JPH01123364U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH01123364U JPH01123364U JP1988020136U JP2013688U JPH01123364U JP H01123364 U JPH01123364 U JP H01123364U JP 1988020136 U JP1988020136 U JP 1988020136U JP 2013688 U JP2013688 U JP 2013688U JP H01123364 U JPH01123364 U JP H01123364U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity semiconductor
- semiconductor layer
- insulator layer
- layer formed
- mos capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例によるＭＯＳキヤ
パシタの断面図、第２図は従来のＭＯＳキヤパシ
タの断面図である。 図中、１は金属電極、２は第１の絶縁体層、３
は不純物半導体基板、４はトレンチ絶縁体層であ
る。なお、図中、同一符号は同一、または相当部
分を示す。
パシタの断面図、第２図は従来のＭＯＳキヤパシ
タの断面図である。 図中、１は金属電極、２は第１の絶縁体層、３
は不純物半導体基板、４はトレンチ絶縁体層であ
る。なお、図中、同一符号は同一、または相当部
分を示す。
Claims (1)
- 不純物半導体層の上部に形成される第１の絶縁
体層と、前記不純物半導体層を穿孔しこの穿孔を
充満するように形成される第２の絶縁体層と、上
記第１および第２の絶縁体層の上に、予め、位置
が変更できるように電極を形成することにより、
同一のマスクを用いて種々の容量を設定すること
が可能であることを特徴とするＭＯＳキヤパシタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988020136U JPH01123364U (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988020136U JPH01123364U (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123364U true JPH01123364U (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=31236250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988020136U Pending JPH01123364U (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01123364U (ja) |
-
1988
- 1988-02-17 JP JP1988020136U patent/JPH01123364U/ja active Pending