JPH01124220A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01124220A JPH01124220A JP62282401A JP28240187A JPH01124220A JP H01124220 A JPH01124220 A JP H01124220A JP 62282401 A JP62282401 A JP 62282401A JP 28240187 A JP28240187 A JP 28240187A JP H01124220 A JPH01124220 A JP H01124220A
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- JP
- Japan
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- etching
- semiconductor substrate
- substrate
- semiconductor
- hydrofluoric acid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は簡単な工程によシ、半導体装置の良品歩留まり
を飛躍的に高める製造方法に関する。
を飛躍的に高める製造方法に関する。
従来の技術
従来、エツチング液を用いて半導体表面の薄膜をエツチ
ングする際は、半導体基板をエツチング液中に浸し、エ
ツチングが終了した後半導体基板をエツチング液中から
一旦空中へ取り出し、エツチング液を含まない水の中に
浸して水洗を行い、然る後に乾燥を行っていた。ところ
が従来の方法では、半導体基板の表面状態によって、半
導体基板表面の一部に異物が生成する。例えば、第３図
に示す購造の半導体基板１をエツチング液中でエツチン
グすると、シリコン窒化膜３で保護されている領域以外
のシリコン酸化膜２がエツチングされる。この時、シリ
コン窒化膜３上の一部に異物４が発生する。エツチング
後の半導体基板１の部分拡大断面図を第４図に示す。こ
の異物４が存在する領域は全て不良の原因となるため、
半導体装置の良品歩留まりが低下する。
ングする際は、半導体基板をエツチング液中に浸し、エ
ツチングが終了した後半導体基板をエツチング液中から
一旦空中へ取り出し、エツチング液を含まない水の中に
浸して水洗を行い、然る後に乾燥を行っていた。ところ
が従来の方法では、半導体基板の表面状態によって、半
導体基板表面の一部に異物が生成する。例えば、第３図
に示す購造の半導体基板１をエツチング液中でエツチン
グすると、シリコン窒化膜３で保護されている領域以外
のシリコン酸化膜２がエツチングされる。この時、シリ
コン窒化膜３上の一部に異物４が発生する。エツチング
後の半導体基板１の部分拡大断面図を第４図に示す。こ
の異物４が存在する領域は全て不良の原因となるため、
半導体装置の良品歩留まりが低下する。
発明が解決しようとする問題点
従来の方法では、半導体基板の表面状態によって半導体
基板表面の一部に異物が生成する。この異物が存在する
領域の半導体装置は全て不良となるため、半導体装置の
良品歩留まシが低下する。
基板表面の一部に異物が生成する。この異物が存在する
領域の半導体装置は全て不良となるため、半導体装置の
良品歩留まシが低下する。
前記異物は、エツチングが終了した半導体基板をエツチ
ング液中から一旦空中へ取り出すことが原因となって発
生する。本発明者はこれらの問題点を鑑みて種々考案研
究した結果、本発明を完成するに至ったものである。
ング液中から一旦空中へ取り出すことが原因となって発
生する。本発明者はこれらの問題点を鑑みて種々考案研
究した結果、本発明を完成するに至ったものである。
問題点を解決するための手段
半導体基板をエツチング液中に浸す工程と、前記半導体
基板を前記エツチング液中に浸したまま前記エツチング
液を溶媒で希釈する工程と、前記半導体基板を前記溶液
中から取り出す工程によって半導体基板上の薄膜をエツ
チングする。
基板を前記エツチング液中に浸したまま前記エツチング
液を溶媒で希釈する工程と、前記半導体基板を前記溶液
中から取り出す工程によって半導体基板上の薄膜をエツ
チングする。
作 用
本発明によれば、エツチング終了後の半導体基板表面に
は異物が全く生成しないため、半導体装置の製造歩留り
の向上が可能となる。
は異物が全く生成しないため、半導体装置の製造歩留り
の向上が可能となる。
実施例
以下、図面に基づいて本発明について更に詳しく説明す
る。
る。
第１図及び第２図は、本発明にかかる半導体装置の製造
方法の一実施例の工程を示す部分拡大断面図である。第
３図は、本発明にかかる半導体装置の製造方法に用いる
半導体基板の部分拡大断面図である。第４図は、従来の
方法により半導体基板をエツチングした後の半導体基板
の部分拡大断面図である。
方法の一実施例の工程を示す部分拡大断面図である。第
３図は、本発明にかかる半導体装置の製造方法に用いる
半導体基板の部分拡大断面図である。第４図は、従来の
方法により半導体基板をエツチングした後の半導体基板
の部分拡大断面図である。
第３図において、半導体基板１を９００℃で酸化し、厚
さ５０ ｎ ｍのシリコン酸化膜２を形成する。前記シ
リコン酸化膜２上に減圧ＣＶＤ法によシ厚さ１２０ｎｍ
のシリコン窒化膜を堆積し、リングラフイー、エツチン
グ工程によりシリコン窒化膜３のパターンを形成する。
さ５０ ｎ ｍのシリコン酸化膜２を形成する。前記シ
リコン酸化膜２上に減圧ＣＶＤ法によシ厚さ１２０ｎｍ
のシリコン窒化膜を堆積し、リングラフイー、エツチン
グ工程によりシリコン窒化膜３のパターンを形成する。
第２図において、前記半導体基板１をフッ化水素酸水溶
液１ｏ中に浸す。フッ化水素酸水溶液の組成は任意であ
るが、エツチングレートのばらつキ］ｔｊ４ｆ、Ｌ−（
、ｋ（Ｆ：Ｈ２０＝１：２０の溶液を用いた。半導体基
板１のフッ化水素酸水溶液１０中への挿入方向は任意で
あるが、半導体基板の取扱いのしやすさを考慮して、半
導体基板１の主面がフッ化水素酸水溶液１Ｑの水面に対
して垂直になるように挿入した。、半導体基板１を所定
の時間だけフッ化水素酸水溶液１０中に浸し、シリコン
窒化膜３で保護されている領域以外のシリコン酸化膜２
ｔ−エツチングする。
液１ｏ中に浸す。フッ化水素酸水溶液の組成は任意であ
るが、エツチングレートのばらつキ］ｔｊ４ｆ、Ｌ−（
、ｋ（Ｆ：Ｈ２０＝１：２０の溶液を用いた。半導体基
板１のフッ化水素酸水溶液１０中への挿入方向は任意で
あるが、半導体基板の取扱いのしやすさを考慮して、半
導体基板１の主面がフッ化水素酸水溶液１Ｑの水面に対
して垂直になるように挿入した。、半導体基板１を所定
の時間だけフッ化水素酸水溶液１０中に浸し、シリコン
窒化膜３で保護されている領域以外のシリコン酸化膜２
ｔ−エツチングする。
次に第１図において、フッ化水素酸水溶液１゜に純水１
１を加えフッ化水素酸水溶液１ｏｔ−希釈する。悄１図
に示すように純水１１をエツチング槽の下から導入し、
オーバーフロ一方式で希釈を行うと、効率良くフッ化水
素酸水溶液１ｏの濃度を下げることができる。フッ化水
素酸水溶液１０を純水１１で十分希釈した後、半導体基
板１を空中へ取り出し、回転式の乾燥機（スピンドライ
ヤー）等を用いて半導体基板１を乾燥する。
１を加えフッ化水素酸水溶液１ｏｔ−希釈する。悄１図
に示すように純水１１をエツチング槽の下から導入し、
オーバーフロ一方式で希釈を行うと、効率良くフッ化水
素酸水溶液１ｏの濃度を下げることができる。フッ化水
素酸水溶液１０を純水１１で十分希釈した後、半導体基
板１を空中へ取り出し、回転式の乾燥機（スピンドライ
ヤー）等を用いて半導体基板１を乾燥する。
本実施例においては、エツチング溶液としてフッ化水素
酸水溶液を用いたが、フッ化水素酸水溶液のかわシにフ
ッ化アンモニウムとフッ化水素酸の混合水溶Ｖ＊＊用い
てもよい。溶媒としては水を用いたが、エンチング溶液
とあらゆる割合で混合するものならば何を用いてもよい
。
酸水溶液を用いたが、フッ化水素酸水溶液のかわシにフ
ッ化アンモニウムとフッ化水素酸の混合水溶Ｖ＊＊用い
てもよい。溶媒としては水を用いたが、エンチング溶液
とあらゆる割合で混合するものならば何を用いてもよい
。
本実施例においては、純水１１をエツチング槽の下から
導入するオーバーフロ一方式で希釈を行ったが、装置製
作上困難があるならば、純水１１をエツチング槽の上か
ら導入してもよい。ただし、フッ化水素酸水溶液１ｏの
濃度が低下する前に半導体基板１表面が空気中にさらさ
れないよう、給水と排水の割合を調節する必要がある。
導入するオーバーフロ一方式で希釈を行ったが、装置製
作上困難があるならば、純水１１をエツチング槽の上か
ら導入してもよい。ただし、フッ化水素酸水溶液１ｏの
濃度が低下する前に半導体基板１表面が空気中にさらさ
れないよう、給水と排水の割合を調節する必要がある。
発明の効果
従来用いられてきた方法では、半導体基板の表面状態に
よって、エツチング終了後の半導体基板表面の一部に異
物が生成する。この異物が存在する領域の半導体装置は
全て不良となるため、半導体装置の良品歩留まシが低下
する。本発明による製造方法を用いると、エツチング終
了後の半導体基板表面には異物が全く生成しないため、
半導体装置の良品歩留ｔｂを飛躍的に高めることができ
る０
よって、エツチング終了後の半導体基板表面の一部に異
物が生成する。この異物が存在する領域の半導体装置は
全て不良となるため、半導体装置の良品歩留まシが低下
する。本発明による製造方法を用いると、エツチング終
了後の半導体基板表面には異物が全く生成しないため、
半導体装置の良品歩留ｔｂを飛躍的に高めることができ
る０
、ｇ１図及び第２図は本発明にかかる半導体装置の製造
方法の一実施例の工程を示す部分拡大断面図、第３図は
本発明にかかる半導体装置の製造方法に用いる半導体基
板の部分拡大断面図、第４図は従来の方法により半導体
基板をエツチングした後の半導体基板の部分拡大断面図
である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・シリコン酸
化膜、３・・・・・・シリコン窒化膜、４・・・・・・
異物、１ｏ・・・・・・フッ化水素酸水溶液、１１・・
・・・・純水。
方法の一実施例の工程を示す部分拡大断面図、第３図は
本発明にかかる半導体装置の製造方法に用いる半導体基
板の部分拡大断面図、第４図は従来の方法により半導体
基板をエツチングした後の半導体基板の部分拡大断面図
である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・シリコン酸
化膜、３・・・・・・シリコン窒化膜、４・・・・・・
異物、１ｏ・・・・・・フッ化水素酸水溶液、１１・・
・・・・純水。
Claims (4)
- （１）半導体基板をエッチング液中に浸す工程と、前記
半導体基板を前記エッチング液中に浸したまま前記エッ
チング液を溶媒で希釈する工程と、前記半導体基板を前
記溶液中から取り出す工程とを備えてなる半導体装置の
製造方法。 - （２）エッチング液としてフッ化水素酸水溶液を用いる
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 - （３）エッチング液としてフッ化アンモニウムとフッ化
水素酸の混合水溶液を用いる特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置の製造方法。 - （４）溶媒として水を用いる特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62282401A JPH01124220A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62282401A JPH01124220A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01124220A true JPH01124220A (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=17651930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62282401A Pending JPH01124220A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01124220A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04207031A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Sharp Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
| JP2005277384A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP62282401A patent/JPH01124220A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04207031A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Sharp Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
| JP2005277384A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
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