JPH01119005A - 磁性体膜およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高飽和磁束密度（Ｂｓ＝４ＦπＭｓ）が要求
される高密度記録用磁気ヘッドの磁極材等に用いて好適
な磁性体膜およびその製造方法に関する。

従来の技術およびその問題点 従来、磁気記録再生用の磁気ヘッドの磁極等を構成する
磁性材料として、フェライト、パーマロイ、センダスト
、アモルファス合金等が使用されている。

ところで、磁気記録の高密度化を実現するためには、記
録媒体の保磁力Ｈｅを増大させる必要がある。この高い
保磁力を持つ記録媒体に高密度記録をしようとした場合
に、磁気ヘッドの磁極材料として飽和磁束密度の十分に
高い磁性材が必要である。

ところが、従来用いられていたフェライト、センダスト
等の磁性材は、記録媒体の保磁力に対して飽和磁束密度
が相当程度小さく、十分な高密度記録を達成できない欠
点があった。ちなみに、上述した従来の磁性材料は、フ
ェライト材で５〜６ＫＧ（キロガウス）、パーマロイで
８ＫＧ１センダスト材でｌ０ＫＧ程度であり、高密度記
録に必要な高い飽和磁束密度は側底得られなかった。

一方、Ｃｏ系のアモルファス合金は、１５〜１６ＫＧ程
度の記録に必要な比較的高い飽和磁束密度が得られるの
であるが、熱的な安定性に劣るという問題がある。すな
わち、磁気ヘッドの加工には、５００°Ｃ程度の高温に
おけるガラス融着工程を伴うことが多いが、現在特性的
に優れているとされているＣｏ系のアモルファス合金で
さえも、５００℃程度の加熱によって軟磁気特性が低減
劣化してしまうという問題があり、磁性材料として信頼
性に欠ける欠点がある。

さらに、高い飽和磁化を有する金属軟磁性材を磁気ヘッ
ドのコア材としたとき、高周波電流による渦電流損が多
（、例え高い飽和磁化を有する磁性材であっても、単体
でそのまま用いるという訳にはいかない。また、Ｆｅを
母材とした材料では、その耐蝕性も問題になってくる。

したがって、飽和磁束密度が十分に高く、かつ保磁力が
十分に低く、軟磁気特性に優れ、なおかつ耐蝕性にも優
れ、高周波電流による渦電流損も少ない磁性体膜が強く
要望される由縁である。

本発明は上述した問題点を解決するために提案されたも
ので、その目的は、飽和磁束密度が十分に高く、かつ保
磁力が十分に低く、軟磁気特性に優れると共に、経時変
化による耐蝕性にも優れた磁性体膜およびその製法を提
供することにある。

問題点を解決するための手段 上記の目的を達成するために、本発明は、Ｆｅを主成分
とし、Ｓ　ｔ　ｓ　Ｇ　ｅＮ　Ｙｓ　Ｃの中からいずれ
か１つの元素を選択して微少量含有させた主磁性体膜と
、ＮｉＦｅ合金（パーマロイ）膜とを積層させた磁性体
膜を要旨とする。

また、上記の目的は、Ｆｅを主成分とし、５１ｓＧｅ、
Ｙ、Ｃの中のいずれか１つの元素を微少量含有する主磁
性体膜とＮｉＦｅ膜とを、ガラスまたはセラミック等の
非磁性基板上に夫々の膜厚が０．０１μｍ１１〜１０’
ｎｍの層厚となる様に積層し、次に真空中で、熱処理す
る製法を採用することによって達成できる。

作用 Ｆｅを主成分とし、Ｓ　１１Ｇｅ１Ｙ％　Ｃの中から１
つの元素を選択して微少量含有させた主磁性体膜と、パ
ーマロイ膜とを積層させて成膜すると、高飽和磁束密度
と、十分に低い保磁力を有する優れた軟磁気特性を持つ
磁性体膜が形成される。

そして、これを所定の温度条件、時間等の下で熱処理す
ると、磁気ヘッド等の製造段階における軟磁気特性の熱
的安定性に冨み、かつ、耐蝕性の良好な磁性体膜が得ら
れる。すなわち、ヘッド製造段階において、ガラス融着
工程を行う場合等においては、５００℃程度の温度が必
要であるが、例えこの温度以上の６００℃程度に上昇し
たとしても、軟磁気特性には何ら変化は見られず、特性
を低下させるようなことはない。また、高温、高湿の条
件で放置したとしても、経時変化による耐蝕性の低減劣
化、例えば、飽和磁束密度の低下は見られない。

実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明に係る磁性体膜の基本構成を示している
。この磁性体膜は、基本的にはＦｅを主成分とし、Ｓｉ
ｔ　Ｇｅｚ　ＹｌＧの中からいずれか１つの元素を選択
して微少量含存させた主磁性体膜１０と、ＮｉＦｅ合金
（パーマロイ）膜１１とを交互に複数層積層させた薄膜
構造に形成されている。主磁性体膜１０は、ＮｉＦｅ膜
１１を挾む形で交互に積層されている。この２つの膜１
０１１１は、図示例では、主磁性体膜１“Ｏが３層、Ｎ
ｉＦｅ膜１１が２層の場合について示しであるが、軟磁
気特性の点では１層ずつであっても、図示例よりさらに
多層であっても差支えない。

主磁性体膜１０の組成は、Ｆｅを主成分とし、この母材
ＦｅにＳ　ｉｖ　Ｇｅｚ　ＹＮ　Ｃの中からいずれか１
つの元素を選択して微少量添加させたものを基本的な膜
組成とする。

母材Ｆｅへの添加成分としてＳｉを選ぶと、主磁性体膜
１０はＦｅＳ　ｉ膜となる。そのときのＳｉの含有量は
、１．５〜３．５ａｔ％の範囲に選ばれる。また、添加
成分としてＧｅを選ぶと、主磁性体膜１０はＦｅＧｅ膜
となる。そのときのＧｅの含を量は５〜１０ａ　ｔ％の
範囲に選ばれる。

さらに、添加成分としてＹを選んだ場合はＦｅＹ膜とな
り、そのＹの含有量は２〜４ａｔ％の範囲に選ばれる。

さらにまた、添加成分としてＣを選んだときは、膜１０
はＦｅＣ膜となり、その含有量は１０ａｔ％以下に設定
される。これらのＳ　Ｉ　ＮＧｅｌＹ％Ｃの母材Ｆｅへ
の添加量、すなわち、含有量は実験結果より選ばれたも
のであり、上述した範囲であれば、高飽和磁束密度、耐
蝕性の点で良好な結果が得られる。

実験結果によると、ＦｅＳｉ膜の組成は、Ｓｉが３．５
ａｔ、％を越えると、高い飽和磁束密度４πＭｓ（ＫＧ
：キロガラス）が得られない。−方、Ｓｉが１．５ａｔ
、％未満の場合には、例え高い飽和磁束密度が得られた
としても、高密度記録用磁気ヘッド等の用途に適する程
度に保磁力を低゛くすることができなくなる。したがっ
て、主磁性体ＰＸｌｏをＦｅＳｉ模１０としたときは、
上記のように、Ｓｉを１．５〜３．５ａｔ、％の範囲で
微少量含有した組成であることが必要である。

同様のことは、主磁性体膜１０をＦｅＣ膜、ＦｅＹｖｊ
：、ＦｅＣ膜のどれかにした場合についても云える。

本発明の磁性体膜は、第一義的には上述したとおりの主
磁性体膜１０とＮｉＦｅ膜１１との積層膜であるが、よ
り具体的には、次のような膜構造を持つ。なお、以下の
説明においては、主磁性体膜１０としてＦｅＳｉ膜を上
述したものの中から選び、代表例として述べるが、その
他のＦ　ｅ　Ｇ　ｅ　１Ｆ　ｅ　Ｙｓ　Ｆ　ｅ　Ｃであ
っても、同様の所期の効果を得ることができる。但し、
その場合は、各元素に応じた含＜ｒ成分で膜組成が形成
される。

ＦｅＳｉ膜１０の膜厚は、０．０１〜０．５μｍの範囲
で、また、ＮｉＦｅ膜１１の膜厚は、１〜１０ｎｍ（ナ
ノ・メータ）の範囲で選ばれる。

この膜厚は実験結果で得られた値であり、この範囲の膜
厚を選択し、２つの膜１０１１１を積層させると、後述
するように、十分に満足すべき軟磁気特性が得られる。

このようにして得られた積層膜１０．１１は、さらに真
空中で、所定の温度と時間等の設定条件の下で熱処理さ
れる。この熱処理により、保磁力が低減し、良好な軟磁
性体膜となる。そして、この膜はヘッド製造段階におい
て、ガラス融着加工等で例え５００℃以上に温度上昇し
たとしても、軟磁気特性が低減劣化しない耐熱性と、例
え高温・高湿の条件下でも腐食・劣化、それに伴う飽和
磁束密度の低下に十分に耐え得る優れた耐蝕性とが得ら
れる。

なお、主磁性体ｇ：１０として、ＦｅＳｉの他に、−上
述したＦ　ｅ　Ｇ　ｅｓ　Ｆ　ｅ　ＹＮ　Ｆ　ｅ　Ｃの
いずれか１つを用いる場合においても、その膜厚は上述
した通り、０．０１〜０．５μｍの範囲に選択・設定さ
れる。その範囲であれば、上述したＦｅＳ　ｉ膜を用い
たのと同様の優れた効果が得られる。

次に、本発明に係る磁性体膜の製法ならびに処理手順に
ついて具体的な数値を示して説明する。

なお、以下に示す数値は例示であって、「請求の範囲」
で示された数値の範囲であれば本発明所期の膜特性を十
分に満たすことができる。その範囲で任意の数値に選択
し得るものである。

■先ず、使用アルゴンガス圧１×１０　Ｔ。

ｒｒの真空槽内において、イオンビームスパッタ法によ
り、ガラスまたはセラミック等の非磁性基板上にＦｅＳ
ｉ膜とＮｉＦｅ合金（パーマロイ）膜とを交互に成膜・
積層させる。その場合のターゲット物質は、次に述べる
組成を持つＦｅＳ　ｉ合金、およびＮｉＦｅ合金である
。

ＦｅＳｉの組成は、Ｆ　ｅを主成分とし、この母材Ｆｅ
中に１．５〜３．５ａｔ、％の範囲で数値を選択し、、
Ｓｉ（シリコン）を微少量含有させたものである。これ
らのターゲット物質を用いて交互にスパツクすることに
より、ガラスまたはセラミック等の非磁性基板上には、
上述したターゲット物質と同一の組成を持つＦｅＳｉ膜
とＮｉＦｅ膜とが交互に所定膜厚で積層台成膜される。

その膜厚は、ＦｅＳｉ膜が０．０１〜０．５μｍ、Ｎｉ
Ｆｅ合金膜が１〜９ｎｍの範囲に設定されている。その
膜厚の範囲であれば、晶密度記録に必要な十分に高い軟
磁気特性（高飽和磁束密度Ｂｓおよび低い保磁力Ｈｅ）
と高い高周波特性が得られる。すなわち、軟磁気特性の
点では、後に示す実験結果の比較例から見ても明らかな
ように、Ｆｅ単体のものは勿論の事、Ｆｅ５ｉ膜単層の
もの、あるいは従来−船釣に用いられて来たフェライト
、センダスト、パーマロイ等の磁性材の単体膜に比べて
十分に高い良好な結果が得られる。また、高密度記録用
磁気ヘッドを形成する際等に必要とされる高周波特性の
点では、上記のような２つの薄膜の積層膜とすることに
より、軟磁気特性に優れたＦｅ単体のものやＦｅＳ　ｉ
単層膜等に比べて良好な結果が得られる。すなわち、Ｆ
ｅ単体膜は、一般に良く知られているように、高い飽和
磁束密度Ｂｓ＝４πＭｓと截い保磁力Ｈｃを持ち、−見
高密度記録に適した磁性材であると考えられるが、それ
単体をヘッドのコア材として用いると、高周波電流によ
る渦電流損が大きく、側底実用に供し得ない。

一方、上記のように、ＦｅＳｉ合金の薄膜とＮｉＦｅ合
金の超薄膜とを交互に積層させると、高周波特性は大幅
に改善され、渦電流損はほとんど生じない。したがって
、通電される高周波電流に応じた高い外部磁界を発生さ
せることができる。

以上の如く、非磁性基板上にＦｅＳｉ合金の薄膜とＮｉ
Ｆｅ合金の超薄膜とが交互に積層・成膜された積層膜が
形成される。

なお、２つの膜の成膜順序は、どちらが先であっても良
く、任意に選択できる。また、本発明に係る成膜方法は
、上述したイオンビームスパッタ法たけに限らず、その
他のＲＦマグネトロンスパッタ法、蒸着法等の薄膜形成
技術により実現できる。この成膜工程で、主磁性体［１
０としてＦｅＧｅ１ＦｅＹｓまたはＦｅＣを用いる場合
は、ターゲット物質は、それに合わせてＦ　ｅ　Ｇ　ｅ
ｌＦ　ｅＹｌ又はＦｅＣが用いられる。その膜厚は、Ｆ
ｅＧ　ｅｘ　Ｆ　ｅ　ＹｌＦ　ｅ　Ｃいずれも０．０１
〜０．５μｍの範囲の数値に選ばれる。

■以上の如（イオンビームスパッタ法程で得られた積層
膜は、次に熱処理を施される。その熱処理にあたり選択
された処理条件は、真空加熱中００ｅ　（エルステッド
）の回転磁場が与えられる。すなわち、真空・回転磁界
中で熱処理が行われる。その処理に要した時間は１時間
［Ｈｒコである。

以上のように設定された条件の下で、積層膜を１［Ｈｒ
］真空加熱すると、必要な熱処理が施される。こうして
得られた膜は、例えば、ガラス融着工程等において５０
０℃以上に加熱された場合でも、その加熱による軟磁気
特性の低減劣化は確実に防止でき、６００°Ｃ以上の加
熱でも磁気特性の低減劣化に十分に耐えることができる
。また、後に示すように高温・高湿の雰囲気中で長時間
放置した場合でも、飽和磁束密度の残存率の低下はほと
んど見られない。すなわち、良好な耐蝕性を示す。

以上のような薄膜積層工程と、得られた積層膜の熱処理
工程とを経ることにより、下記の特性を持つ磁性体膜が
得られた。

（イ）保磁力Ｈｃ→２［ｄｅコ （ロ）飽和磁束密度Ｂ　ｓ　＝　４　ｘ　Ｍ　ｓ≧２０
［ＫＣｌ （ハ）磁気特性の耐熱性・（保持力）＝６００℃以上（
それ以上加熱しても磁気特 性は保持される） （ニ）優れた耐蝕性：経時変化による膜の腐食・劣化等
がない。

［実験例コ 第２図〜第５図は、上述した工程・手順を経て得られる
本発明の磁性体膜について、実際に数値を選んで軟磁気
特性、耐蝕性の面から実験した結果を示す特性図である
。この場合は、’　Ｆ　ｅ　Ｓ　ｉ模、ＮｉＦｅ模の膜
厚およびＦｅＳｉ中のＳｉの添加量、すなわち含有量を
−Ｅ掲した各数値の範囲の中から最も良い結果が得られ
る値を選んで積層−成膜し、熱処理した磁性体膜が使用
されている。

磁性体膜は、ＦｅＳｉ膜が膜厚０　、　１　ｉｔ　ｍｚ
　ＮｉＦｅ１！Ｘが膜厚６ｎｍ（ナノ・メータ）、Ｆｅ
Ｓｉ中のＳｉの含有量が３．５ａｔ、％に夫々設定され
て形成されている。

なお、これらの膜厚、含有量は、実験で用いた一つの例
示であって、上述した各数値の範囲であれば本実験例で
示すのと同様の優れた特性が得られることか本発明者に
よる実験結果によって判明している。本実験例はその中
の代表的な一例を提示するものであり、本発明は本実験
例で示した数値のみに限定されるものでないことは明ら
かであろう。

次に、上述した各図を用いて本実験例による実験結果に
ついて説明する。

先ず、第２図、第３図は保磁力ＨｅとＮｉＦｅ膜厚およ
びＦｅ５ｉＢ厚との関連を熱処理の際の温度条件を変え
て検討した結果を示す特性図で、第２図はＦｅＳｉ膜厚
は０．１μｍに固定しておき、ＮｉＦｅ膜厚を上掲の数
値の範囲で種々変えて保磁力ＨｃのＮｉＦｅ膜厚に対す
る依存性を見た結果を示し、また、第３図はＮｉＦｅ膜
厚は６ｎｍに固定しておき、Ｆ　ｅ　Ｓ　ｉ膜厚を上掲
の数値の範囲で種々変えて保磁力ＨｅのＦｅＳｉ膜厚依
存性を見た結果を示している。

第２図、第３図において、積層膜の熱処理の際の温度条
件は上述した５　００　’Ｃ〜８００°Ｃの範囲で代表
的な３種が選ばれている。破線で示すグラフは温度条件
を５００℃に設定して熱処理したもの、実線で示すグラ
フは６００℃に設定したものにつき、また、−点鎖線上
水すグラフは８００°Ｃに設定したものにつき、保磁力
Ｈｃの膜厚依存性を見た結果である。

第２図、第３図より明らかなように、いずれの温度条件
で熱処理された磁性体膜であっても、ＦｅＳト膜の膜厚
が０．０１〜０．５μｍ、Ｎｉ　Ｆｅ膜の膜厚が１〜１
０ｎｍの範囲で選択し積層・成膜させたものであれば、
保磁力Ｈｅの点では１０［Ｏｅ］以下で、なおかつ略５
［Ｏｅｌ以下の高密度磁気記録を行うに必要な十分に低
い値が得られていることが良（判る。

次に、第４図は、上述のように膜厚ならびにＳｉ含有量
を設定して得られた磁性体膜の耐蝕性を見るために得た
結果を示すものである。この実験では、温度６０℃、相
対湿度９０％の雰囲気中に磁性体膜を放置したときの飽
和磁束密度の低下の度合いを測定している。図で横軸は
放置時間［Ｈｒ］、縦軸は飽和磁束密度の残存率、すな
わち、放置時間ｔのときの飽和磁束密度Ｂｓｔ＝４πＭ
ｓｔと時間零のときの飽和磁束密度Ｂｓｏ＝４π・Ｍｓ
ｏとの比を表している。この図でグラフＡは本発明に係
る磁性体膜、グラフＢはＦｅＳ　ｉ単層の磁性体膜、グ
ラフＣは純鉄Ｆｅの夫々の特性を表している。この比較
例より明らかにように、本発明に係る磁性体膜は、高温
・高湿下で５００時間以上の長時間放置しても初期の値
１．０に対して略一定を保っているのに対し、ＦｅＳｉ
単層膜は、放置初期より急速に低下し、１００時間を越
えると飽和磁束密度の残存率は０．３以下に低減し劣化
してしまい、遂にはＦｅ２Ｏ３と略同様の値になる傾向
にある。したがって、ＦｅＳｉ単層では、使用不可であ
る。また、純鉄Ｆｅの場合は、放置初期より除々に残存
率が低下し、５００時間を越えると０．２以下の値まで
低減してしまい、酸化鉄となってしまうので耐蝕性の点
で実用に全く耐え得ないことがよく判る。これにより、
純鉄Ｆｅは勿論、ＦｅＳｉ単層膜の場合は、本発明の磁
性体膜に比べて耐蝕性の点では全く比較にならず、極め
て悪いことが良く判る。したがって、Ｆ　ｅ　Ｓ　ｉ　
’ｌ’２層膜では、実用化レベルの磁性体膜は実現不可
能である。同様のことは、他のＦｅＧｅ１ＦｅＹ、Ｆｅ
Ｃ単層膜についてもいえる。

以上のように、本発明に係る磁性体膜は耐蝕性の点で極
めて優れている。

次に、第５図は上述のように設定して得た本発明に係る
磁性体膜の磁気的なヒステリシスを測定した結果を表す
もので、横軸は保磁力（磁化力）Ｈｅ（Ｏｅ）、縦軸は
磁束密度Ｂｓ（ＫＧ：キロガウス）を示している。この
図より明らかなように、保磁力Ｈｃは、Ｈｃ：２　（ｄ
ｅ）であり、高密度磁気記録に必要な十分に低い値が得
られていることが良く理解できる。これは、ＦｅＳｉと
ＮｉＦｅ膜との積層による。

以上の実験例では、主磁性体膜１０として、Ｆｅ５ｉａ
を用いであるが、その他のＦ　ｅ　Ｇ　ｅｓ　ＦｅＹ膜
、あるいはＦｅＣ膜を用いても、それら膜とＮ　ｉ　Ｆ
　ｅｌｌＸとの積層により、上述したのと同様の良好な
結果が得られることが本発明者により、実験により確認
されている。その場合の膜厚は、いずれの膜もＦｅ５１
Ｍと同様に、０．０１〜０゜５μｍ１中でも０．１μｍ
近傍が最も良くまた、夫々の含有元素の成分量は、Ｆｅ
Ｇｅは５〜１０ａｔ％の範囲で、ＦｅＹは２〜４ａｔ％
の範囲で、さらに、ＦｅＣは１０ａｔ％以下が良く、そ
れ未満でも、それを越えても良好な結果が得られない事
が判明している。

発明の詳細 な説明したとおり、本発明によれば、Ｆｅを主成分とし
、この母材ＦｅにＳ　Ｌ　％　Ｇ　ｅｌＹｌＣの中から
１つの元素を選択して微少量含有させた主磁性体膜とＮ
ｉＦｅ　（パーマロイ）膜とを積層させたので、保磁力
はＨｃ＋２［：Ｏｅ］と十分に低く、また、飽和磁束密
度ＢｓがＢｓ≧２０［ＫＣｌと十分に高く、従来の磁性
材より成る磁性膜に比べて高密度磁気記録に必要な軟磁
気特性を大幅に改牌することができる。また、優れた耐
蝕性を持つ磁性体膜を実現できる。

さらに、６００°Ｃ以上の加熱にも十分に耐えることが
できる。よって、本発明の磁性体膜によって磁気ヘッド
を作製しようとする時における従来生じていた５００℃
以上の高温加熱による特性劣化はなくなり、軟磁気特性
の熱的安定性に富む磁性体膜を作製することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る磁性体膜の膜構造の一例を示す断
面図、第２図、第３図は本発明で得られた磁性体膜のＮ
ｉＦｅ膜およびＦｅＳｉ膜の膜厚に対する保磁力Ｈｃの
膜厚依存性を表す特注図、第４図は同じく磁性体膜の耐
蝕性を飽和磁束密度の面から見た特性図、第５図は同じ
く得られた磁性体膜の磁気的なヒステリシスを示すもの
で、特に十分に低い保磁力Ｈｃが得られていることを表
す。 １０・・・主磁性体膜、 １１拳・・ＮｉＦｅ　（）ぐ−マロイ）膜、Ｈｓ−・・
保磁力、 Ｂｓ・・φ飽和磁束密度、 ０．０１〜０．５μｍ・・主磁性体膜の膜ｊヴ、１〜１
０ｎｍ＊　＠　＊ＮｉＦｅの膜厚。 特　許　出　願　人　　日本電気ホームエレクトロ第１
　閃

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｆｅを主成分とし、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｃの中から
   １つの元素を選択して微少量含有させた主磁性体膜と、
   ＮｉＦｅ合金（パーマロイ）膜とを積層させたことを特
   徴とする磁性体膜。
2. （２）前記主磁性体膜の膜厚を０．０１〜０．５μｍ（
   ミクロン）、ＮｉＦｅ膜の膜厚さを１〜１０ｎｍ（ナノ
   ・メータ）の範囲に選択して積層させたことを特徴とす
   る特許請求の範囲第（１）項に記載の磁性体膜。
3. （３）主磁性体膜中の含有成分としてＳｉ（シリコン）
   を選択し、その含有量を１．５〜３．５ａｔ％（アトミ
   ックパーセント）の範囲で選択して成膜させたことを特
   徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載の磁性体膜。
4. （４）主磁性体膜中の含有成分としてＧｅを選択し、そ
   の含有量を５〜１０ａｔ％の範囲に選んで成膜したこと
   を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の磁性体膜
   。
5. （５）主磁性体膜中の含有成分としてＹ（イットリウム
   ）を選択し、その含有量を２〜４ａｔ％の範囲に選んで
   成膜したことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
   載の磁性体膜。
6. （６）主磁性体膜中の含有成分としてＣ（カーボン）を
   選択し、その含有量を１０ａｔ％以下の値に選んで成膜
   したことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載
   の磁性体膜。
7. （７）Ｆｅを主成分とし、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｃの中のい
   ずれか１つの元素を微少量含有する主磁性体膜とＮｉＦ
   ｅ膜とを、ガラスまたはセラミック等の非磁性基板上に
   夫々の膜厚が０．０１μｍ、１〜１０ｎｍの層厚となる
   様に積層し、次に真空中で、熱処理することを特徴とす
   る磁性体膜の製造方法。
8. （８）５００℃〜８００℃の範囲で温度条件を設定し、
   １時間程度真空中で熱処理することを特徴とする特許請
   求の範囲第（７）項記載の磁性体膜の製造法。