JPH01121163A - アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 - Google Patents
アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物Info
- Publication number
- JPH01121163A JPH01121163A JP62275645A JP27564587A JPH01121163A JP H01121163 A JPH01121163 A JP H01121163A JP 62275645 A JP62275645 A JP 62275645A JP 27564587 A JP27564587 A JP 27564587A JP H01121163 A JPH01121163 A JP H01121163A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- triethanolamine
- composition
- weight
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 23
- -1 triethanolamine carboxylic acid Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 229960004418 trolamine Drugs 0.000 claims abstract description 11
- GJMPSRSMBJLKKB-UHFFFAOYSA-N 3-methylphenylacetic acid Chemical compound CC1=CC=CC(CC(O)=O)=C1 GJMPSRSMBJLKKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229940117957 triethanolamine hydrochloride Drugs 0.000 claims abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 23
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- SMRPKPAHLCLQGK-UHFFFAOYSA-N Cl.C(C)O.C(C)O.C(C)O Chemical compound Cl.C(C)O.C(C)O.C(C)O SMRPKPAHLCLQGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 2
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UOFRJXGVFHUJER-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethanol;hydrate Chemical compound [OH-].OCC[NH+](CCO)CCO UOFRJXGVFHUJER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- UPCXAARSWVHVLY-UHFFFAOYSA-N tris(2-hydroxyethyl)azanium;acetate Chemical compound CC(O)=O.OCCN(CCO)CCO UPCXAARSWVHVLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアルミニウム(以下アルミと略する)磁気ディ
スクを迅速且つ高精度鏡面に研磨するアルミ磁気ディス
クの研磨用組成物に関する。更に詳述すると、アルミサ
ブストレート及びアルミサブストレートの上にニッケル
リンを無電解等によりメツキしたニッケルサブストレー
ト、アルミサブストレートを陽極酸化したアルマイトサ
ブストレート等、の研磨用組成物に係り、特にアルミサ
ブストレートの研磨に好適な弱アリカリ性の研磨用組成
物に関するものである。
スクを迅速且つ高精度鏡面に研磨するアルミ磁気ディス
クの研磨用組成物に関する。更に詳述すると、アルミサ
ブストレート及びアルミサブストレートの上にニッケル
リンを無電解等によりメツキしたニッケルサブストレー
ト、アルミサブストレートを陽極酸化したアルマイトサ
ブストレート等、の研磨用組成物に係り、特にアルミサ
ブストレートの研磨に好適な弱アリカリ性の研磨用組成
物に関するものである。
アルミ磁気ディスクに対し、従来使用されている研磨用
組成物は主にアルミナと酸性の研磨用促進剤を水に懸濁
又は溶解した水性スラリーである。
組成物は主にアルミナと酸性の研磨用促進剤を水に懸濁
又は溶解した水性スラリーである。
特開昭81−278587にはアルミナと硫酸ニッケル
と水からなる弱酸性の研磨用組成物が開示されている。
と水からなる弱酸性の研磨用組成物が開示されている。
また、特開昭62−25187にはアルミナと硝酸アル
ミ等と水からなる強酸性の研磨用組成物が開示されてい
る。
ミ等と水からなる強酸性の研磨用組成物が開示されてい
る。
しかし、これら弱酸性又は強酸性の研磨用組成物はニッ
ケルサブストレートやアルマイトサブストレードの研磨
においては性能を発揮するもののアルミサブストレート
の研磨においては、オレンジピールが発生して曇りが生
じ鏡面に仕上らず品質上使用することができない。アル
ミサブストレートに要求される品質は基本的にはニッケ
ルサブストレート等と同様であるが、材質や硬度が異な
るためにオレンジピール、そして金属間化合物の研磨さ
れた突起や逆の脱落によるピットが発生し易く、又うね
りも大きくなり易い。
ケルサブストレートやアルマイトサブストレードの研磨
においては性能を発揮するもののアルミサブストレート
の研磨においては、オレンジピールが発生して曇りが生
じ鏡面に仕上らず品質上使用することができない。アル
ミサブストレートに要求される品質は基本的にはニッケ
ルサブストレート等と同様であるが、材質や硬度が異な
るためにオレンジピール、そして金属間化合物の研磨さ
れた突起や逆の脱落によるピットが発生し易く、又うね
りも大きくなり易い。
本発明はこれらの問題点を解決するオレンジピールがな
く、突起、ピットの少ない、そしてうねりの小さい高精
度な鏡面が得られ、且つ研磨能率の高い研磨用組成物を
提供することが目的である。本発明による研磨用組成物
はアルミサブストレートの研磨に好適であるが、ニッケ
ルサブストレートやアルマイトサブストレートの研磨に
使用しても一向に差支えない。
く、突起、ピットの少ない、そしてうねりの小さい高精
度な鏡面が得られ、且つ研磨能率の高い研磨用組成物を
提供することが目的である。本発明による研磨用組成物
はアルミサブストレートの研磨に好適であるが、ニッケ
ルサブストレートやアルマイトサブストレートの研磨に
使用しても一向に差支えない。
本発明者らはアルミサブストレートの研磨において、従
来の酸性研磨促進剤では、アルミサブストレートと酸性
化合物との反応によりオレンジピールや酸化被膜が生ず
るために鏡面が得られないことに鑑み、アルカリ性の研
磨促進剤に着目した。しかし、水酸化ナトリウムの如き
アルカリ金属の水酸化物では反応が強すぎるため、アル
ミナに各種アミン系化合物を加えてアルミサブストレー
トの研磨を行なった所、トリエタノールアミンカルボン
酸塩とトリエタノールアミン塩酸塩の組み合せが研磨促
進効果が高く、高精度の研磨面が得られることを見出し
、本発明を完成させた。
来の酸性研磨促進剤では、アルミサブストレートと酸性
化合物との反応によりオレンジピールや酸化被膜が生ず
るために鏡面が得られないことに鑑み、アルカリ性の研
磨促進剤に着目した。しかし、水酸化ナトリウムの如き
アルカリ金属の水酸化物では反応が強すぎるため、アル
ミナに各種アミン系化合物を加えてアルミサブストレー
トの研磨を行なった所、トリエタノールアミンカルボン
酸塩とトリエタノールアミン塩酸塩の組み合せが研磨促
進効果が高く、高精度の研磨面が得られることを見出し
、本発明を完成させた。
即ち、本発明はアルミナ研磨材粉末とトリエタノールア
ミンカルボン酸塩とトリエタノールアミン塩酸塩と水か
らなるアルミ磁気ディスク研磨用組成物である。
ミンカルボン酸塩とトリエタノールアミン塩酸塩と水か
らなるアルミ磁気ディスク研磨用組成物である。
以下、本発明を詳しく述べる。
アルミナ研磨材粉末はα−Aρ203等で平均粒子径が
0.5〜IOμmのものが好ましい。トリエタノールア
ミンカルボン酸塩はHN(CH2CH20H)3・RC
OO−(Rは炭化水素基)で表わされ、トリエタノール
アミン塩酸塩はHN(CH2CH20H)3・c、l?
−で表わされるものである。トリエタノールカルボン酸
塩とトリエタノール塩酸塩の割合は任意であるが、研磨
速度を高め、突起やピットの発生を押えるためにはトリ
エタノールアミンカルボン酸塩の割合が50重量%〜9
0重量%が好ましい。
0.5〜IOμmのものが好ましい。トリエタノールア
ミンカルボン酸塩はHN(CH2CH20H)3・RC
OO−(Rは炭化水素基)で表わされ、トリエタノール
アミン塩酸塩はHN(CH2CH20H)3・c、l?
−で表わされるものである。トリエタノールカルボン酸
塩とトリエタノール塩酸塩の割合は任意であるが、研磨
速度を高め、突起やピットの発生を押えるためにはトリ
エタノールアミンカルボン酸塩の割合が50重量%〜9
0重量%が好ましい。
本発明の研磨用組成物はトリエタノールアミンカルボン
酸塩とトリエタノールアミン塩酸塩の水溶液にアルミナ
研磨材粉末を懸濁したもので、好ましい組成としてはア
ルミナ研磨材粉末1〜25重量%、トリエタノールアミ
ンカルボン酸塩とトリエタノールアミン塩酸塩の合計が
0.1〜5重量%の弱アルカリ性スラリーである。又、
これに炭酸ソーダ等を加えてpHを調整することも可能
である。
酸塩とトリエタノールアミン塩酸塩の水溶液にアルミナ
研磨材粉末を懸濁したもので、好ましい組成としてはア
ルミナ研磨材粉末1〜25重量%、トリエタノールアミ
ンカルボン酸塩とトリエタノールアミン塩酸塩の合計が
0.1〜5重量%の弱アルカリ性スラリーである。又、
これに炭酸ソーダ等を加えてpHを調整することも可能
である。
好ましいpHは9.0〜10.0である。特に炭酸ソー
ダは研磨速度を高め、突起やピットの発生を押える効果
があり、非常に有用である。その好ましい添加量は0.
01〜0.05重量%である。
ダは研磨速度を高め、突起やピットの発生を押える効果
があり、非常に有用である。その好ましい添加量は0.
01〜0.05重量%である。
又、実際の研磨では、この研磨用組成物を原液で使用す
ることは勿論、2〜6倍程度に任意に希釈して使用する
ことも可能である。研磨促進剤の濃度は研磨能率を上げ
、且つ突起やピットの発生を少なくするため0.1重量
%以上が好ましい。又5重量%を超えても逆に研磨速度
は低下し、且つピットが発生し易くなるので5重量%以
下が好ましい。実際の使用に当っては0.1〜1重量%
が最も好ましい。
ることは勿論、2〜6倍程度に任意に希釈して使用する
ことも可能である。研磨促進剤の濃度は研磨能率を上げ
、且つ突起やピットの発生を少なくするため0.1重量
%以上が好ましい。又5重量%を超えても逆に研磨速度
は低下し、且つピットが発生し易くなるので5重量%以
下が好ましい。実際の使用に当っては0.1〜1重量%
が最も好ましい。
アルミナ研磨材粉末は1重量%を下廻ると研磨能率の低
下とスクラッチの発生があり、又25重量%を超えても
研磨能率の向上は認められず且つ粘度が増大して作業性
が悪くなるので1〜25重量%が好ましい。アルミナ研
磨材粉末の平均粒度は0.5μmを下廻ると研磨能率が
低くなり、又10μmを超えると表面粗さが粗くなるの
で0.5〜10μmが好ましい。
下とスクラッチの発生があり、又25重量%を超えても
研磨能率の向上は認められず且つ粘度が増大して作業性
が悪くなるので1〜25重量%が好ましい。アルミナ研
磨材粉末の平均粒度は0.5μmを下廻ると研磨能率が
低くなり、又10μmを超えると表面粗さが粗くなるの
で0.5〜10μmが好ましい。
本発明において、トリエタノールアミンカルボン酸塩と
トリエタノールアミン塩酸塩は研磨促進と研磨面を高精
度にする働きがあり、オレンジビールの発生が全くなく
、突起やピットの少ない、うねりの小さい高精度な研磨
面を迅速に得ることを可能とした。更に機械の腐蝕性、
人体に対する有害性も低いという特徴を有している。
トリエタノールアミン塩酸塩は研磨促進と研磨面を高精
度にする働きがあり、オレンジビールの発生が全くなく
、突起やピットの少ない、うねりの小さい高精度な研磨
面を迅速に得ることを可能とした。更に機械の腐蝕性、
人体に対する有害性も低いという特徴を有している。
次に、実施例により、本発明を更に詳しく説明する。以
下の実施例における研磨特性は、次の様な研磨試験で評
価した。研磨は4ウ工イ式の両面ポリシングマシン(定
盤径φ840 mm)を使用し、定盤にはスェードタイ
プのパッド(昭和ポリシングシステム■製S P D
No、4235)を貼り付け、3.5インチのアルミニ
ウムサブストレート10枚を6分間研磨する。研磨条件
は下定盤回転数: 70rpm 。
下の実施例における研磨特性は、次の様な研磨試験で評
価した。研磨は4ウ工イ式の両面ポリシングマシン(定
盤径φ840 mm)を使用し、定盤にはスェードタイ
プのパッド(昭和ポリシングシステム■製S P D
No、4235)を貼り付け、3.5インチのアルミニ
ウムサブストレート10枚を6分間研磨する。研磨条件
は下定盤回転数: 70rpm 。
加工圧カニ 100g/at スラリー供給量: 10
0 ml/n+in、である。研磨後アルミニウムサブ
ストレートを秤量し、重量減から研磨速度を求める。又
、表面は微分干渉顕微鏡及び10万ルクススポツトライ
トで観察し、突起、ピット、スクラッチなどの度合を判
定する。又。表面粗さはランクテーラーホブソン社製の
タリステップとタリデータ2000で測定する。
0 ml/n+in、である。研磨後アルミニウムサブ
ストレートを秤量し、重量減から研磨速度を求める。又
、表面は微分干渉顕微鏡及び10万ルクススポツトライ
トで観察し、突起、ピット、スクラッチなどの度合を判
定する。又。表面粗さはランクテーラーホブソン社製の
タリステップとタリデータ2000で測定する。
実施例 1〜5
平均粒子径1.9μmのアルミナ粉末を22重量%含有
するスラリーに、トリエタノールアミン酢酸塩とトリエ
タノールアミン塩酸塩を前者の比率を82重量%になる
様に保って、この両者の合計の組成物中に占める割合が
0.425. 1.275. 2.125゜3.400
、及び4.250重量%になる様に溶解した後、炭酸
ソーダを0,15〜0.30重量%添加してpHを9.
8に調整し、本発明の研磨用組成物を得た。この研磨用
組成物を容量比で4倍に水で希釈してアルミニウムサブ
ストレートの研磨試験を実施した。試験の結果を第1表
に示す。
するスラリーに、トリエタノールアミン酢酸塩とトリエ
タノールアミン塩酸塩を前者の比率を82重量%になる
様に保って、この両者の合計の組成物中に占める割合が
0.425. 1.275. 2.125゜3.400
、及び4.250重量%になる様に溶解した後、炭酸
ソーダを0,15〜0.30重量%添加してpHを9.
8に調整し、本発明の研磨用組成物を得た。この研磨用
組成物を容量比で4倍に水で希釈してアルミニウムサブ
ストレートの研磨試験を実施した。試験の結果を第1表
に示す。
(以下余白)
第 1
表
通常アルミニウムサブストレートに必要とされる品質は
、表面粗さ(Rt+n)で2.000Å以下、うねり(
vt)で700Å以下であるが、第1表によれば本発明
の研磨用組成物による研磨面は全てに大幅にこの値を下
廻っている。勿論オレンジピールの発生は全く認められ
なかった。
、表面粗さ(Rt+n)で2.000Å以下、うねり(
vt)で700Å以下であるが、第1表によれば本発明
の研磨用組成物による研磨面は全てに大幅にこの値を下
廻っている。勿論オレンジピールの発生は全く認められ
なかった。
又、真直度は5μm/25+nm長以下、外周面ダレは
0.5μm / 4 mm長以下が必要とされるが、こ
のためには研磨速度は0,8μm/min、以上が好ま
しい。本発明の研磨用組成物による研磨速度はこの値を
上廻っており、真直度0.12μm725mm長、外周
面ダレは0.13μm / 4 mn長で非常に優れた
研磨面であった。但し、研磨促進剤の濃度が0.1重量
%以下と1.0重量%以上になるとややピットの発生が
認められたので、研磨促進剤の最適濃度は0.1〜1,
0重量%である。
0.5μm / 4 mm長以下が必要とされるが、こ
のためには研磨速度は0,8μm/min、以上が好ま
しい。本発明の研磨用組成物による研磨速度はこの値を
上廻っており、真直度0.12μm725mm長、外周
面ダレは0.13μm / 4 mn長で非常に優れた
研磨面であった。但し、研磨促進剤の濃度が0.1重量
%以下と1.0重量%以上になるとややピットの発生が
認められたので、研磨促進剤の最適濃度は0.1〜1,
0重量%である。
本発明によるトリエタノールアミンカルボン酸塩とトリ
エタノール塩酸塩を組み合せた研磨促進剤を使用した研
磨用組成物は、特にアルミニウムサブストレートの研磨
に有効であり、 1)高い研磨能率がある 2)オレンジピールが発生しない 3)突起やピットの発生が少ない 4)表面粗さが小さい 5)真直度、外周面ダレの小さい優れた面が得られるな
どの効果があり、 6)機械に対する腐蝕性が少ない 7)人体に対する有害性が少ない という点でも効果的である。
エタノール塩酸塩を組み合せた研磨促進剤を使用した研
磨用組成物は、特にアルミニウムサブストレートの研磨
に有効であり、 1)高い研磨能率がある 2)オレンジピールが発生しない 3)突起やピットの発生が少ない 4)表面粗さが小さい 5)真直度、外周面ダレの小さい優れた面が得られるな
どの効果があり、 6)機械に対する腐蝕性が少ない 7)人体に対する有害性が少ない という点でも効果的である。
Claims (3)
- (1)水とアルミナ研磨材粉末及びトリエタノールアミ
ンカルボン酸塩とトリエタノールアミン塩酸塩の研磨促
進剤からなる弱アルカリ性のアルミニウム磁気ディスク
研磨用組成物。 - (2)研磨促進剤の組成物中に占める割合が0.1〜5
重量%である特許請求の範囲第1項記載のアルミニウム
磁気ディスク研磨用組成物。 - (3)アルミナ研磨材粉末の組成物中に占める割合が1
〜25重量%であり、平均粒子径が0.5〜10μmで
ある特許請求の範囲第1項又は第2項記載のアルミニウ
ム磁気ディスク研磨用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62275645A JPH01121163A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62275645A JPH01121163A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01121163A true JPH01121163A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17558351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62275645A Pending JPH01121163A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01121163A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04201069A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-22 | C Uyemura & Co Ltd | 研磨方法 |
| JPH06267068A (ja) * | 1993-03-16 | 1994-09-22 | Sky Alum Co Ltd | 磁気ディスク基板およびその製造方法 |
| DE4410787A1 (de) * | 1993-03-26 | 1994-09-29 | Toshiba Kawasaki Kk | Polierverfahren und Poliervorrichtung |
| US5607718A (en) * | 1993-03-26 | 1997-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing method and polishing apparatus |
| EP0842997A1 (en) * | 1996-11-14 | 1998-05-20 | Nissan Chemical Industries Ltd. | Polishing composition for aluminium disk and polishing process therewith |
| GB2397580A (en) * | 2002-12-26 | 2004-07-28 | Kao Corp | Microwaviness reducing agent and polishing composition |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP62275645A patent/JPH01121163A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04201069A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-22 | C Uyemura & Co Ltd | 研磨方法 |
| JPH06267068A (ja) * | 1993-03-16 | 1994-09-22 | Sky Alum Co Ltd | 磁気ディスク基板およびその製造方法 |
| DE4410787A1 (de) * | 1993-03-26 | 1994-09-29 | Toshiba Kawasaki Kk | Polierverfahren und Poliervorrichtung |
| US5607718A (en) * | 1993-03-26 | 1997-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing method and polishing apparatus |
| EP0842997A1 (en) * | 1996-11-14 | 1998-05-20 | Nissan Chemical Industries Ltd. | Polishing composition for aluminium disk and polishing process therewith |
| US6007592A (en) * | 1996-11-14 | 1999-12-28 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Polishing composition for aluminum disk and polishing process therewith |
| GB2397580A (en) * | 2002-12-26 | 2004-07-28 | Kao Corp | Microwaviness reducing agent and polishing composition |
| GB2397580B (en) * | 2002-12-26 | 2006-11-08 | Kao Corp | Polishing composition |
| US7553345B2 (en) | 2002-12-26 | 2009-06-30 | Kao Corporation | Polishing composition |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6117220A (en) | Polishing composition and rinsing composition | |
| US5114437A (en) | Polishing composition for metallic material | |
| KR940000662B1 (ko) | 연마용 조성물 및 연마 방법 | |
| JP5177445B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| US6007592A (en) | Polishing composition for aluminum disk and polishing process therewith | |
| US4915710A (en) | Abrasive composition and process for polishing | |
| US4705566A (en) | Polishing composition for memory hard disc | |
| US4769046A (en) | Process for polishing surface of memory hard disc | |
| US4929257A (en) | Abrasive composition and process for polishing | |
| JP3106339B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| KR0172976B1 (ko) | 메모리-하아드 디스크의 연마용 조성물 | |
| JPH0214280A (ja) | プラスチック研磨用組成物 | |
| JPH01121163A (ja) | アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 | |
| JPH04275387A (ja) | 研磨剤組成物 | |
| US4883502A (en) | Abrasive composition and process for polishing | |
| JPH03277683A (ja) | 精密研磨用組成物 | |
| JP3825844B2 (ja) | 精密研磨用組成物、Al合金基板上に成膜された無電解NiPメッキ膜の研磨方法、無電解NiPメッキ膜を有するAl合金基板の製造方法 | |
| JPH10121034A (ja) | 磁気ディスク基板の研磨用組成物 | |
| JP3680022B2 (ja) | 磁気ディスク基板研磨液 | |
| JPS64437B2 (ja) | ||
| CN103666282B (zh) | 用于计算机硬盘基片无磨粒抛光液组合物 | |
| JPH01263186A (ja) | アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 | |
| JPS59170254A (ja) | 無電解めっき方法 | |
| JP2964720B2 (ja) | 無電解ニッケルめっき皮膜用研磨液の製造方法 | |
| JPS62236669A (ja) | 研磨剤 |