JPS6119133A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS6119133A
JPS6119133A JP59139620A JP13962084A JPS6119133A JP S6119133 A JPS6119133 A JP S6119133A JP 59139620 A JP59139620 A JP 59139620A JP 13962084 A JP13962084 A JP 13962084A JP S6119133 A JPS6119133 A JP S6119133A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
poly
film
solution
hydrophilic
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59139620A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Tomita
豊 富田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP59139620A priority Critical patent/JPS6119133A/ja
Priority to EP85304819A priority patent/EP0171186A1/en
Publication of JPS6119133A publication Critical patent/JPS6119133A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/30—Diffusion for doping of conductive or resistive layers
    • H10P32/302—Doping polycrystalline silicon or amorphous silicon layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/26—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials
    • H10P50/264—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means
    • H10P50/266—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only
    • H10P50/267—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas
    • H10P50/268—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
    • H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/66—Wet etching of conductive or resistive materials
    • H10P50/663—Wet etching of conductive or resistive materials by chemical means only
    • H10P50/667—Wet etching of conductive or resistive materials by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にポリシリコ
ン中に高濃度のリン拡散を行った後の処理に関するもの
である。
〔従来技術〕
近年、半導体技術の進歩は着るしく、特に集積回路製半
導体装置の微細加工及び高集積化が進んでいる。微細加
工に適したデバイス構造としてはポリシリコンゲートタ
イプの電界効果トランジスターが多（使用されているが
、ポリシリコンそのままでは抵抗が高く、デバイスの動
作速度は遅い。
このため、ポリシリコン中に高濃度のリン拡散を行い、
ポリシリコンの電気抵抗値を下げている。
従来の低抵抗のポリシリコンの製造方法の概略を説明す
ると、まず半導体基板上に形成されたポリシリコン中に
リン拡散を行う０次にポリシリコン上には高濃度の膜質
の悪いリンガラス層が形成されている為、弗酸系のエツ
チング溶液で前記リンガラス層を除去する。その後純水
で水洗し、遠心乾燥機等で乾燥させる。（文献：集積回
路ハンドブックＰ２６６〜Ｐ２６８．１９６８．１１．
２５）ところで第１図に示すように、ポリシリコン層３
は疎水性であるため、純水で水洗した後にもその表面上
に水玉４が残る。（図において１は半導体基板、２は酸
化膜である。）このため乾燥後、水玉４の中に含まれて
いた弗酸溶液中の不純物５が表面に耐着する（第２図）
。こういった不純物がポリシリコン層上に付着すると、
＄３図に示す様に、ホトレジスト膜７でポリシリコン層
３をバターニングする時、エツチング後第４図に示す様
に不純物が付着した領域６が異常に早くエツチングする
。第５図の８で示した部分が不純物の付着による異常エ
ッチで欠損した部分である。逆に不純物が残った領域が
異常にエツチングされにくい場合は、エツチングされる
べき領域が残り、最悪の場合パターン間を短絡すること
になる（不図示）。
〔発明の目的〕
本発明は上記従来例の欠点に鑑み提案されたものであり
、適正なポリシリコン層のバターニングを可能とする半
導体装置の製造方法の提供を目的とする。
〔発明の構成〕
本発明は、半導体基板上に形成されたポリシリコン膜に
リン拡散を行うことにより表面に形成されたリンガラス
層を、弗酸系のエツチング液で除去して後、露出した前
記ポリシリコン膜表面が親水性となる処理を行うことを
特徴とする。
〔実施例〕
以下本発明の詳細な説明する。
まず半導体基板上に形成されたポリシリコン膜にリン拡
散を行う。次に表面に形成されたリンガラス層全弗醒系
のエツチング液で除去する。次に露出したポリシリコン
膜表面を硝酸溶液中に侵す処理を行う。このようにポリ
シリコン表面を酸化して薄い酸化膜を形成すれば、水洗
時に表面はシナノール基が形成され親水性となる。
実際、従来例のポリシリコンエツチングによればバター
ニングの欠陥が１〜５個／ｉ程度発生したものが、本実
施例によれば０．０５個、６−程度に抑えることができ
た。
なお、ポリシリコン層表面を硝酸溶液のかわりに過酸化
水素溶液に浸す処理をして親水性にしてもよいし、その
ほか露出したポリシリコン層上にシナノール基を形成し
て親水性に出来れば親水性化の手段を問わない。さらに
、ポリシリコンカミ露出して疎水性になる工程ならば、
リン拡散後のリンガラス層除去後でなくても本発明の製
造方法が適用出来ることは言うまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、ポリシリコン膜の
適正なパターン化が可能となるので、半導体装置の歩留
りが向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第５図は従来例に係る半導体製造方法の問題点
を説明するための図である。 １・・・半導体基板　　　　２・・・酸化膜３・・・ポ
リシリコン膜　　４・・・水玉５・・・水純物　　　　
　　６・・・凝縮して付着する不純物 ７・・・ホトレジスト膜

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体基板上に形成されたポリシリコン膜にリン
    拡散を行うことにより表面に形成されたリンガラス層を
    、弗酸系のエッチング液で除去した後、露出した前記ポ
    リシリコン膜表面が親水性となる処理を行うことを特徴
    とする半導体装置製造方法。
  2. （２）前記親水性処理はポリシリコン膜表面を酸化性の
    強い溶液中に浸すことにより行うことを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載の半導体装置製造方法。
  3. （３）前記親水性処理はポリシリコン膜表面を硝酸溶液
    中に浸すことにより行うことを特徴とする特許請求の範
    囲第１項記載の半導体装置製造方法。
  4. （４）前記親水性処理はポリシリコン膜表面を過酸化水
    素溶液中に浸すことにより行うことを特徴とする特許請
    求の範囲第１項記載の半導体装置製造方法。
JP59139620A 1984-07-05 1984-07-05 半導体装置の製造方法 Pending JPS6119133A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59139620A JPS6119133A (ja) 1984-07-05 1984-07-05 半導体装置の製造方法
EP85304819A EP0171186A1 (en) 1984-07-05 1985-07-05 Method of manufacturing a semiconductor device involving the etching of a polycrystalline silicon layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59139620A JPS6119133A (ja) 1984-07-05 1984-07-05 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6119133A true JPS6119133A (ja) 1986-01-28

Family

ID=15249526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59139620A Pending JPS6119133A (ja) 1984-07-05 1984-07-05 半導体装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP0171186A1 (ja)
JP (1) JPS6119133A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS634617A (ja) * 1986-06-24 1988-01-09 Mitsubishi Electric Corp 洗浄方法
JP2009182136A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Tokyo Electron Ltd ポリシリコン膜の除去方法および記憶媒体
US7771347B2 (en) 1998-12-11 2010-08-10 Boston Scientific Scimed, Inc. Method for treating tissue with an implant
US8177707B2 (en) 1998-12-11 2012-05-15 Boston Scientific Scimed, Inc. Method for treating tissue with an implant

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0718873A3 (en) * 1994-12-21 1998-04-15 MEMC Electronic Materials, Inc. Cleaning process for hydrophobic silicon wafers
TW308707B (en) * 1995-12-15 1997-06-21 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Manufacturing method of bonding SOI wafer
US7927975B2 (en) 2009-02-04 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Semiconductor material manufacture

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5330876A (en) * 1976-09-03 1978-03-23 Akai Electric Method of cleaning surface of semiconductor

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4050954A (en) * 1976-03-25 1977-09-27 International Business Machines Corporation Surface treatment of semiconductor substrates

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5330876A (en) * 1976-09-03 1978-03-23 Akai Electric Method of cleaning surface of semiconductor

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS634617A (ja) * 1986-06-24 1988-01-09 Mitsubishi Electric Corp 洗浄方法
US7771347B2 (en) 1998-12-11 2010-08-10 Boston Scientific Scimed, Inc. Method for treating tissue with an implant
US8177707B2 (en) 1998-12-11 2012-05-15 Boston Scientific Scimed, Inc. Method for treating tissue with an implant
JP2009182136A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Tokyo Electron Ltd ポリシリコン膜の除去方法および記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
EP0171186A1 (en) 1986-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4292156A (en) Method of manufacturing semiconductor devices
JPS6119133A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5847852B2 (ja) 半導体装置における埋込みコンタクトの形成方法
KR100200297B1 (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
JPH01124220A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6279625A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01125938A (ja) 半導体装置の製造方法
KR0150668B1 (ko) 반도체 소자 제조방법
JPS6329950A (ja) 半導体装置の金属配線パタ−ン形成法
JP2683847B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2589471B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63117428A (ja) 半導体装置の製造方法
KR960001880A (ko) 반도체소자의 실리콘층 제조방법
JPS6367736A (ja) 半導体基板の製造方法
JPS5918639A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0210839A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6362352A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS58191447A (ja) 半導体装置製造法
JPS62287628A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61134015A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS60194539A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02219229A (ja) 半導体素子の製造方法
JPS61265821A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPH06151291A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS59165424A (ja) 配線形成方法