JPH01120539A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH01120539A JPH01120539A JP62278551A JP27855187A JPH01120539A JP H01120539 A JPH01120539 A JP H01120539A JP 62278551 A JP62278551 A JP 62278551A JP 27855187 A JP27855187 A JP 27855187A JP H01120539 A JPH01120539 A JP H01120539A
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- Japan
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- wiring
- film
- liquid crystal
- mim
- display device
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- Pending
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕□
本発明はＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置のパネル構造
、詳しくはその配線用電極の構造に関する。
、詳しくはその配線用電極の構造に関する。
本発明はＭＩＭ素子を形成する２種の金属を用いて、Ｍ
ＩＭ素子を形成するのと同時に２層の配線電極を形成す
る事で、従来よりコストアップにならずに配線抵抗を下
げようとするものである。
ＩＭ素子を形成するのと同時に２層の配線電極を形成す
る事で、従来よりコストアップにならずに配線抵抗を下
げようとするものである。
ＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の例としては５ＩＤ８
４ＤＩＧＥＳＴ、１９８４．Ｐ３０４〜３０７、に、Ｎ
ｒＷＡ等があるが、配線としてはＭＩＭ素子を形成する
金属の片方を用いるものばかりである。
４ＤＩＧＥＳＴ、１９８４．Ｐ３０４〜３０７、に、Ｎ
ｒＷＡ等があるが、配線としてはＭＩＭ素子を形成する
金属の片方を用いるものばかりである。
従来、液晶パネルの配線抵抗は表示に配線の始点部と終
点部の画素のコントラストが異なるようなムラを出さな
いため一定の値以下に設定する必要がある。ＭＩＭ素子
を用いた液晶パネルの場合、配線に用いる電極の部分は
表示に寄与しないので占める面積は少ない方が好ましい
、しかし配線部の膜厚を厚くすると膜形成に時間がかか
り（コストアップにつながる）、パターン精度が悪くな
り、上層のパターンとのコンタクトの信顛性が低下（段
差が大きくなるため）する、これらの理由により膜厚を
厚くするには限界がある。一方画面サイズを大きくして
も配線部の抵抗を同程度におさえるには配線部の厚みか
巾を増やす必要がある。また画素密度を上げると配線部
の巾は同じでも、画面上で表示に寄与する部分の割合（
以下これを開口率と称す）は小さくなっていく。
点部の画素のコントラストが異なるようなムラを出さな
いため一定の値以下に設定する必要がある。ＭＩＭ素子
を用いた液晶パネルの場合、配線に用いる電極の部分は
表示に寄与しないので占める面積は少ない方が好ましい
、しかし配線部の膜厚を厚くすると膜形成に時間がかか
り（コストアップにつながる）、パターン精度が悪くな
り、上層のパターンとのコンタクトの信顛性が低下（段
差が大きくなるため）する、これらの理由により膜厚を
厚くするには限界がある。一方画面サイズを大きくして
も配線部の抵抗を同程度におさえるには配線部の厚みか
巾を増やす必要がある。また画素密度を上げると配線部
の巾は同じでも、画面上で表示に寄与する部分の割合（
以下これを開口率と称す）は小さくなっていく。
以上のような理由により、従来のＭＩＭ素子を用いた液
晶パネルの配線抵抗は特に大型のパネルや高密度のパネ
ルにとって大きな問題点となっていた。
晶パネルの配線抵抗は特に大型のパネルや高密度のパネ
ルにとって大きな問題点となっていた。
本発明はこのような問題を解決しようとするもので、そ
の目的はコストアップにならないようにＭＩＭ素子を用
いた液晶パネルの開口率を上げる事で明るく、表示品質
の高い液晶表示装置を安価に提供する事にある。
の目的はコストアップにならないようにＭＩＭ素子を用
いた液晶パネルの開口率を上げる事で明るく、表示品質
の高い液晶表示装置を安価に提供する事にある。
ｃ問題点を解決するための手段〕
、 前記問題を解決するため、本発明においてはＭＩＭ
素子を構成する２種の金属をともに配線部に用いている
。
素子を構成する２種の金属をともに配線部に用いている
。
本発明を１実施例を用いて説明する。ここではＭＩＭ素
子としてタンタル−酸化タンタル−クロムを用いたもの
を用いる事とする。
子としてタンタル−酸化タンタル−クロムを用いたもの
を用いる事とする。
第１図は実施例における、ＭＩＭ素子を形成した側の基
板の１画素の模式図で１はタンタル、クロムからなる２
層構造の配線ライン、２は透明なＩＴＯからなる画素電
極、３は酸化タンタル膜でおおわれたタンタル、４はそ
の上に形成されたクロム膜で、交差部５がＭＩＭ素子を
形成している。
板の１画素の模式図で１はタンタル、クロムからなる２
層構造の配線ライン、２は透明なＩＴＯからなる画素電
極、３は酸化タンタル膜でおおわれたタンタル、４はそ
の上に形成されたクロム膜で、交差部５がＭＩＭ素子を
形成している。
第２図は第１図の一点鎖線に沿った断面図（ａ）および
破線に沿った断面図（ロ）で７はタンタル、８は酸化タ
ンタル、９はＭＩＭ素子を形成しているクロム膜、１０
はＩＴＯの透明画素電極、１１は下部のタンタル膜と共
に配線電極部分を形成しているクロム膜である。
破線に沿った断面図（ロ）で７はタンタル、８は酸化タ
ンタル、９はＭＩＭ素子を形成しているクロム膜、１０
はＩＴＯの透明画素電極、１１は下部のタンタル膜と共
に配線電極部分を形成しているクロム膜である。
第３図は実施例に用いたＭＩＭ素子を使用した液晶パネ
ルの模式構成図で１２はＸ側ドライバ回路、１３はＹ側
ドライバ回路、１４はＭＩＭ素子を形成した基板側の配
線電極、１５はＭＩＭ素子を形成した基板に対向する基
板の透明電極で、液晶を介して対向する電極間１６の部
分が画素を形成している。１７はＭＩＭ素子部分を示し
ている。
ルの模式構成図で１２はＸ側ドライバ回路、１３はＹ側
ドライバ回路、１４はＭＩＭ素子を形成した基板側の配
線電極、１５はＭＩＭ素子を形成した基板に対向する基
板の透明電極で、液晶を介して対向する電極間１６の部
分が画素を形成している。１７はＭＩＭ素子部分を示し
ている。
第４図は従来例における１画素の構成図で１７の配線電
極部分は酸化タンタルでおおわれたタンタル膜でできて
いる。他の部分の構成は第１図と同様である。
極部分は酸化タンタルでおおわれたタンタル膜でできて
いる。他の部分の構成は第１図と同様である。
第５図は実施例におけるＭＩＭ素子を形成した基板の製
造工程図で、第２図−（ｂ）に示した部分の形成工程を
示している。初めに透明基板にタンタルをスパッタした
後、フ・オドリソグラフィーを用いてパターンニングし
た状態が（ａ）である。その表面を陽極酸化法を用いて
酸化した状態が（ロ）となる。
造工程図で、第２図−（ｂ）に示した部分の形成工程を
示している。初めに透明基板にタンタルをスパッタした
後、フ・オドリソグラフィーを用いてパターンニングし
た状態が（ａ）である。その表面を陽極酸化法を用いて
酸化した状態が（ロ）となる。
その後、配線部およびドライバとの接続端子部を同時に
エツチングする。（Ｃ）、更にクロム膜をスパッタし、
フォトリソグラフィを用いてパターンニングした状態が
（ｄ）となる、この後ＩＴＯ透明電極を同様にスパッタ
、パターンニングして基板完成となる。
エツチングする。（Ｃ）、更にクロム膜をスパッタし、
フォトリソグラフィを用いてパターンニングした状態が
（ｄ）となる、この後ＩＴＯ透明電極を同様にスパッタ
、パターンニングして基板完成となる。
このような方法で形成すると、端子部分のエツチングと
同様に配線部の酸化膜をとるため工数が同じですみ、コ
ストアップにならない、またこのような用途に用いられ
るタンタル膜はβ−タンタルといわれる構造で、これは
クロムの体積抵抗に比べ、１０倍近く抵抗が高い、従っ
て膜厚による差はあるが、配線部をタンタルのみで形成
するのに比べ実施例のようなタンタル−クロムの二層構
造にすると同じパターンでも配線抵抗を数分の１に減ら
す事が可能となる。
同様に配線部の酸化膜をとるため工数が同じですみ、コ
ストアップにならない、またこのような用途に用いられ
るタンタル膜はβ−タンタルといわれる構造で、これは
クロムの体積抵抗に比べ、１０倍近く抵抗が高い、従っ
て膜厚による差はあるが、配線部をタンタルのみで形成
するのに比べ実施例のようなタンタル−クロムの二層構
造にすると同じパターンでも配線抵抗を数分の１に減ら
す事が可能となる。
以上実施例を用いて述べて来たように本発明ではＭＩＭ
素子を構成する２種の金属を両方とも配線ラインに用い
る事で、コストアップせずに配線抵抗を下げる事ができ
、相対的に細い配線で均一な画面表示を行う事ができる
。従って本発明を用いる事で従来どおりのコストでより
表示品質の高い液晶表示装置を提供する事ができる。
素子を構成する２種の金属を両方とも配線ラインに用い
る事で、コストアップせずに配線抵抗を下げる事ができ
、相対的に細い配線で均一な画面表示を行う事ができる
。従って本発明を用いる事で従来どおりのコストでより
表示品質の高い液晶表示装置を提供する事ができる。
第１図は実施例のパネルにおける１画素の模式第２図（
ａ）は第１図−点Ｍ線部分の断面図。 第２図（ｂ）は第１図破線部の断面図。 第３図はＭＩＭ素子を用いた液晶パネルの模式第４図は
従来例における１画素の構成図。 第５図（ａ）〜（ｄ）はＭＩＭ素子基板の製造工程図。 以上 系 ｌ ロ 第２１図 （シ） １′７ 第 ＋ ｌフ ＜ａ＞ Ｃシ） （Ｃ） メ ダ θ
ａ）は第１図−点Ｍ線部分の断面図。 第２図（ｂ）は第１図破線部の断面図。 第３図はＭＩＭ素子を用いた液晶パネルの模式第４図は
従来例における１画素の構成図。 第５図（ａ）〜（ｄ）はＭＩＭ素子基板の製造工程図。 以上 系 ｌ ロ 第２１図 （シ） １′７ 第 ＋ ｌフ ＜ａ＞ Ｃシ） （Ｃ） メ ダ θ
Claims (3)
- （１）液晶層をはさむ二枚の基板の電極でマトリクス状
に画素を構成し、少なくとも一方の基板では各画素とな
る電極と配線用電極がＭＩＭ素子を介して接続されてい
る液晶パネルを用いた液晶表示装置において、 ＭＩＭ素子を配置した基板の配線用電極に少なくともＭ
ＩＭ素子を構成する２種の金属が用いられている事を特
徴とする液晶表示装置。 - （２）ＭＩＭ素子の素材としてタンタル−酸化タンタル
−クロムを用いている事を特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の液晶表示装置。 - （３）配線部がタンタル層のパターンニング、タンタル
表面の酸化、ＭＩＭ素子部以外の配線表面のタンタル酸
化物を除去、クロム層のパターンニングという工程によ
り形成される事を特徴とする特許請求の範囲、第１項記
載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62278551A JPH01120539A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62278551A JPH01120539A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120539A true JPH01120539A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17598837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62278551A Pending JPH01120539A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120539A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5107355A (en) * | 1989-02-13 | 1992-04-21 | Konica Corporation | Liquid crystal display device having layered bus line structure |
| US5128784A (en) * | 1989-03-23 | 1992-07-07 | Seiko Epson Corporation | Active matrix liquid crystal display device and method for production thereof |
| EP0775932A3 (en) * | 1989-05-18 | 1997-12-03 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display |
-
1987
- 1987-11-04 JP JP62278551A patent/JPH01120539A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5107355A (en) * | 1989-02-13 | 1992-04-21 | Konica Corporation | Liquid crystal display device having layered bus line structure |
| US5128784A (en) * | 1989-03-23 | 1992-07-07 | Seiko Epson Corporation | Active matrix liquid crystal display device and method for production thereof |
| EP0775932A3 (en) * | 1989-05-18 | 1997-12-03 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display |
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