信号をA/D変換し、信号を積算することにより良
好な画像を得るようにする必要がある。この場合には、
リアルタイムでの拡大像の観察を行うことは出来ないが
、連続的な観察は可能となる。
のようにビデオフレームメモリー11を用いて、電気ビ
デオ信号をA/D変換し、信号を積算することにより良
好な画像を得るようにする必要がある。この場合には、
リアルタイムでの拡大像の観察を行うことは出来ないが
、連続的な観察は可能となる。
次に第4図を用いて、光電変換膜及び支持膜の形成方法
について説明する。
について説明する。
以上説明したように、光電変換膜4bを支持する支持膜
は非常に薄くX線の透過を妨げないようにする必要があ
る。そこで、まず第4(a)図に示すようにSi基板1
4上に多結晶5i15を、例えばエピタキシャル成長で
形成し、更にその上に熱酸化によりS iO2の熱酸化
膜16を形成する。また、この熱酸化膜の代わりに窒化
珪素(S13N4)を形成してもよい。この最上部の膜
16は光電変換膜4bの支持膜として働くため非常に薄
<シ、例えば数百オングストロームに形成する。
は非常に薄くX線の透過を妨げないようにする必要があ
る。そこで、まず第4(a)図に示すようにSi基板1
4上に多結晶5i15を、例えばエピタキシャル成長で
形成し、更にその上に熱酸化によりS iO2の熱酸化
膜16を形成する。また、この熱酸化膜の代わりに窒化
珪素(S13N4)を形成してもよい。この最上部の膜
16は光電変換膜4bの支持膜として働くため非常に薄
<シ、例えば数百オングストロームに形成する。
次に第4(b)図、に示すように、Si基板14裏面上
にフォトレジストを塗布し、その一部を露光し、現像し
てマスク17を形成したのち、Si基板14を選択的に
ウェットエツチングすることにより第4(b)図に示す
ような構造にする。次に、フォトレジストによるマスク
17を除去せずに、多結晶Siを選択的に気相エツチン
グすることにより、第4(C)図に示すように最上部の
膜16を残す。これによって、均一な厚さの十分な強度
を有する薄い膜16を形成できる。次に第4(d)図に
示すように、AuをSt基板14側から先に形成した穴
内の所定の位置に蒸着し光電変換膜4bを形成する。こ
のように形成された光電変換膜4b及び支持膜16を光
電変換膜支持体4aに固定して光電変換部4とする。そ
して、このように形成した光電変換部4を真空容器13
c内の所定の位置に設置する。
にフォトレジストを塗布し、その一部を露光し、現像し
てマスク17を形成したのち、Si基板14を選択的に
ウェットエツチングすることにより第4(b)図に示す
ような構造にする。次に、フォトレジストによるマスク
17を除去せずに、多結晶Siを選択的に気相エツチン
グすることにより、第4(C)図に示すように最上部の
膜16を残す。これによって、均一な厚さの十分な強度
を有する薄い膜16を形成できる。次に第4(d)図に
示すように、AuをSt基板14側から先に形成した穴
内の所定の位置に蒸着し光電変換膜4bを形成する。こ
のように形成された光電変換膜4b及び支持膜16を光
電変換膜支持体4aに固定して光電変換部4とする。そ
して、このように形成した光電変換部4を真空容器13
c内の所定の位置に設置する。
本発明は上記実施例に限定されるものでなく、種々の変
形が可能である。
形が可能である。
例えば、上記実施例では光電変換膜支持体にX線拡大部
と電子ズーミングイメージ部との間の気圧連通を保つた
めの貫通穴を設けているが、この様な貫通穴を設けなく
ても、真空容器13cの両側からX線拡大部側の圧力と
電子ズーミングイメージ部側の圧力とを等しく保ちつつ
慎重に真空にしていけばよい。
と電子ズーミングイメージ部との間の気圧連通を保つた
めの貫通穴を設けているが、この様な貫通穴を設けなく
ても、真空容器13cの両側からX線拡大部側の圧力と
電子ズーミングイメージ部側の圧力とを等しく保ちつつ
慎重に真空にしていけばよい。
また、光電変換膜及び支持膜の構成を第5図に示すよう
に、ガラス、金属またはSi等の支持体18の貫通穴1
8aを覆うように例えば数μm程度の窒化珪素(Si2
N3)の薄膜又は有機薄膜等(パリレン等)を張り付け
、その上にAuの薄膜20を付着させても良い。また上
記実施例では光電変換膜にX線を電子に直接変換するこ
との出来るAuの薄膜を使用しているが、このAuの代
わりにヨウ化セシウムとアンチモンセシウムとの2層構
造体を用いて、X線を間接的に変換してもよい。
に、ガラス、金属またはSi等の支持体18の貫通穴1
8aを覆うように例えば数μm程度の窒化珪素(Si2
N3)の薄膜又は有機薄膜等(パリレン等)を張り付け
、その上にAuの薄膜20を付着させても良い。また上
記実施例では光電変換膜にX線を電子に直接変換するこ
との出来るAuの薄膜を使用しているが、このAuの代
わりにヨウ化セシウムとアンチモンセシウムとの2層構
造体を用いて、X線を間接的に変換してもよい。
更に上記実施例では斜入射X線反射鏡を用いてX線像を
拡大しているが、本発明の装置にはX線ゾーンプレート
又は多層膜X線反射鏡を用いてX線像を拡大してもよい
。
拡大しているが、本発明の装置にはX線ゾーンプレート
又は多層膜X線反射鏡を用いてX線像を拡大してもよい
。
また、入射X線強度が十分に高いときはMCPを設ける
ことは必須ではなく、更に蛍光面7の位置にCODデバ
イスを設けて画像情報を得るよううにしてもよい。
ことは必須ではなく、更に蛍光面7の位置にCODデバ
イスを設けて画像情報を得るよううにしてもよい。
更にまた、上記実施例では像を拡大する例について説明
したが、等倍、すなわち拡大しない場合にも本発明は適
用できる。
したが、等倍、すなわち拡大しない場合にも本発明は適
用できる。
以上、詳細に説明した通り本発明では上記のように構成
することにより、X線を光電変換して更に可視像と観察
できるので、X線フィルムを現像拡大すると言うような
繁雑な処理を必要とせずに拡大像を得られ、更に被観察
物の拡大像のリアルタイムな変化の観察が可能となる。
することにより、X線を光電変換して更に可視像と観察
できるので、X線フィルムを現像拡大すると言うような
繁雑な処理を必要とせずに拡大像を得られ、更に被観察
物の拡大像のリアルタイムな変化の観察が可能となる。
更に、X線像を拡大したのち電子像に変換し、更にこの
電子像を拡大して可視像とするため、非常に大きい拡大
倍率、例えば数万倍、を得ることができる。
電子像を拡大して可視像とするため、非常に大きい拡大
倍率、例えば数万倍、を得ることができる。
更に、X線像を最終的に電気信号に変換できるため、光
電変換膜より放出された光電子に相当する電気信号を積
算することにより、非常に微弱なX線像であっても、鮮
明にその拡大像を得ることができる。
電変換膜より放出された光電子に相当する電気信号を積
算することにより、非常に微弱なX線像であっても、鮮
明にその拡大像を得ることができる。
第1図は本発明に従う実施例の側面構成図、第2図は第
1図に示す電子ズーミングイメージ部の拡大側面図、第
3図′は本発明に従う光電変換部の断面及び斜視図、第
4図は本発明の実施例の光電変換膜及び支持膜の形成工
程図、第5図は本発明の光電変換部の別の実施例の断面
構成図である。 1・・・X線管、2・・・斜入射反射鏡、3・・・試料
、4・・・光電変換部、6・・・MCP、7・・・蛍光
面、12・・・X線入射窓、4a・・・支持体、4b・
・・光電変換膜、16・・・支持膜。 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社代理人弁理士
長谷用 芳 樹間 寺
崎 史 朗電子ズーミングイメージ部 第2図 り 光電変換部 第3図
1図に示す電子ズーミングイメージ部の拡大側面図、第
3図′は本発明に従う光電変換部の断面及び斜視図、第
4図は本発明の実施例の光電変換膜及び支持膜の形成工
程図、第5図は本発明の光電変換部の別の実施例の断面
構成図である。 1・・・X線管、2・・・斜入射反射鏡、3・・・試料
、4・・・光電変換部、6・・・MCP、7・・・蛍光
面、12・・・X線入射窓、4a・・・支持体、4b・
・・光電変換膜、16・・・支持膜。 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社代理人弁理士
長谷用 芳 樹間 寺
崎 史 朗電子ズーミングイメージ部 第2図 り 光電変換部 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空容器と; この真空容器の観察窓から入射されたX線を所定の位置
に結像させるX線結像手段と; 前記X線の結像位置で前記真空容器に固定して設けられ
た支持膜と; この支持膜に付着形成された光電変換膜と;この光電変
換膜からの電子を所定の位置に結像する電子結像手段と
を備え、 前記支持膜は前記X線の透過を妨げない程度に薄くなっ
ていることを特徴とするX線像観察装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27486387A JPH01117252A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | X線像観察装置 |
| US07/263,254 US4912737A (en) | 1987-10-30 | 1988-10-27 | X-ray image observing device |
| EP88310177A EP0314502B1 (en) | 1987-10-30 | 1988-10-28 | An X-ray image observing device |
| DE3851297T DE3851297T2 (de) | 1987-10-30 | 1988-10-28 | Röntgenstrahlbilder-Beobachtungsvorrichtung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27486387A JPH01117252A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | X線像観察装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117252A true JPH01117252A (ja) | 1989-05-10 |
| JPH054778B2 JPH054778B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=17547620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27486387A Granted JPH01117252A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | X線像観察装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01117252A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04345796A (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 電子ビーム検出装置 |
| US7039157B2 (en) | 2001-08-03 | 2006-05-02 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | X-ray microscope apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188200A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | 日本電子株式会社 | X線照射系 |
| JPS61292600A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-23 | 日本電子株式会社 | X線光学系 |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP27486387A patent/JPH01117252A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188200A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | 日本電子株式会社 | X線照射系 |
| JPS61292600A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-23 | 日本電子株式会社 | X線光学系 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04345796A (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 電子ビーム検出装置 |
| US7039157B2 (en) | 2001-08-03 | 2006-05-02 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | X-ray microscope apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH054778B2 (ja) | 1993-01-20 |
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