JPH01121923U - - Google Patents

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JPH01121923U
JPH01121923U JP1723788U JP1723788U JPH01121923U JP H01121923 U JPH01121923 U JP H01121923U JP 1723788 U JP1723788 U JP 1723788U JP 1723788 U JP1723788 U JP 1723788U JP H01121923 U JPH01121923 U JP H01121923U
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reaction chamber
wafers
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａは本考案装置の一実施例の構成を透視
して示した斜視図、第１図ｂは同じくその正面か
ら見た斜視図、第２図は従来装置の一例の構成を
示す簡略斜視図である。 １……ヒータ、２……ガスシステム、３……コ
ントロールシステム、４……エレベータ、５……
ウエーハ移載機、６……炉口シヤツタ、７……カ
セツトストツカ、８……反応室、９……ウエーハ
、１０……ボート、１１……炉口、１２……装置
本体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 反応室８内のウエーハ９を加熱するヒータ１と
    、反応室８内へウエーハ９を載置したボート１０
    をロード・アンロードするエレベータ４と、ウエ
    ーハ９をカセツトからボート１０へ及びボート１
    ０からカセツトへ移動するウエーハ移載機５と、
    ウエーハ９の移載中に炉口１１からの輻射熱及び
    空気の巻き込みを防止する炉口シヤツタ６と、カ
    セツトの収納、カセツトの有無及びウエーハの有
    無を判別するカセツトストツカ７と、反応室８内
    に生膜に応じて反応ガスを供給するガスシステム
    ２と、ヒータ１の温度制御、ガスシステム２の流
    量制御、エレベータ４の駆動制御、ウエーハ移載
    機５の駆動制御、炉口シヤツタ６の駆動制御及び
    カセツトストツカ７の駆動制御を行うコントロー
    ルシステム３とよりなり、これらを装置本体１２
    内に収設せしめてなる縦型ＣＶＤ・拡散装置。
JP1988017237U 1988-02-12 1988-02-12 縦型ｃｖｄ・拡散装置 Expired - Lifetime JP2570756Y2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03244121A (ja) * 1990-02-21 1991-10-30 Kokusai Electric Co Ltd 縦型半導体製造装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52139378A (en) * 1976-05-17 1977-11-21 Hitachi Ltd Integrated treatment apparatus for semiconductor wafers
JPS6324615A (ja) * 1986-05-16 1988-02-02 シリコン・バレイ・グル−プ・インコ−ポレイテッド ウェーハ移送方法及び装置

Patent Citations (2)

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JP2570756Y2 (ja) 1998-05-13

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