JPH01119559A - ムライト−アルミナ複合焼結体及びその製造方法 - Google Patents
ムライト−アルミナ複合焼結体及びその製造方法Info
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- JPH01119559A JPH01119559A JP62277800A JP27780087A JPH01119559A JP H01119559 A JPH01119559 A JP H01119559A JP 62277800 A JP62277800 A JP 62277800A JP 27780087 A JP27780087 A JP 27780087A JP H01119559 A JPH01119559 A JP H01119559A
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 93
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 97
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 96
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 20
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 11
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- KWMLJOLKUYYJFJ-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6,7-Hexahydroxyheptanoic acid Chemical compound OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O KWMLJOLKUYYJFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 4
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 4
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100255937 Arabidopsis thaliana RVE3 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150067746 LCL3 gene Proteins 0.000 description 1
- MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N O.O.O.[Al] Chemical compound O.O.O.[Al] MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical group I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical class O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 210000004291 uterus Anatomy 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
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- C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、高強度で耐熱性のムライト−アルミナ複合焼
結体とその製造方法に関するもので、高温および室温で
の強度を必要される各種の炉材や耐熱vI構造材に利用
できる材料を提供するものである。
結体とその製造方法に関するもので、高温および室温で
の強度を必要される各種の炉材や耐熱vI構造材に利用
できる材料を提供するものである。
[従来の技術1
ムライトは、アルミナ(A1203)とシリカ(Si0
2)のモル比が3=2の化合物であり、高温での強度が
高い酸化物セラミックスとして知られ、耐熱耐酸化性の
構造材料として注目されている。
2)のモル比が3=2の化合物であり、高温での強度が
高い酸化物セラミックスとして知られ、耐熱耐酸化性の
構造材料として注目されている。
高強度のムライトを得るためには、化学的に調整された
高純度の粉体から出発する必要があるが、これらの高強
度ムライト用の原料粉体は大別して次の2種類に分類さ
れる。
高純度の粉体から出発する必要があるが、これらの高強
度ムライト用の原料粉体は大別して次の2種類に分類さ
れる。
第1のムライト用原料粉体は、高純度のアルミナ、アル
ミニウム塩あるいはベーマイト(水酸化アルミニウム)
とシリコンの化合物あるいはコロイダルシリカから、ア
ルミニウムとシリコンの水酸化物あるいは酸化物が均一
に混合したl、ライトの前駆体を調整し、これらを仮焼
などの方法によってムライト化させたのち粉砕して得ら
れる高純度で微細な結晶質のものである。
ミニウム塩あるいはベーマイト(水酸化アルミニウム)
とシリコンの化合物あるいはコロイダルシリカから、ア
ルミニウムとシリコンの水酸化物あるいは酸化物が均一
に混合したl、ライトの前駆体を調整し、これらを仮焼
などの方法によってムライト化させたのち粉砕して得ら
れる高純度で微細な結晶質のものである。
fjS2の種類のムライト用原料粉体は、アルミナ(Δ
120i)あるいはその前駆体とシリカ(Si卜)ある
いはその前駆体が複合あるいは均一に混合した粒子であ
って、非晶質相あるいはアルミナの結晶相と非晶質相か
らなり、ムライト結晶相を殆ど含まないものであり、第
1の種類のムライトの1iij駆体としても用いること
のできるものである。
120i)あるいはその前駆体とシリカ(Si卜)ある
いはその前駆体が複合あるいは均一に混合した粒子であ
って、非晶質相あるいはアルミナの結晶相と非晶質相か
らなり、ムライト結晶相を殆ど含まないものであり、第
1の種類のムライトの1iij駆体としても用いること
のできるものである。
第1の種類の粉体な用いる場合には、焼結中に結晶変化
を生じないのに対し、第2の種類の粉体を用いる場合に
は、焼結中に結晶変化を生じるので、この21IMの粉
体のどちらを用いるかによって焼結挙動あるいは得られ
る微構造は入きく相異する可能性がある。
を生じないのに対し、第2の種類の粉体を用いる場合に
は、焼結中に結晶変化を生じるので、この21IMの粉
体のどちらを用いるかによって焼結挙動あるいは得られ
る微構造は入きく相異する可能性がある。
第1のムライト化した粉体を用いた方法については、ま
ずA1(NOz)iと5i(OC2Hs)4の溶液を噴
霧熱分解処理したのち、さらに仮焼してムライト化し、
粉砕して用いる押輪らの報告(窯業協会誌u[7140
7−408(1985)、子宮srムライトJpp51
−61、内111 ′J6鶴圃、1935)がある。こ
のノj法による常圧焼結のムライト系焼結体の室温曲げ
強度は、組成によってあまり変化せず、1650℃、4
時間焼結の場合で320〜3808Paである。焼結密
度は理論密度の95%程度であり、強度を上げるために
は密度の向上が必要と考えられる。実際ホットプレス法
により焼結した場合には、量論組成(71,8重置%A
l2O3とSiO.0.)で5008Paという高い強
度を達成している。ただし、比較的焼結しにくいへN’
20.過剰の範囲でのホットプレスの報告は行なわれて
いない。
ずA1(NOz)iと5i(OC2Hs)4の溶液を噴
霧熱分解処理したのち、さらに仮焼してムライト化し、
粉砕して用いる押輪らの報告(窯業協会誌u[7140
7−408(1985)、子宮srムライトJpp51
−61、内111 ′J6鶴圃、1935)がある。こ
のノj法による常圧焼結のムライト系焼結体の室温曲げ
強度は、組成によってあまり変化せず、1650℃、4
時間焼結の場合で320〜3808Paである。焼結密
度は理論密度の95%程度であり、強度を上げるために
は密度の向上が必要と考えられる。実際ホットプレス法
により焼結した場合には、量論組成(71,8重置%A
l2O3とSiO.0.)で5008Paという高い強
度を達成している。ただし、比較的焼結しにくいへN’
20.過剰の範囲でのホットプレスの報告は行なわれて
いない。
Ismailらは、(J、^m、Ceram、Soc、
70− (11C−7〜C−8(1987)および特
開昭61−281013号)はベーマイトゾルとコロイ
ダルシリカの混合物を1400℃で仮焼して粉砕してJ
il論組成のムライト質の粉体を得て、これを成形し、
1650℃で焼成して98.9〜99.5%の相対密度
にR密化し、常温での曲げ強度405MPaを達成した
。平台ら(特開昭62−17005号)は、アルミニウ
ム塩とコロイダルシリカから沈澱物を生成させて、これ
を加熱処理してムライト化し、この粉本を1550℃で
焼結することに上り理論密度の99%に緻密化させてい
る。平野ら(特開昭62−56356号)は、けい酸ナ
トリウムとアルミニウム塩から出発して加熱、粉砕によ
って^f20:+/SiO2の重量比65/35〜80
/20の組成のムライト質の粉体を作製し、これを16
00℃、2時間の条件で焼結することにより高強度のム
ライトあるいはムライト−アルミナ複合焼結体を得てい
る。A120./5i02の重量比7272Bのムライ
ト量論組成では、室温曲げ強度43kg/IIz2(4
21Ml’a)、焼結密度99.7%(理論密度:1.
17g7cm2)を達成し、AlzO,/5iOzの重
量比78/22のムライト−アルミナの複合した組成で
は、室温曲げ強度45ky/my2(4418r’a)
であるが、焼結密度トシテは96%(理論密度3,27
y/cz2)にしか達しなかった。
70− (11C−7〜C−8(1987)および特
開昭61−281013号)はベーマイトゾルとコロイ
ダルシリカの混合物を1400℃で仮焼して粉砕してJ
il論組成のムライト質の粉体を得て、これを成形し、
1650℃で焼成して98.9〜99.5%の相対密度
にR密化し、常温での曲げ強度405MPaを達成した
。平台ら(特開昭62−17005号)は、アルミニウ
ム塩とコロイダルシリカから沈澱物を生成させて、これ
を加熱処理してムライト化し、この粉本を1550℃で
焼結することに上り理論密度の99%に緻密化させてい
る。平野ら(特開昭62−56356号)は、けい酸ナ
トリウムとアルミニウム塩から出発して加熱、粉砕によ
って^f20:+/SiO2の重量比65/35〜80
/20の組成のムライト質の粉体を作製し、これを16
00℃、2時間の条件で焼結することにより高強度のム
ライトあるいはムライト−アルミナ複合焼結体を得てい
る。A120./5i02の重量比7272Bのムライ
ト量論組成では、室温曲げ強度43kg/IIz2(4
21Ml’a)、焼結密度99.7%(理論密度:1.
17g7cm2)を達成し、AlzO,/5iOzの重
量比78/22のムライト−アルミナの複合した組成で
は、室温曲げ強度45ky/my2(4418r’a)
であるが、焼結密度トシテは96%(理論密度3,27
y/cz2)にしか達しなかった。
もしムライ)l論組成よりもAl2O3とSiO20.
が多い範囲で高密度が達成されれば、さらに高い強度が
期待されるが、このようにムライト化した粉体を用いた
場合には、高密度化の達成が困難であった。
が多い範囲で高密度が達成されれば、さらに高い強度が
期待されるが、このようにムライト化した粉体を用いた
場合には、高密度化の達成が困難であった。
第2のムライト結晶相を殆ど含まない粉体を用いた方法
については、まずGardnerら(アメリカ特許f5
3857923号、特開昭49−52200号)が、6
^1cl。
については、まずGardnerら(アメリカ特許f5
3857923号、特開昭49−52200号)が、6
^1cl。
+2SiCLの溶液をフレーム熱分解して得た3^12
0゜+2Si02のフンパウンド混合物を成形し、15
00〜1600℃で焼結することにより、理論密度の9
9%以上を達成したとしている。しかし、機械的性質に
ついては報告しておらず、また組成による変化にっても
召人していない。Gan iら(J、MaLer、Sc
i、 +12(1977) 999−1009)は、A
1t8rbとSiCl,の混合蒸気をプラズマ中で酸化
して各種組成の^120−5iO□複合粉体を作製し、
これらの複合粉体の性状、特、に結晶相にって検討して
いるが、これらの粉体の焼結性や焼結して得られるムラ
イトの性質についてはd及していない。Prochaz
ka(アメリカ特許第4418024号及び第4418
025号)は、^120374〜76.5重量%、残り
SiO□の組成で、100〜400z2/yの表面積を
持つ非晶質の混合酸化物を490〜1100℃、好まし
くは500〜700℃で仮焼したのち、1500〜16
75℃の酸素中あるいは減圧下で1次焼結し、さらに1
700〜1850℃で焼結することにより透光性のムラ
イトを作製できることを示している。1次焼結によって
得られる焼結体についてはガスを透過しないとだけで、
密度、微構造、強度に関する記述はなイ、 Debel
yら(J、^w、Ceram、Soc、+68 [3]
C−76−C−78(1985))は、粒度分布を狭
く調節した平均0.29μ璽の市販アルミナと平均0.
02μ肩のフロイグルシリカのスラリーを別々にイ乍製
しておき、シリカのスラリー中にアルミナのスラリーを
徐々に加えて、アルミナ粒子をシリカで被覆し、遠心分
離によりシリカを被覆したアルミナ粒子を取り出し、成
形、焼結すると従来にない低温でm密化が生じ、140
0℃、1時間で理論密度の98%に緻密化することを示
している。80重量%八へ201.20重猜%SiO,
Iの組成では、1550℃、1時間で100%に緻密化
し、焼結粒径が0.5μR程度のムライトとアルミナか
らなる焼結体ができた。Debe l yらは焼結体の
81械的性質について報告していないが、ムライトの生
成が1490℃から始まるとされており、シリカのガラ
ス相が存在するために焼結は低温で進行するが、粒界に
沿って未反応のシリカのガラス相が残留するために強度
が上がらないと推定される。用戸(特開昭62−469
55号、特開昭62−46956号λは、気相法アルミ
ナとシリカのフルコキシドから出発してゲル化したのち
成形、焼結することにより、理論密度の99%に緻密化
させた焼結体を得ているが、常温強度は280MPaに
すぎながった。
0゜+2Si02のフンパウンド混合物を成形し、15
00〜1600℃で焼結することにより、理論密度の9
9%以上を達成したとしている。しかし、機械的性質に
ついては報告しておらず、また組成による変化にっても
召人していない。Gan iら(J、MaLer、Sc
i、 +12(1977) 999−1009)は、A
1t8rbとSiCl,の混合蒸気をプラズマ中で酸化
して各種組成の^120−5iO□複合粉体を作製し、
これらの複合粉体の性状、特、に結晶相にって検討して
いるが、これらの粉体の焼結性や焼結して得られるムラ
イトの性質についてはd及していない。Prochaz
ka(アメリカ特許第4418024号及び第4418
025号)は、^120374〜76.5重量%、残り
SiO□の組成で、100〜400z2/yの表面積を
持つ非晶質の混合酸化物を490〜1100℃、好まし
くは500〜700℃で仮焼したのち、1500〜16
75℃の酸素中あるいは減圧下で1次焼結し、さらに1
700〜1850℃で焼結することにより透光性のムラ
イトを作製できることを示している。1次焼結によって
得られる焼結体についてはガスを透過しないとだけで、
密度、微構造、強度に関する記述はなイ、 Debel
yら(J、^w、Ceram、Soc、+68 [3]
C−76−C−78(1985))は、粒度分布を狭
く調節した平均0.29μ璽の市販アルミナと平均0.
02μ肩のフロイグルシリカのスラリーを別々にイ乍製
しておき、シリカのスラリー中にアルミナのスラリーを
徐々に加えて、アルミナ粒子をシリカで被覆し、遠心分
離によりシリカを被覆したアルミナ粒子を取り出し、成
形、焼結すると従来にない低温でm密化が生じ、140
0℃、1時間で理論密度の98%に緻密化することを示
している。80重量%八へ201.20重猜%SiO,
Iの組成では、1550℃、1時間で100%に緻密化
し、焼結粒径が0.5μR程度のムライトとアルミナか
らなる焼結体ができた。Debe l yらは焼結体の
81械的性質について報告していないが、ムライトの生
成が1490℃から始まるとされており、シリカのガラ
ス相が存在するために焼結は低温で進行するが、粒界に
沿って未反応のシリカのガラス相が残留するために強度
が上がらないと推定される。用戸(特開昭62−469
55号、特開昭62−46956号λは、気相法アルミ
ナとシリカのフルコキシドから出発してゲル化したのち
成形、焼結することにより、理論密度の99%に緻密化
させた焼結体を得ているが、常温強度は280MPaに
すぎながった。
以トの従来技術を総括すると次のようにまとめることが
できる。
できる。
ムライト化した粉体から焼結体を作製した場合、ムライ
トの焼結性が低いため、緻密化させることは難しい。特
にl、ライト−ち′1.論組成よりもへ〇20.過剰の
範囲では残留するシリカのガラス相を含まないため緻密
化が難しい。平野ら(vf開昭62−56356号)か
らみて、^120,78重量%、5iOz22重量%程
度の組成のムライト−アルミナの腹合焼結体で粒成長を
あまり生じさせずに緻密化でされば高強度が期待できる
が実現されていなかった。−カムライトを殆ど含まない
粉体がら焼結体を作製した場合、主としてシリカのガラ
ス相の存在のために低温焼結が可能となる。しかしこの
シリカのガラス相とA120iからムライトを生成する
反応は起こI)にくく、特に大きなAl2O,粒子を使
用した場合にはいつまでも反応が完結せず、ガラス相が
多く残存して強度は上がらない。
トの焼結性が低いため、緻密化させることは難しい。特
にl、ライト−ち′1.論組成よりもへ〇20.過剰の
範囲では残留するシリカのガラス相を含まないため緻密
化が難しい。平野ら(vf開昭62−56356号)か
らみて、^120,78重量%、5iOz22重量%程
度の組成のムライト−アルミナの腹合焼結体で粒成長を
あまり生じさせずに緻密化でされば高強度が期待できる
が実現されていなかった。−カムライトを殆ど含まない
粉体がら焼結体を作製した場合、主としてシリカのガラ
ス相の存在のために低温焼結が可能となる。しかしこの
シリカのガラス相とA120iからムライトを生成する
反応は起こI)にくく、特に大きなAl2O,粒子を使
用した場合にはいつまでも反応が完結せず、ガラス相が
多く残存して強度は上がらない。
[発明が解決しようとする問題点1
ムライト系セラミツクスの室温曲げ強度は従来報告され
ている最高の値でも常圧焼結品で45kg/zz’(4
41MPa)程度、加圧焼結品で51ky#z2(50
0MPa)程度である。耐熱構造材料として要求される
のは、単に高温強度だけでなく、加熱、冷却に伴う熱応
力をシ゛えると室温強度ら極めてIR要であり、この室
温強度を上昇させることが重要である。
ている最高の値でも常圧焼結品で45kg/zz’(4
41MPa)程度、加圧焼結品で51ky#z2(50
0MPa)程度である。耐熱構造材料として要求される
のは、単に高温強度だけでなく、加熱、冷却に伴う熱応
力をシ゛えると室温強度ら極めてIR要であり、この室
温強度を上昇させることが重要である。
本発明は、上記の状況に鑑みて、室温強度の高いムライ
ト系セラミックスを提供すべくなされたものである。
ト系セラミックスを提供すべくなされたものである。
1問題点を解決するための手段1
ムライト系セラミックスの室温強度を」−昇させるには
、次のような3つの点を同時に満たせばよいことが判っ
た。
、次のような3つの点を同時に満たせばよいことが判っ
た。
(1)密度゛を極力高く、すなわち気孔率を極力小さく
すること、(2)がラス相をなくすこと、(3)焼結粒
径を小さく均一にすることの3点である。
すること、(2)がラス相をなくすこと、(3)焼結粒
径を小さく均一にすることの3点である。
本発明に係るムライト−アルミナ複合焼結体は、これら
3点を満足するものである。
3点を満足するものである。
本願第1の発明は、Al2O,が75〜85重屯%、桿
部がSiO□の組成であり、ムライトとα晶アルミナの
2つの結晶相からなり、ガラス相を含まず、焼結体中の
ムライト粒子の平均粒径とα晶アルミナ粒子の平均粒径
がともに1.0μs以下であり、焼結体断面の観察にお
いて、長軸の艮さが2.5μm以上の粒子が1%以上は
含まれず、気孔率が1%以下であることを特徴とするム
ライト−アルミナ複合焼結体に関するものである。
部がSiO□の組成であり、ムライトとα晶アルミナの
2つの結晶相からなり、ガラス相を含まず、焼結体中の
ムライト粒子の平均粒径とα晶アルミナ粒子の平均粒径
がともに1.0μs以下であり、焼結体断面の観察にお
いて、長軸の艮さが2.5μm以上の粒子が1%以上は
含まれず、気孔率が1%以下であることを特徴とするム
ライト−アルミナ複合焼結体に関するものである。
このような焼結体は、下記のような方法によって製造す
ることができる。
ることができる。
すなわち、本願第2の発明は、Al2O3とSiO20
.が75〜85重景%、製部が5in2の組成で、非晶
質相が65重量%以上90重量%以下であり、1つ1つ
の粒子中にAl2O3と5in2が含まれる粒子からな
る原料粉体を調製し、これを1500℃以上1600℃
以下の温度で焼結することを特徴とするムライト−アル
ミナ複合焼結体の製造方法に関する。
.が75〜85重景%、製部が5in2の組成で、非晶
質相が65重量%以上90重量%以下であり、1つ1つ
の粒子中にAl2O3と5in2が含まれる粒子からな
る原料粉体を調製し、これを1500℃以上1600℃
以下の温度で焼結することを特徴とするムライト−アル
ミナ複合焼結体の製造方法に関する。
本発明のムライト−アルミナ複合焼結体において、組成
範囲をへ120.75〜85重量%で残部5iOzとす
るのは、Al2O3とSiO20.が75重量%よりも
少ないと未反応のシリカによるガラス相か−・部残存し
、強度低下あるいは不均一な粒成長の原因となり、85
重量%よりら多いと高温強度が者しく低下するからであ
る。常温強度と高温強度の2点からみてAl2O。
範囲をへ120.75〜85重量%で残部5iOzとす
るのは、Al2O3とSiO20.が75重量%よりも
少ないと未反応のシリカによるガラス相か−・部残存し
、強度低下あるいは不均一な粒成長の原因となり、85
重量%よりら多いと高温強度が者しく低下するからであ
る。常温強度と高温強度の2点からみてAl2O。
の望ましい組成範囲は77〜83曵量%である。
安定状態のムライトはAl2O3とSiO20,7Si
O2のモル比3/′2から若モへ120.が多い範囲ま
でのAl2O3とSiO203が71.8重量%〜74
重量%の組成であるが、僧安定的に74重量%(62,
6モル%)よりも多くAl2O3とSiO20.を含む
ムライトが非晶質から直接結晶化させた場合にみられる
ことが報告されている(たとえば、K、0kada c
t、 al、+J。
O2のモル比3/′2から若モへ120.が多い範囲ま
でのAl2O3とSiO203が71.8重量%〜74
重量%の組成であるが、僧安定的に74重量%(62,
6モル%)よりも多くAl2O3とSiO20.を含む
ムライトが非晶質から直接結晶化させた場合にみられる
ことが報告されている(たとえば、K、0kada c
t、 al、+J。
MaLer、Sci、LeLLers 5 (1986
) 1315)。本発明においては、焼結体の作製にこ
の現象を初めて積極的に利用したものであり、原料粉体
において非晶質のものが、焼結途中において、^12o
、/SiO□のモル比が安定状態の比率より大きいムラ
イトが生成し、さらに焼結が進むとアルミナを分離しな
がら安定状態のムライトに変化してムライト−アルミナ
複合焼結体が形成される。この焼結途中で生成する安定
状態よりAl2O3とSiO20.の多いムライトにお
ける八N207SiOzのモル比は本発明の実施例では
、2/1〜37′1程度であった。
) 1315)。本発明においては、焼結体の作製にこ
の現象を初めて積極的に利用したものであり、原料粉体
において非晶質のものが、焼結途中において、^12o
、/SiO□のモル比が安定状態の比率より大きいムラ
イトが生成し、さらに焼結が進むとアルミナを分離しな
がら安定状態のムライトに変化してムライト−アルミナ
複合焼結体が形成される。この焼結途中で生成する安定
状態よりAl2O3とSiO20.の多いムライトにお
ける八N207SiOzのモル比は本発明の実施例では
、2/1〜37′1程度であった。
また、本発明の焼結体は、ムライトとα晶アルミナの2
つの結晶相からなり、ガラス相を含まず、焼結体中のム
ライト粒子の平均粒径、アルミナ粒子の平均粒径のいず
れも1,0μm以下であり、焼結体断面の観察において
、長軸の艮さが2.5μm以上の粒子力’1%以上は含
まれないもので、従来のムライト系焼結体では得られな
かった微細な焼結粒径を有し、且つ気孔率が1%以下で
ある。
つの結晶相からなり、ガラス相を含まず、焼結体中のム
ライト粒子の平均粒径、アルミナ粒子の平均粒径のいず
れも1,0μm以下であり、焼結体断面の観察において
、長軸の艮さが2.5μm以上の粒子力’1%以上は含
まれないもので、従来のムライト系焼結体では得られな
かった微細な焼結粒径を有し、且つ気孔率が1%以下で
ある。
このような特性を兼ね備えたムライト−アルミナ複合焼
結体は従来存在しなかったものであり、従来のムライト
系焼結体では達成不可能であった500MPaを越える
室温曲げ強度を有することが判った。
結体は従来存在しなかったものであり、従来のムライト
系焼結体では達成不可能であった500MPaを越える
室温曲げ強度を有することが判った。
上記ムライト−アルミナ複合焼結体の製造方法において
は、まずX線回折データから求められる非晶質相が65
重量%以上9Q 、Tj 、:+i:%以ドであり、1
つ1つの粒子中にAl2O,と5in2が含まれる粒子
からなる粉体を調製する。
は、まずX線回折データから求められる非晶質相が65
重量%以上9Q 、Tj 、:+i:%以ドであり、1
つ1つの粒子中にAl2O,と5in2が含まれる粒子
からなる粉体を調製する。
安定状態のムライトよりもAl2O3/S;0□のモル
比が大きいムライト(へf20.75重量%以上)は、
900〜1000℃で生成し、1.000℃位からアル
ミナを分離し始め、1400℃位ではこのアルミナの分
離を完了して安定状態(Al2O3とSiO20.が7
1.8〜74重V%)のノーライトとなり、ムライトと
アルミナから成る焼結体ができる。この分離される際の
アルミナは活性の高い1品、5品、あるいはα晶と考え
られる。
比が大きいムライト(へf20.75重量%以上)は、
900〜1000℃で生成し、1.000℃位からアル
ミナを分離し始め、1400℃位ではこのアルミナの分
離を完了して安定状態(Al2O3とSiO20.が7
1.8〜74重V%)のノーライトとなり、ムライトと
アルミナから成る焼結体ができる。この分離される際の
アルミナは活性の高い1品、5品、あるいはα晶と考え
られる。
この1000℃位から1400℃位までの温度で存在す
る準安定的にアルミナを過剰に含有するムライト、およ
びこのムライトから分離されるアルミナの焼結性は、八
N20./5iOzのモル比がおよそ37′2のムライ
トや、ムライトとアルミナの混合物よりも良好であり、
残留するシリカのガラス相は殆どなく、若干存在してい
ても1000℃以上でアルミナ含有ムライトから分離す
る活性の高いアルミナと反応してムライトを生成し、ガ
ラス相は容易に消滅する。
る準安定的にアルミナを過剰に含有するムライト、およ
びこのムライトから分離されるアルミナの焼結性は、八
N20./5iOzのモル比がおよそ37′2のムライ
トや、ムライトとアルミナの混合物よりも良好であり、
残留するシリカのガラス相は殆どなく、若干存在してい
ても1000℃以上でアルミナ含有ムライトから分離す
る活性の高いアルミナと反応してムライトを生成し、ガ
ラス相は容易に消滅する。
このように、ガラス相が存在せず、またアルミナが均一
に細かく分散するために粒成長が抑制され、微細で均一
な分布となる。このため、本発明の焼結体においては、
長軸の艮さが2.5μ肩以上の粒子は1%以上は含まれ
ない。
に細かく分散するために粒成長が抑制され、微細で均一
な分布となる。このため、本発明の焼結体においては、
長軸の艮さが2.5μ肩以上の粒子は1%以上は含まれ
ない。
なお、はじめから存在する1品あるいは5品のアルミナ
やムライトから分離された活性アルミナでシリカとの反
応に消費されないアルミナは、焼結過程でα晶アルミナ
となる。
やムライトから分離された活性アルミナでシリカとの反
応に消費されないアルミナは、焼結過程でα晶アルミナ
となる。
従って、本発明の製造方法においては、焼結体の原料粉
体として、焼結途中において安定状態のムライトよりも
ALO3/SiLのモル比が大きいムライト相を出現さ
せることの′Cさる粉体を使用することが重要であり、
それには^120.が75〜85重量%、残部が5iO
zの組成で非晶質相が65重量%以上であることが必要
であるが、非晶質相が多すぎると焼結性が良好でもガラ
ス相が残留しやすいので、非晶質相は90重址%以下と
する。それ以外の結晶相としてムライトがあまり多く存
在すると結晶性が低下するので、検出しても10重量%
以下が望ましい、また、α晶アルミナは焼結を阻害し、
ムライト生成反応を阻害するので好ましくなく、できる
だけ検出しないものであることが望ましい。1品または
5品と考えられるアルミナの存在は活性の高い微細なア
ルミナの存在を示すので、むしろ好ましく10重量%以
上存在することが望ましい。
体として、焼結途中において安定状態のムライトよりも
ALO3/SiLのモル比が大きいムライト相を出現さ
せることの′Cさる粉体を使用することが重要であり、
それには^120.が75〜85重量%、残部が5iO
zの組成で非晶質相が65重量%以上であることが必要
であるが、非晶質相が多すぎると焼結性が良好でもガラ
ス相が残留しやすいので、非晶質相は90重址%以下と
する。それ以外の結晶相としてムライトがあまり多く存
在すると結晶性が低下するので、検出しても10重量%
以下が望ましい、また、α晶アルミナは焼結を阻害し、
ムライト生成反応を阻害するので好ましくなく、できる
だけ検出しないものであることが望ましい。1品または
5品と考えられるアルミナの存在は活性の高い微細なア
ルミナの存在を示すので、むしろ好ましく10重量%以
上存在することが望ましい。
非晶質相が65重量%で、ムライトやα晶アルミナが検
出されない場合、1品または5品のアルミナは最大35
重量%含まれ、従って1品または5品アルミナの望まし
い範囲゛は10〜35重量%である。
出されない場合、1品または5品のアルミナは最大35
重量%含まれ、従って1品または5品アルミナの望まし
い範囲゛は10〜35重量%である。
また、原料粉体は、1つ1つの粒子中にAl2O3とS
iO20゜とSiO□の2成分が含まれる複合粉体を使
用することによって、^1203とSiO□のそれぞれ
単独成分の混合粉体を使用する場合より焼結性を高めて
いる。
iO20゜とSiO□の2成分が含まれる複合粉体を使
用することによって、^1203とSiO□のそれぞれ
単独成分の混合粉体を使用する場合より焼結性を高めて
いる。
この複合粉体については、平均粒径30−1100n、
比表面積20〜70x2/gであることが望ましい。平
均粒径が30nmより小さいが、比表面積が70x2/
gが大きい粉体は細かすぎて取り扱いが困難であり、不
均一な成形体を生じやすい。また、平均粒径が1.0O
nmより大きいか、比表面積が20肩2/gより小さい
粉体は大きすぎて焼結性に難があり、またムライトの生
成反応が十分進行しない可能性がある。
比表面積20〜70x2/gであることが望ましい。平
均粒径が30nmより小さいが、比表面積が70x2/
gが大きい粉体は細かすぎて取り扱いが困難であり、不
均一な成形体を生じやすい。また、平均粒径が1.0O
nmより大きいか、比表面積が20肩2/gより小さい
粉体は大きすぎて焼結性に難があり、またムライトの生
成反応が十分進行しない可能性がある。
上記のような複合粉体は、たとえば次のような方法によ
って製造することができる。
って製造することができる。
原料としては、^Ic1.と5iCi’、を用い、この
混合蒸気あるいは混合蒸気に窒素を加えた混合ガスを酸
素と水素によって形成される燃焼がス中へ吹き込み、高
温気相中での酸化反応によって^120.と5in2か
らなる複合粉体が形成されるときlこ、この反応が生じ
る部分の最高温度を1800℃以上2100℃以下に調
節し、またこの反応後1500℃から900℃まで冷却
される速度を5×103℃/secより速くすることに
より、望ましい粉体を得る。反応が生じる部分の最高温
度を1800℃以上2100℃以下とするのは、180
0℃より低い温度では粉本中に含まれる水分や塩化物が
多くなりすぎて焼結性が低下するためであり、2100
℃より高い温度では、装置の損傷を生じやすく運転が困
難になるからである。1500℃から900℃までの冷
却速度を5X 10’℃/seeより速くするのは、5
X 10’℃/sec以下の速度ではムライト結晶が析
出し、粉体の焼結性が低下するためである。
混合蒸気あるいは混合蒸気に窒素を加えた混合ガスを酸
素と水素によって形成される燃焼がス中へ吹き込み、高
温気相中での酸化反応によって^120.と5in2か
らなる複合粉体が形成されるときlこ、この反応が生じ
る部分の最高温度を1800℃以上2100℃以下に調
節し、またこの反応後1500℃から900℃まで冷却
される速度を5×103℃/secより速くすることに
より、望ましい粉体を得る。反応が生じる部分の最高温
度を1800℃以上2100℃以下とするのは、180
0℃より低い温度では粉本中に含まれる水分や塩化物が
多くなりすぎて焼結性が低下するためであり、2100
℃より高い温度では、装置の損傷を生じやすく運転が困
難になるからである。1500℃から900℃までの冷
却速度を5X 10’℃/seeより速くするのは、5
X 10’℃/sec以下の速度ではムライト結晶が析
出し、粉体の焼結性が低下するためである。
上記のようにして作製される複合粉体を原料として焼結
体を製造する場合の焼結温度は、1500〜1600℃
とする。1500℃より低い温度では、気化率が1%以
下とならない場合らあり、アルミナのα晶化が完了せず
、また非晶質シリカとアルミナの反応も完結せずガラス
相が残留する。一方1600℃より高い温度では粒成長
が着しくなりすぎるためである。
体を製造する場合の焼結温度は、1500〜1600℃
とする。1500℃より低い温度では、気化率が1%以
下とならない場合らあり、アルミナのα晶化が完了せず
、また非晶質シリカとアルミナの反応も完結せずガラス
相が残留する。一方1600℃より高い温度では粒成長
が着しくなりすぎるためである。
本発明の焼結体あるい原料粉体の特性を示すデータは以
下のように定義される。
下のように定義される。
へ/20.−5i02系粉体中の結晶相の定置について
は、Gan iら(J、Mater、Sci、12−
(1977)999−1009)が示したX線回折によ
る方法とMtfJ、の方法で、たとえば次のようにして
行うことができる。まず、あらかじめ調製した結晶性の
ムライト100%の粉体と^I20./SiO:のモル
比3/2の非晶質の粉体(この非晶質の粉体は例えば金
属アルコキシド混合物の加水分解生成物を900℃に加
熱して得られる)をさまざまな比率に混合し、これらの
混合物100重量部に対して、標準物質としてシリコン
の粉体10重量部を加え、CuKff#iを用いたX線
回折を行い、シリコンの(111)面の回折ピーク、ム
ライトの(121)面の回折ピークの積分強度を用いて
検量線を作成する。同様に結晶性のγ−AN、0.10
0%の粉体とAj’z03/5i02のモル比3/2の
非晶質の粉体をさまざまな比率に混合して、これにシリ
コンを加えてX線回折を行い、シリコンの(111)面
の回折ピーク、γ−八へ20.の(440)而の回折ピ
ークの積分強度を用いて検量線を作成する。
は、Gan iら(J、Mater、Sci、12−
(1977)999−1009)が示したX線回折によ
る方法とMtfJ、の方法で、たとえば次のようにして
行うことができる。まず、あらかじめ調製した結晶性の
ムライト100%の粉体と^I20./SiO:のモル
比3/2の非晶質の粉体(この非晶質の粉体は例えば金
属アルコキシド混合物の加水分解生成物を900℃に加
熱して得られる)をさまざまな比率に混合し、これらの
混合物100重量部に対して、標準物質としてシリコン
の粉体10重量部を加え、CuKff#iを用いたX線
回折を行い、シリコンの(111)面の回折ピーク、ム
ライトの(121)面の回折ピークの積分強度を用いて
検量線を作成する。同様に結晶性のγ−AN、0.10
0%の粉体とAj’z03/5i02のモル比3/2の
非晶質の粉体をさまざまな比率に混合して、これにシリ
コンを加えてX線回折を行い、シリコンの(111)面
の回折ピーク、γ−八へ20.の(440)而の回折ピ
ークの積分強度を用いて検量線を作成する。
非晶質相、ムライト相、γ−^120.からなる^t’
zOz−SiOz系粉体の試料100重量部に対してシ
リコンの粉体10屯敬部を加え、シリコンの(111)
面の回折ピーク、ムライトの(121)面の回折ビーり
、γ−Δ120.の(440)而の回折ピークの強度か
ら、上記検量線に基づきムライト、γ−^1203の定
量を行う。
zOz−SiOz系粉体の試料100重量部に対してシ
リコンの粉体10屯敬部を加え、シリコンの(111)
面の回折ピーク、ムライトの(121)面の回折ビーり
、γ−Δ120.の(440)而の回折ピークの強度か
ら、上記検量線に基づきムライト、γ−^1203の定
量を行う。
ムライトの量があまり多すぎる場合はムライトの回折ピ
ークがγ−^120.の(440)面の回折ピークと重
なってγ−^120コの定量が困難となるが、本発明で
原料として用いる粉体ではムライトの量は10重量%以
下であるので問題ない。また^1203の結晶型がδの
場合、5品は1品の結晶配列がより秩序化した基本的に
は同一の構造とみなすことができ、1品の(440)面
の回折ピークに対応する5品の(440)面と(4,0
,12)而の回折ピークの強度の和を用いて定量するこ
とが可能である。非晶質相の量は、検出された結晶相の
パーセント礒の合計を100から差し引いたものとして
計算できる。なお、八t’20iの1品、5品の区別は
JCP[lSの1’ou+der dil’IracL
ion Fileのデータ、1品はI(1−425,5
品は16−394を用いて打った。
ークがγ−^120.の(440)面の回折ピークと重
なってγ−^120コの定量が困難となるが、本発明で
原料として用いる粉体ではムライトの量は10重量%以
下であるので問題ない。また^1203の結晶型がδの
場合、5品は1品の結晶配列がより秩序化した基本的に
は同一の構造とみなすことができ、1品の(440)面
の回折ピークに対応する5品の(440)面と(4,0
,12)而の回折ピークの強度の和を用いて定量するこ
とが可能である。非晶質相の量は、検出された結晶相の
パーセント礒の合計を100から差し引いたものとして
計算できる。なお、八t’20iの1品、5品の区別は
JCP[lSの1’ou+der dil’IracL
ion Fileのデータ、1品はI(1−425,5
品は16−394を用いて打った。
焼結途中に生成するムライト結晶相の格子定数は通常の
X#!回折法により求めることができる。
X#!回折法により求めることができる。
焼結体を粉砕して粉末状にし、これに標準物質(例えば
シリコン粉末)を加乏てX線回折を行い、8本以上のム
ライトのピークを用い、最小二乗法によるコンピュータ
計算により、格子定数を決定できる。この格子定数から
、Cameron(Ceram、Bull。
シリコン粉末)を加乏てX線回折を行い、8本以上のム
ライトのピークを用い、最小二乗法によるコンピュータ
計算により、格子定数を決定できる。この格子定数から
、Cameron(Ceram、Bull。
陳−(1977)1003)が示したムライト組成と格
子定数の関係を用いて、ムライトの組成を推定でbる。
子定数の関係を用いて、ムライトの組成を推定でbる。
焼結体の理論密度の計算は次の方法によって行った。平
衡状態では、Al2O3とSiO20.が74重量%の
組成までムライト単相であると考えられ、この^120
.が74重風%のムライトの埋j!i密度は前記のCa
meronのデータを用いて3.154g/cm’と計
算できる。これよりも^C2O,が多い組成のものでは
、74重量%のムライトとα−八へ20.の2相からな
ると考えられ、^ToOs2−有量A重量%(A≧74
)の焼結体の理論密度は、α−A120.の理論密度を
3,987g/cJF’として次のように計算できる。
衡状態では、Al2O3とSiO20.が74重量%の
組成までムライト単相であると考えられ、この^120
.が74重風%のムライトの埋j!i密度は前記のCa
meronのデータを用いて3.154g/cm’と計
算できる。これよりも^C2O,が多い組成のものでは
、74重量%のムライトとα−八へ20.の2相からな
ると考えられ、^ToOs2−有量A重量%(A≧74
)の焼結体の理論密度は、α−A120.の理論密度を
3,987g/cJF’として次のように計算できる。
3.1E4 J、987
相対密度は、焼結体の密度を理論密度で劃っjこもので
、パーセントであられされる。−(孔率は、100から
相N密度(%)を差し引いたものである。
、パーセントであられされる。−(孔率は、100から
相N密度(%)を差し引いたものである。
焼結体中の粒子の平均粒径は、焼結体を研摩したのち、
熱エツチングし、これを走査型電子顕微鏡(SEM)で
観察し、例えば切片法(インターセプト法)によって求
めることができる。本発明にかかわる実験では、粒子形
状を球形と近似し、任意の直線が粒子によって切り取ら
れる切片の平均長さの1.5倍を平均粒径とした。
熱エツチングし、これを走査型電子顕微鏡(SEM)で
観察し、例えば切片法(インターセプト法)によって求
めることができる。本発明にかかわる実験では、粒子形
状を球形と近似し、任意の直線が粒子によって切り取ら
れる切片の平均長さの1.5倍を平均粒径とした。
焼結体に残留する非晶質(ガラス)相の有無については
、7ツ酸(HF)に浸漬して調べることができる0本発
明にかかわる実験においては、3xxX3am×l0J
IJ!の試料を2重量%の7ツ酸水溶液中に18時間浸
漬して重量減少を測定し、この減少が0.05%以下で
測定誤差の範囲内であるときにプラス相がないとtIJ
断した。
、7ツ酸(HF)に浸漬して調べることができる0本発
明にかかわる実験においては、3xxX3am×l0J
IJ!の試料を2重量%の7ツ酸水溶液中に18時間浸
漬して重量減少を測定し、この減少が0.05%以下で
測定誤差の範囲内であるときにプラス相がないとtIJ
断した。
1作用]
本発明のムライト−アルミナ複合焼結体は、Δr20.
が75〜85重量%、残部が5in2の組成であり、安
定状態のムライトよりもアルミナが過剰の組成であって
且つ非晶質相が65〜90重量%である粉体原料を15
00℃以上1600℃以下の温度で焼結することにより
得られるものである。非晶質相からムライトへ直接結晶
化させることにより、焼結途中において、安定状態のム
ライトよりも^120.が多いムライトの結晶相が出現
し、さらに焼結が進むに従い、Δ1203が分離され安
定状態のムライトとなる過程を経て製造されるために、
アルミナとムライトが微細な粒子として均一に分散した
構造のムライト−アルミナ複合焼結体が得られる。さら
に原料粉体としては1つ1つの粒子中にAl2O3とS
iO20.と5in2が含まれる粒子からなるものを用
いるので焼結性が優れたものとなる。
が75〜85重量%、残部が5in2の組成であり、安
定状態のムライトよりもアルミナが過剰の組成であって
且つ非晶質相が65〜90重量%である粉体原料を15
00℃以上1600℃以下の温度で焼結することにより
得られるものである。非晶質相からムライトへ直接結晶
化させることにより、焼結途中において、安定状態のム
ライトよりも^120.が多いムライトの結晶相が出現
し、さらに焼結が進むに従い、Δ1203が分離され安
定状態のムライトとなる過程を経て製造されるために、
アルミナとムライトが微細な粒子として均一に分散した
構造のムライト−アルミナ複合焼結体が得られる。さら
に原料粉体としては1つ1つの粒子中にAl2O3とS
iO20.と5in2が含まれる粒子からなるものを用
いるので焼結性が優れたものとなる。
これらの結果、ガラス相を含まず、ムライト粒子の平均
粒径とα品アルミナ粒子の平均粒径がともに1.0μm
以ドであり、焼結体断面の観察において長軸の艮さが2
.5μ肩以上の粒子が1%以上は含まれず、気孔率が1
%以下である焼結体が形成され、室温曲げ強度の大きい
焼結体が得られる。
粒径とα品アルミナ粒子の平均粒径がともに1.0μm
以ドであり、焼結体断面の観察において長軸の艮さが2
.5μ肩以上の粒子が1%以上は含まれず、気孔率が1
%以下である焼結体が形成され、室温曲げ強度の大きい
焼結体が得られる。
1実施例11
本発明の焼結体を製造するための^f20:+−5i0
2系原料粉体を第1図に示すようなプロセスと装置によ
って作製した。
2系原料粉体を第1図に示すようなプロセスと装置によ
って作製した。
原料としては、無水塩化アルミニウム(^ICMと四塩
化けい索(Si(Jn)を用いtこ。八IC1,は常温
で固体であり、約180℃に昇華点をもつ物質であるか
ら、へ1201粒子などを流動媒体とする流動床タイプ
の蒸発器1を用い、その蒸発器−J−、部2よりAl2
O3とSiOC13を連続的あるいは断続的は供給する
。蒸発器温度は電気炉3を用いて一定に保ち、Al2O
3とSiOC&、の蒸気圧と、流動床下部4より吹き込
まれるAl2O3とSiOC1゜用のキャリアーガスで
ある窒素(N、)の流量によって決まる一定量のへ10
13蒸気を反応装置へ供給した。5iCt’−は常温′
C液体であル(7)r、S’+C14¥)′器5より定
量ポンプ6を用いてフィードされ、イ列んばリボンヒー
ターなどで5i(V’+の沸ツユ以上に保たれた蒸発器
7で蒸発させ、がス導入口8より吹き込まれるSiC/
n用ののキャリアーガスであるN2と混合された。
化けい索(Si(Jn)を用いtこ。八IC1,は常温
で固体であり、約180℃に昇華点をもつ物質であるか
ら、へ1201粒子などを流動媒体とする流動床タイプ
の蒸発器1を用い、その蒸発器−J−、部2よりAl2
O3とSiOC13を連続的あるいは断続的は供給する
。蒸発器温度は電気炉3を用いて一定に保ち、Al2O
3とSiOC&、の蒸気圧と、流動床下部4より吹き込
まれるAl2O3とSiOC1゜用のキャリアーガスで
ある窒素(N、)の流量によって決まる一定量のへ10
13蒸気を反応装置へ供給した。5iCt’−は常温′
C液体であル(7)r、S’+C14¥)′器5より定
量ポンプ6を用いてフィードされ、イ列んばリボンヒー
ターなどで5i(V’+の沸ツユ以上に保たれた蒸発器
7で蒸発させ、がス導入口8より吹き込まれるSiC/
n用ののキャリアーガスであるN2と混合された。
八Icl、とキャリアーガスN2との混合ガスと、5i
(t’、とキャリアーガスN2との混合ガスは、リボン
ヒーターなどで八(IcI、や5iC4’、の析出ある
いは凝縮が起こらない十分な高温である360℃の温度
に加熱した導管を通って、混合器9で混合されたのち、
反応装置上部の混合部10へ吹き込まれた。
(t’、とキャリアーガスN2との混合ガスは、リボン
ヒーターなどで八(IcI、や5iC4’、の析出ある
いは凝縮が起こらない十分な高温である360℃の温度
に加熱した導管を通って、混合器9で混合されたのち、
反応装置上部の混合部10へ吹き込まれた。
AlC1,は118g/h、 SiCl4は34り/h
、キャリアーガスN2はへ1C1,側に0.48Nz3
/h、 SiCl4側lこ0.12Hz”/bの流量で
あった。
、キャリアーガスN2はへ1C1,側に0.48Nz3
/h、 SiCl4側lこ0.12Hz”/bの流量で
あった。
混合部10にはガス導入ロ11より水素(112月、O
Ny’/h%ガス導入ロ12ガス酸素(0□)0.9N
j3/hが水平の火炎を生ずるように吹き込まれた。こ
の混合部10へ垂直下向きに吹き込まれる塩化物を含む
蒸気の吹き込みノズルの外側13にノズル保護用の窒素
を0.1Nz’/l+流した。これらのガスが吹き込ま
れる反応装置混合部10の温度は、熱損失を考慮して1
970℃と計算された。
Ny’/h%ガス導入ロ12ガス酸素(0□)0.9N
j3/hが水平の火炎を生ずるように吹き込まれた。こ
の混合部10へ垂直下向きに吹き込まれる塩化物を含む
蒸気の吹き込みノズルの外側13にノズル保護用の窒素
を0.1Nz’/l+流した。これらのガスが吹き込ま
れる反応装置混合部10の温度は、熱損失を考慮して1
970℃と計算された。
反応装置の混合部10の出口には絞り部14があり、そ
の下流部分15を高温冷却部と呼Jζが、この部分で混
合ガスおよび生成物は実測温度で1580℃がら850
℃まで比較的急速に冷却された。この部分でのガス滞留
時間は62m5ec(ミリW)と計f′1.された。
の下流部分15を高温冷却部と呼Jζが、この部分で混
合ガスおよび生成物は実測温度で1580℃がら850
℃まで比較的急速に冷却された。この部分でのガス滞留
時間は62m5ec(ミリW)と計f′1.された。
冷却速度は1,18X 10’℃/+ainと計算され
た。
た。
高温冷却部の下流部分16で冷却用窒素が吹き込まれ、
混合ガスおよび生成物は急冷され、さらに下流の固気分
離ドラム17においてガスと粉体が分離され、ガスはガ
ス出ロ18から系外に排出された。
混合ガスおよび生成物は急冷され、さらに下流の固気分
離ドラム17においてガスと粉体が分離され、ガスはガ
ス出ロ18から系外に排出された。
また、生成粉体は実験後、分離ドラム底部19がら採取
された。
された。
生成した粉体の粒子構造は、第2図の透過型電子顕微鏡
写真(33000倍)に示すように球形の微粉であり、
この粒度分布は、第3図に示すように、対数正規分布確
率紙にプロットするとほぼ直線を示し、メジアン径は6
1nmであった。また、平均(算術S11均)粒径は6
5nmであった。この粉体の比表面積はIIET法によ
って測定したところ39,6z2/yであった。
写真(33000倍)に示すように球形の微粉であり、
この粒度分布は、第3図に示すように、対数正規分布確
率紙にプロットするとほぼ直線を示し、メジアン径は6
1nmであった。また、平均(算術S11均)粒径は6
5nmであった。この粉体の比表面積はIIET法によ
って測定したところ39,6z2/yであった。
この粉体のX線回折図形には、非晶質、ムライト、γ品
Δ120.が検出され、α晶のAl2O3とSiO20
.は検出されなかった。結晶相の定量では、ムライトは
6重量%であり、γ晶へ120.は18重量%であり、
残りの76重量%が非晶質であると計算された。分析結
果では、A1.0,79.5重量%、残りが5in2で
あった。
Δ120.が検出され、α晶のAl2O3とSiO20
.は検出されなかった。結晶相の定量では、ムライトは
6重量%であり、γ晶へ120.は18重量%であり、
残りの76重量%が非晶質であると計算された。分析結
果では、A1.0,79.5重量%、残りが5in2で
あった。
この粉体に有機物を加えて造粒し、3 ton/ cz
コの圧力でアイソタクチックプレx(CIP)法により
成形し、1600℃、2時間の条件で焼結したところ、
焼結密度3,294y/cz3(相対密度99.8%)
を得た。
コの圧力でアイソタクチックプレx(CIP)法により
成形し、1600℃、2時間の条件で焼結したところ、
焼結密度3,294y/cz3(相対密度99.8%)
を得た。
すなわち、焼結体の気孔率は0.2%であった。この焼
結体の室温での曲げ強度は、533±28MPa(54
,5±2.9kg/zx2)であった。
結体の室温での曲げ強度は、533±28MPa(54
,5±2.9kg/zx2)であった。
焼結体研摩面を熱エツチングして走査型電子顕微1 (
sooo倍)で結晶の粒子構造を観察したところ、第4
図に示すような微構造が観察された。白っぽく見える粒
子がアルミナ、黒っぽく見える粒子がムライトである。
sooo倍)で結晶の粒子構造を観察したところ、第4
図に示すような微構造が観察された。白っぽく見える粒
子がアルミナ、黒っぽく見える粒子がムライトである。
アルミナ、ムライト粒子とも小さくほぼ等方的であり、
断面において長軸が2.5μs以上の粒子は殆ど観察さ
れず、1%より少な(1゜ アルミナとムライトの平均粒径を切片法で求めたところ
、アルミナは0.77μ屑、ムライトは0.86μmで
あり、lμIよりら小さかった。また31×3IzX1
0zzの試料を切り出し、7ツ酸水溶液へ18時間へ浸
漬したが、その重量減少は認められなかった。 一方、
成形した試料を1000℃、2時間焼成後粉砕したてx
i回折によって調べたところ、ムライトの格子定数a0
は0.7617±0.0003旧nであった。
断面において長軸が2.5μs以上の粒子は殆ど観察さ
れず、1%より少な(1゜ アルミナとムライトの平均粒径を切片法で求めたところ
、アルミナは0.77μ屑、ムライトは0.86μmで
あり、lμIよりら小さかった。また31×3IzX1
0zzの試料を切り出し、7ツ酸水溶液へ18時間へ浸
漬したが、その重量減少は認められなかった。 一方、
成形した試料を1000℃、2時間焼成後粉砕したてx
i回折によって調べたところ、ムライトの格子定数a0
は0.7617±0.0003旧nであった。
Cameronのデータからみて、このムライト中の^
/20z/SiO2のモル比は約73/27であり、平
衡状態のムライトよりもA1.0.が過剰となっていた
。この格子定数のずれは、1400℃、2時間の焼成品
ではみられなかった。
/20z/SiO2のモル比は約73/27であり、平
衡状態のムライトよりもA1.0.が過剰となっていた
。この格子定数のずれは、1400℃、2時間の焼成品
ではみられなかった。
本実施例の焼結体の強度は、従来ムライトあるいはムラ
イト−アルミナ系の焼結体ではみられない高いものであ
り、常圧焼結であるにもかかわらず、従来知られている
加圧焼結による最ら高い曲げ強度をも凌ぐものである。
イト−アルミナ系の焼結体ではみられない高いものであ
り、常圧焼結であるにもかかわらず、従来知られている
加圧焼結による最ら高い曲げ強度をも凌ぐものである。
本実施例の粉体原料に用いて加圧焼結を行えば、さらに
高密度化または焼結粒径の微細化が可能であり、強度も
より高くなると推定できる。また焼結温度も50〜10
0℃程度低減が可能である。
高密度化または焼結粒径の微細化が可能であり、強度も
より高くなると推定できる。また焼結温度も50〜10
0℃程度低減が可能である。
[実施例2]
実施例1と同じ粉体製造装置を用い、^IC1,のフィ
ード量を多く L、SiCl,のフィードを少なくして
、へ120,82.8重量%、5i0217.2重量%
の組成の粉体を作製した。その他の製造条件は実施例1
と同一であった。
ード量を多く L、SiCl,のフィードを少なくして
、へ120,82.8重量%、5i0217.2重量%
の組成の粉体を作製した。その他の製造条件は実施例1
と同一であった。
この粉体の結晶相を定量したところ、ムライトは3重量
%以下、7品よりも5品と考えられる^120.が28
重量%それ以外の69〜72重量%が非晶質と考えられ
た。
%以下、7品よりも5品と考えられる^120.が28
重量%それ以外の69〜72重量%が非晶質と考えられ
た。
この粉体を実施例1と同様に成形し、1600℃、4時
間の焼結を行ったところ、99.4%の相対密度(気孔
率0.6%)にIIa密化し、室温曲げ強度は527±
71MPa(53,8±7.2kg/1v2)であった
。
間の焼結を行ったところ、99.4%の相対密度(気孔
率0.6%)にIIa密化し、室温曲げ強度は527±
71MPa(53,8±7.2kg/1v2)であった
。
焼結体中のα晶アルミナの平均粒径は0.92μI、ム
ライトは0.83μsであり、はぼ等方的で微細な粒子
からなっており、断面の長軸が2.5μm以上の粒子は
殆ど観察されず、1%より少ない。また7ツ酸処理によ
る重量減少も認められなかった。1000℃、2時間焼
成した試料中のムライトの格子定数a0は0.7626
±0.0002nmであり、焼結途中でAl2O3とS
iO,0./S+02のモル比が約74:26のムライ
トが出現していると推定できる。
ライトは0.83μsであり、はぼ等方的で微細な粒子
からなっており、断面の長軸が2.5μm以上の粒子は
殆ど観察されず、1%より少ない。また7ツ酸処理によ
る重量減少も認められなかった。1000℃、2時間焼
成した試料中のムライトの格子定数a0は0.7626
±0.0002nmであり、焼結途中でAl2O3とS
iO,0./S+02のモル比が約74:26のムライ
トが出現していると推定できる。
[発明の効!l!:]
本発明のムライト−アルミナ複合焼結体は、従来大きな
問題であったムライトを主成分とする^/i0.−5i
02系の焼結体の室温曲げ強度を大幅に改善したもので
、従来の常圧焼結における最高強度45kg/zz’(
441MI’a)のみならず、従来の加圧焼結における
最高強度51ky#lI2(500MPa)を上まわる
強度を達成した画期的なものである。
問題であったムライトを主成分とする^/i0.−5i
02系の焼結体の室温曲げ強度を大幅に改善したもので
、従来の常圧焼結における最高強度45kg/zz’(
441MI’a)のみならず、従来の加圧焼結における
最高強度51ky#lI2(500MPa)を上まわる
強度を達成した画期的なものである。
また、従来報告されている高強度のムライト系の焼結体
の作製においては、八M’20.と5i02の混合物あ
るいは複合物を高温で仮焼してムライト化し、さらに粉
砕して出発粉体としているが、本発明の製造方法では、
仮焼、粉砕の工程がなく、それだけ簡便で経済的である
。
の作製においては、八M’20.と5i02の混合物あ
るいは複合物を高温で仮焼してムライト化し、さらに粉
砕して出発粉体としているが、本発明の製造方法では、
仮焼、粉砕の工程がなく、それだけ簡便で経済的である
。
第1図は、実施例1で原料粉体を調整するために使用し
たプロセスと装置を示す図である。 第2図は、実施例1における原料粉体の粒子横辺を示す
透過型電子顕微鏡写真(33000倍)である。 第3図は、実施例1における原料粉体の粒度分布を示す
グラフである。 m4図は、実施例1における焼結体断面の結晶の粒子購
造を示す走査型電r・顕微鏡写真(50004さ)であ
る。 第1図 LCL3 ■ Iイ9 第2図 (χ3JOQO,) 第3図 煮径(nml 第4図 (x 5000 ) 手続補正」=(自発) 平成1年1月12日
たプロセスと装置を示す図である。 第2図は、実施例1における原料粉体の粒子横辺を示す
透過型電子顕微鏡写真(33000倍)である。 第3図は、実施例1における原料粉体の粒度分布を示す
グラフである。 m4図は、実施例1における焼結体断面の結晶の粒子購
造を示す走査型電r・顕微鏡写真(50004さ)であ
る。 第1図 LCL3 ■ Iイ9 第2図 (χ3JOQO,) 第3図 煮径(nml 第4図 (x 5000 ) 手続補正」=(自発) 平成1年1月12日
Claims (7)
- (1)Al_2O_3が75〜85重量%、残部がSi
O_2の組成であり、ムライトとα晶アルミナの2つの
結晶相からなり、ガラス相を含まず、焼結体中のムライ
ト粒子の平均粒径とα晶アルミナ粒子の平均粒径がとも
に1.0μm以下であり、焼結体断面の観察において、
長軸の艮さが2.5μm以上の粒子が1%以上は含まれ
ず、気孔率が1%以下であることを特徴とするムライト
−アルミナ複合焼結体。 - (2)Al_2O_3が75〜85重量%、残部がSi
O_2の組成で、非晶質相が65重量%以上90重量%
以下であり、1つ1つの粒子中にAl_2O_3とSi
O_2が含まれる粒子からなる原料粉体を調製し、これ
を1500℃以上1600℃以下の温度で焼結すること
を特徴とするムライト−アルミナ複合焼結体の製造方法
。 - (3)原料粉体が、非晶質相の他にムライトを0〜10
重量%、γ晶またはδ晶アルミナを10〜35重量%含
む粒子からなるものである特許請求の範囲第2項記載の
ムライト−アルミナ複合焼結体の製造方法。 - (4)原料粉体として、粒子の平均粒径が30〜100
nmであり、比表面積が20〜70m^2/gであり、
形状が球形である粉体を使用する特許請求の範囲第2項
または第3項記載のムライト−アルミナ複合焼結体の製
造方法。 - (5)原料粉体として、AlCl_3とSiCl_4の
混合蒸気を燃焼ガス中に吹き込み高温気相中での酸化反
応によって得られるAl_2O_3とSiO_2からな
る複合粉体を用いる特許請求の範囲第2項〜第4項のい
ずれかに記載のムライト−アルミナ複合焼結体の製造方
法。 - (6)高温気相中での酸化反応を最高温度1800℃以
上2100℃以下の温度に調節した燃焼ガス中で行う特
許請求の範囲第5項記載のムライト−アルミナ複合焼結
体の製造方法。 - (7)高温気相中の酸化反応後、1500℃から900
℃までの温度への冷却を5×10^3℃/secよりも
速い速度で行う特許請求の範囲第5項または第6項記載
のムライト−アルミナ複合焼結体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277800A JPH01119559A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | ムライト−アルミナ複合焼結体及びその製造方法 |
| DE3835966A DE3835966A1 (de) | 1987-11-02 | 1988-10-21 | Sinterkoerper aus einer mullit-aluminiumoxid-mischung und verfahren zu seiner herstellung |
| US07/262,305 US4960738A (en) | 1987-11-02 | 1988-10-25 | Mullite-alumina composite sintered body and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277800A JPH01119559A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | ムライト−アルミナ複合焼結体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01119559A true JPH01119559A (ja) | 1989-05-11 |
Family
ID=17588451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62277800A Pending JPH01119559A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | ムライト−アルミナ複合焼結体及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4960738A (ja) |
| JP (1) | JPH01119559A (ja) |
| DE (1) | DE3835966A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5505865A (en) * | 1989-07-11 | 1996-04-09 | Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Synthesis process for advanced ceramics |
| JPH05238726A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-17 | Mitsubishi Materials Corp | 高結晶性微細α−アルミナ粉末の製造方法 |
| DE4228711A1 (de) * | 1992-08-28 | 1994-03-03 | Degussa | Silicium-Aluminium-Mischoxid |
| JP3287149B2 (ja) * | 1994-02-14 | 2002-05-27 | 松下電器産業株式会社 | アルミナ質のセラミックス |
| EP0722919B1 (en) * | 1995-01-19 | 1999-08-11 | Ube Industries, Ltd. | Ceramic composite |
| US6455455B1 (en) | 1999-04-30 | 2002-09-24 | Degussa Ag | Silicon-aluminum mixed oxide |
| DE19919635A1 (de) * | 1999-04-30 | 2000-11-23 | Degussa | Silicium-Aluminium-Mischoxid |
| FR2803437B1 (fr) * | 2000-01-04 | 2002-12-13 | Electricite De France | Procede de fabrication de substrats en matiere ceramique pour cellules photovoltaiques |
| JP5949770B2 (ja) * | 2011-08-09 | 2016-07-13 | 旭硝子株式会社 | ガラスセラミックス体、発光素子搭載用基板、および発光装置 |
| US10472285B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-11-12 | Corning Incorporated | Composite ceramic materials, articles, and method of manufacture |
| PL240100B1 (pl) * | 2018-03-14 | 2022-02-14 | Politechnika Warszawska | Kompozyt na osnowie tlenku glinu oraz sposób wytwarzania kompozytu na osnowie tlenku glinu |
| CN114349485B (zh) * | 2022-01-11 | 2023-01-10 | 无锡特科精细陶瓷有限公司 | 一种高硬度氧化铝陶瓷的制备方法 |
| US11851730B2 (en) * | 2022-04-05 | 2023-12-26 | Doggone Investment Co. LLC | Apparatus and method for production of high purify copper-based alloys |
| CN115108843B (zh) * | 2022-06-27 | 2023-09-26 | 山西禄纬堡太钢耐火材料有限公司 | 一种长寿命耐剥落90t电弧炉炉顶莫来石预制件及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3857923A (en) * | 1972-06-20 | 1974-12-31 | Ibm | Mullite package for integrated circuit devices |
| US4272500A (en) * | 1978-05-08 | 1981-06-09 | International Business Machines Corporation | Process for forming mullite |
| DE2931585A1 (de) * | 1979-08-03 | 1981-02-12 | Degussa | Temperaturstabilisiertes, pyrogen hergestelltes aluminiumoxid-mischoxid, das verfahren zu seiner herstellung und verwendung |
| US4418024A (en) * | 1982-05-25 | 1983-11-29 | General Electric Company | Process for producing optically translucent ceramic |
| US4418025A (en) * | 1982-05-25 | 1983-11-29 | General Electric Company | Process for producing optically translucent mullite ceramic |
| US4640904A (en) * | 1985-06-21 | 1987-02-03 | General Electric Company | Mullite by reactive hot pressing |
| JPS6217005A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-26 | Showa Denko Kk | 高純度ムライト粉末の製造方法 |
| JP2767182B2 (ja) * | 1993-03-05 | 1998-06-18 | 信越化学工業株式会社 | (メタ)アクリル基含有オルガノシロキサンの製造方法 |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP62277800A patent/JPH01119559A/ja active Pending
-
1988
- 1988-10-21 DE DE3835966A patent/DE3835966A1/de active Granted
- 1988-10-25 US US07/262,305 patent/US4960738A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4960738A (en) | 1990-10-02 |
| DE3835966A1 (de) | 1989-05-11 |
| DE3835966C2 (ja) | 1990-02-22 |
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