JPH0228929A - 多結晶シリコンの乾式エッチングを利用したｌｏｃｏｓ方法 - Google Patents
多結晶シリコンの乾式エッチングを利用したｌｏｃｏｓ方法Info
- Publication number
- JPH0228929A JPH0228929A JP1035968A JP3596889A JPH0228929A JP H0228929 A JPH0228929 A JP H0228929A JP 1035968 A JP1035968 A JP 1035968A JP 3596889 A JP3596889 A JP 3596889A JP H0228929 A JPH0228929 A JP H0228929A
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- oxide film
- polycrystalline silicon
- nitride film
- locos method
- dry etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＭＯＳ （Ｍｅｔａｌ ０ｘｉｄｅ Ｓｅｍ１
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（金属酸化物半導体））隔離酸化膜
工程技術として広く利用されるＬ ＯＧ ＯＳ （Ｌｏ
ｃａｌ ０ｘｉｄａｔｉｏｎｏｆ ５ｉｌｉｃｏｎ）方
法に係るもので、詳しくは隔離酸化膜を形成する場合に
窒化膜が隆起して鳥の口ばしの形状をなす烏口現象を除
去し得るようにした多結晶シリコンの乾式エツチングを
利用したＬＯＣＯＳ方法に関するものである。
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（金属酸化物半導体））隔離酸化膜
工程技術として広く利用されるＬ ＯＧ ＯＳ （Ｌｏ
ｃａｌ ０ｘｉｄａｔｉｏｎｏｆ ５ｉｌｉｃｏｎ）方
法に係るもので、詳しくは隔離酸化膜を形成する場合に
窒化膜が隆起して鳥の口ばしの形状をなす烏口現象を除
去し得るようにした多結晶シリコンの乾式エツチングを
利用したＬＯＣＯＳ方法に関するものである。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕従来の
ＬＯＣＯＳ方法は、第２図（Ａ）に示したように、基板
（１）の上部に酸化膜（２）並びに窒化膜（３）を順次
形成し、その後、第２図（Ｂ）に示したように感光剤を
利用して隔離酸化膜を成長させる部分の窒化膜（３）を
エツチングし、感光剤を除去してチャネルストップイオ
ン（４）を注入し、以後、第２図（Ｃ）に示したように
隔離酸化膜（５）を成長させて窒化膜（３）並びに酸化
膜（２）を除去するようになっていた。
ＬＯＣＯＳ方法は、第２図（Ａ）に示したように、基板
（１）の上部に酸化膜（２）並びに窒化膜（３）を順次
形成し、その後、第２図（Ｂ）に示したように感光剤を
利用して隔離酸化膜を成長させる部分の窒化膜（３）を
エツチングし、感光剤を除去してチャネルストップイオ
ン（４）を注入し、以後、第２図（Ｃ）に示したように
隔離酸化膜（５）を成長させて窒化膜（３）並びに酸化
膜（２）を除去するようになっていた。
併しながら、このような従来のＬＯＣＯＳ方法に於いて
、例えば、隔離酸化膜（５）の製造工程で窒化膜（３）
と酸化膜（２）との酸化比率を約１：５０にし、隔離酸
化膜（５）の厚さを約５０００人とした場合に、前記窒
化膜（３）には１００人程鹿の酸化膜が成長するように
なる。そして、この場合、第３図（Ａ）に示したように
窒化膜（３）と酸化膜（２）の境界部では酸素（ｏｘ）
が酸化膜（２）を通って窒化膜（３）の底部に拡散し、
その拡散した酸素がシリコンとの結合に依り酸化膜を形
成し、よって、第３図（Ｂ）に示したように窒化膜（３
）が隆起される烏口現象が発生していた。ところが、こ
の烏口の長さは隔離酸化膜（５）の厚さの約８０％に及
び、且つ、チャネルストップイオンが側面に拡散するた
め実際に於いて基板に製造し得るトランジスター等の製
造面積が減少される不利な欠点があった。
、例えば、隔離酸化膜（５）の製造工程で窒化膜（３）
と酸化膜（２）との酸化比率を約１：５０にし、隔離酸
化膜（５）の厚さを約５０００人とした場合に、前記窒
化膜（３）には１００人程鹿の酸化膜が成長するように
なる。そして、この場合、第３図（Ａ）に示したように
窒化膜（３）と酸化膜（２）の境界部では酸素（ｏｘ）
が酸化膜（２）を通って窒化膜（３）の底部に拡散し、
その拡散した酸素がシリコンとの結合に依り酸化膜を形
成し、よって、第３図（Ｂ）に示したように窒化膜（３
）が隆起される烏口現象が発生していた。ところが、こ
の烏口の長さは隔離酸化膜（５）の厚さの約８０％に及
び、且つ、チャネルストップイオンが側面に拡散するた
め実際に於いて基板に製造し得るトランジスター等の製
造面積が減少される不利な欠点があった。
そこで、このような問題点を解決するため研究された本
発明に依れば、多結晶シリコンの乾式エツチングを利用
することに依り、烏口現象が発生しないＬＯＣＯＳ方法
を提供するのを目的としている。
発明に依れば、多結晶シリコンの乾式エツチングを利用
することに依り、烏口現象が発生しないＬＯＣＯＳ方法
を提供するのを目的としている。
すなわち、本発明に依れば、基板の上部に酸化膜と窒化
膜とを順次形成し、隔離酸化膜を形成する部分の窒化膜
をエツチングし、その上面に多結晶シリコンを蒸着して
前記酸化膜と窒化膜との境界部分の窒化膜の側面にのみ
前記多結晶シリコンが残るように乾式エツチング法に依
りエツチングし、その後、チャネルストップイオンを注
入して隔離酸化膜を成長させ、以後、前記酸化膜並びに
窒化膜を除去することに依り従来の烏口現象が発生しな
いＬＯＣＯＳ方法を提供している。
膜とを順次形成し、隔離酸化膜を形成する部分の窒化膜
をエツチングし、その上面に多結晶シリコンを蒸着して
前記酸化膜と窒化膜との境界部分の窒化膜の側面にのみ
前記多結晶シリコンが残るように乾式エツチング法に依
りエツチングし、その後、チャネルストップイオンを注
入して隔離酸化膜を成長させ、以後、前記酸化膜並びに
窒化膜を除去することに依り従来の烏口現象が発生しな
いＬＯＣＯＳ方法を提供している。
以下、本発明に係る実施例につき図面を用いて詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明に係るＬＯＣＯＳ方法を示した工程図で
、図面に示したように、基板（１１）上に酸化膜（１２
）並びに窒化膜（１３）を順次形成し、その後、第１図
（Ｂ）に示したように隔離酸化膜を形成する部分の窒化
膜（１３）を除去して第１図（Ｃ）に示したように多結
晶シリコン（１４）を蒸着する。以後、第１図（Ｄ）に
示したように多結晶シリコン（１４）を乾式エツチング
法に依りエツチングし、酸化膜（１２）と窒化膜（１３
）の境界部分の窒化膜（１３）の側面にのみ多結晶シリ
コン（１４）を残してチャネルストップイオン（１５）
を注込する。次いで、第１図（Ｅ）に示したように隔離
酸化膜（１６）を形成した後窒化膜（１３）及び酸化膜
（１２）を除去する。
、図面に示したように、基板（１１）上に酸化膜（１２
）並びに窒化膜（１３）を順次形成し、その後、第１図
（Ｂ）に示したように隔離酸化膜を形成する部分の窒化
膜（１３）を除去して第１図（Ｃ）に示したように多結
晶シリコン（１４）を蒸着する。以後、第１図（Ｄ）に
示したように多結晶シリコン（１４）を乾式エツチング
法に依りエツチングし、酸化膜（１２）と窒化膜（１３
）の境界部分の窒化膜（１３）の側面にのみ多結晶シリ
コン（１４）を残してチャネルストップイオン（１５）
を注込する。次いで、第１図（Ｅ）に示したように隔離
酸化膜（１６）を形成した後窒化膜（１３）及び酸化膜
（１２）を除去する。
このような本発明に係るＬＯＣＯＳ方法は、窒化膜（１
３）の側面に多結晶シリコン（１４）を蒸着してチャネ
ルストップイオン（１５）を注込するため、該チャネル
ストップイオン（１５）の注込の際多結晶シリコン（１
４）がマスクとして作用して、実際にチャネルストップ
イオン（１５）の注入される長さが多結晶シリコン（１
４）の幅だけ短くなる。よって、隔離酸化膜の製造工程
時にチャネルストップイオン（１５）の拡散が従来に比
べてその多結晶シリコン（１４）の幅位減少される。且
つ、多結晶シリコン（１４）が酸素の障壁として存在し
て酸化されるため従来の烏口現象が発生しなくなる。
３）の側面に多結晶シリコン（１４）を蒸着してチャネ
ルストップイオン（１５）を注込するため、該チャネル
ストップイオン（１５）の注込の際多結晶シリコン（１
４）がマスクとして作用して、実際にチャネルストップ
イオン（１５）の注入される長さが多結晶シリコン（１
４）の幅だけ短くなる。よって、隔離酸化膜の製造工程
時にチャネルストップイオン（１５）の拡散が従来に比
べてその多結晶シリコン（１４）の幅位減少される。且
つ、多結晶シリコン（１４）が酸素の障壁として存在し
て酸化されるため従来の烏口現象が発生しなくなる。
以上、説明したように本発明に係る方法に依れば、隔離
酸化膜を形成する時、従来の方法に比べてチャネルスト
ップイオンの拡散が減少すると共に烏口現象が発生しな
い。そのためトランジスター等の素子を製造し得る面積
が広くなり、よって、超高集積密度用の素子の製造に適
用する場合に極めて有利になる。
酸化膜を形成する時、従来の方法に比べてチャネルスト
ップイオンの拡散が減少すると共に烏口現象が発生しな
い。そのためトランジスター等の素子を製造し得る面積
が広くなり、よって、超高集積密度用の素子の製造に適
用する場合に極めて有利になる。
第１図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る
ＬＯＣＯＳ方法を示した工程図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）
は従来のＬＯＣＯＳ方法を示した工程図、第３図（Ａ）
（Ｂ）は従来のＬＯＣｏＳ方法に依り発生するチャネル
ストップイオンの拡散並びに烏口現象を示した説明図で
ある。 １１：基板、 １２：酸化膜、 ：窒化膜、 ：多結晶シリコン、 ：チャネルストップイオンニ ：隔離酸化膜。 第１図
は従来のＬＯＣＯＳ方法を示した工程図、第３図（Ａ）
（Ｂ）は従来のＬＯＣｏＳ方法に依り発生するチャネル
ストップイオンの拡散並びに烏口現象を示した説明図で
ある。 １１：基板、 １２：酸化膜、 ：窒化膜、 ：多結晶シリコン、 ：チャネルストップイオンニ ：隔離酸化膜。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板（１１）に酸化膜（１２）並びに窒化膜（１３
）を順次形成し、 隔離酸化膜（１６）を形成する部分の前記窒化膜（１３
）を除去して多結晶シリコン（１４）を蒸着し、 前記多結晶シリコン（１４）を乾式エッチング法に依り
エッチングして前記窒化膜（１３）の側面にのみその多
結晶シリコン（１４）を残し、 チャネルストップイオン（１５）を注入した後前記隔離
酸化膜（１６）を形成し、 そして前記窒化膜（１３）及び酸化膜（１２）を除去す
る工程から成ることを特徴とする多結晶シリコンの乾式
エッチングを利用した ＬＯＣＯＳ方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1643 | 1988-02-15 | ||
| KR880001643 | 1988-02-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228929A true JPH0228929A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=19272313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1035968A Pending JPH0228929A (ja) | 1988-02-15 | 1989-02-15 | 多結晶シリコンの乾式エッチングを利用したｌｏｃｏｓ方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228929A (ja) |
| CN (1) | CN1035916A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4880890B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2012-02-22 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4499623B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2010-07-07 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| CN101350327B (zh) * | 2007-07-17 | 2011-03-23 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 局部硅氧化隔离结构的制备方法 |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP1035968A patent/JPH0228929A/ja active Pending
- 1989-02-15 CN CN 89100864 patent/CN1035916A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1035916A (zh) | 1989-09-27 |
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