JPH0619497B2 - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子およびその製造方法Info
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- JPH0619497B2 JPH0619497B2 JP59090447A JP9044784A JPH0619497B2 JP H0619497 B2 JPH0619497 B2 JP H0619497B2 JP 59090447 A JP59090447 A JP 59090447A JP 9044784 A JP9044784 A JP 9044784A JP H0619497 B2 JPH0619497 B2 JP H0619497B2
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は一対の電極基板を有する液晶表示素子およびそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
［発明の技術的背景］ 第１０図および第１１図は従来の液晶表示素子を示すも
ので、この液晶表示素子では一対の対向する電極基板１
ａ，１ｂと、これらの間を封着する封着剤２ａ，２ｂと
から液晶表示素子外囲器が形成され、この液晶表示素子
外囲器内空間に液晶物質３が封入され液晶表示素子が構
成されている。
ので、この液晶表示素子では一対の対向する電極基板１
ａ，１ｂと、これらの間を封着する封着剤２ａ，２ｂと
から液晶表示素子外囲器が形成され、この液晶表示素子
外囲器内空間に液晶物質３が封入され液晶表示素子が構
成されている。
電極基板１ａの前面には偏光板４ａが配設され、また電
極基板１ｂの裏面には反射偏光板４ｂが配設されてい
る。電極基板１ａの内面には、例えばＩｎ２Ｏ３、Ｓｎ
Ｏ２、ＩＴＯ等からなる透明電極５ａが表示パターンに
対応して形成されており、さらに電極基板１ｂの内面に
は前述した透明電極５ａに対向して透明電極５ｂが形成
されている。なお、ここで電極基板１ｂは共通電極基板
とされている。
極基板１ｂの裏面には反射偏光板４ｂが配設されてい
る。電極基板１ａの内面には、例えばＩｎ２Ｏ３、Ｓｎ
Ｏ２、ＩＴＯ等からなる透明電極５ａが表示パターンに
対応して形成されており、さらに電極基板１ｂの内面に
は前述した透明電極５ａに対向して透明電極５ｂが形成
されている。なお、ここで電極基板１ｂは共通電極基板
とされている。
以上のように構成された液晶表示素子は、例えば数字表
示、任意図形の表示等に多用されている。
示、任意図形の表示等に多用されている。
第１２図は対向電極群がそれぞれ直交するマトリック状
に形成された液晶表示素子を示すもので、前面電極基板
１ａの内面に多数の透明電極６，６…が形成され、裏面
電極基板１ｂの内面には透明電極７，７…が形成されて
いる。これらのマトリックス状の電極群は選択的に電圧
を加えることによりドット毎に点滅が可能であり、任意
の形状の表示を行なうことができる。ここでは裏面電極
基板１ｂが共通電極基板とされている。
に形成された液晶表示素子を示すもので、前面電極基板
１ａの内面に多数の透明電極６，６…が形成され、裏面
電極基板１ｂの内面には透明電極７，７…が形成されて
いる。これらのマトリックス状の電極群は選択的に電圧
を加えることによりドット毎に点滅が可能であり、任意
の形状の表示を行なうことができる。ここでは裏面電極
基板１ｂが共通電極基板とされている。
［背景技術の問題点］ しかしながら、以上のように構成された液晶表示素子で
は、電極基板１ａ，１ｂに関し次のような問題点があ
る。
は、電極基板１ａ，１ｂに関し次のような問題点があ
る。
（１）透明電極５ａ，５ｂを構成するＩｎ２Ｏ３、Ｓｎ
Ｏ２、ＩＴＯ等はシート抵抗が大きく、これにより駆動
電圧の波形歪みを生ずる。この結果コントラストむら、
クロストーク等が生じ、視認性の低下を招くという問題
がある。
Ｏ２、ＩＴＯ等はシート抵抗が大きく、これにより駆動
電圧の波形歪みを生ずる。この結果コントラストむら、
クロストーク等が生じ、視認性の低下を招くという問題
がある。
（２）波形歪みを解消するため透明電極５ａ，５ｂを構
成するＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等のシート抵抗を
下げようとすると透過率が下がり、透明電極が見えるよ
うになるという問題がある。
成するＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等のシート抵抗を
下げようとすると透過率が下がり、透明電極が見えるよ
うになるという問題がある。
（３）また、シート抵抗を下げるには、透明導電膜層を
形成する工程が長くなりコスト高になるという問題があ
る。
形成する工程が長くなりコスト高になるという問題があ
る。
そこで従来、透明電極５ａ，５ｂを構成するＩｎ
２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等のシート抵抗を下げる目的
で透明電極５ａ，５ｂの前面に金属蒸着膜で金属パター
ンを形成したり、あるいは表示に関係しない電極部を金
属パターンにする等の方法が行われている。
２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等のシート抵抗を下げる目的
で透明電極５ａ，５ｂの前面に金属蒸着膜で金属パター
ンを形成したり、あるいは表示に関係しない電極部を金
属パターンにする等の方法が行われている。
しかしながら、このような方法による場合にも次に述べ
るような問題点がある。
るような問題点がある。
（１）透明電極の形成と別に金属パターンを形成する必
要があり、コストが高くなる。
要があり、コストが高くなる。
（２）透明電極と別に金属パターンを形成するため、金
属パターン部がデッド部分となり、表示に有効に使える
領域（開口率）が減少する。
属パターン部がデッド部分となり、表示に有効に使える
領域（開口率）が減少する。
（３）金属パターンであるためほとんど光を透過せず、
不要なパターンである金属パターンが見えてしまう。
不要なパターンである金属パターンが見えてしまう。
（４）金属パターンを見えなくするようにすると、金属
パターンの線幅を５０μｍ以下にしなければならず、加
工が難しくコスト高になる。
パターンの線幅を５０μｍ以下にしなければならず、加
工が難しくコスト高になる。
［発明の目的］ 本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもので、
前述したコントラストむら、クロストーク等をほぼ完全
に解消することのできる視認性の高い、かつ製造容易で
安価な液晶表示素子およびその製造方法を提供しようと
するものである。
前述したコントラストむら、クロストーク等をほぼ完全
に解消することのできる視認性の高い、かつ製造容易で
安価な液晶表示素子およびその製造方法を提供しようと
するものである。
［発明の概要］ すなわち本発明は、表面に透明電極層を有する一対の電
極基板を、前記透明電極層を対向させ所定の間隔をおい
て配置し、前記間隔に液晶組成物を挟持してなる液晶表
示素子において、前記透明電極層厚と実質的に等しい層
厚を有する金属層を前記透明電極層の電極パターン側面
のみに有することを特徴とする液晶表示素子、および、
電極基板上に透明導電膜層を形成する工程と、この工程
の後前記透明導電膜層上にフォトレジスト膜層を形成す
る工程と、この工程の後前記フォトレジスト膜層を必要
なパターンを残して除去する工程と、この工程の後少な
くとも一部が前記パターン面の内側に至るまで前記透明
導電膜層をエッチングにより除去する工程と、この工程
の後前記フォトレジスト膜層を表面に有する透明導電膜
層の前記エッチングにより除去された前記パターン側面
のみに金属層を形成する工程と、この工程の後前記フォ
トレジスト膜層を除去する工程とにより、前記透明導電
膜層と実質的に等しい層厚を有する前記金属層を前記透
明導電膜層の前記パターン側面のみに有することを特徴
とする表示素子の製造方法である。
極基板を、前記透明電極層を対向させ所定の間隔をおい
て配置し、前記間隔に液晶組成物を挟持してなる液晶表
示素子において、前記透明電極層厚と実質的に等しい層
厚を有する金属層を前記透明電極層の電極パターン側面
のみに有することを特徴とする液晶表示素子、および、
電極基板上に透明導電膜層を形成する工程と、この工程
の後前記透明導電膜層上にフォトレジスト膜層を形成す
る工程と、この工程の後前記フォトレジスト膜層を必要
なパターンを残して除去する工程と、この工程の後少な
くとも一部が前記パターン面の内側に至るまで前記透明
導電膜層をエッチングにより除去する工程と、この工程
の後前記フォトレジスト膜層を表面に有する透明導電膜
層の前記エッチングにより除去された前記パターン側面
のみに金属層を形成する工程と、この工程の後前記フォ
トレジスト膜層を除去する工程とにより、前記透明導電
膜層と実質的に等しい層厚を有する前記金属層を前記透
明導電膜層の前記パターン側面のみに有することを特徴
とする表示素子の製造方法である。
［発明の実施例］ 以下本発明の詳細を図面に示す一実施例について説明す
る。
る。
第１図は本発明の液晶表示素子の一実施例を示すもの
で、この液晶表示素子では一対の対向する電極基板１
ａ，１ｂと、この電極基板１ａ，１ｂの間を封着する封
着部２ａ，２ｂとから液晶表示素子外囲器が構成され、
この外囲器内に液晶物質が封入されている。電極基板１
ａ，１ｂの外側にはそれぞれ偏光板４ａ，４ｂが配設さ
れ、液晶表示素子を構成している。電極基板１ａ，１ｂ
上にはそれぞれ表示パターンに対応して、例えばＩｎ２
Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等により透明電極５ａ，５ｂが
形成されている。
で、この液晶表示素子では一対の対向する電極基板１
ａ，１ｂと、この電極基板１ａ，１ｂの間を封着する封
着部２ａ，２ｂとから液晶表示素子外囲器が構成され、
この外囲器内に液晶物質が封入されている。電極基板１
ａ，１ｂの外側にはそれぞれ偏光板４ａ，４ｂが配設さ
れ、液晶表示素子を構成している。電極基板１ａ，１ｂ
上にはそれぞれ表示パターンに対応して、例えばＩｎ２
Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等により透明電極５ａ，５ｂが
形成されている。
しかして、それぞれの透明電極５ａ，５ｂの側面にはＮ
ｉ、Ｃｒ、Ａｕ等の金属、これらの金属の合金あるいは
これらの金属を積層してなる良導電体層である金属層８
が形成されている。これらの金属層８の高さは、例えば
数百〜数千Åとされ、透明電極５ａ，５ｂの高さとほぼ
同じ高さであり、厚さは数百Å〜数十μｍとされてい
る。そして、この良導電体層である金属層８は透明電極
５ａ，５ｂに対して非常に低い抵抗値を有している。
ｉ、Ｃｒ、Ａｕ等の金属、これらの金属の合金あるいは
これらの金属を積層してなる良導電体層である金属層８
が形成されている。これらの金属層８の高さは、例えば
数百〜数千Åとされ、透明電極５ａ，５ｂの高さとほぼ
同じ高さであり、厚さは数百Å〜数十μｍとされてい
る。そして、この良導電体層である金属層８は透明電極
５ａ，５ｂに対して非常に低い抵抗値を有している。
以上のように構成された液晶表示素子では、次に述べる
ような効果を得ることができる。
ような効果を得ることができる。
（１）金属層８が透明電極５ａ，５ｂに比較して十分低
い抵抗値を有しているため、電気抵抗が大きいことに起
因するコントラストむら、クロストーク等を解消するこ
とができ、従来より視認性を大幅に向上することができ
る。
い抵抗値を有しているため、電気抵抗が大きいことに起
因するコントラストむら、クロストーク等を解消するこ
とができ、従来より視認性を大幅に向上することができ
る。
（２）従来のように透明電極５ａ，５ｂのシート抵抗を
下げ、透明電極５ａ，５ｂの透過率を下げる必要がなく
なり、透過率の減少に伴い透明電極が見えるようになる
ことを解消することができる。
下げ、透明電極５ａ，５ｂの透過率を下げる必要がなく
なり、透過率の減少に伴い透明電極が見えるようになる
ことを解消することができる。
（３）金属層８が形成されるため、シート抵抗の高い透
過電極５ａ，５ｂを使用することができ、この結果、電
極基板１ａ，１ｂが安価となる。
過電極５ａ，５ｂを使用することができ、この結果、電
極基板１ａ，１ｂが安価となる。
（４）金属層８の厚みが数百Å〜数十μｍであるため、
金属層８の目視は不可能であり、この結果開口率を増加
し表示品位を向上することができる。
金属層８の目視は不可能であり、この結果開口率を増加
し表示品位を向上することができる。
なお、以上述べた実施例では、セグメント電極基板（５
ａ）および共通電極基板（５ｂ）にそれぞれ金属層８を
形成した例について述べたが、電気抵抗的には特に共通
電極基板（５ｂ）が問題であるため、金属層８を共通電
極基板（５ｂ）にのみ形成してもよいことは勿論であ
る。
ａ）および共通電極基板（５ｂ）にそれぞれ金属層８を
形成した例について述べたが、電気抵抗的には特に共通
電極基板（５ｂ）が問題であるため、金属層８を共通電
極基板（５ｂ）にのみ形成してもよいことは勿論であ
る。
第２図は本発明の液晶表示素子の他の実施例を示すもの
で、この実施例では電極基板１上に透明電極５が形成さ
れており、透明電極５の側面には金属層８ａが形成され
ているが、透明電極５および金属層８ａの側面の形状は
電極基板１側に向けて徐々に拡大されており、金属断面
積が広くなっているとともに透明電極５との付着面積も
広がっている。
で、この実施例では電極基板１上に透明電極５が形成さ
れており、透明電極５の側面には金属層８ａが形成され
ているが、透明電極５および金属層８ａの側面の形状は
電極基板１側に向けて徐々に拡大されており、金属断面
積が広くなっているとともに透明電極５との付着面積も
広がっている。
このように構成された液晶表示素子では、透明電極５へ
の金属層８ａの付着強度を増加し、信頼性を向上するこ
とができるとともに、その抵抗値をさらに減少すること
ができる。
の金属層８ａの付着強度を増加し、信頼性を向上するこ
とができるとともに、その抵抗値をさらに減少すること
ができる。
第３図ないし第８図は第１図に示した液晶表示素子の製
造方法を示すもので、以下述べるようにして行われる。
造方法を示すもので、以下述べるようにして行われる。
（１）まず、第３図に示すように、ガラス製の電極基板
１上にＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等により透明導電
膜層１０が電極基板１全面にわたって形成される。
１上にＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等により透明導電
膜層１０が電極基板１全面にわたって形成される。
（２）第４図に示すように、透明導電膜層１０上にフォ
トレジスト膜層１１がコートされる。
トレジスト膜層１１がコートされる。
（３）第５図に示すように、フォトレジスト膜層１１が
必要なパターンを残して除去される。
必要なパターンを残して除去される。
（４）第６図に示すように、透明導電膜層１０のエッチ
ングにより透明電極５が形成される。
ングにより透明電極５が形成される。
（５）第７図に示すように、透明電極５をＩｎ２Ｏ３、
ＳｎＯ２、ＩＴＯ等を選択的に無電解めっきする電極液
（例えばＮｉの無電解めっき液）に浸し、エッチング後
の透明電極５側面に金属層８を形成する。
ＳｎＯ２、ＩＴＯ等を選択的に無電解めっきする電極液
（例えばＮｉの無電解めっき液）に浸し、エッチング後
の透明電極５側面に金属層８を形成する。
（６）第８図に示すように、フォトレジスト膜層１１を
除去する。
除去する。
このように透明電極５を形成するときに使用されるフォ
トレジスト膜層１１を用いることにより、透明電極を電
解液に浸すだけで容易に金属層８を形成することができ
る。この結果、金属層８の形成を安価に行なうことがで
きる。
トレジスト膜層１１を用いることにより、透明電極を電
解液に浸すだけで容易に金属層８を形成することができ
る。この結果、金属層８の形成を安価に行なうことがで
きる。
なお、以上述べた液晶表示素子の製造方法では、めっき
に無電解めっきを用いた例について説明したが、電解め
っきを用いてもよいことは勿論である。
に無電解めっきを用いた例について説明したが、電解め
っきを用いてもよいことは勿論である。
また、上述した（４）において、エッチングを多少長時
間にわたり実施すると、第９図に示すように、フォトレ
ジスト膜層１１により形成されるパターンの内側まで透
明電極５が除去されることとなる。
間にわたり実施すると、第９図に示すように、フォトレ
ジスト膜層１１により形成されるパターンの内側まで透
明電極５が除去されることとなる。
そして、このような状態で上述した（５）の金属層の形
成工程を付与すると、金属層８ａはフォトレジスト膜層
１１により成長方向が限定されるため、金属層８ａが透
明電極５より厚くなるとか、突起状になるとかの形状異
常を発生することなく、第９図に示すように、透明電極
５の厚みにほぼ等しい厚さの金属層８ａを得ることがで
きる。
成工程を付与すると、金属層８ａはフォトレジスト膜層
１１により成長方向が限定されるため、金属層８ａが透
明電極５より厚くなるとか、突起状になるとかの形状異
常を発生することなく、第９図に示すように、透明電極
５の厚みにほぼ等しい厚さの金属層８ａを得ることがで
きる。
さらに以上述べた実施例では、金属層８，８ａ，８ｂを
電解めっきにより形成した例について説明したが、例え
ば透明電極５をフォトレジスト膜層１１のついた第６図
に示すような状態で還元性雰囲気内に収容し熱処理する
ことにより、透明電極５の側面を還元し、この部にＩ
ｎ、Ｓｎ等の金属層を形成することが可能である。ま
た、金属層を金属の蒸着等により形成してもよいことは
勿論である。
電解めっきにより形成した例について説明したが、例え
ば透明電極５をフォトレジスト膜層１１のついた第６図
に示すような状態で還元性雰囲気内に収容し熱処理する
ことにより、透明電極５の側面を還元し、この部にＩ
ｎ、Ｓｎ等の金属層を形成することが可能である。ま
た、金属層を金属の蒸着等により形成してもよいことは
勿論である。
さらに、また、例えば、透明電極がＳｎＯ２からなる場
合に、この透明電極の側面にＩｎ２Ｏ３を蒸着し良導電
体層を形成してもよい。
合に、この透明電極の側面にＩｎ２Ｏ３を蒸着し良導電
体層を形成してもよい。
すなわち、この場合には、Ｉｎ２Ｏ３がＳｎＯ２に比較
して導電抵抗が約１／１０であるためＩｎ２Ｏ３が良導
電体層となる。
して導電抵抗が約１／１０であるためＩｎ２Ｏ３が良導
電体層となる。
［発明の効果］ 以上述べたように本発明の液晶表示素子によれば、コン
トラストむら、クロストーク等のない視認性の良好な液
晶表示素子を提供することができる。
トラストむら、クロストーク等のない視認性の良好な液
晶表示素子を提供することができる。
また、本発明の液晶表示素子の製造方法によれば、この
ような液晶表示素子を容易かつ安価に製造することがで
きる
ような液晶表示素子を容易かつ安価に製造することがで
きる
第１図は本発明の液晶表示素子の一実施例を示す縦断面
図、第２図は本発明の液晶表示素子の他の一実施例を示
す縦断面図、第３図ないし第８図は本発明の液晶表示素
子の製造方法の一実施例を示す説明図、第９図は透明電
極に長時間のエッチングにより形成される凹部を示す説
明図、第１０図は従来の液晶表示素子を示す上面図、第
１１図は第１０図の横断面図、第１２図は従来の液晶表
示素子の透明電極の配置を示す説明図である。 １ａ，１ｂ……電極基板 ５ａ，５ｂ……透明電極 ８，８ａ，８ｂ……金属層 １０……透明導電膜層 １１……フォトレジスト膜層
図、第２図は本発明の液晶表示素子の他の一実施例を示
す縦断面図、第３図ないし第８図は本発明の液晶表示素
子の製造方法の一実施例を示す説明図、第９図は透明電
極に長時間のエッチングにより形成される凹部を示す説
明図、第１０図は従来の液晶表示素子を示す上面図、第
１１図は第１０図の横断面図、第１２図は従来の液晶表
示素子の透明電極の配置を示す説明図である。 １ａ，１ｂ……電極基板 ５ａ，５ｂ……透明電極 ８，８ａ，８ｂ……金属層 １０……透明導電膜層 １１……フォトレジスト膜層
Claims (2)
- 【請求項１】表面に透明電極層を有する一対の電極基板
を、前記透明電極層を対向させ所定の間隔をおいて配置
し、前記間隔に液晶組成物を挟持してなる液晶表示素子
において、 前記透明電極層厚と実質的に等しい層厚を有する金属層
を前記透明電極層の電極パターン側面のみに有すること
を特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】電極基板上に透明導電膜層を形成する工程
と、この工程の後前記透明導電膜層上にフォトレジスト
膜層を形成する工程と、この工程の後前記フォトレジス
ト膜層を必要なパターンを残して除去する工程と、この
工程の後少なくとも一部が前記パターン面の内側に至る
まで前記透明導電膜層をエッチングにより除去する工程
と、この工程の後前記フォトレジスト膜層を表面に有す
る透明導電膜層の前記エッチングにより除去された前記
パターン側面のみに金属層を形成する工程と、この工程
の後前記フォトレジスト膜層を除去する工程とにより、
前記透明導電膜層と実質的に等しい層厚を有する前記金
属層を前記透明導電膜層の前記パターン側面のみに有す
ることを特徴とする表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59090447A JPH0619497B2 (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59090447A JPH0619497B2 (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60233618A JPS60233618A (ja) | 1985-11-20 |
| JPH0619497B2 true JPH0619497B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=13998867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59090447A Expired - Fee Related JPH0619497B2 (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619497B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62188734U (ja) * | 1986-05-20 | 1987-12-01 | ||
| US5777710A (en) * | 1995-04-28 | 1998-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode substrate, making the same, liquid crystal device provided therewith, and making the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS579977U (ja) * | 1980-06-16 | 1982-01-19 |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP59090447A patent/JPH0619497B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60233618A (ja) | 1985-11-20 |
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