JPH01124214A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH01124214A JPH01124214A JP62282088A JP28208887A JPH01124214A JP H01124214 A JPH01124214 A JP H01124214A JP 62282088 A JP62282088 A JP 62282088A JP 28208887 A JP28208887 A JP 28208887A JP H01124214 A JPH01124214 A JP H01124214A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に
封止後の高温寿命特性が良好な固体電解コンデンサの製
造方法に関する。
封止後の高温寿命特性が良好な固体電解コンデンサの製
造方法に関する。
［従来の技術］
一般に、固体電解コンデンサの素子は、弁作用金属から
なる陽極基体に酸化皮膜層を形成し、この酸化皮膜層の
外面に対向電極として二酸化マンガンなどの半導体層を
形成する。さらに、接触抵抗を減じるために銀ペースト
層を設けて導電体層を形成している。このようにして作
製した固体電解コンデンサ素子は、熱硬化性樹脂等によ
って封止される。
なる陽極基体に酸化皮膜層を形成し、この酸化皮膜層の
外面に対向電極として二酸化マンガンなどの半導体層を
形成する。さらに、接触抵抗を減じるために銀ペースト
層を設けて導電体層を形成している。このようにして作
製した固体電解コンデンサ素子は、熱硬化性樹脂等によ
って封止される。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、導電体層まで形成した固体電解コンデン
サ素子を直接、熱硬化性樹脂等によって封止した場合、
作製した固体電解コンデンサの高温寿命特性か著しく劣
化することがあった。
サ素子を直接、熱硬化性樹脂等によって封止した場合、
作製した固体電解コンデンサの高温寿命特性か著しく劣
化することがあった。
本発明は、上記の事情に鑑み、封止後の高温寿命特性の
優れた固体電解コンデンサの製造方法を提供することに
ある。
優れた固体電解コンデンサの製造方法を提供することに
ある。
［問題点を解決するための手段コ
本発明は陽極弁金属のエツチング箔上に、誘電体酸化皮
膜層、半導体層、および導電体層が順次形成され、渦巻
状に巻回しである巻回体の両端開口部を封口処理した後
に、巻回体の外面を封止する固体電解コンデンサの製造
方法にある。
膜層、半導体層、および導電体層が順次形成され、渦巻
状に巻回しである巻回体の両端開口部を封口処理した後
に、巻回体の外面を封止する固体電解コンデンサの製造
方法にある。
以下、本発明の固体電解コンデンサの製造方法について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
本発明の陽極弁金属エツチング箔に用いられる弁金属と
しては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン及び
これらを基質とする合金等弁作用を有する金属であれば
よいが、特にアルミニウムを使用するのが有利である。
しては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン及び
これらを基質とする合金等弁作用を有する金属であれば
よいが、特にアルミニウムを使用するのが有利である。
弁金属エツチング箔の形状は、通常、箔、リボン等、板
状（以下箔という）のものである。
状（以下箔という）のものである。
上記箔のエツチング方法は公知の方法が採用できる。ま
た、箔の表面には、誘電体酸化皮膜層が設けられる。箔
表面の誘電体酸化皮膜層は、弁金属表層部分に設けられ
た弁金属自体の酸化皮膜であってもよく、あるいは弁金
属の表面上に設けられた他の誘電体酸化物の層であって
もよいが、特に弁金属自体の酸化皮膜であることが望ま
しい。
た、箔の表面には、誘電体酸化皮膜層が設けられる。箔
表面の誘電体酸化皮膜層は、弁金属表層部分に設けられ
た弁金属自体の酸化皮膜であってもよく、あるいは弁金
属の表面上に設けられた他の誘電体酸化物の層であって
もよいが、特に弁金属自体の酸化皮膜であることが望ま
しい。
何れの場合においても誘電体酸化皮膜を設ける方法とし
ては、従来公知の方法を用いることができる。
ては、従来公知の方法を用いることができる。
前記誘電体酸化皮膜層上に順次設けられる半導体層、導
電体層の種類および作製方法については、必らずしも限
定されるものではなく、公知のもの及び方法が採用でき
るる。その中でも、とりわけ本願出願人の出願によって
既に提案した半導体層および導電体層を用いることが好
ましい（特願昭８１−２０１７７０号、特願昭８１−２
６８０９２号）。
電体層の種類および作製方法については、必らずしも限
定されるものではなく、公知のもの及び方法が採用でき
るる。その中でも、とりわけ本願出願人の出願によって
既に提案した半導体層および導電体層を用いることが好
ましい（特願昭８１−２０１７７０号、特願昭８１−２
６８０９２号）。
陽極弁金属箔上に、順次、誘電体酸化皮膜層、半導体層
、および導電体層が形成され、渦巻状に巻回した構造体
すなわち積層巻同体の作製方法は、例えば、箔を渦巻状
に巻回してから、順次、誘電体酸化皮膜層、半導体層、
および導電体層を形成してもよく、また、箔上に順次、
誘電体酸化皮膜層、半導体層、および導電体層を形成し
てから渦巻状に巻回してもよい。或は箔上に誘電体酸化
皮膜層を形成してから渦巻状に巻回し、順次、半導体層
、および導電体層を形成するか、または、箔上に、順次
、誘電体酸化皮膜層、半導体層を形成してから渦巻状に
巻回し、後に導電体層を形成してもよい。
、および導電体層が形成され、渦巻状に巻回した構造体
すなわち積層巻同体の作製方法は、例えば、箔を渦巻状
に巻回してから、順次、誘電体酸化皮膜層、半導体層、
および導電体層を形成してもよく、また、箔上に順次、
誘電体酸化皮膜層、半導体層、および導電体層を形成し
てから渦巻状に巻回してもよい。或は箔上に誘電体酸化
皮膜層を形成してから渦巻状に巻回し、順次、半導体層
、および導電体層を形成するか、または、箔上に、順次
、誘電体酸化皮膜層、半導体層を形成してから渦巻状に
巻回し、後に導電体層を形成してもよい。
積層巻同体を作製する方法に特に制限はなく、又、巻き
数、巻き径、巻きピッチ等は、夫々所望により決めるこ
とができ特に制限はない。
数、巻き径、巻きピッチ等は、夫々所望により決めるこ
とができ特に制限はない。
前述した固体電解コンデンサ素子を封止するにあたり、
先ず固体電解コンデンサ素子である巻回体の両端開口部
を封口処理しておくことが肝要である。
先ず固体電解コンデンサ素子である巻回体の両端開口部
を封口処理しておくことが肝要である。
封口材料として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等公知
の封止材料を使用することができる。封目方法は、たと
えば、デイスペンサー等により両端開口部のみに封止材
料を注入し加熱硬化することによって行われる。
の封止材料を使用することができる。封目方法は、たと
えば、デイスペンサー等により両端開口部のみに封止材
料を注入し加熱硬化することによって行われる。
巻回体の両端開口部を封口処理することは、固体電解コ
ンデンサ素子自体が補強され、引き続き行われる固体電
解コンデンサ素子の外面を全て封止する時の応力に耐え
ることができるものと考えられる。
ンデンサ素子自体が補強され、引き続き行われる固体電
解コンデンサ素子の外面を全て封止する時の応力に耐え
ることができるものと考えられる。
巻回体の両端の開口部を封口した後、固体電解コンデン
サ素子全面を封止する方法は前述した封口材料をディッ
ピング処理、粉体塗装処理等をすることによって行われ
る。
サ素子全面を封止する方法は前述した封口材料をディッ
ピング処理、粉体塗装処理等をすることによって行われ
る。
巻回体の両端の開口部を封口処理する時に使用する封口
材料と固体電解コンデンサ素子を全面封止する時に使用
する封口材料は同一であっても、異なるものであっても
よい。
材料と固体電解コンデンサ素子を全面封止する時に使用
する封口材料は同一であっても、異なるものであっても
よい。
［実 施 例コ
以下、この発明を実施例に基づいて説明する。
第１図は渦巻状に巻回した固体電解コンデンサ素子の筒
状の巻回体の斜視図であり、１は巻回体、２は陽極リー
ド、３は陰極リードである。巻回体１は長さ２ＣＩＩ＋
％幅０．５ｃｍのアルミニウムエツチング箔上に順次、
アルミナ酸化皮膜層、二酸化鉛と硫酸鉛の３対１混合物
からなる半導体層、銀ベーストからなる導電体層が形成
されていて渦巻状に巻回されており、上、下の両端面に
は開口部がある。陽極リード２はアルミニウムエツチン
グ箔にかしめ付けされており、陰極リード３は導電体層
に銀ペーストで接続されている。
状の巻回体の斜視図であり、１は巻回体、２は陽極リー
ド、３は陰極リードである。巻回体１は長さ２ＣＩＩ＋
％幅０．５ｃｍのアルミニウムエツチング箔上に順次、
アルミナ酸化皮膜層、二酸化鉛と硫酸鉛の３対１混合物
からなる半導体層、銀ベーストからなる導電体層が形成
されていて渦巻状に巻回されており、上、下の両端面に
は開口部がある。陽極リード２はアルミニウムエツチン
グ箔にかしめ付けされており、陰極リード３は導電体層
に銀ペーストで接続されている。
第２図は第１図で示した固体電解コンデンサ素子の巻回
体１の上下の両端面の開口部を封口樹脂４（エポキシ樹
脂）で封口した斜視図である。第３図は巻回体１の両端
面の開口部をエポキシ樹脂で封口した後、この固体電解
コンデンサ素子の外面を全面的に封止樹脂５（エポキシ
樹脂）で封止した断面図である。第１図、第２図および
第３図に示した工程に従って作製した固体電解コンデン
サ（実施例）、および実施例と同一の巻回体ではあるが
、巻回体の両端面の開口部は封口にせずに直接、エポキ
シ樹脂で巻回体の外面全体を封止した固体電解コンデン
サ（比較例）を各々１０個づつ作製した。第１表は実施
例および比較例で作成した各々１０個の固体電解コンデ
ンサの平均値の初期性能および高温寿命性能をまとめで
ある。
体１の上下の両端面の開口部を封口樹脂４（エポキシ樹
脂）で封口した斜視図である。第３図は巻回体１の両端
面の開口部をエポキシ樹脂で封口した後、この固体電解
コンデンサ素子の外面を全面的に封止樹脂５（エポキシ
樹脂）で封止した断面図である。第１図、第２図および
第３図に示した工程に従って作製した固体電解コンデン
サ（実施例）、および実施例と同一の巻回体ではあるが
、巻回体の両端面の開口部は封口にせずに直接、エポキ
シ樹脂で巻回体の外面全体を封止した固体電解コンデン
サ（比較例）を各々１０個づつ作製した。第１表は実施
例および比較例で作成した各々１０個の固体電解コンデ
ンサの平均値の初期性能および高温寿命性能をまとめで
ある。
第 １ 表
［発明の効果］
本発明の固体電解コンデンサの製造方法によれば、陽極
弁金属のエツチング箔上に誘電体酸化皮膜層、半導体層
、および導電体層が順次形成され渦巻状に巻回されてい
る巻回体を、巻回体の両端開口部を封口処理した後、巻
回体の外面を封止しているので高温寿命試験後の損失係
数が小さい高温寿命特性の良好な固体電解コンデンサを
作製することができる。
弁金属のエツチング箔上に誘電体酸化皮膜層、半導体層
、および導電体層が順次形成され渦巻状に巻回されてい
る巻回体を、巻回体の両端開口部を封口処理した後、巻
回体の外面を封止しているので高温寿命試験後の損失係
数が小さい高温寿命特性の良好な固体電解コンデンサを
作製することができる。
第１図は固体電解コンデンサ素子の巻回体の斜視図、第
２図は巻回体の両端面の開口部を封口した斜視図、第３
図は固体電解コンデンサ素子の外面を封止した断面図で
ある。 １・・・巻回体 ２・・・陽極リード３・・
・陰極リード ４・・・封口樹脂５・・・封止
樹脂
２図は巻回体の両端面の開口部を封口した斜視図、第３
図は固体電解コンデンサ素子の外面を封止した断面図で
ある。 １・・・巻回体 ２・・・陽極リード３・・
・陰極リード ４・・・封口樹脂５・・・封止
樹脂
Claims (1)
- 陽極弁金属のエッチング箔上に、順次、誘電体酸化皮
膜層、半導体層、及び導電体層が形成され、渦巻状に巻
回されている巻回体の両端開口部を封口処理した後、前
記巻回体の外面を封止することを特徴とする固体電解コ
ンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62282088A JPH01124214A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62282088A JPH01124214A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01124214A true JPH01124214A (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=17647967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62282088A Pending JPH01124214A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01124214A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420043B1 (en) | 1996-11-07 | 2002-07-16 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US6616728B2 (en) | 1998-05-04 | 2003-09-09 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62214611A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | 日本電子興業株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP62282088A patent/JPH01124214A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62214611A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | 日本電子興業株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420043B1 (en) | 1996-11-07 | 2002-07-16 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US6616728B2 (en) | 1998-05-04 | 2003-09-09 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US6896715B2 (en) | 1998-05-04 | 2005-05-24 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
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