JPH01123079A - 非晶質Ni−P合金 - Google Patents
非晶質Ni−P合金Info
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- JPH01123079A JPH01123079A JP28119687A JP28119687A JPH01123079A JP H01123079 A JPH01123079 A JP H01123079A JP 28119687 A JP28119687 A JP 28119687A JP 28119687 A JP28119687 A JP 28119687A JP H01123079 A JPH01123079 A JP H01123079A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
- C23C18/36—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
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- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、加熱後も非磁性状態を維持可能な非晶質N
i −P合金に関する。更には、耐食性及び耐摩耗性
を備えた非晶質N i −P合金に関する〈従来の技術
〉 従来、N i −P合金を非晶質とするためには、P含
有量を略7,4原子%以上としなければならないことが
知られている。更には常温雰囲気下で非晶質状態を安定
させるためには、P含有量を15〜25%としなければ
ならない、そして本発明者らは、下記組成のめつき浴を
調製して、無電解めっきによりP含有量が15〜25%
であるN1−P合金を製造する方法を提案している(特
開昭60−248882号公報参照)。
i −P合金に関する。更には、耐食性及び耐摩耗性
を備えた非晶質N i −P合金に関する〈従来の技術
〉 従来、N i −P合金を非晶質とするためには、P含
有量を略7,4原子%以上としなければならないことが
知られている。更には常温雰囲気下で非晶質状態を安定
させるためには、P含有量を15〜25%としなければ
ならない、そして本発明者らは、下記組成のめつき浴を
調製して、無電解めっきによりP含有量が15〜25%
であるN1−P合金を製造する方法を提案している(特
開昭60−248882号公報参照)。
浴組成(比較例2) 、 (mol /j2
)硫酸ニッケル 0.13次亜リン酸ナ
トリウム 0.09クエン酸ナトリウム
0.17サツカリンナトリウム 0.0042
C+oHIsN 2 N a s O70,001!7
希硫酸、アンモニア水でpH(=5.0)調製純水で1
ふとする。
)硫酸ニッケル 0.13次亜リン酸ナ
トリウム 0.09クエン酸ナトリウム
0.17サツカリンナトリウム 0.0042
C+oHIsN 2 N a s O70,001!7
希硫酸、アンモニア水でpH(=5.0)調製純水で1
ふとする。
尚、上記成分において、硫酸ニッケルはニッケルイオン
を、次°亜リン酸ナトリウムはニッケルイオンの還元剤
を、クエン酸ナトリウムはニッケルイオンの錯化剤を、
サッカリンナトリウムは応力減少剤を、C+oHIsN
2 N aso 7は第1リン析出促進剤を指す。尚
、錯化剤であるクエン酸ナトリウムはめつき浴中で完全
に′f!11111tシている。そして、クエン酸成分
はCaLOyとして、ニッケルケルイオンに対するmo
l比で1/3.5(ニッケルイオン/ CaHsQy
;以下同じ)の値である。
を、次°亜リン酸ナトリウムはニッケルイオンの還元剤
を、クエン酸ナトリウムはニッケルイオンの錯化剤を、
サッカリンナトリウムは応力減少剤を、C+oHIsN
2 N aso 7は第1リン析出促進剤を指す。尚
、錯化剤であるクエン酸ナトリウムはめつき浴中で完全
に′f!11111tシている。そして、クエン酸成分
はCaLOyとして、ニッケルケルイオンに対するmo
l比で1/3.5(ニッケルイオン/ CaHsQy
;以下同じ)の値である。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、上記発明により製造されたN1−P合金
は、加熱されると、従来のこの種の合金と同様に、非晶
質状態から結晶質状態へ変性してしまい(第1表の比較
例2参照)、耐摩耗性、耐食性、触媒性、非磁性等の所
望の性能を奏さなくなる。
は、加熱されると、従来のこの種の合金と同様に、非晶
質状態から結晶質状態へ変性してしまい(第1表の比較
例2参照)、耐摩耗性、耐食性、触媒性、非磁性等の所
望の性能を奏さなくなる。
かかる合金をエレクトロニクスの分野(例えば、■導体
回路の形成、■導体回路やコネクタ一部表面の保護皮膜
として、■磁気ヘッド、ロータリーエンコーダの摺動表
面層として、開閉器の接点部の表面強化層など)に利用
したとき、可動時の導体周辺に生ずる磁界や摺動摩擦に
より、また接点部ではスパークにより昇温され、磁性体
等の性質を帯びるように変性するおそれがある。更には
、装置組み付は時のハンダゴテその他の熱加工治具の影
響を受け、昇温されることもある。このようにして、当
該合金が変性すると、周辺素子への磁気干渉を起こした
り、磁気媒体の高速走行を阻害したり、ノイズ発生の原
因となる等の問題点を生じる。
回路の形成、■導体回路やコネクタ一部表面の保護皮膜
として、■磁気ヘッド、ロータリーエンコーダの摺動表
面層として、開閉器の接点部の表面強化層など)に利用
したとき、可動時の導体周辺に生ずる磁界や摺動摩擦に
より、また接点部ではスパークにより昇温され、磁性体
等の性質を帯びるように変性するおそれがある。更には
、装置組み付は時のハンダゴテその他の熱加工治具の影
響を受け、昇温されることもある。このようにして、当
該合金が変性すると、周辺素子への磁気干渉を起こした
り、磁気媒体の高速走行を阻害したり、ノイズ発生の原
因となる等の問題点を生じる。
ことに、キの対策として、結晶構造においても磁気的影
習のない貴金属(Rh、Pd、Pt、AU等)を用いて
いるが、製造コストが嵩むので好ましくない。
習のない貴金属(Rh、Pd、Pt、AU等)を用いて
いるが、製造コストが嵩むので好ましくない。
そこで、この発明は、かかる貴金属に代る安価なもであ
って、加熱されても変性しない非晶質N1−P合金を提
供することを目的とする。
って、加熱されても変性しない非晶質N1−P合金を提
供することを目的とする。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明者は、上記目的を達成すべく特開昭60−248
882号公報で提案した発明を改良していった結果、非
晶質のN1−P合金を無電解めっきにより製造する場合
において、ニッケルイオンの錯化剤を所定量用いればよ
いことを見い出し、本発明に想到した。
882号公報で提案した発明を改良していった結果、非
晶質のN1−P合金を無電解めっきにより製造する場合
において、ニッケルイオンの錯化剤を所定量用いればよ
いことを見い出し、本発明に想到した。
即ち、第1の発明は、600℃で加熱した後も、非磁性
状態を維持し、下記成分(ア)又は(イ)を含んだめっ
き浴であって、錯化剤の内のくえん酸成分が、ニッケル
イオンに対する。pal比で1:8.0〜1 : 10
.0含まれているもの、またはそれに相当する量の他の
錯化剤が含まれているものを用いて、無電解めっきによ
り製造される非晶質Ni −P合金である。
状態を維持し、下記成分(ア)又は(イ)を含んだめっ
き浴であって、錯化剤の内のくえん酸成分が、ニッケル
イオンに対する。pal比で1:8.0〜1 : 10
.0含まれているもの、またはそれに相当する量の他の
錯化剤が含まれているものを用いて、無電解めっきによ
り製造される非晶質Ni −P合金である。
(ア)ニッケルイオン
ニッケルイオンの還元剤
ニッケルイオンの錯化剤
pH調整剤
第2リン析出促進剤。
(イ)ニッケルイオン
ニッケルイオンの還元剤
ニッケルイオンの錯化剤
pH調整剤
第1リン析出促進剤及び第2リン析出促進剤また、第2
の発明は、600℃で加熱した後も、非磁性状態を維持
するとともに、硝酸(69,8%)に対する耐食性を備
え、既述の成分(ア)又は(イ)を含んだめっき浴であ
って、錯化剤の内のくえん酸成分が、ニッケルイオンに
対するlll01比で178.0〜1 : 10.0含
まれ、またはそれに相当する量の他の錯化剤が含まれる
とともに、元素周期律表のrVa族又はVIa族の金属
が、ニッケルイオンにmol対する比でl:o、15(
ニッケルイオン二金属)以上溶存しているものを用いて
、無電解めっきにより製造される非晶質N i −P合
金である。
の発明は、600℃で加熱した後も、非磁性状態を維持
するとともに、硝酸(69,8%)に対する耐食性を備
え、既述の成分(ア)又は(イ)を含んだめっき浴であ
って、錯化剤の内のくえん酸成分が、ニッケルイオンに
対するlll01比で178.0〜1 : 10.0含
まれ、またはそれに相当する量の他の錯化剤が含まれる
とともに、元素周期律表のrVa族又はVIa族の金属
が、ニッケルイオンにmol対する比でl:o、15(
ニッケルイオン二金属)以上溶存しているものを用いて
、無電解めっきにより製造される非晶質N i −P合
金である。
〈手段の詳細な説明〉
以下、上記手段について詳細に説明する。
まずζ第1の発明の非晶質N i −P合金を形成する
ためのめつき浴について説明する。
ためのめつき浴について説明する。
めっき浴は、■ニッケルイオン、■ニッケルイオンの還
元剤、■ニッケルイオンの錯化剤、■第2リン析出促進
剤、■第1リン析出促進剤及び■その他の薬剤を含んで
いる。
元剤、■ニッケルイオンの錯化剤、■第2リン析出促進
剤、■第1リン析出促進剤及び■その他の薬剤を含んで
いる。
■ニッケルイオン
ニッケルイオンは、通常塩(硫酸ニッケル、塩化ニッケ
ル等)のかたちで添加され、めっき浴11中0.03〜
0.20mol含まれている(以下、0.03〜0.2
0Iloj / Itと表わす)。
ル等)のかたちで添加され、めっき浴11中0.03〜
0.20mol含まれている(以下、0.03〜0.2
0Iloj / Itと表わす)。
■ニッケルイオンの還元剤
ニッケルイオンの還元剤には、次亜リン酸ナトリウムを
用いる。添加量は0.05〜0.40mol / 11
とする。
用いる。添加量は0.05〜0.40mol / 11
とする。
■ニッケルイオンの錯化剤
ニッケルイオンの錯化剤としては、くえん酸、こはく酸
、酒石酸及びグルコン酸等のオキシカルボン酸とその塩
類、アミノ酢酸及びEDTA等ポリアポリアミノカルボ
ン酸又は2種以上が挙げられる。
、酒石酸及びグルコン酸等のオキシカルボン酸とその塩
類、アミノ酢酸及びEDTA等ポリアポリアミノカルボ
ン酸又は2種以上が挙げられる。
めっき浴中に含まれる量は、くえん酸(C:6H507
としてめつき浴中に存在する)の場合、ニッケルイオン
に対するll1O1比で1:8.O〜1 : 10.0
とする。こはく酸等の他の錯化剤では、それぞれの錯化
能力に応じて、くえん酸の場合に相当する量とする(実
施例6.7参照)。
としてめつき浴中に存在する)の場合、ニッケルイオン
に対するll1O1比で1:8.O〜1 : 10.0
とする。こはく酸等の他の錯化剤では、それぞれの錯化
能力に応じて、くえん酸の場合に相当する量とする(実
施例6.7参照)。
くえん酸の場合において、ニッケルイオンに対するmo
l比が1:8.0未満になると、600℃で加熱したと
き非磁性を維持できない(比較例3゜4参照)。また、
ニッケルイオンに対するmol比が1710.0を越え
ると、めっきの析出速度が低下するので、それぞれ好ま
しくない。尚、当該mol比が1/10.0を越えた場
合にも、非晶質N1−P合金は600℃で加熱したとき
非磁性状態を維持できた。
l比が1:8.0未満になると、600℃で加熱したと
き非磁性を維持できない(比較例3゜4参照)。また、
ニッケルイオンに対するmol比が1710.0を越え
ると、めっきの析出速度が低下するので、それぞれ好ま
しくない。尚、当該mol比が1/10.0を越えた場
合にも、非晶質N1−P合金は600℃で加熱したとき
非磁性状態を維持できた。
上記量のくえん酸は、通常アルカリ金属塩としてめっき
浴中へ添加される(他のオキシカルボン酸も同様である
)。この場合、ナトリウム塩として加えるときには、ニ
ッケルイオンとナトリウムイオンとのll1O1比を1
:1.9〜1:3.5(ニッケルイオン:ナトリウムイ
オン;以下同じ)とすることが好ましい。1:1.9未
満の条件では、銅板を被めっき材としたときに、当該銅
板が侵食されるという不具合がある。また、1:3.5
を超えてナトリウムイオンを存在させる必要はない。
浴中へ添加される(他のオキシカルボン酸も同様である
)。この場合、ナトリウム塩として加えるときには、ニ
ッケルイオンとナトリウムイオンとのll1O1比を1
:1.9〜1:3.5(ニッケルイオン:ナトリウムイ
オン;以下同じ)とすることが好ましい。1:1.9未
満の条件では、銅板を被めっき材としたときに、当該銅
板が侵食されるという不具合がある。また、1:3.5
を超えてナトリウムイオンを存在させる必要はない。
また、リチウム、カリウムなどのアルカリ金属塩として
加えるときには、アルカリ金属イオンの量を、後述の第
2リン析出促進剤との関係で調整する必要がある。
加えるときには、アルカリ金属イオンの量を、後述の第
2リン析出促進剤との関係で調整する必要がある。
■第2リン析出促進剤
第2リン析出促進剤には、既述の公報に示されている硫
酸アンモニウム、硫酸リチウム、硫酸カリウム、硫酸ア
ンモニウムから選ばれる1種又は2種以上のものを用い
ることができる。
酸アンモニウム、硫酸リチウム、硫酸カリウム、硫酸ア
ンモニウムから選ばれる1種又は2種以上のものを用い
ることができる。
更には、この発明を検討するうちに、本発明者は、第2
リン析出促進剤として、リチウムイオンが重要なことを
見い出した。つまり、第2リン析出促進剤として、上記
のものの他に、塩化リチウム、塩化カリウム、塩化ナト
リウム、臭化リチウム、臭化カリウム、臭化ナトリウム
、硝酸リチウム1硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、リン
酸リチウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、はう
酸リチウム、はう酸カリウム、はう酸ナトリウム、硫酸
ナトリウム等の無機塩、酢酸リチウム、酢酸カリウム、
酢酸ナトリウム、くえん酸リチウム、くえん酸カリウム
、くえん酸ナトリウム、酒石酸リチウム、酒石酸カリウ
ム、酒石酸ナトリウム、乳酸リチウム、乳酸カリウム、
乳酸ナトリウム、しゆう酸リチウム、しゆう酸カリウム
、しゆう酸ナトリウム、ステアリン酸リチウム、ステア
リン酸カリウム、ステアリン酸ナトリウム等有機塩−f
ill又は2 ff11以上を用いることができる。尚
、このアルカリ金属イオンは錯化剤成分とともに加えら
れることがある(各実施例参照)。
リン析出促進剤として、リチウムイオンが重要なことを
見い出した。つまり、第2リン析出促進剤として、上記
のものの他に、塩化リチウム、塩化カリウム、塩化ナト
リウム、臭化リチウム、臭化カリウム、臭化ナトリウム
、硝酸リチウム1硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、リン
酸リチウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、はう
酸リチウム、はう酸カリウム、はう酸ナトリウム、硫酸
ナトリウム等の無機塩、酢酸リチウム、酢酸カリウム、
酢酸ナトリウム、くえん酸リチウム、くえん酸カリウム
、くえん酸ナトリウム、酒石酸リチウム、酒石酸カリウ
ム、酒石酸ナトリウム、乳酸リチウム、乳酸カリウム、
乳酸ナトリウム、しゆう酸リチウム、しゆう酸カリウム
、しゆう酸ナトリウム、ステアリン酸リチウム、ステア
リン酸カリウム、ステアリン酸ナトリウム等有機塩−f
ill又は2 ff11以上を用いることができる。尚
、このアルカリ金属イオンは錯化剤成分とともに加えら
れることがある(各実施例参照)。
めっき浴における第2リン析出促進剤としてのアルカリ
金属イオンの量は、第1リン析出促進剤を共存させない
場合において、ニッケルイオンに対するll1O1比で
1:0.50(ニッケルイオン:アルカリ金属イオン:
以下同じ)以上であることが好ましい。1 : 0.5
0未満になると、非磁性のN1−P合金が得られない(
第1表の比較例7参照)。
金属イオンの量は、第1リン析出促進剤を共存させない
場合において、ニッケルイオンに対するll1O1比で
1:0.50(ニッケルイオン:アルカリ金属イオン:
以下同じ)以上であることが好ましい。1 : 0.5
0未満になると、非磁性のN1−P合金が得られない(
第1表の比較例7参照)。
■第1リン析出促進剤
第1リン析出促進剤には、既述の公報に示されているC
+aHISN 2 N a 307 (以下、HE
DTA)を用いることができ。
+aHISN 2 N a 307 (以下、HE
DTA)を用いることができ。
更には、この発明を検討するうちに、第1リン析出促進
剤として、他のアミン類も作用することが見い出された
。
剤として、他のアミン類も作用することが見い出された
。
第1リン析出促進剤に適用できるアミン類として、ED
TA、ニトリロ酢酸、アミノ酢酸、ジエチレントリアミ
ン・トリ酢酸、ジエチレントリアミン・ペンタ酢酸、イ
ミノジ酢酸、シクロヘキシレンジアミン・テトラ酢酸を
挙げることができる。尚、これらのアミン類は、単体若
しくはこれらのアルカリ金属塩のかたちで、めっき浴へ
添加される。
TA、ニトリロ酢酸、アミノ酢酸、ジエチレントリアミ
ン・トリ酢酸、ジエチレントリアミン・ペンタ酢酸、イ
ミノジ酢酸、シクロヘキシレンジアミン・テトラ酢酸を
挙げることができる。尚、これらのアミン類は、単体若
しくはこれらのアルカリ金属塩のかたちで、めっき浴へ
添加される。
既述の公報に示されたもの以外の第1リン析出促進剤と
第2リン析出促進剤は、ニッケルイオンの錯化剤が通常
量のめつき浴の場合−非晶質N1−P合金は加熱により
磁性体へ変性する(第3表の比較例A−G参照)−にも
、適用される。
第2リン析出促進剤は、ニッケルイオンの錯化剤が通常
量のめつき浴の場合−非晶質N1−P合金は加熱により
磁性体へ変性する(第3表の比較例A−G参照)−にも
、適用される。
これら第2リン析出促進剤と■第1リン析出促進剤は、
第2リン析出促進剤の一方、若しくは両方がめつき浴へ
加えられる。
第2リン析出促進剤の一方、若しくは両方がめつき浴へ
加えられる。
■その他の薬剤
その他のめつき浴に含まれる薬剤としては、−殻内な希
硫酸、希塩酸及びアンモニア等のpH調整剤(これによ
り、めっき浴のpHは5.0〜5.2に調整される)、
無機酸、有機酸とそのアルカリ塩等の解離定数の小さい
成分等のpH緩衝剤、サッカリンナトリウム等の応力I
H&剤等が挙げられる。
硫酸、希塩酸及びアンモニア等のpH調整剤(これによ
り、めっき浴のpHは5.0〜5.2に調整される)、
無機酸、有機酸とそのアルカリ塩等の解離定数の小さい
成分等のpH緩衝剤、サッカリンナトリウム等の応力I
H&剤等が挙げられる。
次に、第2の発明の非晶質N i −P合金を形成する
ためのめつき浴について説明をする。
ためのめつき浴について説明をする。
このめっき浴は、既述の第1の発明のめつき浴へ、更に
元素周期律表のIVa族又はVr a族の金属が溶存さ
れているものである。
元素周期律表のIVa族又はVr a族の金属が溶存さ
れているものである。
IV a 族の金属の中ではジルコニウム、■a族の金
属の中ではクロムが好ましい。これらの金属は、塩化ジ
ルコニウム、オキシ塩化ジルコニウム。
属の中ではクロムが好ましい。これらの金属は、塩化ジ
ルコニウム、オキシ塩化ジルコニウム。
硫酸ジルコニウム、オキシ硫酸ジルコニウム、及び硫酸
クロム、塩化クロム、硫酸カリウムクロム、酢酸クロム
、硝酸クロム、硫酸クロムアンモニウム、臭化クロム等
のかたちでめっき浴へ添加される。
クロム、塩化クロム、硫酸カリウムクロム、酢酸クロム
、硝酸クロム、硫酸クロムアンモニウム、臭化クロム等
のかたちでめっき浴へ添加される。
該金属の添加量は、ニッケルイオンに対するm。
l比で、1:0.15(ニッケルイオン:該金属;以下
同じ)以上である。1:0.15未満では、耐食性に劣
るので好ましくない(第2表の比較例9参照)。また、
本発明者の検討によれば、1:1.20を超えて添加す
る必要はない。
同じ)以上である。1:0.15未満では、耐食性に劣
るので好ましくない(第2表の比較例9参照)。また、
本発明者の検討によれば、1:1.20を超えて添加す
る必要はない。
上記各めっき浴を用いて、−数的な作業により、無電解
めっきを行なう。尚、被めっき材は、讃材その他の金属
、セラミックス、半導体、プラスチック等特に限定され
ないが、金属以外の場合には、前処理(エツチングや触
媒層の形成等)が必要となる。
めっきを行なう。尚、被めっき材は、讃材その他の金属
、セラミックス、半導体、プラスチック等特に限定され
ないが、金属以外の場合には、前処理(エツチングや触
媒層の形成等)が必要となる。
〈発明の効果〉
以上説明した第1の発明の非晶質N i −P合金は、
600℃で加熱されても、非磁性状態を維持できる。こ
れにより、エレクトロニクスの分野(例えば、■導体回
路の形成、■導体回路やコネクタ一部表面の保護皮膜と
して、■磁気ヘッド、ロータリーエンコーダの摺動表面
層として、開閉器の接点部の表面強化層など)に利用可
能となる。
600℃で加熱されても、非磁性状態を維持できる。こ
れにより、エレクトロニクスの分野(例えば、■導体回
路の形成、■導体回路やコネクタ一部表面の保護皮膜と
して、■磁気ヘッド、ロータリーエンコーダの摺動表面
層として、開閉器の接点部の表面強化層など)に利用可
能となる。
そして、この非晶質N i −P合金は無電解めっきに
より製造されるので、均質で均一厚みに形成できZ安価
であるという効果もある。
より製造されるので、均質で均一厚みに形成できZ安価
であるという効果もある。
尚、この発明の非晶質N i −P合金を600℃で加
熱しても、これが非磁性状態を維持していることは、当
該N1−P合金が、600℃で加熱されても非晶質を維
持可能なことを、推定させる。
熱しても、これが非磁性状態を維持していることは、当
該N1−P合金が、600℃で加熱されても非晶質を維
持可能なことを、推定させる。
600℃以下の温度(例えば270℃)で加熱したとき
にも、非晶質N i −P合金の自己発熱反応のため、
非晶質N i −P合金は当該加熱温度以上に昇温され
ると考えられる。
にも、非晶質N i −P合金の自己発熱反応のため、
非晶質N i −P合金は当該加熱温度以上に昇温され
ると考えられる。
第2の発明の非晶質N i −P合金は、上記第1の発
明の非晶質N i −P合金の効果に加えて、硝酸(6
9,8%)に対する耐食性を有する。
明の非晶質N i −P合金の効果に加えて、硝酸(6
9,8%)に対する耐食性を有する。
この明細書において、「硝酸(69,8%)に対する耐
食性を有する」とは、10μmの厚さの非晶質N1−P
合金層を硝酸(89,8%)へ14時間以上浸したとき
、当該合金層が消失しないことをいう。
食性を有する」とは、10μmの厚さの非晶質N1−P
合金層を硝酸(89,8%)へ14時間以上浸したとき
、当該合金層が消失しないことをいう。
尚、硝酸(Ii9.8%)に対する耐食性を有すること
は、この第2の発明の非晶質N i −P合金が、通常
のN1−P合金以上の耐食性を有することを示す。通常
はIN〜2N塩酸に対する耐食性が検討される。また、
本発明者の検討により、濃塩酸(35%)に対する耐食
性も確認されている。
は、この第2の発明の非晶質N i −P合金が、通常
のN1−P合金以上の耐食性を有することを示す。通常
はIN〜2N塩酸に対する耐食性が検討される。また、
本発明者の検討により、濃塩酸(35%)に対する耐食
性も確認されている。
かかる耐食性の向上に伴ない、第2の発明の非晶質N
i −P合金では耐摩耗性も向上していると推定される
。
i −P合金では耐摩耗性も向上していると推定される
。
〈実施例〉
以下、上記効果を確認するための実施例について説明を
する。
する。
第1の発明
実施例用のめつき浴及び比較例用のめつき浴は、それぞ
れ第1表に示す成分を含有している。
れ第1表に示す成分を含有している。
このようなめつき浴(90℃)を用いて、無電解めっき
により20μmX5cmX5cmの銅箔の両面へ、10
μmの厚さの非晶質N1−P合金層を形成した。比較例
8は、75μmX1.2cmX O,55c mのステ
ンレス鋼(SUS304)である(銅箔と略同じ重量と
しである)。
により20μmX5cmX5cmの銅箔の両面へ、10
μmの厚さの非晶質N1−P合金層を形成した。比較例
8は、75μmX1.2cmX O,55c mのステ
ンレス鋼(SUS304)である(銅箔と略同じ重量と
しである)。
磁性感応試験は、上記により得られた試験片1を第1図
の如く、曲率半径が略0.25cmの支持台3に裁置し
、Sm−Co磁石5を試験片1の端部へ水平方向と垂直
方向の両方向から接近させて、試験片1が動くかどうか
を目視により判断した(磁性感応試験I)。試験片が動
いた場合をX、かすかに動く場合を△、動かない場合を
◎とした。結果を第1表に示す。
の如く、曲率半径が略0.25cmの支持台3に裁置し
、Sm−Co磁石5を試験片1の端部へ水平方向と垂直
方向の両方向から接近させて、試験片1が動くかどうか
を目視により判断した(磁性感応試験I)。試験片が動
いた場合をX、かすかに動く場合を△、動かない場合を
◎とした。結果を第1表に示す。
尚、磁石5は、(BH)max=22NG・Oe1外形
6φX高さ5mm:3000Gaussのものを5個直
列に重ねて、棒状にしたものである更に磁石5を除去し
た後、磁針を、磁石5を接近させた試験片1の端部へ、
接近させる。そして、残留磁気で磁針が振れるかどうか
を目視により判断した(磁性感応試験I+ ) 、、磁
針が振れた場合を×1振れない場合を◎とした。結果を
81表に示す。
6φX高さ5mm:3000Gaussのものを5個直
列に重ねて、棒状にしたものである更に磁石5を除去し
た後、磁針を、磁石5を接近させた試験片1の端部へ、
接近させる。そして、残留磁気で磁針が振れるかどうか
を目視により判断した(磁性感応試験I+ ) 、、磁
針が振れた場合を×1振れない場合を◎とした。結果を
81表に示す。
この非晶質N1−P合金層は、実施例用のめつき浴から
形成されたもの、及び比較例1〜7用のめつぎ浴から形
成されたものを問わず、加熱前のものは、非磁性を示し
た。
形成されたもの、及び比較例1〜7用のめつぎ浴から形
成されたものを問わず、加熱前のものは、非磁性を示し
た。
その後、各試験片を600℃で10分加熱し、上記磁性
感応試験Iを繰り返した。同様に結果を第1表に示す。
感応試験Iを繰り返した。同様に結果を第1表に示す。
実施例の非晶質N1−P合金層では、加熱前、加熱後と
もに非磁性を示したのに対し、加熱後の第4.5比較例
では常磁性を、残りの比較例は全部が硬磁性を示した。
もに非磁性を示したのに対し、加熱後の第4.5比較例
では常磁性を、残りの比較例は全部が硬磁性を示した。
次に、第2表の各実施例9〜12に示した成分を含有
しためつき浴を用いて、20μmx5cmx5cmの銅
箔の両面へ、10μmの厚さの非晶質N1−P合金層を
形成した(第2の発明)。
しためつき浴を用いて、20μmx5cmx5cmの銅
箔の両面へ、10μmの厚さの非晶質N1−P合金層を
形成した(第2の発明)。
これについては、上記磁性感応試験の他に、下記耐食性
試験を、加熱前後において行なった。
試験を、加熱前後において行なった。
この耐食性試験は、試験片1を濃塩酸又は濃硝酸へ浸し
、試験片1が消失するかどうかを目視により判定した。
、試験片1が消失するかどうかを目視により判定した。
消失した時間を第2表に示す。尚、表中の1は表中の時
間を経過してもN1−P合金が消失しないことを指す。
間を経過してもN1−P合金が消失しないことを指す。
第2表の結果から、第8〜11実施例では、好適な耐食
性を示すことがわかる。
性を示すことがわかる。
第3表に示す検討例A−Gは、この発明には含まれない
が、従来公報(特開昭60−248882号公報)に記
載されたものとは異なるめっき浴により製造されたにも
かかわらず、加熱前においては、非磁性を示した。よっ
て、検討例A−GのN1−P合金は非晶質であることが
推定される。
が、従来公報(特開昭60−248882号公報)に記
載されたものとは異なるめっき浴により製造されたにも
かかわらず、加熱前においては、非磁性を示した。よっ
て、検討例A−GのN1−P合金は非晶質であることが
推定される。
尚、めっき条件は第1表と同じである。
第1図は、磁性感応試験Iの方法を示す斜視図である。
l・・・試験片、
5・・・磁石。
特 許 出 願 人
Claims (1)
- (1)600℃で加熱した後も、非磁性状態を維持し、 下記成分(ア)又は(イ)を含んだめつき浴であつて、
錯化剤の内のくえん酸成分が、ニッケルイオンに対する
mol比で1:8.0〜1:10.0(ニッケルイオン
:C_6H_5O_7)含まれているもの、またはそれ
に相当する量の他の錯化剤が含まれているものを用いて
、 無電解めつきにより製造される 非晶質Ni−P合金: (ア)ニッケルイオン ニッケルイオンの還元剤 ニッケルイオンの錯化剤 pH調整剤 第2リン析出促進剤。 (イ)ニッケルイオン ニッケルイオンの還元剤 ニッケルイオンの錯化剤 pH調整剤 第1リン析出促進剤及び第2リン析出促進剤(2)60
0℃で加熱した後も、非磁性状態を維持するとともに、 硝酸(69.8%)に対する耐食性を備え、下記成分(
ア)又は(イ)を含んだめつき浴であつて、錯化剤の内
のくえん酸成分が、ニッケルイオンに対するmol比で
1:8.0〜1:10.0(ニッケルイオン:C_6H
_5O_7)含まれ、またはそれに相当する量の他の錯
化剤が含まれるとともに、元素周期律表のIVa族又はV
Ia族の金属が、ニッケルイオンに対するmol比で1
:0.15(ニッケルイオン:該金属)以上溶存してい
るものを用いて、 無電解めつきにより製造される 非晶質Ni−P合金; (ア)ニッケルイオン ニッケルイオンの還元剤 ニッケルイオンの錯化剤 pH調整剤 第2リン析出促進剤。 (イ)ニッケルイオン ニッケルイオンの還元剤 ニッケルイオンの錯化剤 pH調整剤 第1リン析出促進剤及び第2リン析出促進剤
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28119687A JPH01123079A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 非晶質Ni−P合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28119687A JPH01123079A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 非晶質Ni−P合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123079A true JPH01123079A (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=17635684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28119687A Pending JPH01123079A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 非晶質Ni−P合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01123079A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02225676A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-07 | Nec Corp | 無電解めっき浴 |
| AU747666B2 (en) * | 1999-02-24 | 2002-05-16 | Hachiyo Engineering Co., Ltd. | Heat pump system of combination of ammonia cycle and carbon dioxide cycle |
| JP2004124261A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Enthone Inc | 金属の無電解析出法 |
| CN100429698C (zh) * | 2004-11-30 | 2008-10-29 | 富士通株式会社 | 形成NiP非磁性膜的方法和使用该膜制造磁头的方法 |
| CN104152879A (zh) * | 2014-08-26 | 2014-11-19 | 安捷利电子科技(苏州)有限公司 | 一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法 |
| CN107523816A (zh) * | 2017-08-23 | 2017-12-29 | 广东光华科技股份有限公司 | 化学镀镍磷镀液 |
| CN114438481A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-05-06 | 四川轻化工大学 | 非晶态镍磷合金镀层及其制备方法 |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP28119687A patent/JPH01123079A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02225676A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-07 | Nec Corp | 無電解めっき浴 |
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| CN100429698C (zh) * | 2004-11-30 | 2008-10-29 | 富士通株式会社 | 形成NiP非磁性膜的方法和使用该膜制造磁头的方法 |
| CN104152879A (zh) * | 2014-08-26 | 2014-11-19 | 安捷利电子科技(苏州)有限公司 | 一种镀有阻性材料的铜箔的制造方法 |
| CN107523816A (zh) * | 2017-08-23 | 2017-12-29 | 广东光华科技股份有限公司 | 化学镀镍磷镀液 |
| CN114438481A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-05-06 | 四川轻化工大学 | 非晶态镍磷合金镀层及其制备方法 |
| CN114438481B (zh) * | 2022-01-24 | 2023-07-07 | 四川轻化工大学 | 非晶态镍磷合金镀层及其制备方法 |
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