JPH01123452A - トレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法 - Google Patents
トレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法Info
- Publication number
- JPH01123452A JPH01123452A JP62281612A JP28161287A JPH01123452A JP H01123452 A JPH01123452 A JP H01123452A JP 62281612 A JP62281612 A JP 62281612A JP 28161287 A JP28161287 A JP 28161287A JP H01123452 A JPH01123452 A JP H01123452A
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- JP
- Japan
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- trench
- thermal oxidation
- insulating film
- upper corner
- oxide film
- Prior art date
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- Pending
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、トレンチが形成された半導体基板上に熱酸
化を施して絶縁膜を形成する、トレンチ・キャパシタ絶
縁膜の生成方法に関するものであり、特に、均一な酸化
膜の生成ができるとともに、酸化膜の耐圧性を向上させ
ることのできるトレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法
に関するものである。
化を施して絶縁膜を形成する、トレンチ・キャパシタ絶
縁膜の生成方法に関するものであり、特に、均一な酸化
膜の生成ができるとともに、酸化膜の耐圧性を向上させ
ることのできるトレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法
に関するものである。
［従来の技術］
第２Ａ図および第２Ｂ図は、従来のトレンチ・キャパシ
タ絶縁膜の生成方法を示す工程図であり、断面図で表わ
されている。
タ絶縁膜の生成方法を示す工程図であり、断面図で表わ
されている。
半導体基板たとえばシリコン基板１に、反応性イオンエ
ツチング（以下ＲＩＥという）を施し、トレンチを形成
する（第２Ａ図）。次いで、上記トレンチ２が形成され
た半導体基板１を熱酸化炉（図示せず）中に導入し、該
半導体基板１上に熱酸化を施し、絶縁酸化膜３を生成す
る（第２Ｂ図）〔発明が解決しようとする問題点コ 従来のトレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法は以上の
ような工程からなっている。しかしながら、シリコン基
板１に形成されたトレンチの熱酸化炉での酸化において
、トレンチ２の上方コーナ部２ａでは、圧縮応力の集中
により、酸化剤の供給が不充分になる。そのため、トレ
ンチ２の上方コーナ部２ａの酸化膜３の膜厚は薄くなる
。このように、酸化膜３が薄膜化すると、均一な膜厚の
酸化膜３が得られないばかりか、酸化膜３の耐圧性が低
下するという問題点があった。
ツチング（以下ＲＩＥという）を施し、トレンチを形成
する（第２Ａ図）。次いで、上記トレンチ２が形成され
た半導体基板１を熱酸化炉（図示せず）中に導入し、該
半導体基板１上に熱酸化を施し、絶縁酸化膜３を生成す
る（第２Ｂ図）〔発明が解決しようとする問題点コ 従来のトレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法は以上の
ような工程からなっている。しかしながら、シリコン基
板１に形成されたトレンチの熱酸化炉での酸化において
、トレンチ２の上方コーナ部２ａでは、圧縮応力の集中
により、酸化剤の供給が不充分になる。そのため、トレ
ンチ２の上方コーナ部２ａの酸化膜３の膜厚は薄くなる
。このように、酸化膜３が薄膜化すると、均一な膜厚の
酸化膜３が得られないばかりか、酸化膜３の耐圧性が低
下するという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、均一な酸化膜の生成かでべろとともに、酸化
膜の耐圧性を向上させることのできる、トレンチ・キャ
パシタ絶縁膜の生成方法を提供することを目的とする。
たもので、均一な酸化膜の生成かでべろとともに、酸化
膜の耐圧性を向上させることのできる、トレンチ・キャ
パシタ絶縁膜の生成方法を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ ′この発明
は、トレンチが形成された半導体基板上に熱酸化を施し
て絶縁膜を形成する、トレンチ・キャパシタ絶縁膜の生
成方法に係るものである。
は、トレンチが形成された半導体基板上に熱酸化を施し
て絶縁膜を形成する、トレンチ・キャパシタ絶縁膜の生
成方法に係るものである。
そして、上記熱酸化を施すに先立ち、上記トレンチの上
方コーナ部に酸素イオンを注入することを特徴とする。
方コーナ部に酸素イオンを注入することを特徴とする。
［作用］
トレンチが形成された半導体基板上に熱酸化を施すに先
立ち、該トレンチの上方ｂ−す部に酸素イオンを注入す
るので、このトレンチ上方コーナ部に注入された酸素イ
オンが、トレンチの上方コーナ部の熱酸化時における、
酸化剤の供給不足を補う。
立ち、該トレンチの上方ｂ−す部に酸素イオンを注入す
るので、このトレンチ上方コーナ部に注入された酸素イ
オンが、トレンチの上方コーナ部の熱酸化時における、
酸化剤の供給不足を補う。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１Ａ図およびｍ１８図は、この発明の一実施例である
トレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法の工程の断面図
である。
トレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法の工程の断面図
である。
半導体基板たとえばシリコン基板１に、ＲＩＥにより、
トレンチ２を形成する（第１Ａ図）。次いで、トレンチ
２およびトレンチ２近傍以外の部分を、選択的にレジス
ト４で覆う。次いで、このレジスト４をマスクにして、
酸素イオン５を斜め回転注入法により注入する。これに
より、トレンチ２の上方コーナ部２ａに酸素イオン５′
が注入される（第１Ｂ図）。
トレンチ２を形成する（第１Ａ図）。次いで、トレンチ
２およびトレンチ２近傍以外の部分を、選択的にレジス
ト４で覆う。次いで、このレジスト４をマスクにして、
酸素イオン５を斜め回転注入法により注入する。これに
より、トレンチ２の上方コーナ部２ａに酸素イオン５′
が注入される（第１Ｂ図）。
その後、レジスト４を除去し、熱酸化炉中でシリコン基
板１上に熱酸化を施し、酸化膜３を生成する。この際、
トレンチ２の上方コーナ部２ａに酸化剤である酸素イオ
ン５′が注入法により注入されているので、熱酸化炉中
で熱酸化を行なうにあたり、酸化膜３のトレンチの上方
コーナ部２ａの酸化膜３が薄膜化することなく、均一な
膜厚を有する酸化膜３を生成することができる（第１Ｃ
図）。これにより半導体装置の電気的性能が向上するば
かりか、酸化膜３の耐圧性も向上する。
板１上に熱酸化を施し、酸化膜３を生成する。この際、
トレンチ２の上方コーナ部２ａに酸化剤である酸素イオ
ン５′が注入法により注入されているので、熱酸化炉中
で熱酸化を行なうにあたり、酸化膜３のトレンチの上方
コーナ部２ａの酸化膜３が薄膜化することなく、均一な
膜厚を有する酸化膜３を生成することができる（第１Ｃ
図）。これにより半導体装置の電気的性能が向上するば
かりか、酸化膜３の耐圧性も向上する。
なお、上記実施例では半導体基板にシリコン半導体基板
を使用した場合について説明したが、この発明はこれに
限られるものでなく、Ｇａ−Ａｓ基板のような他の半導
体基板であっても・実施例と同様の効果を実現する。
を使用した場合について説明したが、この発明はこれに
限られるものでなく、Ｇａ−Ａｓ基板のような他の半導
体基板であっても・実施例と同様の効果を実現する。
また、上記実施例では、トレンチ２の上方コーナ部２ａ
に斜め回転注入法により酸素イオン５を注入する場合に
ついて説明したが、この発明はこれに限られるものでな
く、他の酸化方法であってもよい。
に斜め回転注入法により酸素イオン５を注入する場合に
ついて説明したが、この発明はこれに限られるものでな
く、他の酸化方法であってもよい。
［発明の効果］
以上説明したとおり、この発明に係るトレンチφキャパ
シタ絶縁膜の生成方法によれば、トレンチが形成された
半導体基板上に熱酸化を施すに先立ち、該トレンチの上
方コーナ部に酸素イオンを注入するようにしたので、こ
の注入された酸素イオンが、トレンチの上方コーナ部の
熱酸化時における、酸化剤の供給不足を補うように作用
する。
シタ絶縁膜の生成方法によれば、トレンチが形成された
半導体基板上に熱酸化を施すに先立ち、該トレンチの上
方コーナ部に酸素イオンを注入するようにしたので、こ
の注入された酸素イオンが、トレンチの上方コーナ部の
熱酸化時における、酸化剤の供給不足を補うように作用
する。
そのため、その後の熱酸化にあたり、抱−な膜厚の酸化
膜が得られるようになり、半導体装置の電気的性能が向
上する。また、酸化膜の耐圧性を向上させるという効果
を奏する。
膜が得られるようになり、半導体装置の電気的性能が向
上する。また、酸化膜の耐圧性を向上させるという効果
を奏する。
第１Ａ図、第１Ｂ図、第１Ｃ図はこの発明の一実施例に
よるトレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法を断面図で
表わした工程図である。第２Ａ図および第２Ｂ図は従来
のトレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法を断面図で表
わした工程図である。 図において、１はシリコン基板、２はトレンチ、３は酸
化膜、５は酸素イオン、５′は注入された酸素イオン、
２ａはトレンチの上方コーナ部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
よるトレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法を断面図で
表わした工程図である。第２Ａ図および第２Ｂ図は従来
のトレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法を断面図で表
わした工程図である。 図において、１はシリコン基板、２はトレンチ、３は酸
化膜、５は酸素イオン、５′は注入された酸素イオン、
２ａはトレンチの上方コーナ部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 トレンチが形成された半導体基板上に熱酸化を施して
絶縁膜を形成する、トレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成
方法において、 前記熱酸化を施すに先立ち、前記トレンチの上方コーナ
部に酸素イオンを注入することを特徴とするトレンチ・
キャパシタ絶縁膜の生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281612A JPH01123452A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | トレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281612A JPH01123452A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | トレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123452A true JPH01123452A (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=17641562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62281612A Pending JPH01123452A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | トレンチ・キャパシタ絶縁膜の生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01123452A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5955804A (en) * | 1997-03-10 | 1999-09-21 | Denso Corporation | Alternator winding arrangement with coil ends spaced apart from one another for air passage |
| CN108225182A (zh) * | 2018-01-08 | 2018-06-29 | 哈尔滨工程大学 | 基于分光瞳的反射式相移数字全息装置与方法 |
| CN114361010A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-04-15 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 半导体器件的制备方法 |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP62281612A patent/JPH01123452A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5955804A (en) * | 1997-03-10 | 1999-09-21 | Denso Corporation | Alternator winding arrangement with coil ends spaced apart from one another for air passage |
| US6166461A (en) * | 1997-03-10 | 2000-12-26 | Denso Corporation | Winding arrangement of alternator for vehicle |
| CN108225182A (zh) * | 2018-01-08 | 2018-06-29 | 哈尔滨工程大学 | 基于分光瞳的反射式相移数字全息装置与方法 |
| CN114361010A (zh) * | 2022-03-18 | 2022-04-15 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 半导体器件的制备方法 |
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