JPH0428788B2 - - Google Patents
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- JPH0428788B2 JPH0428788B2 JP31319589A JP31319589A JPH0428788B2 JP H0428788 B2 JPH0428788 B2 JP H0428788B2 JP 31319589 A JP31319589 A JP 31319589A JP 31319589 A JP31319589 A JP 31319589A JP H0428788 B2 JPH0428788 B2 JP H0428788B2
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 27
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 24
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 15
- JUWOETZNAMLKMG-UHFFFAOYSA-N [P].[Ni].[Cu] Chemical compound [P].[Ni].[Cu] JUWOETZNAMLKMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017888 Cu—P Inorganic materials 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 NiCl 2 and 6H 2 O Chemical class 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 3
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 3
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 2
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical class O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気デイスク、磁気ドラム等の磁気記
録体の非磁性被膜等として好適に用いられるニツ
ケル−銅−リン無電解めつき被膜からなる非磁性
被膜に関する。 〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕 従来、磁気デイスク等の磁気記録体を製造する
場合、アルミニウム等の非磁性基体上に非磁性被
膜を形成し、更にその上に磁性被膜を形成するこ
とが行なわれており、非磁性被膜としては比較的
リン含量の高いニツケル−リン（Ni−Ｐ）無電
解めつき被膜が広く用いられている。 このNi−Ｐ無電解めつき被膜は、次亜リン酸
塩を還元剤とする無電解ニツケルめつき液から析
出されることにより得られるもので、析出した状
態、或いはこれを室温下に保持したままの状態に
おいては非磁性であるが、このNi−Ｐ無電解め
つき被膜を200〜300℃以上に加熱すると磁性を帯
びる問題がある。従つて、磁気記録体の製造にお
いて、無電解ニツケルめつき液から析出された非
磁性のNi−Ｐ被膜がその後室温下にずつと保持
されるか、或いは加熱されるとして200℃以下、
でき得れば100℃以下の温度に加熱されるなら大
きな支障はないが、磁気記録体を製造する場合、
磁性被膜を形成するなどのためにスパツタリング
法を採用することが多く、このため非磁性のNi
−Ｐ無電解めつき被膜は200℃以上の高温に曝さ
れ、磁性を帯びて磁気記録体の性能を損なう問題
が生じる。それ故、Ni−Ｐ無電解めつき被膜の
リン含有量を10％以上として磁性化をできるだけ
防止する対策も講じられているが、10％以上の高
リン含有量のNi−Ｐ無電解めつき被膜も、磁化
の程度が低リン含有量の被膜よりも小さいとして
も上記温度で同様に磁化されることに変わりはな
く、しかも10％以上の高リン含有量のNi−Ｐ無
電解めつき被膜を安定して得ることは困難であ
る。 また従来、磁気記録体の非磁性被膜として突起
物の生成を少なくする目的でNi−Cu−Ｐ無電解
めつき被膜を形成することは知られている（特開
昭56−51024号公報）が、この公報に記載された
Ni−Cu−Ｐ被膜の銅含有量は65％より高く、ま
たこのように銅含有量が高いのでめつきが実質的
に進行しないものである（実施例１）か、又は銅
含有量が１％以下のもの（実施例２）であり、後
述する実験の結果からも明らかなように、銅含有
量が65％より多いものは加熱した際に被膜が酸化
し易く、密着性にも問題があつて、200℃以上の
高温に曝す場合には実用的でなく、また銅含有量
が１％以下の場合には加熱により磁性を帯びるも
ので、従来Ni−Cu−Ｐ無電解めつき皮膜は、例
えば特開昭56−124118号公報で加熱により磁性が
発生する非磁性基板に分類されているように、加
熱により磁性が生じるとされていたもである。 〔課題を解決するための手段及び作用〕 本発明者らは、上記事情に鑑み、高温下に曝さ
れても磁化されることがなく、非磁性状態に安定
して保持される非磁性被膜につき鋭意研究を行な
つた結果、銅含有量が30〜55％（重量％、以下同
じ）、リン含有量が４〜10％のニツケル−銅−リ
ン（Ni−Cu−Ｐ）無電解めつき被膜が400℃で１
時間熱処理されても磁性を全く帯びることがな
く、めつき液から析出されたままの被膜と同じ非
磁性状態を保持し、またこのように熱処理しても
密着性が保持さることを知見したもので、かかる
銅含有量が30〜55％でリン含有量が４〜10％の
Ni−Cu−Ｐ無電解めつき被膜からなる非磁性被
膜が200℃以上、特に300℃以上に加熱されても全
く磁化されることがないということは本発明者ら
の新知見である。 以下、本発明につき更に詳しく説明する。 本発明の非磁性被膜は、Ni−Cu−Ｐ無電解め
つき被膜からなるものである。 ここで、本発明においてNi−Cu−Ｐ被膜は銅
含有量が30〜55％であることが必要であり、銅含
有量が30〜55％のNi−Cu−Ｐ被膜を形成するこ
とにより、加熱しても磁化されることのない非磁
性被膜が得られるものである。これに対し、銅含
有量が30％より低いもの、とりわけ10％より低い
ものは加熱により磁化され易く、本発明の目的が
達成されない。また、銅含有量が55％より多いも
の、とりわけ65％より多いものは加熱した際に被
膜が酸化し易く、密着性にも問題があり、均質な
被膜が得られないため、非磁性被膜には使用し得
ない。なお、リンの含有量は４〜10％であり、特
に６〜８％とすることが好ましく、これにより良
好な非磁性被膜が得られる。 このようなNi−Cu−Ｐ無電解めつき被膜を得
るためのめつき液としては、NiSO4・6H2O、
NiCl2・6H2O等のニツケルの水溶性塩と、
CuSO4・5H2O、CuCl2・2H2O等の銅の水溶性塩
と、NaHPO2・H2O等の次亜リン酸塩と、錯化
剤と、更に必要によりPH調整剤、安定剤、その他
の添加剤を含有しためつき液が使用され得る。こ
の場合、ニツケルの水溶性塩の濃度は0.02〜0.2
モル／、銅の水溶性塩の濃度は0.002〜0.08モ
ル／、銅イオンのニツケルイオンに対するモル
比はニツケルイオン１モルに対し銅イオン0.1〜
0.4モル、特に0.2〜0.35モル、更に次亜リン酸塩
の濃度は0.1〜0.5モル／とすることが好まし
く、これにより本発明のNi−Cu−Ｐ被膜が確実
に形成される。なお、錯化剤としては、Ｏ−配位
のもの（例えば、酢酸、乳酸、クエン酸等の各種
有機酸、その塩）、Ｓ−配位のもの（例えば、チ
オグリコール酸、システイン）、Ｎ−配位のもの
（例えば、アンモニア、グリシン、エチレンジア
ミン）などが適宜使用され、その濃度は通常全金
属塩濃度に対し等モル以上である。また、めつき
液のPHは８〜12とし、温度40〜90℃においてめつ
きすることが好ましい。 本発明の非磁性被膜は、上述したように銅含有
量が30〜55％、リン含有量が４〜10％のNi−Cu
−Ｐ被膜からなるもので、200℃以上に加熱して
も非磁性被膜が全く磁化せず、したがつてこの非
磁性被膜上に磁性被膜等の適宜な被膜を形成する
際、スパツタリング法を採用するなど、非磁性被
膜（前記Ni−Cu−Ｐ被膜）の形成以後に200℃以
上、更には300℃以上の雰囲気となる工程、製造
法を有効に採用することができる。また、200℃
以上の雰囲気下で使用する用途にも有効に用いら
れる。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明の非磁性被膜は、
銅含有量が30〜55％、リン含有量が４〜10％の
Ni−Cu−Ｐ無電解めつき被膜からなるので、こ
の被膜が200℃以上に加熱されても全く磁化され
ず、良好な非磁性状態を保持するものである。 以下、実施例により本発明非磁性被膜の効果を
具体的に説明する。 実施例 １ 硫酸ニツケル 0.05モル／ 硫酸銅 0.02 〃 次亜リン酸ナトリウム 0.3 〃 クエン酸ナトリウム 0.2 〃 ホウ砂 0.05 〃 安定剤 1ppm PH 10 浴温 70℃ 上記組成の無電解めつき液に常法により前処理
された銅板を浸漬し、10μｍのNi−Cu−Ｐ無電解
めつき被膜を形成した。なお、この被膜組成は
Ni46％、Cu49％、P5％であつた。 次に、この被膜を種々の温度で１時間熱処理
し、磁化の程度を調べた。 また、比較のため、リン含有量８％、９％及び
13％のNi−Ｐ無電解めつき被膜を同様に熱処理
した場合の磁化の程度を調べた。 結果を第１図に示す。なお、第１図において、
Ａは本発明のNi−Cu−Ｐ被膜、Ｂ、Ｃ、Ｄはそ
れぞれリン含量８％、９％、13％のNi−Ｐ被膜
を示す。 第１図の結果より、本発明のNi−Cu−Ｐ被膜
は400℃で１時間熱処理されても全く磁化されて
いないことが認められる。 実施例 ２ 硫酸ニツケル 0.05モル／ 硫酸銅 0.002〜0.01 〃 次亜リン酸ナトリウム 0.3 〃 クエン酸ナトリウム 0.2 〃 ホウ砂 0.05 〃 安定剤 1ppm PH 10 浴温 70℃ 上記組成の無電解めつき液に常法により前処理
された銅板を浸漬し、20μｍの第１表に示す組成
のNi−Cu−Ｐ無電解めつき被膜を形成した。 次に、この被膜を種々の温度で１時間熱処理
し、磁化の程度を調べた。 結果を第２図に示す。
録体の非磁性被膜等として好適に用いられるニツ
ケル−銅−リン無電解めつき被膜からなる非磁性
被膜に関する。 〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕 従来、磁気デイスク等の磁気記録体を製造する
場合、アルミニウム等の非磁性基体上に非磁性被
膜を形成し、更にその上に磁性被膜を形成するこ
とが行なわれており、非磁性被膜としては比較的
リン含量の高いニツケル−リン（Ni−Ｐ）無電
解めつき被膜が広く用いられている。 このNi−Ｐ無電解めつき被膜は、次亜リン酸
塩を還元剤とする無電解ニツケルめつき液から析
出されることにより得られるもので、析出した状
態、或いはこれを室温下に保持したままの状態に
おいては非磁性であるが、このNi−Ｐ無電解め
つき被膜を200〜300℃以上に加熱すると磁性を帯
びる問題がある。従つて、磁気記録体の製造にお
いて、無電解ニツケルめつき液から析出された非
磁性のNi−Ｐ被膜がその後室温下にずつと保持
されるか、或いは加熱されるとして200℃以下、
でき得れば100℃以下の温度に加熱されるなら大
きな支障はないが、磁気記録体を製造する場合、
磁性被膜を形成するなどのためにスパツタリング
法を採用することが多く、このため非磁性のNi
−Ｐ無電解めつき被膜は200℃以上の高温に曝さ
れ、磁性を帯びて磁気記録体の性能を損なう問題
が生じる。それ故、Ni−Ｐ無電解めつき被膜の
リン含有量を10％以上として磁性化をできるだけ
防止する対策も講じられているが、10％以上の高
リン含有量のNi−Ｐ無電解めつき被膜も、磁化
の程度が低リン含有量の被膜よりも小さいとして
も上記温度で同様に磁化されることに変わりはな
く、しかも10％以上の高リン含有量のNi−Ｐ無
電解めつき被膜を安定して得ることは困難であ
る。 また従来、磁気記録体の非磁性被膜として突起
物の生成を少なくする目的でNi−Cu−Ｐ無電解
めつき被膜を形成することは知られている（特開
昭56−51024号公報）が、この公報に記載された
Ni−Cu−Ｐ被膜の銅含有量は65％より高く、ま
たこのように銅含有量が高いのでめつきが実質的
に進行しないものである（実施例１）か、又は銅
含有量が１％以下のもの（実施例２）であり、後
述する実験の結果からも明らかなように、銅含有
量が65％より多いものは加熱した際に被膜が酸化
し易く、密着性にも問題があつて、200℃以上の
高温に曝す場合には実用的でなく、また銅含有量
が１％以下の場合には加熱により磁性を帯びるも
ので、従来Ni−Cu−Ｐ無電解めつき皮膜は、例
えば特開昭56−124118号公報で加熱により磁性が
発生する非磁性基板に分類されているように、加
熱により磁性が生じるとされていたもである。 〔課題を解決するための手段及び作用〕 本発明者らは、上記事情に鑑み、高温下に曝さ
れても磁化されることがなく、非磁性状態に安定
して保持される非磁性被膜につき鋭意研究を行な
つた結果、銅含有量が30〜55％（重量％、以下同
じ）、リン含有量が４〜10％のニツケル−銅−リ
ン（Ni−Cu−Ｐ）無電解めつき被膜が400℃で１
時間熱処理されても磁性を全く帯びることがな
く、めつき液から析出されたままの被膜と同じ非
磁性状態を保持し、またこのように熱処理しても
密着性が保持さることを知見したもので、かかる
銅含有量が30〜55％でリン含有量が４〜10％の
Ni−Cu−Ｐ無電解めつき被膜からなる非磁性被
膜が200℃以上、特に300℃以上に加熱されても全
く磁化されることがないということは本発明者ら
の新知見である。 以下、本発明につき更に詳しく説明する。 本発明の非磁性被膜は、Ni−Cu−Ｐ無電解め
つき被膜からなるものである。 ここで、本発明においてNi−Cu−Ｐ被膜は銅
含有量が30〜55％であることが必要であり、銅含
有量が30〜55％のNi−Cu−Ｐ被膜を形成するこ
とにより、加熱しても磁化されることのない非磁
性被膜が得られるものである。これに対し、銅含
有量が30％より低いもの、とりわけ10％より低い
ものは加熱により磁化され易く、本発明の目的が
達成されない。また、銅含有量が55％より多いも
の、とりわけ65％より多いものは加熱した際に被
膜が酸化し易く、密着性にも問題があり、均質な
被膜が得られないため、非磁性被膜には使用し得
ない。なお、リンの含有量は４〜10％であり、特
に６〜８％とすることが好ましく、これにより良
好な非磁性被膜が得られる。 このようなNi−Cu−Ｐ無電解めつき被膜を得
るためのめつき液としては、NiSO4・6H2O、
NiCl2・6H2O等のニツケルの水溶性塩と、
CuSO4・5H2O、CuCl2・2H2O等の銅の水溶性塩
と、NaHPO2・H2O等の次亜リン酸塩と、錯化
剤と、更に必要によりPH調整剤、安定剤、その他
の添加剤を含有しためつき液が使用され得る。こ
の場合、ニツケルの水溶性塩の濃度は0.02〜0.2
モル／、銅の水溶性塩の濃度は0.002〜0.08モ
ル／、銅イオンのニツケルイオンに対するモル
比はニツケルイオン１モルに対し銅イオン0.1〜
0.4モル、特に0.2〜0.35モル、更に次亜リン酸塩
の濃度は0.1〜0.5モル／とすることが好まし
く、これにより本発明のNi−Cu−Ｐ被膜が確実
に形成される。なお、錯化剤としては、Ｏ−配位
のもの（例えば、酢酸、乳酸、クエン酸等の各種
有機酸、その塩）、Ｓ−配位のもの（例えば、チ
オグリコール酸、システイン）、Ｎ−配位のもの
（例えば、アンモニア、グリシン、エチレンジア
ミン）などが適宜使用され、その濃度は通常全金
属塩濃度に対し等モル以上である。また、めつき
液のPHは８〜12とし、温度40〜90℃においてめつ
きすることが好ましい。 本発明の非磁性被膜は、上述したように銅含有
量が30〜55％、リン含有量が４〜10％のNi−Cu
−Ｐ被膜からなるもので、200℃以上に加熱して
も非磁性被膜が全く磁化せず、したがつてこの非
磁性被膜上に磁性被膜等の適宜な被膜を形成する
際、スパツタリング法を採用するなど、非磁性被
膜（前記Ni−Cu−Ｐ被膜）の形成以後に200℃以
上、更には300℃以上の雰囲気となる工程、製造
法を有効に採用することができる。また、200℃
以上の雰囲気下で使用する用途にも有効に用いら
れる。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明の非磁性被膜は、
銅含有量が30〜55％、リン含有量が４〜10％の
Ni−Cu−Ｐ無電解めつき被膜からなるので、こ
の被膜が200℃以上に加熱されても全く磁化され
ず、良好な非磁性状態を保持するものである。 以下、実施例により本発明非磁性被膜の効果を
具体的に説明する。 実施例 １ 硫酸ニツケル 0.05モル／ 硫酸銅 0.02 〃 次亜リン酸ナトリウム 0.3 〃 クエン酸ナトリウム 0.2 〃 ホウ砂 0.05 〃 安定剤 1ppm PH 10 浴温 70℃ 上記組成の無電解めつき液に常法により前処理
された銅板を浸漬し、10μｍのNi−Cu−Ｐ無電解
めつき被膜を形成した。なお、この被膜組成は
Ni46％、Cu49％、P5％であつた。 次に、この被膜を種々の温度で１時間熱処理
し、磁化の程度を調べた。 また、比較のため、リン含有量８％、９％及び
13％のNi−Ｐ無電解めつき被膜を同様に熱処理
した場合の磁化の程度を調べた。 結果を第１図に示す。なお、第１図において、
Ａは本発明のNi−Cu−Ｐ被膜、Ｂ、Ｃ、Ｄはそ
れぞれリン含量８％、９％、13％のNi−Ｐ被膜
を示す。 第１図の結果より、本発明のNi−Cu−Ｐ被膜
は400℃で１時間熱処理されても全く磁化されて
いないことが認められる。 実施例 ２ 硫酸ニツケル 0.05モル／ 硫酸銅 0.002〜0.01 〃 次亜リン酸ナトリウム 0.3 〃 クエン酸ナトリウム 0.2 〃 ホウ砂 0.05 〃 安定剤 1ppm PH 10 浴温 70℃ 上記組成の無電解めつき液に常法により前処理
された銅板を浸漬し、20μｍの第１表に示す組成
のNi−Cu−Ｐ無電解めつき被膜を形成した。 次に、この被膜を種々の温度で１時間熱処理
し、磁化の程度を調べた。 結果を第２図に示す。
【表】
第１表、第２図の結果から明らかなように、
Ni−Cu−Ｐ無電解めつき被膜の銅含有量が30％
以上であると加熱により殆んど磁化されないこと
が認められる。 実施例 ３ 硫酸ニツケル 0.05モル／ 硫酸銅 0.005〜0.05 〃 次亜リン酸ナトリウム 0.3 〃 クエン酸ナトリウム 0.2 〃 ホウ砂 0.05 〃 安定剤 1ppm PH 10 浴温 70℃ 上記組成の無電解めつき液に常法により前処理
し、次いで亜鉛置換後、青化銅ストライクめつき
を施したアルミニウム板（直径5.25インチ＝13.3
cm）を浸漬し、20μｍの第２表に示す銅含有量の
Ni−Cu−Ｐ無電解めつき被膜を得た（なお、リ
ン含有量４〜８％）。 次に、この被膜を300℃で３時間熱処理し、ク
ラツクの有無を目視により観察し、密着性を評価
した。結果を第２表に示す。 なお、クラツクは長さが１mm以下のものでも確
認できたものはクラツクありとした。
Ni−Cu−Ｐ無電解めつき被膜の銅含有量が30％
以上であると加熱により殆んど磁化されないこと
が認められる。 実施例 ３ 硫酸ニツケル 0.05モル／ 硫酸銅 0.005〜0.05 〃 次亜リン酸ナトリウム 0.3 〃 クエン酸ナトリウム 0.2 〃 ホウ砂 0.05 〃 安定剤 1ppm PH 10 浴温 70℃ 上記組成の無電解めつき液に常法により前処理
し、次いで亜鉛置換後、青化銅ストライクめつき
を施したアルミニウム板（直径5.25インチ＝13.3
cm）を浸漬し、20μｍの第２表に示す銅含有量の
Ni−Cu−Ｐ無電解めつき被膜を得た（なお、リ
ン含有量４〜８％）。 次に、この被膜を300℃で３時間熱処理し、ク
ラツクの有無を目視により観察し、密着性を評価
した。結果を第２表に示す。 なお、クラツクは長さが１mm以下のものでも確
認できたものはクラツクありとした。
【表】
第２表の結果より、銅含有量が55％を越えると
クラツクが生じ、密着性上問題が生じるが、30〜
55％の銅含有量のNi−Cu−Ｐ無電解めつき被膜
は加熱によつてクラツクが生じることがなく、良
好な密着性が保持されることがわかる。 なお、銅含有量が55％を越える場合は被膜が酸
化する傾向を示し、特に銅含有量65％を越える場
合は熱処理による被膜の酸化がひどく、均質な被
膜が得られにくいことがわかつた。 従つて、以上の結果から明らかなように、銅含
有量が30％より少ないと加熱により磁化され易
く、一方銅含有量が55％より多いと加熱により被
膜が酸化され易いと共に、クラツクが生じ、密着
性に問題が生じるものであるが、銅含有量30〜55
％、リン含有量４〜10％のNi−Cu−Ｐ無電解め
つき被膜は、加熱により磁性を帯びることがな
く、しかも密着性に問題も生じることがなく、そ
れ故、本発明の非磁性被膜としてかかるNi−Cu
−Ｐ無電解めつき被膜を形成した後、高温雰囲気
に曝す必要がある用途に有効に使用される。
クラツクが生じ、密着性上問題が生じるが、30〜
55％の銅含有量のNi−Cu−Ｐ無電解めつき被膜
は加熱によつてクラツクが生じることがなく、良
好な密着性が保持されることがわかる。 なお、銅含有量が55％を越える場合は被膜が酸
化する傾向を示し、特に銅含有量65％を越える場
合は熱処理による被膜の酸化がひどく、均質な被
膜が得られにくいことがわかつた。 従つて、以上の結果から明らかなように、銅含
有量が30％より少ないと加熱により磁化され易
く、一方銅含有量が55％より多いと加熱により被
膜が酸化され易いと共に、クラツクが生じ、密着
性に問題が生じるものであるが、銅含有量30〜55
％、リン含有量４〜10％のNi−Cu−Ｐ無電解め
つき被膜は、加熱により磁性を帯びることがな
く、しかも密着性に問題も生じることがなく、そ
れ故、本発明の非磁性被膜としてかかるNi−Cu
−Ｐ無電解めつき被膜を形成した後、高温雰囲気
に曝す必要がある用途に有効に使用される。
第１図は本発明のNi−Cu−Ｐ被膜及び種々リ
ン含有量のNi−Ｐ被膜を熱処理した場合におけ
る磁化の程度を示すグラフ、第２図は種々の銅含
有量のNi−Cu−Ｐ被膜を熱処理した場合におけ
る磁化の程度を示すグラフである。
ン含有量のNi−Ｐ被膜を熱処理した場合におけ
る磁化の程度を示すグラフ、第２図は種々の銅含
有量のNi−Cu−Ｐ被膜を熱処理した場合におけ
る磁化の程度を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 銅含有量が30〜55重量％、リン含有量が４〜
10重量％のニツケル−銅−リン無電解めつき被膜
からなり、200℃以上の加熱によつても非磁性状
態を保持することを特徴とする非磁性被膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31319589A JPH02290978A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 非磁性被膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31319589A JPH02290978A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 非磁性被膜 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59116945A Division JPS60261022A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 磁気記録体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02290978A JPH02290978A (ja) | 1990-11-30 |
| JPH0428788B2 true JPH0428788B2 (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=18038249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31319589A Granted JPH02290978A (ja) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | 非磁性被膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02290978A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014148554A1 (ja) | 2013-03-19 | 2014-09-25 | 株式会社フジシールインターナショナル | シュリンクラベルおよびその製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6341420B1 (en) | 2000-08-02 | 2002-01-29 | Static Control Components, Inc. | Method of manufacturing a developer roller |
| JP4573445B2 (ja) * | 2001-02-16 | 2010-11-04 | 吉野電化工業株式会社 | 無電解銅メッキ液組成物及び無電解銅メッキ方法 |
| JP2005264214A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Tokyo Institute Of Technology | 磁性中空形状材料及びその製造方法 |
| JP6391331B2 (ja) * | 2014-07-07 | 2018-09-19 | 古河電気工業株式会社 | 磁気記録媒体用金属部材および磁気記録媒体 |
| CN113106431B (zh) * | 2021-04-27 | 2023-03-28 | 深圳市优讯佳电子科技有限公司 | 一种热辅助磁记录用存储介质及其制备方法 |
-
1989
- 1989-12-01 JP JP31319589A patent/JPH02290978A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014148554A1 (ja) | 2013-03-19 | 2014-09-25 | 株式会社フジシールインターナショナル | シュリンクラベルおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02290978A (ja) | 1990-11-30 |
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